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提升室內5G毫米波覆蓋 三星小基站Link Cell亮相

日前三星(Samsung)推出新的整合式5G毫米波(mmWave)的小型基站Link Cell,作為Samsung Link的產品之一,可用於強化室內的5G毫米波訊號,能為使用者的室內環境提供順暢且強化的5G使用體驗,為企業內以5G網路為基礎的設施,如製造及配送設備、辦公室、娛樂產品或商場、體育館、飯店等公共場合提供高覆蓋的5G毫米波訊號。 Link Cell用於強化室內的5G毫米波訊號 (圖片來源:三星) Link Cell為無線網路營運商創造出延伸自5G網路的服務,透過其高傳輸量及低延遲的特點,十分適合應用在商業及公共場館。同時作為未來企業內5G私有網路的關鍵元件,包含製造業、醫療保健、零售及倉庫設備等,都可以採用Link Cell。其中,Verizon是美國第一個在商用領域部署Link Cell的無線網路營運商,將會藉此擴展其5G超寬頻的覆蓋範圍。 此款5G小型基站的第一版支援28GHz,同時具備結合4個100MHz頻寬的能力,提供高容量及高速下載功能。此外,Link Cell在小於4公升的小體積內整合無線電、天線及數位單元,並且只需將其放置在牆壁或天花板上即可使用,而無風扇的冷卻方式也能有效降低噪音。另一方面,該產品可調整RF效能,行動裝置在室內不同位置,或者從外部5G網路切換到室內網路時都能無縫接軌。
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三星推出Galaxy Note20 Ultra 支援恩智浦UWB技術

恩智浦半導體(NXP)宣布,其安全UWB精密測距解決方案、eSIM、NFC和安全元件(eSE)單元已部署至三星(Samsung)新款Galaxy Note20 Ultra手機。恩智浦運用安全行動解決方案推動當前行動生活方式,並圍繞著UWB技術建立聯盟,展開生態系統合作。恩智浦和三星皆為FiRa聯盟的創始成員,該聯盟成立於2019年,旨在促進UWB技術開發與廣泛採用的互操作性(Interoperability)。 三星電子副總裁暨IT和行動通訊事業部技術策略團隊主管Inkang Song表示,三星首次將恩智浦UWB技術整合在最新的Galaxy系列裝置中,讓照片、影音和檔案的共享變得更加簡單,也能透過擴增實境(AR)技術幫助使用者更精確地定位物體,並作為數位鑰匙打開房屋門鎖,使消費者的生活更加輕鬆。 UWB技術提供出色的精確度,包含視線範圍(Line-of-site, LoS)場景以及非視距(Non-line-of-sight, nLoS)場景的強大定位;還能運用到達角度(Angle-of-arrival, AoA)技術指示訊號方向,進而提高精確度,並以公分級別精確定位、辨識其他裝置或物體,例如:讓行動裝置與互聯的門、入口以及汽車進行通訊,實現完全無需手動操作的門禁控制。 UWB技術奠基於恩智浦的NFC連接、行動生態系統的專業知識與經過驗證的安全架構,而這些技術已經廣泛應用在許多目前流行且支援行動支付的裝置上,UWB讓裝置能夠快速且安全地發起通訊。透過整合NFC技術,即便在電池耗盡的情況下,裝置也能繼續執行非接觸式交易;恩智浦符合GSMA標準的eSIM解決方案會永久地整合至裝置內,進而大幅簡化遠端SIM配置過程,並且支援無線(Over-the-Air)SIM更新。
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SSD容量突破 三星推8TB固態硬碟

傳統機械硬碟(HDD)與固態硬碟(SSD)的競爭延續多年,HDD便宜且容量大,而SSD具有讀寫快速、小體積、低功耗等優勢,但是礙於其價格與容量限制,一直難以完全取代機械硬碟。日前三星(Samsung)推出第二代QLC SSD 870 QVO,相較於前一代產品,870 QVO的容量比上一代多兩倍,達到8TB,其定價也極具市場競爭力。 圖 三星推出第二代QLC SSD 870 QVO。來源:三星 過去使用者往往必須在高性能的SSD與高容量的HDD之間取捨,而三星新推出的870 QVO的8TB大容量解決了SSD長期以來容量的缺點,滿足主流的PC使用者與需要高效能硬碟的專業人士的需求。870 QVO除了提供SSD少見的8TB容量,以及560 MB/s的順序讀取與530 MB/s的讀寫速度,並搭配驅動器的TurboWrite技術維持其效能水準。 除了性能與容量,價格也是影響使用者購買選擇的重要因素。目前870 QVO每TB的售價是129美元,與HDD的價格已相去不遠,促使SSD的產品競爭力大幅上升。在價格與容量逐漸接近HDD的狀況下,SSD的發展出現新的契機,可望未來完全取代HDD。
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滿足新世代記憶體需求 三星擴建NAND Flash新廠

三星(Samsung)日前規畫在韓國平澤新建工廠,提升NAND快閃記憶體產能,以滿足市場快速成長的NAND快閃記憶體需求。建廠的工程從2020年五月開始,將為三星2021年量產V-NAND的目標鋪路。 圖 三星日前規畫在韓國平澤新建工廠。來源:三星 三星18年來累積豐富的NAND快閃記憶體技術,而最近一項創新即是去年七月推出第六代的V-NAND 。為了2021年量產V-NAND 的計畫,三星在韓國平澤建造新工廠,專門生產V-NAND。 隨著數位應用普及,三星透過持續投資抓緊商機,其NAND快閃記憶體生產據點從韓國華城、平澤擴張到中國西安,平澤的廠區以新一代的記憶體技術為主軸,設有兩條大規模產線。在人工智慧(AI)、物聯網(IoT)及5G共同開啟工業4.0的趨勢下,新增的產能將會在滿足NAND快閃記憶體的中長期需求方面扮演重要角色。
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三星安全晶片通過CC EAL 6+ 加密操作更安全

三星(Samsung)日前發布一站式安全解決方案,由安全元件(Secure Element, SE)晶片S3FV9RR與強化的防護軟體組成,維護隔離儲存區(Isolated Storage)、行動支付或其他應用程式等工作的安全。 圖 三星發布一站式安全解決方案,由安全元件晶片S3FV9RR與防護軟體組成。來源:三星 最新的三星安全晶片通過共同準則的擔保等級(Common Criteria Evaluation Assurance Level, CC EAL)6+認證,達到移動零組件的最高安全要求。此款安全解決方案是接續一月公布的第一代S3K250AF之後,加強一站式安全防護的機制,且前一代產品僅通過CC EAL 5+,而新通過CC EAL 6+的安全晶片可以用在資訊最需要嚴格保護的應用中,如旗艦版智慧型手機、電子護照或者加密貨幣錢包。 新方案支援基於硬體的信任根(Root of Trust, RoT)機制,透過兩倍的安全儲存量,進行安全啟動與身分驗證,促使晶片的安全程度進入更高層級。針對服務供應商、製造商與相關機構,在行動裝置上執行應用程式時,RoT加強安全身分驗證,引導應用程式啟動時,將能透過信任鏈,驗證帶有金鑰的韌體。此安全啟動機制由RoT管理,保護裝置免於任何形式的攻擊,以及未經授權的軟體更新。 作為獨立服務,此安全方案能在客戶裝置的主要處理器之外運作,可以彈性地將安全防護服務擴及行動裝置與IoT應用程式等方面。此外,製造商能夠確保在外地生產的產品,不會被未授權韌體的侵害,而能在硬體方面,全方位滿足加密操作所需的安全要求。
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東南亞/南亞陸續鎖國 電子零組件供應再受影響

面對新冠疫情肆虐,各國政府相繼宣布封城或鎖國等防疫措施,科技業內多家廠商發出聲明稿,說明各地工廠的狀況。東南亞及印度等地多國政府,已提出鎖國要求,包含三星(Samsung)、LG、索尼(Sony)皆已發布停工。特別值得注意的是馬來西亞,由於當地有許多IDM大廠的封裝廠,因此部分半導體元件的供應,未來將受到更大影響。 圖 東南亞及印度配合政府計畫,廠商包含三星(Samsung)、LG、索尼(Sony)皆發布停工。來源:Samsung Molex日前發出的聲明提及其亞洲區域的工廠中,印度將停工至4月14日,中國雖已復工,但仍需時間消化停工期收到的訂單,因此將延遲交貨,而馬來西亞及菲律賓的工廠則處於人力與產能減少的情況。歐洲部分只有義大利的工廠關閉至4月3日,其他地區與美國的工廠都仍正常運作。 綜觀全球工廠狀況,印度與東南亞的工廠皆因政府防疫政策,工廠陸續關閉。印度根據總理頒布的禁令,手機製造廠商三星、LG、OPPO、vivo、聯想、iPhone代工廠鴻海與緯創的印度廠已決定停工,復工日期皆未確定。馬來西亞則是半導體封測重鎮,受鎖國政策的影響,英飛凌(Infineon)關閉工廠,索尼及AVX則在3月18至31日關閉工廠兩週。菲律賓鎖國後,賽普拉斯(Cypress)的工廠停工至4月14日,愛普生(EPSON)也將暫時關閉其位於馬來西亞的工廠。 日韓兩國雖未停工,但各廠商的員工確診案例仍影響產能。二月三星的工廠出現第一例確診員工,隨後陸續出現確診病例,但目前仍維持工廠正常運作。SK海力士同樣在二月出現確診員工,並且未關閉工廠。索尼則配合防疫措施,安排員工進行遠距辦公。 歐美廠商意法半導體同意法國的晶圓廠減產50%,以減少工廠人數。設有美國工廠的LG Chem與三星SDI決議關閉美國的工廠至4月13日,日本松下則關閉離電池工廠14天。
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三星eUFS 3.1進入量產 寫入速度大增三倍

日前三星開始量產用於旗艦手機的512GB 嵌入式快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS)3.1,提高比前一代512GB eUFS 3.0快三倍的寫入速度,突破現階段1GB/s網速的智慧型手機之性能限制。 圖 512GB eUFS 3.1。圖片來源:三星 512GB eUFS 3.1的寫入速度達1,200MB/s,相當於個人電腦SATA硬碟(540MB/s)兩倍、HS-I microSD記憶卡(90MB/s)的10倍,代表使用者在手機上讀取巨大的檔案,如8K影片或數百張大尺寸的照片時不需要緩衝,速度接近筆記型電腦。從舊手機轉移檔案也能節省大量時間,例如100GB的資料在UFS 3.0的手機中需要耗時4分鐘,但eUFS 3.1只要1.5分鐘即可完成資料傳輸。 新款旗艦機除了推出512GB的容量,也有256GB及128GB的規格。三星本月已開始在中國西安啟動量產第五代V-NAND的新產線,已滿足市場上對於旗艦機與高階智慧型手機的記憶體需求。另一方面,三星也計畫將南韓平澤廠的產線從第五代V-NAND轉為量產第六代V-NAND晶片。
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是德攜手三星合作加速驗證新5G數據機DSS技術

是德科技(Keysight)日前宣布與三星電子(Samsung)LSI事業群擴大合作,以協助該智慧型手機製造商加速驗證用於全新5G數據機的動態頻譜分享(DSS)技術。身為全球半導體元件與5G技術廠商,三星LSI事業群使用是德科技5G網路模擬解決方案,加速開發其Exynos RF 5510射頻解決方案,以及支援DSS技術的Exynos Modem 51235G數據機。 三星電子系統LSI協定發展事業群副總裁Woonhaing Hur表示,很高興能與是德科技就5G技術擴大合作,以加速開發並推動三星電子下一代5G解決方案,並確保它們符合未來5G裝置的高效能要求。藉由與是德科技等廠商密切合作,該公司將持續提供先進的解決方案,讓每個人都能盡享美好的生活風貌。 透過DSS技術,行動通訊業者可在現有4G LTE基地台上建構混合式4G/5G基地台,並以經濟快速的方式推出5G NR服務。此新興科技可依流量需求,動態切換LTE和5G NR覆蓋範圍,進而彈性支援低、中、高頻段現有的頻譜配置。隨著行動通訊業者開始在網路中部署DSS技術,全球5G服務的部署腳步也日益加快,同時全球5G智慧型手機銷量也持續提高。根據Strategy Analytics預測,5G手機的銷售量將於2025年達到10億支。
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Gartner:2019全球記憶體市場衰退 英特爾重奪龍頭寶座

國際研究暨顧問機構Gartner初步調查結果顯示,2019年全球半導體總營收為4,183億美元,較2018年減少11.9%。由於記憶體市場衰退,許多大廠受到負面衝擊,像是2017、2018年營收都排名第一的三星電子(Samsung)也深受影響,讓英特爾(Intel)藉此重新奪回市場冠軍寶座。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示,2019年記憶體市場營收下滑31.5%,占半導體整體銷售的26.7%,其中DRAM從2018年底到2019年全年都供過於求,因此2019年營收下滑37.5%。這次供過於求狀況產生,主要原因在於超大規模(Hyperscale)市場需求突然下滑。OEM庫存水位過高,使得廠商於2019上半年期間都在解決此狀況,而下半年DRAM廠商庫存過多也壓低了價格,造成2019年全球DRAM平均售價(ASP)下滑47.4%。 2019年,英特爾從連續稱霸兩年的三星電子手中,重新奪回全球半導體廠商營收排名第一的寶座(見表1)。由於伺服器市場趨緩、CPU供應持續吃緊、英特爾在去年第四季將蜂巢式調變解調器(cellular modem)業務出售給蘋果(Apple)等因素,導致英特爾2019年半導體營收下滑0.7%。 三星因記憶體市場衰退落到第二名,與其他記憶體廠商一樣因DRAM及NAND flash市場供過於求和價格下滑而陷入苦戰。2019年三星記憶體營收下滑34%,占整體銷售的82%。 表1:2019年全球前十大半導體廠商營收(單位:億美元) 就記憶體部門而言,2019年NAND flash衰退幅度較整體記憶體市場小,營收下滑23.1%,主因是2018年底庫存水位上升,2019年上半需求趨緩又更形惡化。KIOXIA和Western Digital合資成立的晶圓廠發生斷電事故,促使廠商出清庫存,推動價格從低點回升,使2019年7月NAND市場開始穩定。由於市場對於固態硬碟(SSD)及5G智慧型手機需求強勁,Gartner認為NAND市場回溫的趨勢將持續到2020年。 其他類型裝置的營收表現各異。類比產品下滑5.4%,主要原因在於終端設備市場疲軟,尤其是工業與舊款車用產品與其他泛用標準型裝置,例如微控制器和其他邏輯產品;受惠於智慧型手機鏡頭數量不斷增加,光電類則是增長2.4%,創下所有類型裝置當中最佳表現。 Andrew Norwood指出,Gartner預期在廠商清空過高庫存,進而拉抬晶片(尤其是記憶體部門)的平均售價後,2020年半導體市場營收將會上揚。邁入2020年,儘管中美貿易戰的局勢似有緩解趨勢,不過2019年美國已將華為等幾家中國大陸企業列入出口管制實體名單,最直接的衝擊就是迫使華為到美國以外地區尋找替代的晶片供應商,像華為獨資成立的海思半導體(HiSilicon)就是名單首選,其他還有日本、台灣、南韓和中國大陸廠商。這部分將是2020年的觀察重點之一。
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iBeam技術大躍進 Micro LED顯示器有望2022量產

三星投資的新創Micro LED顯示器技術商iBeam Materials(iBeam)日前宣布,已成功展示一項可直接在纖薄、柔性且可彎曲的金屬基板上製造高效氮化鎵(GaN)場效電晶體(FET)的技術。將這項技術與該公司先前發表的MicroLED搭配使用,製造商可以在省去巨量轉移製程,直接將MicroLED與場效電晶體以並排的方式整合在一起。該公司預估,這項直接在金屬基板上製造GaNFET的技術,可望在2022年進入大規模量產。 iBeam透過GaN元件為產品帶來新面貌。 MicroLED顯示器技術可突破傳統顯示器的外觀尺寸限制,為手機、可穿戴式裝置、照明及儀器等產品外觀帶來轉變的可能。新技術製造的大面積MicroLED顯示器具有韌性但外形纖薄,且其可彎曲、凹折及適應各種形狀的特性,能與傳統的顯示器產生明顯的市場區隔。此外,相較傳統LCD和OLED顯示器,該Micro LED顯示器具較高亮度及效率。 Micro LED顯示器能否普及的關鍵取決於量產技術的成熟度,及應用設計是否有足夠的實用性,本次iBeam技術的突破,克服了量產技術方面的瓶頸。而該公司早期技術發展亦著重於柔性基板,如其專利製程可使製造商直接在薄、柔性大面積金屬基板上生產產品。透過直接於金屬基板上生產Micro LED顯示器面板,可以捲對捲(Roll-to-Roll)製程大量生產,而該公司精進製程的同時,亦能使生產資金與營運成本較傳統顯示器來得低。
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