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化合物半導體爆發可期 1~6吋小晶圓市場強強滾

雖然目前絕大多數半導體元件都已經改用8吋與12吋晶圓量產,但由於化合物半導體在許多特定應用領域上,擁有許多矽半導體所不具備的優勢,故隨著化合物半導體應用越來越普及,用來量產相關元件的1~6吋小晶圓,也呈現一片欣欣向榮的景象。 據Yole Developpement預估,從2019年到2025年,全球1~6吋小晶圓的市場規模將從48億美元成長到54億美元,複合年增率(CAGR)約1.8%。雖然這個數字看起來並不令人印象深刻,但如果排除矽晶圓,只觀察碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、藍寶石(Sapphire)與磷化銦(InP)等化合物晶圓,將會看到市場呈現出非常強勁的成長格局。 目前6吋以下小晶圓市場仍以矽晶圓為主力,但隨著越來越多矽晶片的量產改用8吋以上晶圓,6吋以下矽晶圓的市場將越來越小,只剩下已經十分成熟,即便改用8吋以上晶圓生產也不會帶來明顯效益的矽晶片產品,還會繼續以6吋晶圓生產。而碳化矽、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體,將分別在電源與光電元件市場上攻城掠地,進而帶動6吋以下小晶圓的需求。 至於藍寶石晶圓方面,Yole Developpement認為這類晶圓可望因MicroLED應用規模逐漸放大而維持成長局面,但LED業界普遍認為,這個看法恐需要進一步釐清。MiniLED(外觀尺寸在100x100微米以上)製程跟現有LED製程相近,會用到藍寶石晶圓,故隨著MiniLED背光、直顯應用放量,藍寶石晶圓的需求確實有機會成長。但MicroLED(100x100微米以下)晶粒將不會有藍寶石層,故MicroLED能否支撐藍寶石晶圓成長,恐怕得先釐清MicroLED與MiniLED之間的界線。  
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COVID-19衝擊MEMS市場 工業/醫療需求逆風高飛

研究機構Yole Developpement預估,COVID-19疫情將對MEMS感測器最大的兩個應用市場--汽車與消費性電子,帶來巨大衝擊。在消費性電子方面,由於2020年適逢5G導入期,射頻(RF)相關應用的需求明顯成長,因此在RF MEMS的支撐下,還能維持小幅衰退2.6%的局面。倘若不計RF MEMS,消費性MEMS市場的規模將重挫16%。 汽車應用就沒有那麼幸運。由於疫情爆發於武漢,當地正好也是全球汽車供應鏈的重鎮,故COVID-19疫情從2020年初就對汽車產業的運作造成嚴重干擾。後來疫情全球擴散,對實體經濟造成明顯衝擊,也對全球汽車需求造成巨大影響,因此車用MEMS市場將在2020年重挫27.5%。 在兩大主要應用市場表現黯淡之際,工業與醫療MEMS市場卻因為防疫需求而呈現出一片欣欣向榮的景象。由於進出公共場所都需要量測體溫,與溫度感測相關應用的需求出現爆發性成長,工業用MEMS可望在2020年繳出成長11.5%的好成績。醫療用MEMS的情況也類似,在各國急忙擴大醫療設備產能的同時,醫療用MEMS元件的需求也跟著一飛衝天,2020年相關元件的銷售金額,可望比2019年成長10.6%。 整體來看,2020年全球MEMS元件市場規模將比2019年衰退5.2%。  
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貿易戰/疫情雙面夾擊 砷化鎵射頻元件市場衰退3.8%

拓墣產業研究院表示,自2019年持續升溫的中美貿易戰,驅使中國政府加速去美化政策,加上2020年新冠肺炎疫情的雙重夾擊,影響相關射頻前端元件IDM大廠與製造代工廠營收,且2020年因通訊產品終端需求下滑,導致GaAs射頻前端市場也出現萎縮,預期今年整體營收為57.93億美元,相較去年減少3.8%。 中美貿易衝突的持續加劇,中國試圖以去美化政策與提高採用第三國產品來因應美國提高進口關稅,但中國在射頻前端元件研發實力仍不足,因此PA元件及射頻模組仍需美系IDM廠支援。雖然美系IDM廠因貿易戰導致中國區域營收下降,然而,中國手機品牌廠仍不得不採用美系業者產品,使之營收維持一定水準,2020年第一季營收,Qorvo為7.88億美元,年成長率上升15.7%;Skyworks僅7.66億美元,年減5.5%。 2019上半年製造代工廠營收同樣受中美貿易戰拖累,下半年隨著中國去美化政策的影響,中方半導體設計商直接向穩懋與宏捷科進行採購,兩者在2020年第一季營收分別達到2.01億美元(年增67.8%)與2,700萬美元(年增162.6%);而環宇因主要生產廠房位於美國加州,導致部分產能受到新冠肺炎疫情衝擊,使整體營收表現平庸,第一季營收僅1,200萬美元,年減2.8%。 TrendForce認為,隨著全球5G基地台加速佈建與5G手機生產比重持續拉升,預估至2021年射頻前端IDM大廠營收可望谷底翻轉,部分代工廠將有機會從中受惠,預期整體營收將回穩向上。  
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高覆蓋/輕巧/低功耗 eFEM主攻通訊傳輸應用

Wi-Fi技術經過了20年的演進,為了提升其連線效率與傳輸速率,調變技術(Modulation)與無線串流數目(Spatial Steam)也有重大的改變,由於這些改變,讓整個Wi-Fi裝置的設計變得更加的複雜。舉例而言,在最新Wi-Fi 6的技術,頻率調變技術由原先的OFDM升級到ODFMA,調變也由256QAM提升到1024QAM,串流數目也從最早的1×1進階到2×2、3×3、4×4,甚至8×8,回到設計面,愈是高效率高傳輸速率的裝置也意謂著更複雜且高規格的設計,這些新的技術與變革也對前端射頻零組件帶來新的挑戰,例如更加線性的功率輸出、更低的EVM Floor、更高的效率,與更好的接收靈敏度等等。 砷化鎵Wi-Fi功率放大器優勢兼具 材料科學的突飛猛進也推進射頻零組件的進步,現今主流的獨立式Wi-Fi功率放大器製程為砷化鎵(GaAs)。由於砷化鎵有優秀高頻傳輸且具有高頻、抗輻射、耐高溫等特性,目前射頻功率放大器以砷化鎵IC所表現出的線性功率(Linearity)與使用效率(Efficiency)最為優秀,因此廣泛應用在主流的商用無線通訊設計,尤其Wi-Fi與行動通訊(3G/LTE)上,表1顯示了internal PA與external FEM的主要差異。 Power Added Efficiency(PAE)為評估無線功率放大器與設計無線傳輸系統時的一個關鍵參數,主要是針對放大器中直流電源(DC)供電能量轉換成交流(AC)射頻訊號放大的能量轉換效率。PAE不好的功率放大器,會將大部分的能量轉換為熱能,導致放大器本身的效率下降,進而影響整個通訊系統的傳輸品質。 PAE(%)的計算公式如下: 可參考Qorvo的Wi-Fi 6 2.4GHz FEM作為例子來計算PAE: 圖1 Wi-Fi前端模組示例 圖1為QPF4228在不同發射功率下所消耗的電流,其為Qorvo針對高通Wi-Fi 6企業級無線路由器平台開發的2.4GHz獨立式射頻前端模組晶片。根據技術規格書,QPF4228在3.3V供電,發射功率22dBm時的耗電流為200mA,QPF4228本身的增益為33dB,套上PAE的公式再經過一連串的單位轉換後所計算出來的結果為24%。 Power(RF_Out):QPF4228功放輸出為22dBm=158.5mW=0.1585W Power(DC):DC Input Power=200mA×3.3V=0.66W PAE(%)=100×(0.158/0.66)=24% eFEM實現穩定連線覆蓋為較佳解方 愈大的Wi-Fi訊號覆蓋範圍帶來更好的使用者體驗,若要有好的Wi-Fi覆蓋範圍,就必須有更大的發射功率與更高的接收靈敏度,然而這代表整個Wi-Fi系統所消耗的功率也會增加,而功率增加的結果也連帶迎來系統散熱設計上的挑戰。必須承認,iPA為Wi-Fi裝置的開發商帶來最直接的好處就是成本優勢,如果iPA就能滿足客戶的規格與設計,那麼External FEM就顯得有點多餘。如果今天客戶所設計的產品對於連線的覆蓋範圍、外觀(精緻小巧的機構設計,如Wi-Fi Extender或是Wall Plug)與整體耗電功率(如PoE)有所要求,那麼如何選擇一個高效且穩定的獨立式FEM就是設計者的重要課題。 (本文作者為Qorvo高級行銷經理)
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5G基礎建設RF前端2025年規模達25.2億美元

產業研究機構Yole Développement(Yole)發表最新研究指出,電信基礎設施的射頻前端(RF FE)市場規模在2018年達到14.7億美元,預計到2025年將達到25.2億美元。在全球扁平化的電信產業中,RF FE市場在2018年至2025年期間呈穩定成長,在此期間的年複合成長率為8%。 2020年將進入市場的5G無線通訊將成為下一個行動技術標準。隨著許多創新技術的發展,新系統的建置對射頻產業產生強烈影響,因此部署了支援特定協議和操作模式的新基礎架構,例如大規模MIMO、波束成形、波束控制、載波聚合等。 目前仍有超過75%的5G天線、射頻技術相關專利正在申請中,因此Yole認為,未來幾年還會有很多變化。三星、Intel、愛立信和華為已開始將其產品組合擴展到全球。三星和英特爾似乎是目前在限制其主要競爭對手的專利活動和經營自由方面處於最佳地位的兩個領導者。而GaN、GaAs、SiGe或RF-SOI等其他平台在不久的將來會顯著成長。 在此問題上,最有趣的動態之一是GaAs的發展。隨著主動式天線系統(Active Antenna System, AAS)可能成為主流,將需要更多數量的低功率寬頻功率放大器以及諸如波束形成器之類的新元件。起初這些元件主要採用GaAs製程,尤其是出於性能方面的考量。當市場成長到足以被視為一個利基市場,其他技術如RF-SOI或SiGe有望取代GaAs,就像在手機產業取代GaAs一樣。砷化鎵將成為主動天線模組的過渡平台。  
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2020年GaAs射頻元件產業規模達64.92億美元

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求,逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料,加上隨著5G布建逐步展開,射頻元件使用量較4G時代倍增,預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年起進入新一波成長期。 拓墣產業研究院指出,由於射頻前端元件特性,包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等,在4G與5G時代有高度需求,傳統如HBT和CMOS的Si元件已無法滿足,廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑藉本身電子遷移率較Si元件快速,且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性,因此特別適合應用於無線通訊中的高頻傳輸領域。 由於4G時代的行動通訊頻率使用範圍已進展至1.8~2.7GHz,對傳統3G的Si射頻前端元件已不敷使用,加上5G通訊市場正步入高速成長期,其使用頻段也將更廣泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此無論是4G或5G通訊應用,現行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。 若以目前市場發展來看,受到2018年下半年手機銷量下滑、中美貿易戰影響,衝擊GaAs通訊元件IDM廠營收表現,預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元,年減8.9%。然而,隨著5G通訊持續發展,射頻前端元件使用數量將明顯提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G時代的2顆、4G的5~7顆,提升至5G時代的16顆,將帶動2020年整體營收成長,預估GaAs射頻前端元件總營收將達64.92億美元,年增11.3%。 整體而言,隨著各國持續投入布建5G基地台等基礎設施,預估在2021、2022年將達到高峰,將可望帶動IDM大廠Skyworks(思佳訊)、Qorvo(科沃)新一波營收成長動能,而台廠射頻代工製造業穩懋、宏捷科及環宇等,也將隨著IDM廠擴產而取得訂單,逐漸擺脫營收衰退的陰霾。  
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GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來,由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用:電信基礎設施和國防,推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元,產業研究機構Yole Développement(Yole)的研究報告指出,過去十年,全球電信基礎設施投資保持穩定,在該市場中,更高頻率的趨勢為5G網路中頻率低於6GHz的PA中的RF GaN提供了一個最佳發展的動力。 自從20年前第一批商用產品出現以來,GaN已成為射頻功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手,並以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署在5G 6GHz以下的RRH架構中。然而,與此同時,在經濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展,這可能會挑戰5G sub-6Ghz主動式天線和大規模MIMO部署中的GaN解決方案。 GaN射頻元件市場整體規模再2018年約6.45億美元,無線通訊應用約3.04億美元、軍事約2.7億美元,航太應用3700萬美元為三大主要應用,2024年整體市場將成長至200.13億美元,年複合成長率達21%,無線通訊應用規模達7.52億美元,軍事應用為9.77億美元,值得注意的是RF Energy將從200萬美元成長至1.04億美元。  
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打造毫米波功率放大器 砷化鎵製程相位補償展妙用

隨著聯網裝置與數位服務的爆炸性成長產生了巨量的資料傳輸需求,如自駕車、機器人,皆有大量的、低時間延遲的、不失真的高速傳輸需求,因此帶動了第五代行動通訊系統(5G)快速的成長,而以相位陣列技術組成之巨量天線即是達成上述需求的關鍵。但在毫米波段,5G巨量天線之相位陣列系統設計上將面臨兩個主要問題: 其一,為增加波束整合天線的隔離度以及避免柵波瓣(Grating Lobe)問題,天線之間需有一定的空間距離(如40GHz需要0.375cm的距離,3.5GHz需要4.3cm的距離)。在相同空間下選用越高的頻率,擺放的天線數量越多(以長寬皆為20cm的範圍為例:毫米波段40GHz可放約2,900根天線;3.5GHz可放約25根天線),連帶相同面積下主被動元件需求量劇增,在毫米波段下單一天線射頻單元容許之置放空間將極為狹小。 其二,儘管可以透過波束成形(Beamforming)將電磁波能量集中在特定方向,增加訊號發射強度,有效降低訊號在高頻傳輸損耗過大的影響(可讓訊號傳更遠),然而波束成形技術使用的天線數量與波束整合的角度成反比,在相同的傳輸距離之下(即相同的輸出功率),使用的天線越多則目標因為波束整合的角度越小而不容易被搜索。 因此,必須提高功率放大器的線性功率來緩解此問題,使得相位陣列的天線數量可以被減少而增加波束整合的角度。綜合上述兩個議題,設計一個高線性功率、高效率及面積精簡符合5G的功率放大器是不可或缺的。 為設計能符合5G毫米波段之巨量相位陣列需求之功率放大器,其高線性功率、高整合度等特性是必要的。如圖1為5G天線射頻單元之前端高整合度IC架構示意圖,包含功率放大器、低雜訊放大器、開關及相移器等元件。 圖1 天線單位元5G 高整合積體電路示意圖 解決訊號失真 線性化技術持續精進 為了使頻譜有效地被使用,使用較為複雜的數位調變機制是必要的。然而,複雜的數位調變機制伴隨著較高的波峰及平均值比(Peak to Average Power Ratio, PAPR),這會造成訊號經過高功率放大器後扭曲失真,使訊號不容易被解調。為了解決訊號失真問題,各種線性化技術如下: .自動偏壓調整式(Adaptive Bias) 將功率放大器操作在中低功率區來維持訊號的正確性,稱為功率退回(Power Back-off, PBO)。以文獻、為例,儘管它們有著傑出的最大輸出功率,但是功率退回後之最大效率與最大輸出功率下的效率有著很大的落差。自動偏壓調整式功率放大器可以改善功率退回後,功率放大器效率不佳的情況,其機制為低功率操作時將電路偏壓在AB類放大器,可以降低靜態電流並且降低功耗,當操作功率增加時,可以調整偏壓至A類放大器使功率放大器正常操作,因此,這個技術可以增加功率放大器的整體效率。 .訊號前授(Feed-forward) 訊號前授的技術主要是將訊號分成主路徑及副路徑,主路徑為訊號主要操作的路徑,副路徑則是用來消除主路徑的非線性訊號,像是三階交互調變項來增加線性度。適當的調整副路徑的相位即可有效消除三階交互調變訊號以增加線性度。以文獻為例,能有效消除三階交互調變失真藉由輸入反射訊號來當作副路徑的前授訊號。 .預失真技術(Pre-distortion) 預失真技術能補償功率放大器之增益壓縮(Gain Compression)特性,使最大輸出功率提升進而提升效率及線性度。然而,預失真線性化技術實現上較為複雜,容易受製程、偏壓以及溫度(PVT)變異的影響而使特性不如預期。同時因為需占用較大面積,運用在5G毫米波相位陣列中相對困難。 .相位補償(Amplitude Margin to Phase Margin Compensation) 為了符合面積及高線性輸出功率需求,相位補償技術是一個有效增加線性輸出功率的方法。文獻利用P-type電晶體相位增加的特性來補償N-type電晶體相位壓縮的問題,達到相位補償以增加線性輸出功率,此技術具低複雜度與占用面積小之優勢。因此,適用於高線性功率、高效率及面積精簡的5G功率放大器。 砷化鎵製程之相位補償技術 採用砷化鎵(Gallium Arsenide, GaAs)製程優點為崩潰電壓高(高電壓擺幅)及基板損耗小,有利於高功率放大器的設計。然而砷化鎵製程僅有N-type的高電子遷移率電晶體,所以上述的線性化補償技術並不適合於此製程。有鑑於此,工研院資通所提出一個適用砷化鎵製程的相位補償技術,可用於毫米波頻段的高功率放大器。 一般而言,相位失真源自於電晶體的閘極至源極的寄生電容Cgs,隨著功率放大器輸入訊號增加,會使寄生電容產生變化。當高頻訊號路徑上的電容產生變化,會使輸出訊號產生相位差異,進而導致輸入調變訊號時,輸出訊號的誤差向量幅度(Error Vector Magnitude, EVM)會隨之增加,造成解調訊號失真。 為了緩解此問題,工研院資通所團隊提出使用反向變化的電容元件來補償此寄生電容效應。圖2模擬砷化鎵製程電晶體操作在截止區(VGS偏壓<-1.5V)時,寄生電容Cgs隨輸入功率增加呈現反向的電容性變化,可用來補償操作在飽和區(VGS偏壓=-0.5V)的功率電晶體。又5G由圖3可觀察到電晶體尺寸變化時,寄生電容Cgs之變化與電晶體尺寸大小呈正比。因此適當調整砷化鎵製程電晶體尺寸及工作偏壓,其相位差異可以被補償進而改善EVM。 圖2 砷化鎵製程電晶體在偏壓(VGS)從-0.5變化至-2V時,寄生電容Cgs隨輸入功率的變化(電晶體尺寸為μm)。 圖3 砷化鎵製程電晶體尺寸從μm變大至μm時,寄生電容Cgs隨輸入功率的變化。 工研院資通所團隊已成功製作一示範晶片(圖4),面積為0.7×1.2mm2,其中包含所有的電路測試接點。圖5為此晶片經電腦模擬與實際量測的小訊號參數比較圖,量測到的小訊號增益在40GHz頻率下為15.7dB。 圖6為此晶片之大訊號功率特性圖,量測到之OP1dB及PAE參數分別為17.5dBm及17%。圖7顯示在OFDM 64-QAM500 MHz的調變訊號測試下,EVM小於-25dBc之高線性度測試條件下,此晶片具有13.7dBm的最大輸出功率及7.4%之功率轉換效率。 圖4 實現之砷化鎵晶片圖 圖5 量測之小訊號參數 圖6 量測之大訊號功率特性 圖7 OFDM...
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車用光達2023年市場規模達63億美元

車用感測器近年來的成長力道強勁,產業研究機構Yole Développement(Yole)宣布,2016~2022年間,汽車雷達市場的年複合成長率為23%。自動緊急煞車(Autonomous Emergency Braking,  AEB)應用是77GHz雷達市場成長的主要動力,2022年全球雷達市場規模將達到75億美元。另外,光達(LiDAR)的汽車應用市場在2017~2023年期間的年複合成長率高達43%,市場規模將從7億2600萬美元,成長到63億美元。 隨著最近對安全的強烈關注,ADAS的市場潛力已經擴展到中階汽車,隨著自動駕駛的出現,另一個趨勢是使用角落雷達進行汽車360°監視。這些短程和中程雷達採用24GHz技術,未來將以79GHz模組支援。事實上,自2010年以來,自駕車的LiDAR相關的專利每年成長21%。 與此同時,半導體製造商提供高性能解決方案,使毫米波雷達能夠以可靠和準確的方式運行,這對安全功能至關重要。他們提出了GaAs、SiGe BiCMOS和RFCMOS平台的技術。關於汽車77 GHz雷達晶片,目前主要採用130nm SiGe,恩智浦和英飛凌為最大供應商,RFCMOS技術正在與德州儀器等半導體公司進入市場,其技術製程為45nm,ADI採用28nm CMOS製程。  
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新興應用為砷化鎵GaAs重注成長動能

由於手機產業飽和而過了一段發展停滯期,砷化鎵(GaAs)晶圓市場因新興應用帶動重拾成長動能。根據市調機構Yole Développement(Yole)最新研究報告指出,2017年至2023年GaAs晶圓的年複合成長率(CAGR)為15%,其中光子學應用CAGR更高達37%。 GaAs四大應用包括:RF、光子學、LED和PV。GaAs為最成熟的化合物半導體之一,GaAs無處不在,成為每個手機中功率放大器的基石。在2018年,GaAs RF業務預估將占GaAs晶圓市場的50%以上。然而,由於手機市場逐漸飽和且晶片尺寸縮小、整合度不斷提升,過去幾年市場成長趨緩。 自2017年以來,GaAs晶圓在光子學應用中尤為突出。當Apple推出採用GaAs雷射發射器的3D感應功能的新款iPhone X時,為GaAs光子市場的成長點燃引擎。到2023年,光子應用的GaAs晶圓市場規模預計將達到1.5億美元。 另外,基於GaAs的ROY和紅外線LED應用也很有潛力,Yole估計,2017~2023年,整個GaAs LED市場的年複合成長率達到21%,到2023年超過GaAs晶圓產量的一半以上。  
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