- Advertisement -
首頁 標籤 DRAM

DRAM

- Advertisment -

聯電/美國司法部達成認罪協議 繳納罰金並協助後續調查

纏訟多年的聯電協助福建晉華竊取美光(Micron)營業機密一案,如今正式宣告落幕。日前聯電曾向美國司法部提出以6000萬美元罰款換取達成認罪協商的條件,獲美國司法部接受。美國司法部除了對聯電裁罰6000萬美元外,並要求聯電在本案後續對福建晉華的調查工作中,扮演協力者角色。 根據美國司法部的新聞稿,該機關已與聯電達成認罪協商,司法部同意撤銷對聯電原來的指控,包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業秘密、其他和專利有關的指控,以及可能從4億~87.5億美元的損害賠償及罰金等。聯電則承認侵害一項美光的營業秘密,同意支付6000萬美元罰金,並在3年自主管理緩刑期間內,與司法部在調查、起訴本案另一家共同被告福建晉華的過程中,扮演協力者的角色。 美國司法部於2018年指控聯電與中國福建晉華共謀竊取、傳送與持有美光跟製造動態隨機存取記憶體(DRAM)有關的營業秘密,並起訴曾任台灣美光總經理、聯電副總經理的前福建晉華總經理陳正坤,及自台灣美光跳槽聯電的何姓和王姓工程師,3人被控竊取美光技術後轉移給福建晉華。 聯電與福建晉華在2016年簽訂合作協議,雙方將共同發展DRAM製程技術。為完成此一計畫,聯電對外招募相關工程師。在招募人力時,聯電已有明文規定,不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電,且針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免政策與措施。但2位涉案的台灣美光前員工仍違反相關規定,將老東家的資訊帶進聯電,並在工作過程中參考。聯電察覺此事後,立刻採取必要措施,但由於美國相關法律規定,即便員工在公司不知情的情況下違反規定,侵犯其他公司的營業祕密,公司仍須為員工行為承擔責任,因此聯電在認罪協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。 美國司法部次長羅森Jeffrey Rosen指出,聯電竊取美國領導企業的商業機密,讓中國得以實現戰略目標,無需自行投入時間或金錢就能獲得技術。這項起訴是司法部成功保護美國企業免受那些企圖欺騙和竊取技術企業的案例。
0

技術規格全方位精進 DDR5發展動能十足

2020年7月14日記憶體技術標準的領導組織JEDEC正式發布新一代的記憶體標準DDR5 SDRAM,標準編號JESD79-5,並收取369美元的下載費用。DDR記憶體自1998年開始倡議與運用至今已來到了第五代,每一代約在產業使用4至7年時間,在DDR4技術逐漸難以提升、難以滿足更高要求下,產業將迎向使用DDR5(表1)。 DDR5期望運用於兩個領域,一是用戶端系統(Client System),即個人電腦;另一是資料中心(Data Center),即伺服器。其他領域與裝置尚非其運用目標。DDR5運用何種技術提升而能滿足更高要求,本文以下將對此探討。 降低運作電壓/提高資料傳輸率 DDR記憶體每次改朝換代,均會因應更先進縮密的半導體製程而降低運作電壓,DDR5確定使用1.1V,較DDR4低0.1V。若檢視歷代的DDR記憶體運作電壓可發現,運作電壓的降幅愈來愈小,從0.8V、0.7V降至0.3V,而今僅降0.1V,此並非是記憶體所獨有,而是整體半導體產業均面臨的技術課題。更低的電壓也意謂著在電晶體漏電受控制下可以更省電,不過也意謂著電壓準位更難精準控制,對此一挑戰後頭將再敘述。 同時DDR5預估以4.8GT/s(T為Transfer)傳輸率起跳,較DDR4發展至最後段的3.2GT/s快上50%,未來也將持續提升,預計將能比DDR4快一倍,達6.4GT/s,甚至是8.4GT/s。DDR5能夠提升傳輸率的原因在於使用決策回授等化器(Decision Feedback Equalization, DFE),可以使傳輸訊號少受干擾、更清晰。 晶片內實現ECC DDR4與更之前的記憶體均採行資料記憶體、錯誤糾正碼(Error-Correcting Code, ECC)記憶體各自分離的設計,如此等於在記憶體模組(Dual In Line Memory Module, DIMM)的板卡上多占據一點印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)面積,進而排擠可放的DRAM記憶體顆數。 新的DDR5主張直接運用更先進縮密的製程技術,把ECC的功效電路直接做進DRAM裸晶內,每顆DDR5記憶體晶片內都帶有ECC功效,如此有機會增加每一條DIMM模組上的晶片與容量,此一新特點也稱為On-die ECC。 單顆晶片加大容量/延長爆發長度 Rambus的相關文章認為DDR4每一個記憶體顆粒最高容量為16Gb,實務上美光(Micron)、三星(Samsung)已有32Gb容量,海力士(Hynix)則為16Gb。不過DDR5被寄予單顆更高容量的厚望,目前預估單顆最大容量達64Gb,意謂著能在不增加DIMM上的記憶體顆數下直接讓容量倍增。 DDR5也增加爆發(Burst)長度,DDR4為BC4、BL8,DDR5將為BC8、BL16,此一強化提升同樣著眼在提升記憶體系統的整體存取效率。爆發長度提升使DDR5一次就可以傳遞64Bytes的資料,這剛好是典型CPU裡一條快取線(Cache Line)的資料量,此意謂著一次爆發週期剛好滿足CPU的資料需求,省去再次存取,同時也沒有無效傳遞。 管理匯流排升級 自DDR3開始至今DDR系列的記憶體在系統管理上均採行Serial Presence Detect(SPD)介面,主機板上的記憶體控制器(即晶片組或已整合至CPU內的晶片組電路)透過SPD介面與DIMM記憶體模組溝通聯繫,DIMM上有一專設的Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory(EERPOM)記憶體,在此應用情境下稱為SPD記憶體,該記憶體內存放著該條DIMM上的各種組態配置資訊、參數資訊,如容量、傳輸延遲(Latency)等。 不過DDR5不再使用SPD介面,而是改用I3C介面。I3C介面是由Mobile...
0

第四季記憶體仍供過於求 整體均價將下跌近一成

根據TrendForce旗下半導體研究處表示,第四季記憶體產業(包含DRAM與NAND Flash)仍處於供過於求態勢,雖然近期華為受到禁令影響,促使其他智慧型手機品牌積極拉貨,進而分食華為失去的市場份額,然此動能仍無法改善目前疲弱的市況,加上伺服器需求尚未明顯復甦,預期第四季整體價格將持續走弱,季跌幅約10%。 1Q20~1Q21記憶體價格走勢 以DRAM來說,市場最關注的焦點落在占消耗量大宗的行動式記憶體與伺服器記憶體領域。行動式記憶體方面,華為(Huawei)提前拉貨使三大供應商原先的庫存壓力得以迅速舒緩,而小米、OPPO、Vivo急於備料則讓相關零組件價格受到支撐,預估第四季跌幅約為0~5%。伺服器記憶體方面,目前雲端與企業用伺服器客戶庫存普遍偏高,價格仍有進一步下探空間,預估其第四季均價跌幅約15%。主流模組32GB的售價也將在年底接近上一個跌價週期的低點,來到100~110美元區間。預估第四季DRAM整體均價跌幅約為10%。 以NAND Flash來說,雖然需求面同樣受到品牌提前拉貨支撐,然而供給位元數與現有庫存皆處於高檔,導致供過於求態勢較DRAM顯著。受惠於當前中國智慧型手機品牌積極拉貨,第四季eMMC與UFS類別跌幅縮小至約3~7%;wafer端則因供給持續增加,續跌近兩成。而SSD方面,主要受到伺服器客戶拉貨動能疲弱影響,enterprise SSD均價將下跌10~15%。預估第四季NAND Flash整體均價跌幅約一成。 另外,具備指標意義的現貨市場在九月中後再度轉弱,雖然在DRAM與NAND Flash的交易內,低價位的產品供貨較少,然而中高價位的產品也未有明顯交易量,導致整體市場動能萎縮。展望2021年第一季,DRAM將受惠於備貨需求使跌幅大為收斂,而NAND Flash由於供應商眾多及供給位元仍處於高水位,價格恐進一步走弱,跌幅將擴大至15%。
0

DDR5標準正式發表 記憶體大廠超前布署升級商機

負責制定DRAM產業標準的JEDEC,在台北時間15日清晨正式發表DDR5標準,與現有的DDR4相比,DDR5最大的特點在於DRAM晶粒將內建糾錯編碼(ECC)邏輯電路,同時DIMM模組上也將全面搭載電源管理晶片(PMIC),操作電壓也會從1.2V降低到1.1V。為了搶食DRAM產業暌違多年的升級商機,DRAM大廠無不競相展開準備動作,預期到2021年下半,就有機會看到DDR5記憶體在伺服器產品上現身。 JEDEC JC-42記憶體委員會主席Desi Rhoden表示,DDR5標準納入了許多新的技術,以提高DRAM的效能、可靠度,並且將省電模式納入標準中。藉由導入DDR5記憶體,伺服器與個人電腦等大量使用DRAM的應用產品,都可望在性能、能源效率等方面有更上一層樓的表現。 與DDR4等現有的DRAM標準相比,DDR5最大的幾個特性包含在記憶體晶粒內部直接內建ECC邏輯電路、模組上全面搭載PMIC、DRAM工作電壓由1.2V進一步降低到1.1V、改用MIPI聯盟I3C基本規格做為系統管理匯流排。藉由這些新技術,DDR5記憶體所使用的半導體製程,會比DDR4有更大的微縮空間,帶來儲存容量提高的效益,並且在I/O性能上比DDR4提高至少50%。DDR4的頻寬目前已經達到3.2Gbps的理論最大值,但第一代DDR5記憶體的頻寬將從4.8Gbps起跳。 參與DDR5標準制定的記憶體業者預期,新標準的導入期約需要12~18個月,但因為許多記憶體大廠都已經在標準正式公告前,就提供DDR5的工程樣品給客戶參考,等於相關產品的研發工作已經超前布署,故最快在2021年下半,就有機會看到伺服器開始搭載DDR5記憶體。 舉例來說,美光(Micron)科技日前已發表技術應用支援計畫(Technology Enablement Program, TEP),該計畫將提供技術資源、優先取得產品,以及和生態系統夥伴的接洽機會;並協助設計、開發和認證搭載最新DRAM技術DDR5的次世代運算平台。 圖 美光宣布DDR5支援計劃。來源:美光 今年1月美光宣布DDR5 RDIMM送樣後,便以此為基礎推出DDR5技術應用支援計畫,將促使業界朝向發揮次世代、以資料為中心等應用價值的目標向前邁進。益華電腦(Cadence)、瀾起科技(Montage)、Rambus、瑞薩電子(Renesas)和新思科技(Synopsys),均為DDR5技術應用支援計畫成員。 DDR5改善DRAM的效能、容量和可靠性,協助現代資料中心為持續快速成長的處理器核心數,提供記憶體頻寬,也有助於滿足顧客對資料中心的可靠性、可用性和可支援性方面不斷上升的需求。與前代DDR4相比,DDR5將提供兩倍以上的有效頻寬,減輕每個核心頻寬的密集運算,在各種應用上實現高效能,並改善功耗管理。 通路合作夥伴在新技術的開發和採用方面也扮演著非常重要的角色。在DDR5技術應用支援計畫中,美光將與經銷商、附加價值銷售商和OEM/ODM等夥伴合作,由合作夥伴負責將搭載 DDR5 的創新產品推進市場。 符合資格的合作夥伴可藉由參與此計畫充分利用與美光的國際合作、品質和支援,更可獲得其他優勢,包含: ・特定DDR5元件和模組 ・後續推出之DDR5產品 ・協助產品研發和評估的規格表、電氣和熱導模型等,以及有關訊號完整性的諮詢和其他技術支援 ・協助晶片和系統層級設計的生態系統夥伴支援
0

COVID-19衝擊有限 2020年記憶體市場穩定回溫

Yole Developpement近日發表2020年版記憶體產業報告,該報告指出,雖然COVID-19疫情爆發,對手機跟汽車應用需求造成衝擊,但由於各國政府、企業陸續推行封城、遠距上班等社交隔離政策,使得伺服器、個人電腦的需求明顯增加,同時也刺激了伺服器、電腦記憶體的需求。整體來說,2020年記憶體市場規模仍會呈現溫和的成長態勢,DRAM的市場規模將比2019年成長5%;NAND Flash則是因為2019年已經歷過一波修正,即便2020年手機需求不振,NAND Flash的平均銷售價格,仍可望比2019提高6%。  
0

手機銷量大受疫情衝擊 NAND成長趨緩

在新冠肺炎疫情蔓延的前幾個月內,智慧型手機的銷量下降,而智慧型手機的NAND Flash占整體NAND Flash用量的35~40%,因此手機銷量連帶拉低NAND Flash的成長率。 示意圖 手機銷量拉低NAND Flash的成長率。來源:Unsplash 分析師認為,智慧型手機的銷量受到疫情影響,消費者不能或者不願意前往零售商店購買新的行動裝置,加上許多亞洲的零組件工廠被迫停工,因此手機銷售在2020年第一季出現了相比往年同期的新低。富國銀行(Wells Fargo)分析師Aaron Rakers在報告中指出,5月的經濟成長比去年同期下降8%,下降幅度小於4月的12%及今年第一季的49%。Rakers表示,盡管對供需法則抱持樂觀態度,但是智慧型手機的銷售成長趨緩,可能反映了疫情後期持續對手機銷量造成的影響。 就季度而言,NAND Flash整體的成長率提升22%,但是與2月的64%、3月的49%及4月的34%比較,數字並不亮眼。截至2020年5月,智慧型手機的售價較去年同期增加28.5%,4月為13%,而今年第一季的定價下降7.5%。 DRAM的銷量同步下滑,但與NAND Flash的趨勢不盡相同。5月的出貨量比去年同期增加20%,2、3、4月則分別為55%、43%及45.5%。2020年5月,DRAM綜合平均售價下滑,2月下降40%、3月減少33%,4月則降低20%。但是就Rakers而言,價格將會趨向穩定。
0

COVID-19疫情嚴峻 半導體產業急尋持盈保泰之道

2019年底開始,新聞偶有中國SARS捲土重來的零星報導,但多數人不以為意,直到2020年1月23日,華人準備歡度每年最重要的農曆春節之時,人口千萬的武漢市宣布因為傳染病加劇而「封城」,之後大陸其他城市也陸續採行形同武漢的「封閉式管理」,身為世界工廠的中國,在春節假期後彷彿被按下暫停鍵,許多工廠無法復工生產,這幾十年的全球化與自由經濟被打上大大的問號,高科技產業斷鏈的疑慮持續加深。 專業分工是全球化的一大重點,高科技半導體產業更是完美實踐此一原則的模範生,最近幾十年來的流行性傳染病,最嚴重的當屬2003年的SARS,很少有現代人會意識到比其更嚴重的疫情流行狀況,在近年經濟第一的大旗之下,部分重要的零組件或原物料停止供應就會影響整個產業鏈。1、2月的大陸與3、4月的歐美疫情,分別打擊供給與需求兩端,產業研究機構因而紛紛對新冠疫情(COVID-19)的影響發表看法。 疫情衝擊超乎預期 截至2020年4月底,COVID-19疫情嚴重的程度相信是當世人所僅見,全球感染人數已經超過270萬,死亡人數突破19萬;其中,最嚴重的美國感染人數已經接近87萬,死亡人數將近5萬。由於病毒感染力強,全球真正變成生命共同體,醫界說的「群體免疫」成為解決疫情最可能的途徑,但在沒有疫苗的狀況下,達成70億人中六~七成感染的時間可能要數年,在這之前全球經濟體系恐怕已經先崩潰。 當年在台灣造成震撼的SARS,最後因為季節變化讓病毒自然消失,新型冠狀病毒對氣候的適應能力看來更加升級,所以目前人類對於這個病毒還真的是「無藥可施」。因此,在疫情緩和之前,隔離與防堵是目前為止最有效的做法,居家令、保持社交距離現階段影響超過數十億人,對產業發展也帶來極為不利的走向。國際貨幣基金(IMF)指出,預料全球經濟活動衰退程度將是1930年代經濟大蕭條以來少見的嚴重衝擊,2020年會有170個國家出現人均收入下滑。 因此,2020年再次出現產業分析師滿地撿眼鏡碎片的情況,如Gartner年初時預估半導體市場年度成長率為12.5%,後來下修至9.9%,直到歐美疫情一發不可收拾,再度修正到衰退0.9%;而IC Insights原先預測成長8%,3月因應中國的疫情影響,下修到3%,4月再因為全球大爆發下修到衰退4%。而IDC原先就預估相對保守的成長1.7%,該單位指出若3月底到4月初疫情獲得控制,2020年全球半導體將呈現衰退6%的情況,若影響時間延後到第三季,產業將出現大幅衰退12%的狀況。 疫情帶動醫療/宅經濟/5G需求 儘管不斷有黑天鵝壟罩,但相對之下也有商機與需求應運而生,工研院產科國際所產業分析師黃慧修表示,線上消費取代實體店面消費,帶動筆電、平板、資料中心等需求;雲端運算需求增加,也一併拉抬伺服器出貨轉強,預期2020年第二季,伺服器DRAM與固態硬碟(SSD)的需求會增加。應用部分,醫療、宅經濟與新興領域需求亦提升。 醫療設備包括耳(額)溫槍、呼吸器等在這波疫情中需求強勁,這些設備中的電子元件如:防疫醫療器材微控制器、溫度感測器、醫療呼吸器用晶片等需求都提高,國內微控制器廠如紘康、松翰、盛群等,因疫情影響帶動測溫設備的市場需求,承接訂單已超越2019年出貨量。另外,宅經濟帶動處理器、記憶體、遊戲運算晶片、遊戲機音效晶片與感測元件的出貨。另外,5G與AI則是受惠的新興領域,其中中國5G的推動不受疫情影響,甚至在政策的刺激之下有加速的傾向。 半導體生產受輕傷 消費性需求受重傷 歐美由於在3、4月疫情快速升溫,而且嚴重程度大幅超越中國,許多IDM廠位於歐美的產線受到影響;IC設計公司較容易安排居家工作因此整體影響幅度在半導體產業中相對輕微;IC封測產線,主要集中在台灣、韓國、大陸、新加坡等地,受到疫情影響的程度較低(圖1)。 圖1 全球IC製造在各疫區產能比重 目前看來,半導體生產面的影響與損失屬於可控制的狀況,但需求端受到的衝擊更大,尤其消費性電子的需求將持續降低,需待疫情獲得控制後,才有望緩步回升,而需求回溫的情況也將視未來疫情控制的狀況而定。此次疫情最嚴重的幾個國家,到目前為止都是經濟或整體國力較佳的國家,這也代表面對看不見的病毒與未知的疾病,必須要更謹慎對待,若是為了怕傷害經濟發展而延遲採取管制措施,恐怕會遭受疫情爆發拖累醫療體系反而導致經濟更大規模的傷害。疫情終究會過去,地球有一天會恢復健康,在我們大病初癒那天,我們應該留下甚麼?學到甚麼?防範甚麼?記住甚麼?是現階段大家應該好好思考的。
0

敏博推32GB原生工業級記憶體模組

全球疫情造成部署時程遞延,然而相關需求只是延後並非消失。專注工控DRAM模組與Flash儲存裝置整合方案的敏博(MEMXPRO),不受疫情影響,持續生產開發,採用美光原廠顆粒,正式推出原生工業級16/32G DDR4-3200大容量高速工業級記憶體模組,提升時脈速度發揮高階系統優質效能,更加凸顯DDR4跟DDR3的性能差距,同時推出-40~+85oC寬溫的工控設備規格,內建溫度感測器,適用於對穩定效能有高度需求的嚴苛環境應用,協助設備與平台商在5G儲存進行全面啟動。 敏博DDR4-3200工業級記憶體模組,採用美光(Micron)新一代1x nm DRAM晶片,目前產品系列首推SODIMM與ECC SODIMM,傳輸頻率最高可達新一代AMD CPU速率上限3200MHz與Intel CPU速率上限2933MHz,原生DDR4-2933/3200速度顆粒於標準1.2V即可運作,也有著良好的超頻性能,最大容量提升至32GB,其加大行動頻寬高速傳輸、巨量通訊聯網,以及低延遲高可靠的產品特性,符合5G時代所需,敏博高速寬溫記憶體模組已獲國際級5G設備大廠青睞,導入合用於戶外極端環境、高性能新一代通訊設備機種,協助5G發展應用。 根據IHS Markit在去年底的報告指出,全球5G產業鏈投資額預計在2035年將達到約2350億美元,並創造高達2,230萬個工作機會;與此同時,由5G技術驅動的全球產業應用將創造12.4兆美元的銷售額。在台灣地區,年初已釋出5G執照,到2035年,直接或間接創造的5G相關總產值高達1,340億美元。5G為人工智慧、邊緣計算、大數據與區塊鏈等尖端技術落地的最後一塊拼圖,將促成相關技術與應用的深入發展。
0

愛德萬新記憶體測試機瞄準全球DDR/DRAM需求

半導體測試設備領導供應商愛德萬測試(Advantest)發表最新多功能、高產能H5620記憶體測試機,能針對低功耗雙存取同步動態隨機存取記憶體(DRAM和LPDDR)裝置進行預燒及記憶體單元測試。 愛德萬測試記憶體自動化測試設備事業群副總Takeo Miura表示,這款測試機兼顧優異生產力與低廉測試成本,為檢驗現今最新DRAM元件的測試標準樹立新標竿。 5G技術時代來臨,全球DRAM位元消耗預估將在2023年近乎翻倍,而此波需求成長背後的主要推手,正是持續成長的資料處理和行動通訊市場,不僅資料中心要求更多記憶體,智慧型手機解析度升級、新增摺疊功能和多鏡頭設計等也是原因。隨著記憶體IC平均售價持續縮水,半導體製造廠不可免的需要另闢蹊徑,縮減測試成本、擴大產量。 愛德萬測試最新測試系統,能夠滿足這樣的需求。H5620在生產環境中,能以100-MHz頻率和高達200Mbps的資料傳輸率,平行測試超過1.8萬個元件。此外,H5620能因應工廠自動化需求,還有具備個別熱控制穩定度的雙溫箱結構,支援從-10°C到150°C大溫度範圍測試。 不僅如此,新系統結合原有記憶體單元測試與記憶體生產設備的預燒測試流程,不僅有助客戶降低資本支出,也能節省工廠空間。 H5620使用具備多元工具組合的FutureSuite作業系統。有了這套軟體,測試機很容易能與愛德萬測試原本的記憶體測試系統相容。另外,愛德萬測試全球支援網也能立即提供客戶在程式編碼、除錯、關聯性分析和維修等方面的協助。
0

記憶體價格回檔 英特爾重登半導體王座

市場研究與顧問諮詢公司Gartner近日發表2019年全球前十大半導體廠營收排名,由於2019年記憶體價格走跌,使得三星、SK海力士、美光等記憶體業者的營收均出現明顯下滑,處理器大廠英特爾(Intel)也因而在僅維持小幅成長的情況下,重新奪回全球最大半導體公司的寶座。 除了記憶體之外,擠進前十名榜單的半導體業者,營收規模也普遍呈現小幅下滑的局面,如通訊晶片大廠博通(Broadcom)、高通(Qualcomm),以類比和車用元件為主的德州儀器(TI)、意法(ST)與恩智浦(NXP),2019年營收也都比2018年小幅萎縮。 前十大半導體業者中,只有蘋果(Apple)的營收規模出現超過10%的成長,但蘋果所設計的晶片並不對外銷售,僅供自家產品使用,因此其情況不能與其他半導體業者一概而論。 整體來說,2019年全球半導體產業的營收規模比2018年減少12%。  
0
- Advertisement -
- Advertisement -

最新文章

- Advertisement -

熱門文章

- Advertisement -

編輯推薦

- Advertisement -