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近年來，由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用：電信基礎設施和國防，推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元，產業研究機構Yole Développement(Yole)的研究報告指出，過去十年，全球電信基礎設施投資保持穩定，在該市場中，更高頻率的趨勢為5G網路中頻率低於6GHz的PA中的RF GaN提供了一個最佳發展的動力。
自從20年前第一批商用產品出現以來，GaN已成為射頻功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手，並以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時出現，但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場，預計將部署在5G 6GHz以下的RRH架構中。然而，與此同時，在經濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展，這可能會挑戰5G sub-6Ghz主動式天線和大規模MIMO部署中的GaN解決方案。
GaN射頻元件市場整體規模再2018年約6.45億美元，無線通訊應用約3.04億美元、軍事約2.7億美元，航太應用3700萬美元為三大主要應用，2024年整體市場將成長至200.13億美元，年複合成長率達21%，無線通訊應用規模達7.52億美元，軍事應用為9.77億美元，值得注意的是RF Energy將從200萬美元成長至1.04億美元。
