DRAM
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需求持續不振，2019年DRAM投資與位元產出同步放緩
根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查，2018年第四季DRAM合約價格較前一季大幅修正約10%後，2019年由於PC、伺服器與智慧型手機等終端產品需求疲軟，因此DRAM主要供應商紛紛放緩新增產能的腳步，以期減緩價格跌勢。
DRAMeXchange指出，與實際位元生產量最相關的指標為各供應商的資本支出計畫，而2019年DRAM產業用於生產的資本支出總金額約為180億美元，年減約10%，為近年來最保守的投資水位。
其中，兩家韓系廠商最先宣布將放緩2019年投資計畫。市占最大的三星半導體2019年DRAM投資總金額約在80億美元，主要用在先進製程(1Ynm)的持續轉進以及新產品的開發。投片計畫是三星近年來最保守的一次，目前決議終止平澤廠(Line18)擴產計畫，將使2019年位元成長達到歷年新低，約在20%水位。
市占第二名的SK海力士2019年DRAM投資金額也降低到約55億美元，主要用以持續轉進新製程與提升良率為主。但由於中國無錫新廠才剛落成，因此該廠全年仍有約30~40K產能提升，根據DRAMeXchange計算， SK海力士2019年位元成長約21%，稍微高過三星。
而市占第三的美光半導體，近日才宣布下修2019年資本支出至約30億美元，並且將2019年的生產位元成長目標由原先的近20%下修至15%水位，以期改善庫存持續升高的狀況。
至於需求端，2019年第一季受到連假以及淡季效應的影響，將會是最為疲弱的季度，而且目前也沒有跡象顯示第二季之後需求會有所改善。在中美貿易戰持續延燒的大前提下，市場仍充滿不確定性，基於上述供需預測，DRAM價格仍將逐季修正，2019年第一季價格下修幅度約為15%，第二季預期將收斂至10%以內，而下半年除非需求明顯改善，否則價格仍將維持約5%的季度下修。
新興非揮發性記憶體2017~2019 CAGR高達230%
產業研究機構Yole Développement(Yole)表示，新興非揮發性記憶體NVM，包括MRAM、RRAM和PCM等，隨著物聯網、5G、人工智慧(AI)、雲端運算等發展越受注目。認為，DRAM的發展將在未來五年繼續，但速度將放緩。由於3D半導體技術不斷進步，NAND密度不斷增加。新興的NVM不會取代NAND和DRAM，但會以各種記憶體加速的方式出現。此外，SCM(Storage Class Memory)將成為主要的新興NVM市場，並將在未來5年內由3D XPoint主導。
新興記憶體技術未來兩年將進入起飛期，從應用角度來觀察，Yole認為，包括MCU嵌入式NVM、工業/交通/消費性電子、企業SCM、客戶SCM等應用，2017年市場規模約9900萬美元，2018年市場規模約為2.8億美元，2019年將成長至10.8億美元，2017~2019年複合成長率(CAGR)高達230%。
從技術角度來看，MRAM將發展嵌入式MCU應用，因為所有大型代工廠都參與了此領域。獨立的RRAM將嘗試在SCM應用上獲得PCM的市場占有率。由於SCM應用，未來三年新興的NVM銷售量將成長一個數量級以上。
另外，MRAM和RRAM市場領域的晶圓代工廠參與度增加，GlobalFoundries、台積電、聯華電子、中芯國際和三星代工服務等皆積極投入，以提供有吸引力的服務。這一趨勢表明了代工廠對儲存業務的興趣日益成長。例如，也有產業消息傳出台積電宣布可能收購一家記憶體公司。
在獨立業務中，新興的NVM不會取代DRAM和NAND，而是將在記憶體模組中與它們結合使用，例如，SSD、DIMM和NVDIMM。在2023年，由於3D XPoint作為企業和客戶端SCM的日益普及，PCM將在獨立內存市場保持領先地位。值得注意的是，三星和東芝通過開發基於3D NAND的SCM解決方案採取了不同的戰略路線，如Z-NAND(三星)和XL-Flash(東芝，2018年8月展示)。但是，這些技術將用於企業級SSD，並且不會與相容DDR4的Optane DIMM競爭，預計這將占整體3D XPoint銷售額的50%以上。
邊緣/5G帶動下一波DRAM成長 2020年後成資料中心發展主軸
伺服器是目前僅次於智慧型手機的DRAM重要產能出海口。儘管目前僅居第二，然而未來由於人工智慧、邊緣運算與5G的需求崛起，伺服器的DRAM需求將巨量上升，前景相當可觀。
DRAMeXchange研究經理黃郁璇預測，在2020~2021年，行動裝置的DRAM消耗量還是會居於世界第一，大部分的DRAM產能還是會到行動裝置上。然而，黃郁璇認為，到了2021年後，由於伺服器的應用更寬廣，容量又無上限，因此有可能會取代行動裝置在眾原廠心目中的地位。
DRAMeXchange資深分析師劉家豪進一步指出，現階段產業普遍專注於雲端到端點(Cloud to Device)的連線，此模式將會隨著使用量的增加而造成延遲。然而，如自駕車、智慧醫療、工業物聯網的應用實行上，對於延遲的容忍度較低，必須藉由未來5G落實之後，透過5G伺服器與閘道器(Gateway)的協同處理，邊緣運算才能夠解決此延遲情境。資料中心的落實成為近年DRAM需求的主要推手，占DRAM市場全年三成以上的消耗量。
在倚賴雲端架構提供服務的基礎上，終端被賦予的運算能力相對薄弱，多是藉由雲端來獲取運算與存儲資源。然而，未來5G商轉後將賦予資料中心活化的因子，帶動微型伺服器(Micro Server Node)與邊際運算成長，並將成為2020年後的產業發展主軸，以實現物聯網與車聯網等應用場景。由2017年開始，北美兩大電信營運商AT&T與Verizon已陸續開始在投入5G伺服器的配套措施，這也是台灣與中國的ODM、OEM廠商在未來需要關注的市場重點。
DRAM市場成長放緩 大廠延遲產能擴張計畫
DRAM的平均售價在過去兩年強進成長，眾廠商的資本支出與產能皆在擴增當中。然而，DRAM平均售價與市場成長速度很快將要開始下滑，相關供應商應隨時調整資本支出擴張計畫。目前，韓廠三星(Samsung)與SK海力士(SK Hynix Semiconductor)皆已陸續延遲產成擴張計畫，然而中國IC供應商卻正在積極投入該市場，預期在未來中國廠商將在該市場搶下重要角色。
市場調查單位IC Insights指出，過去兩年以來，DRAM製造商一直以將近滿負載的產能在營運其工廠。因此，DRAM價格穩定上升，並為供應商帶來相當可觀的利潤。在2018年8月，DRAM的平均銷售價格達到了6.79美元，與2016年8月相比成長了165%。儘管在今年DRAM平均銷售價格的成長速度已經放緩，但仍然維持穩定上揚。
在連續的大幅價格上揚之後，DRAM的資本支出與產能投入皆在擴增。在2017年，DRAM的資本支出成長的81%，至163億美元；預計2018年將再增加40％至229億美元。然而DRAM的市場以非常具有週期性聞名，該平均售價在經歷了過去兩年的強勁成長之後，理論上應該很快要開始走跌。這些大量的資本支出也有可能會增添大量的新產能，進而成為價格快速下跌的原因。
IC Insights引用報導指出，由於預期需求疲軟，因此三星與SK海力士皆已於2018年第三季度延遲不分擴張計畫。另一方面，在未來幾年中國新創公司將在該市場扮演重要的角色。IC Insights估計，中國廠商的產能將占DRAM市場的40％，並且占快閃記憶體市場的35％。中國IC供應商合肥長鑫(Innotron)與福建省晉華集成(JHICC)將於今年開始投入DRAM市場。儘管起初來自中國的技術將無法與三星、SK海力士以及美光媲美，但新進的中國廠商將如何影響DRAM市場依然值得時時關注。
2018半導體資本支出破1000億美元 記憶體占53%
產業研究機構IC Insights預測，2018年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是史上首次資本支出上超過1000億美元，同時較2017年的933億美元成長了9%，比2016年成長了38%。
其中超過一半的資本支出預計用於記憶體—主要是DRAM和Flash，包括對現有晶圓廠產線和全新製造設備的升級。預計今年記憶體投資將占到半導體資本支出的53%。儲存設備的資本支出在六年內大幅增加，幾乎翻了一倍，從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的產業資本支出總額的53%(540億美元)，相當於2013~2018複合年成長率為30%。
在主要產品類別中，預計DRAM/SRAM的支出增幅最大，但預計Flash占今年資本支出的最大比重。預計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強勁成長82%後再度出現41%的成長。預計2017年快閃記憶體的資本支出將在2017年成長91%後，2018年再成長13%。
經過兩年的資本支出大幅增加，一個迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。記憶市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數據/SanDisk和XMC/長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND Flash容量(以及新的中國記憶體新創公司進入市場)，IC Insights認為，未來3D NAND Flash市場供需過剩的風險正不斷提升當中。
中國產能逐漸開出 記憶體價格2019將下滑
記憶體價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由於各廠商產能陸續開出，因此資策會MIC預測記憶體價格將於開始下滑，並會對台廠造成衝擊。
資策會MIC資深產業顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，儘管2018年記憶體價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。因此，預估2018年全球半導體市場規模將成長10.1％，其中最大的原因是各應用終端記憶體需求持續增加，以及車用電子等新興應用帶動。
洪春暉進一步指出，記憶體受惠於市場價格上揚，2018年全年台灣記憶體產業產值將成長25％，產值達2,053億新台幣。但自2018年第二季起，記憶體價格由於各新廠產能陸續開出價格開始鬆動，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產能都在持續開出；儘管目前尚未進入穩定量產階段，但預期2018下半年記憶體價格仍有下跌空間，在未來兩年記憶體也不容易再出現價格飆漲的狀況。
由於記憶體供給有望增加，因此展望2019年，預計記憶體成長趨緩，預期成長幅度為3.8％。觀測台灣產業，半導體則因高階製程與記憶體市場帶動呈穩定成長，預估2018年台灣半導體產業產值將達2.46兆新台幣，較2017年成長8.1％，成長動力與全球平均水準相當。但預期在2019年，DRAM製程將轉進至1x和1y奈米，Flash產能也持續增加，預計記憶體價格下滑將對台廠造成衝擊。
2018上半年前15大半導體廠年度成長率達24%
產業研究機構IC Insights於8月發表2018年上半年全球前15大半導體供應商銷售概況，包括七家總部位於美國的供應商，三家位於歐洲，兩家位於韓國和台灣，一家在日本。其中有11家廠商在上半年均達成兩位數的同比成長。此外，七家公司的成長率超過20%，其中包括五大記憶體供應商(三星、SK海力士、美光、東芝和WD/SanDisk)以及Nvidia和ST。
與2017年上半年相比，2018上半年前15大半導體公司的銷售額成長了24%，比全球半導體產業成長20%還高。令人驚訝的是，三大記憶體供應商－三星、SK海力士和美光，在上半年均達成超過35%的同比成長。前15大廠商中有14家的銷售額至少為40億美元。
英特爾是2017年第一季排名第一的半導體供應商，但在2017年第2季以及2017年全年排名中被三星超車成功，這是Intel自1993年以來首次失去龍頭寶座。隨著DRAM和NAND Flash強勁成長，在過去的一年中，三星在2017上半年時，整體半導體銷售額只比英特爾高1%，但到了2018上半年的半導體已經比英特爾高22%。
預計2018年記憶體占三星半導體銷售額的84%，比2017年的81%上升3%，比2016年的71%上升13%。此外，該公司2018年的非記憶銷售額預計僅為135億美元，比2017年的非記憶銷售額125億美元成長8%。相較之下，三星的記憶體銷售額預計今年將成長31%，達到700億美元。
貿澤電子擴充記憶體解決方案
授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與記憶體廠商Micron Technology簽訂全球代理協議，將改變世界資訊的使用方式。簽訂此協議後，貿澤的產品組合將涵蓋關鍵記憶體技術製造商，為全球的客戶供應Micron解決方案。
以超過40年的領先技術經驗為後盾，Micron產品適用於各式各樣的應用，包括運算、網路、資料、伺服器、行動裝置、嵌入式裝置、消費性裝置、汽車和工業等市場。
貿澤電子產品部資深副總裁Jeff Newell表示，該公司很高興有機會代理Micron的各種產品組合，將其高品質的記憶體解決方案介紹給全球的客戶。Micron產品加入貿澤的產品線後，將為設計工程社群提供與世界同步的產品和解決方案。
貿澤已開始供應全系列Micron記憶體產品，包括NAND、DRAM和DRAM模組、多晶片封裝，以及採用矽穿孔(TSV)技術的混合記憶體立方體。貿澤所供應的Micron產品組合亦包含採用3D XPoint技術的新型非揮發性記憶體，延遲較NAND少1,000倍。