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推進摩爾定律 半導體先進封裝領風騷

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半導體效能的提升與「摩爾定律」多年來幾乎成為同義詞,過去製程微縮是達成每兩年同樣單位面積中,塞入兩倍電晶體最主要的手段,然而製程微縮在近年也碰到物理極限瓶頸的挑戰,如何持續透過技術的演進改善積體電路的效能,成為半導體產業最重要的任務,「先進封裝」成為最近幾年提升晶片效能的重要技術,相關技術受市場重視程度也水漲船高。

半導體線寬/線徑的微縮遭遇技術挑戰,晶片或裸晶的整合成為推升半導體效能的另外一個手段,立體堆疊與異質整合(Heterogeneous Integration)則是封測技術發展的核心要項。透過封裝技術整合晶片與製程微縮是不同層面的積體電路整合,但目的同樣都是為了提升電晶體的集積度,從早期的系統級封裝(System in Package, SiP)到晶圓級封裝、3D堆疊等同質整合(Homogeneous Integration)技術,到近期代表性的異質整合概念小晶片(Chiplet)設計帶動的封裝發展都具有高度潛力。

先進封裝成長動能強勁

先進封裝包含覆晶封裝、晶圓級扇入扇出型封裝及內埋式封裝等。根據產業研究機構Yole D'eveloppement研究指出,2018~2024年先進封測產值之年複合成長率(CAGR)高達8.2%,相較非先進封測技術產值CAGR約2.4%,與整體封測業產值成長率約5%,成長動能相對突出,且2024年先進封測產值與其他產值比重將進一步縮小。

隨著電子終端產品朝向低價格、多功能、高效能、高整合度發展,未來幾年5G與AI將引領科技應用發展的腳步,而半導體晶片製程走到3~5奈米,終端產品也要微型化與高度整合的晶片協助,須使用晶圓級封裝(Wafer Level Package, WLP)技術,如2.5D/3D IC、扇出型封裝(Fan-out Package)等,因應用領域或晶片類型不同會採用不同的技術,工研院產科國際所產業分析師楊啟鑫表示,主要目的就是提升效能與降低成本。

扇出型晶圓級封裝(Fan-out Wafer Level Packaging, FOWLP)技術與採用TSV的正統3D IC相較,概念接近2.5D IC,且成本可低於TSV 3D IC,因而逐漸受市場青睞。而在市場需求部分,扇出型封裝晶片具備薄型化與低功耗之優勢,故在產品應用上以可攜式裝置為大宗,預計2021年將消耗363萬片12吋晶圓,相較於2014年台積電推出InFO封裝時之33萬片12吋晶圓消耗量,已大幅成長約11倍。

而扇出型封裝若要能持續降低製作成本以增加應用,擴大製程基板的使用面積是最重要的手段,以12吋(300mm)晶圓來看,其可使用面積僅約為3.5代(620mm×750mm)玻璃基板的15%,突顯玻璃基板在面積上的優勢。相較於晶圓級扇出型封裝技術,投入面板級扇出型封裝若能建立足夠的良率,將可以大幅降低成本,所以面板級扇出型封裝成為封測大廠2020年的發展重點,楊啟鑫指出,面板級扇出型封裝分為先晶片(Chip First)與後晶片(Chip Last)技術類型,各廠也有自己的發展重點。

面板級扇出型封裝成兵家必爭之地

先晶片技術的優勢在於不需凸塊(Bumping)製程成本較低,缺點為若低良率發生時將導致晶片損壞;後晶片的優勢在於可以製作高階晶片,大型且具高密度接腳,缺點為需花費凸塊製程費用導致成本較高。關於主要封裝廠的動態,楊啟鑫說明,日月光積極布局扇出型封裝技術,除了自行開發之外,也與英飛凌(Infineon)及DECA的M-Series技術合作及授權,其他系列技術還包括:eWLB、FOCoS、FOPoP、FOSIP、HD FOCoS、Panel FO等。

另外,全球記憶體封測第一大廠力成,近年積極發展邏輯IC封測,從中低階邏輯IC封測跨入高階面板級扇出型封裝技術,開發各種型態的扇出型封裝技術,符合不同IC的應用需求(圖1)。在低成本部分有不需凸塊的Bump Free技術,對應較小顆IC封裝如PMIC/PA等;在高階晶片整合產品部分,則採用Chip Last技術,確保晶片封裝完好無損並盡可能提高良率。

圖1 力成面板級扇出型技術分類與線寬/線距

面板級扇出型封裝已經成為封測大廠的下個戰場,楊啟鑫說,包括日月光、Amkor、力成及三星電子、Nepes等,皆藉由建產線或購併的方式相繼投入面板級扇出型封裝技術擴產,未來全球面板級封裝產能將持續提升。也由於目前該技術還未標準化,所以降低成本的能力就成為競爭勝出的關鍵,目前廠商大多開發L/S 10/10μm以下之技術,短期或有良率疑慮,但長期可減少繞線層數以降低成本,且能夠封裝具高毛利的高階晶片。另一方面,也是液晶面板廠舊產線的回春之道,群創就宣布未來三年內將一座3.5代面板廠轉型為封測廠。

大廠競相布局UHD扇出型封裝

另外,TSMC自2012年起量產矽中介層基板上晶片(Chip-on-Wafer-on-Substrate, CoWoS)技術,將晶片整合從同質推進到異質整合;加上2016年推出的整合型扇出(Integrated Fan-out, InFO)封裝,帶動晶圓廠也涉足封裝技術與服務。楊啟鑫強調,先進製程晶片成本急遽上升,所以以小晶片(Die-partittion)方式以提高良率及降低晶片成本,有越來越多5G/AI應用先進製程的晶片將導入CoWoS這類高階封裝技術。

晶圓廠發展封裝技術並不是為了與專業的封測廠搶生意,主要還是為了提升服務價值,提供效能更好的產品,TSMC整合型扇出封裝的成功讓製程微縮的瓶頸獲得舒緩。Yole 2020年發表的產業研究提到,2019~2025年間扇出型封裝技術CAGR為15.9%,且2025年產業規模將達30億美元,扇出型封裝被越來越多應用於5G、HPC、77GHz雷達與AiP模組這些明星級的應用。2020~2025年間的CAGR可高達76%(圖2)。此外,在同一時期,xPU晶粒和xPU HBM應用也將分別以20%和52%的CAGR強勢成長。

圖2 2019~2025年扇出型封裝產業規模發展趨勢 資料來源:Yole Dèveloppement 2020/06

超高密度(Ultra High Density, UHD)扇出型技術預期CAGR為20.2%,截至2025年其收益將成長至15.32億美元。新的HPC產品將出現,與2.5D Interposer中介層技術相比,將會需要更多UHD扇出作為更具成本效益的先進封裝。另外,HD扇出型的營收預期將以15.8%的CAGR成長,產業規模2025年達到12.91億美元,高階新興應用將帶動先進封裝的技術與市場發展。

Chiplet帶動先進封裝技術與市場

而在設計概念上,近年發展出小晶片這個趨勢,由來是昔日在CPU場域中的兩個宿敵Intel和AMD在其2017年合作計畫中提出來的,2018隨即被納入DARPA的ERI議題中。過去電路設計與系統級整合的概念SoC都是在「大晶片」的邏輯下,但如果為了整合新功能模組而加大晶片面積,於最先進製程上製造大晶片是很不划算的,而且晶片面積擴大,由缺陷密度導致的良率損失也跟著成長。

解決方法是讓需要講求效能的電路使用最先進製程製造,其它對效能要求較低的電路、或者有專屬製程的電路如DRAM等則另外製造。因為功能模組化,有些Chiplet可以一用再用,甚至變成公共矽智權,大幅減少設計的時間和成本。實際做法是多個Chiplet安置於中介層上,以封裝的方式將數個Chiplet做成一個高效能的晶片,Intel將這種多Chiplet的平面封裝叫做Embedded Multi-die Interconnected Bridge(EMIB)。上下堆疊的架構則稱為Foveros,而將兩種概念合併的,就是上下晶片堆疊、左右晶片交互聯通的叫co-EMIB。

Chiplet是一個可以兼具高整合與低成本的模式,讓電路設計標準化與模組化,也將帶動新興封裝技術的發展,工研院資通所長闕志克表示,IC設計業者可透過晶片封裝技術,將自身設計的IC與第三方供應的Chiplet整合在同一封裝內銷售,省去高昂的IP授權費用,而權利金視銷售量支付,降低IC設計整體成本支出,打造高效能、有彈性且可快速上市的小晶片設計技術,也讓半導體製造商的商業模式更多元。未來可見的Chiplet設計會整合進更多的功能晶片,而其中介板的矽晶面積更大,包含許多互連和路由,是為主動式中介板。

封裝技術過去一直是半導體製造的配角,在製程微縮持續推動的狀況下,受重視程度並不高,然而進入7nm以下,製程推進越來越困難,透過封裝技術的發展讓晶片效能改善得以維持摩爾定律的推進,先進封裝更將是未來幾年市場關注的焦點,將成為半導體製造的最佳主角。

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