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GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來,由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用:電信基礎設施和國防,推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元,產業研究機構Yole Développement(Yole)的研究報告指出,過去十年,全球電信基礎設施投資保持穩定,在該市場中,更高頻率的趨勢為5G網路中頻率低於6GHz的PA中的RF GaN提供了一個最佳發展的動力。 自從20年前第一批商用產品出現以來,GaN已成為射頻功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手,並以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署在5G 6GHz以下的RRH架構中。然而,與此同時,在經濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展,這可能會挑戰5G sub-6Ghz主動式天線和大規模MIMO部署中的GaN解決方案。 GaN射頻元件市場整體規模再2018年約6.45億美元,無線通訊應用約3.04億美元、軍事約2.7億美元,航太應用3700萬美元為三大主要應用,2024年整體市場將成長至200.13億美元,年複合成長率達21%,無線通訊應用規模達7.52億美元,軍事應用為9.77億美元,值得注意的是RF Energy將從200萬美元成長至1.04億美元。  
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