台積電、三星(Samsung)再掀先進製程競爭戰火，三星近期宣布其5奈米(nm)FinFET製程技術已開發完成，並可為客戶提供樣品，且由於加入了極紫外線(EUV)技術，進一步提升晶片功耗與性能；而繼三星宣布5nm技術完成開發後，台積電也旋即發布其6nm製程消息，並預計於2020年第一季進入試產。兩大晶圓代工強權相繼釋出先進製程進度，較勁意味可說十分濃厚。
據悉，與7nm相比，三星的5nm FinFET製程技術將晶片邏輯區域效率提高了25%，功耗降低20%，性能提高10%；同時三星還將自己在7奈米製程的所有智慧財產權使用至5奈米製程中，以減少客戶從7奈米轉換至5奈米的成本，並可以預先驗證設計生態系統，縮短5奈米產品開發流程和時間。
三星晶圓代工業務執行副總裁Charlie Ba表示，成功完成5nm製程技術開發，證明了三星在基於EUV節點的能力，而為因應市場對先進製程不斷成長的需求，未來將會致力加速基於EUV技術的晶片量產，滿足5G、人工智慧(AI)、汽車、高性能運算(HPC)等新興應用。
目前三星晶圓製造業務與｢三星高級代工生態系統(SAFE)｣合作夥伴密切合作，為三星5奈米製程提供強大的設計基礎架構，包括製程設計套件(PDK、設計方法(DM)、電子設計自動化(EDA)工具和IP都已從2018年第4季開始提供。
三星指出，目前已開始向客戶提供5奈米多專案晶圓(Multi-Project Wafer, MPW)的服務，同時在6奈米製程上已經成功流片，7奈米製程則即將進入量產階段，未來還預計擴大位於首爾華城的EUV生產線(預定2019年下半年完成)，加速EUV晶片生產。
另一方面，在三星宣布其5nm製程完成後，台積電也公開回擊，宣布推出6奈米(N6)製程技術，大幅強化目前的7奈米(N7)技術，協助客戶在效能與成本之間取得高度競爭力的優勢，同時藉由N7技術設計的直接移轉而達到加速產品上市的目標。
台積公司業務開發副總經理張曉強指出，N6技術將會延續台積電目前的市場競爭優勢，提供客戶更高的效能與成本效益，並使客戶能夠藉由完備的設計生態系統，迅速的從此項新技術之中獲取更高的產品價值。
藉由目前試產中的7奈米強效版(N7+)使用EUV微影技術所獲得的新能力，台積電N6技術的邏輯密度較N7技術增加18%；同時，N6技術的設計法則與通過考驗的N7技術完全相容，使得7奈米完備的設計生態系統能夠被再使用。換言之，N6提供客戶一個具備快速設計週期且只須使用非常有限的工程資源的無縫升級路徑，支援客戶採用此項嶄新的技術來達成產品的效益。
台積電指出，N6技術預計於2020年第一季進入試產，提供客戶更多具成本效益的優勢，並且延續7奈米家族在功耗及效能上的優勢，支援多樣化的產品應用，包括高階到中階行動產品、消費性應用、AI、網通、5G基礎架構、繪圖處理器以及高效能運算。
