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專訪Vivo 5G研發中心總監秦飛 Vivo積極插旗5G手機商機

在4G時代發展智慧手機有成的Vivo,迎接5G時代的全新發展趨勢,已於全世界各地布局九個研發中心並投入大量資源,Vivo 5G研發中心總監秦飛表示,該公司在5G方面有逾3000項技術貢獻,尤其在提升使用者經驗相關的技術上,如UE Power Saving、Multi-SIM、UL-MIMO、UE Mobility、UE Capability等。面對5G時代的全面聯網趨勢,Vivo提出「1+3+X」的產品策略,以手機為核心,搭配智慧眼鏡、手表與耳機,並向外聯結電視、電腦等更多裝置。 NEX3規格為屏占比高達99.6%的6.89吋Super AMOLED 1080×2256 FHD+螢幕、核心處理器採用Qualcomm S855+搭配5G基頻晶片X50、6400萬畫素F1.8 + 1300萬F2.2廣角/微距+1300萬F2.4長焦/人像三顆鏡頭配置、1600萬畫素前置鏡頭、8GB RAM + 256GB ROM組合與4,500mAh電池容量。 面對5G在傳輸速率、資料傳輸量、連接數量等大幅提升,網路反應時間不斷降低的需求,對於手機業者而言,技術挑戰越來越嚴峻,秦飛坦言,在天線、散熱、電路布局與電池容量/耗電部分都非常棘手,NEX 3在天線部分採用6支,未來隨著傳輸速率提升或毫米波頻段的導入,勢必放入更多天線,為了納入更多天線,Vivo也開發AiA(Antenna in Antenna)技術,在體積較大的4G低頻天線中,透過穿孔放入體積小的毫米波天線,金屬間再使用絕緣材料隔離避免干擾。 而在散熱設計上,秦飛解釋,NEX 3導入多層石墨散熱片(Multi-layer Graphite Heat Sink)、碳纖維導熱片(Composite Carbon...
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專訪Dialog低功耗連結事業部門總監Mark de Clercq 低價/高效藍牙SoC攻IoT聯網商機

Dialog低功耗連結事業部門總監Mark de Clercq表示,隨著需要無線連接的設備不斷增長,但實現完整物聯網系統的成本卻面臨壓力;多數設備無法聯網、智慧化的主因多是成本太高。因此,該公司以降低成本為出發點,打造出價格更低,但依舊有高效能的藍牙SoC。 Mark de Clercq進一步說明,該公司從更少材料、更少外部元件、更小/更便宜的電池;以及更低成本的製造這四大方向著手,才得以實現體積更小、高性能卻又保有低價的藍牙SoC。在以一千萬顆為量產單位的基準下,價格可以低至0.5美元。當然,為滿足少量開發的需求,該公司也推出SmartBond TINY模組,以一百萬為量產單位的話,每個模組的價格也只需約1美元,同樣能減少開發成本。 據悉,新產品的尺寸僅為其前代產品的一半,為2.0×1.7毫米,且具備高整合度,僅需要六個外部被動元件、一個時脈源和一個電源即可構成一個完整的藍牙低功耗系統。對於開發人員來說,這意味著SmartBond TINY可以輕鬆地納入任何設計,例如電子觸控筆,貨架標籤,信標或用於資產管理的主動式RFID標籤等;此外,消費者也可享受到減小系統尺寸和功耗的好處,因為可取代紅外線(IR)遙控器或運用於玩具、鍵盤或智慧信用卡和銀行卡等領域。 簡而言之,新推出的藍牙SoC以較小的尺寸搭配高效能,成功降低系統成本,適時解決了IoT設備日益增多且成本日益攀升的難題,可以將無線連接擴展到以往因為尺寸,功耗或成本限制而無法廣泛採用的應用領域,特別是成長驚人的醫療領域,例如分藥器、體重計、溫度計、血糖儀等設備當中。戴樂格預期該產品將被應用在10億個設備中,點燃新一波IoT設備的爆發成長。 Dialog低功耗連結事業部門總監Mark de Clercq表示,低價藍牙SoC有助於加速IoT設備聯網、智慧化。  
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滿足高效/低成本需求 Chiplets市場蓄勢待發

人工智慧(AI)、車聯網、5G等應用相繼興起,且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片。為此,晶圓代工、封裝業者除了持續朝先進製程(5奈米、3奈米)邁進外,也開始研發新一代製程技術以突破摩爾定律瓶頸,而Chiplets可實現更小更緊湊的運算系統結構,因此備受矚目,眾多半導體廠已相繼投入,相關產品也紛紛問世。 高效/低成本是Chiplets崛起關鍵 益華(Cadence)產品市場總監孫自君(圖1)表示,人工智慧與5G快速興起,相關應用陸續浮現,成為推動半導體產業未來成長的重要動力。這些應用皆需採用高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片。不過,製程微縮技術變得愈來愈困難,例如為了因應各式AI應用,晶片需更高的運算效能,這使得處理器核心數量、所搭配的記憶體容量、I/O數目都急速增加,要整合的元件數量越來越多,即便是使用先進製程,要將晶片尺寸更進一步縮小仍是十分吃力。 圖1 益華產品市場總監孫自君表示,晶片小型化不僅複雜且成本昂貴。 孫自君進一步說明,即便成功小型化之後,仍還有許多要素須考量,例如功耗、散熱等。小型化意味著將各種元件整合在一起,進行運算時所產生的熱能要如何有效的散熱是一大關鍵,因為熱會影響元件電性能力;另外,要達到更好的運算效率,也意味著功率損耗愈多。換言之,晶片小型化要兼具效能、體積、低功耗、散熱等多種要素,要在這麼小的空間實現這麼多(或是做更多)的事情,難度很高;若再從IP的角度思考,要將各式各樣的IP(如記憶體IP、微控制器IP、類比線路IP等)整合在一起,接著進行各種組合試算和驗證,同樣也是要花費許多時間。所以,晶片微縮過程可說既精密又複雜,也使得造價變得更加昂貴。 孫自君指出,業者都是追求獲利,而如何降低成本是最基本的考量,隨著晶片微縮變得越來越複雜、成本也越來越高,業者也會開始思考,究竟是不是所有晶片都需要小型化,畢竟不是所有公司都有能力投入,也不是所有應用都需要非常高的運算效能。也因此,IC設計業、晶圓代工、封裝業者轉向發展晶片小型化外的製程技術,Chiplets的概念及方式也因而開始受到關注。 工研院產科國際所分析師楊啟鑫表示,Chiplets屬於業界因為摩爾定律面臨瓶頸所做的技術替代方案,更早則是源於1970年代誕生的多晶片模組。小晶片是指由多個同質、異質等較小的晶片組成大晶片的概念。先進製程成本急速上升,是故以小晶片方式以提高良率及降低晶片成本。小晶片可以減少晶片設計時程,加速晶片Time to market時間。 楊啟鑫補充,電子終端產品朝向高整合趨勢發展,對於高效能晶片的需求持續增加,然而,隨著摩爾定律逐漸趨緩,在持續提升產品性能過程中,如果為了整合新功能晶片模組而增大晶片面積,將提高先進製程大晶片成本和面臨低良率問題。而不同於SoC晶片,將大尺寸的多核心設計分散到較小的小晶片設計更能滿足現今的高效能運算處理器。此彈性的設計方式可以讓晶片功能分散到以不同製程技術生產的個別小晶片中,提升設計靈活性、更好的良率及節省成本優勢。 換言之,讓高效能晶片使用最先進製程製造,其他則使用符合經濟效益的製程製造(如I/O晶片、記憶體晶片)。從原來設計在同一個SoC中的晶片被分拆成許多不同的小晶片分開製造再加以封裝或組裝,故稱此分拆之晶片為小晶片Chiplets。 總結來說,Chiplets有著三大好處。首先,採用7nm、5nm甚至3nm等先進製程設計SoC的成本相當高昂,特別是模擬電路、I/O等愈來愈難以隨著製程技術縮小;而透過Chiplets則可以克服此一挑戰,因Chiplets是將電路分割成獨立的小晶片,並各自強化功能、製程技術及尺寸,最後整合在一起。此外,基於Chiplets還可以使用現有的成熟晶片降低開發和驗證成本。 接著,Chiplets可以滿足規模較小、較具成本考量的產品。如同前面所述,先進製程SoC造價昂貴,對於許多業者而言,其公司規模及產品銷售量並不足以支撐先進製程的成本;因此,Chiplets遂成為一種切實可行且具吸引力的方式。 至於第三個好處便是,與使用先進製程、從頭開發SoC相比,Chiplets可以加快產品上市時間,越快推出產品,這就意味著可以越早占領市場,提高潛在收入與競爭優勢。 孫自君補充,當然,除此之外,Chiplets還有著IP重用(IP Reuse)、靈活設計、低成本訂製等特點。特別是IP Reuse,目前像是藍牙、Wi-Fi都已有成熟、完整的IP,若是要將這些IP也都採用先進製程,就必須重新開IP,將IP換成5nm、3nm,接著再付一次IP授權費,以及再付費給晶圓代工業者,再加上後續的驗證、PCB板測試等,這花費的時間和成本太大;也因此,Chiplets的出現對IP Reuse起了很大的作用。 半導體業加快Chiplets產品腳步 顯而易見,在製程微縮技術只有少數幾家晶圓代工、IC製造業者可發展的情況下,異質整合(Heterogeneous Integration Design Architecture System, HIDAS)成為IC晶片的創新動能,Chiplets便趁勢崛起,成為半導體產業熱門話題,IC設計業者、IP供應商、晶圓代工廠等也開始加速產品布局。 英特爾/AMD產品競出 英特爾(Intel)日前所發布的Intel Stratix 10 GX 10M FPGA便是採用Chiplets設計(圖2),以達到更高的元件密度和容量。該產品是以現有的Intel Stratix 10 FPGA架構及英特爾先進的嵌入式多晶片互連橋接(EMIB)技術為基礎所設計,運用了EMIB技術融合兩個高密度Intel Stratix 10 GX FPGA核心邏輯晶片(每個晶片容量為510萬個邏輯單元)以及相應的I/O單元。 圖2 英特爾近期發布的Stratix 10...
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SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善,特別是大幅降低的導通電阻和切換損耗,這些半導體切換的應用範圍越來越廣,其導致市場對矽基MOSFET和IGBT的期望越來越高,且對性能的要求亦隨之提升。 儘管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求,並進一步改進MOSFET/IGBT產品,但在某些時候,收益遞減法則占主導。幾年來,儘管大幅度付出投入,但成效收穫甚微。技術和產品最終發展到一個付出與收穫不成正比的階段,並不罕見,這是在為新的顛覆性方法和新產品問世奠定基礎。 對於MOSFET元件,這個顛覆性技術創新週期是開發和掌握新基礎材料的結果。相較純矽的MOSFET,碳化矽(SiC)的MOSFET的性能更勝一籌。本文對比測試所用產品不是研發樣品或示範原型,而是採用商用的SiC的MOSFET。 電動/混動汽車發展與MOSFET密不可分 作為一個重要的快速發展的應用領域,電動汽車和混合動力汽車(EV/HEV)的發力展受益於MOSFET技術的進步,反過來又推到了MOSFET的研發製造。這些滿載電池的汽車不只是一個大型電池組連接數個牽引馬達那樣簡單(混動汽車另有一個小型汽油發動機為電池充電),而是需要大量電子模組來驅動系統運作、管理設備,並執行特殊功能(圖1)。 圖1 電動汽車和混合動力汽車不只是一台大容量電池連接數台牽引馬達,還有許多小型電子子系統及電源,以及為大型電池組充放電和管理電池組的高功率子系統。 電動汽車和混合動汽車所用的功率切換轉換系統包括: .輪轂馬達牽引逆變器(200kW/最高20kHz) 。 .交流輸入車載充電器(20kW/50kHz-200kHz) 。 .選配快速充電功能(50kW/50kHz-200kHz) 。 .協助工具電源:中控台、電池管理控制、空調、資訊娛樂系統、GPS、連網(4kW/50~200kHz量級) 。 為什麼要注重效能?續航里程顯然是消費者選購電動汽車和混合動汽車的重要考慮因素之一。逆變器的性能提升幅度即便很小,也能導致消費者能夠看到的汽車基本性能指標明顯提升。但是,要求高效能的不止於這一個因素,還有多種其他因素: .降低工作溫度,提升可靠性。 .降低熱負荷,減少通過散熱器、散熱片、冷卻液和其他技術散發的熱能。 .減少充電時間和基本用電量。 .由於工作溫度較高的系統固定要求和限制,整體封裝需要具備更大的彈性。 .更加輕鬆地符合法規要求。 SiC應對挑戰 幸運的是,SiC提供了一條通往更高效以及提升相關性能的途徑。在結構和性能上,SiC MOSFET與主流的純矽MOSFET有何不同?簡而言之,SiC MOSFET是在SiC n+襯底上加一個SiC n摻雜外延層(又稱漂移層),如圖2所示。關鍵參數導通電阻RDS(ON)在很大程度上取決於源極/基極和漂移層之間的溝道電阻RDrift。 圖2 不同於純矽MOSFET,SiC MOSFET在n+型SiC襯底上面製作一個碳化矽外延(漂移)層,源極和閘極置於SiC漂移層頂部。 當RDrift值給定,結溫是25℃時,SiC電晶體裸片實際面積是矽超接面電晶體裸片面積的幾分之一,如果使兩個管子的晶片面積相同,那麼SiC電晶體的性能要高出很多。另一個比較SiC和矽的方法是用大家熟悉的品質因數(FOM),即RDS(ON)×晶片面積(品質因數越低越好)。在1,200V阻斷電壓下,意法半導體的SiC MOSFET的FOM值很小,約為市面上最好之高壓矽MOSFET(900V超結管)的十分之一。相較牽引逆變器常用的矽基IGBT,SiC MOSFET主要有以下優點: .切換損耗更低,在中小功率時,導通損耗更低。 .沒有IGBT那樣的PN結電壓降。 .SiC元件具有堅固、快速的本質二極體,無需外部二極體;該本質二極體的恢復電荷極小,幾乎可以忽略不計。 .工作溫度更高(200℃),進而降低了冷卻要求和散熱要求,同時提升了可靠性。 .在效能相同的條件下,切換頻率是IGBT的4倍,由於被動元件和外部元件少,重量、大小和成本更低。 MOSFET須搭配適宜驅動器 經驗豐富的工程師知道,功率元件只是整個系統的眾多重要元件之一。要想使設計變得可靠、高效,並具成本效益,還需讓MOSFET選擇適合的驅動器。適合的驅動器是根據目標MOSFET及其負載特有的電流變化率、電壓值和時序限制而專門設計的驅動器。由於矽基MOSFET技術已經成熟,市面上有很多品牌的標準驅動器,確保驅動器/MOSFET組合能正常運作。 因此,人們不只關心SiC MOSFET驅動的難易程度,更關心驅動器在市面上是否販售,這是很正常的事情。令人興奮的是,驅動SiC MOSFET幾乎與驅動矽基MOSFET一樣容易,驅動一個80mΩ元件,只需要20V閘-源電壓、最大約2A的驅動電流。因此,在許多情況下都可以使用簡單標準的閘極驅動器。意法半導體和其他廠商開發出了針對SiC MOSFET優化的閘極驅動器,例如ST TD350。 在這款先進的閘極驅動器內,創新的主動米勒鉗位功能大多數應用中節省了負電壓閘極驅動,並讓使用簡單的自舉電源驅動高邊驅動器;電平和延遲可調節的兩級關斷功能可以預防關斷操作產生大量的過電壓,以防萬一發生過流或短路情況,兩級關斷功能中設定的延遲還可用於控制切換的開通操作,防止脈衝寬度失真。 SiC MOSFET已邁入量產階段 製程的進步有時並不能保證新技術一定會產業化和大規模應用,而SiC MOSFET卻是一個例外。目前,SiC MOSFET已經量產,並被混動汽車和電動汽車採用,在效能、性能和工作條件方面取得切實的成效,並傳導到電路級和系統級。 我們用混動汽車和電動汽車的80kW牽引馬達逆變器電源模組做了一個SiC MOSFET與矽IGBT的對比測試,結果顯示,在許多關鍵參數方面,650V SiC MOSFET遠勝矽IGBT。這個三相逆變器模組採用雙極性PWM控制拓撲,具有同步整流模式。兩種元件都是按照結溫小於絕對最大額定結溫80%確定元件尺寸。矽IGBT方案使用4個並聯的650V/200A IGBT和額定值相同的相關續流矽二極體;基於SiC MOSFET的方案設計採用7個並聯的650V/100A...
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5G基礎建設RF前端2025年規模達25.2億美元

產業研究機構Yole Développement(Yole)發表最新研究指出,電信基礎設施的射頻前端(RF FE)市場規模在2018年達到14.7億美元,預計到2025年將達到25.2億美元。在全球扁平化的電信產業中,RF FE市場在2018年至2025年期間呈穩定成長,在此期間的年複合成長率為8%。 2020年將進入市場的5G無線通訊將成為下一個行動技術標準。隨著許多創新技術的發展,新系統的建置對射頻產業產生強烈影響,因此部署了支援特定協議和操作模式的新基礎架構,例如大規模MIMO、波束成形、波束控制、載波聚合等。 目前仍有超過75%的5G天線、射頻技術相關專利正在申請中,因此Yole認為,未來幾年還會有很多變化。三星、Intel、愛立信和華為已開始將其產品組合擴展到全球。三星和英特爾似乎是目前在限制其主要競爭對手的專利活動和經營自由方面處於最佳地位的兩個領導者。而GaN、GaAs、SiGe或RF-SOI等其他平台在不久的將來會顯著成長。 在此問題上,最有趣的動態之一是GaAs的發展。隨著主動式天線系統(Active Antenna System, AAS)可能成為主流,將需要更多數量的低功率寬頻功率放大器以及諸如波束形成器之類的新元件。起初這些元件主要採用GaAs製程,尤其是出於性能方面的考量。當市場成長到足以被視為一個利基市場,其他技術如RF-SOI或SiGe有望取代GaAs,就像在手機產業取代GaAs一樣。砷化鎵將成為主動天線模組的過渡平台。  
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Cadence收購AWR 5G RF通訊系統創新爆發力大增

電子設計創新廠商益華電腦(Cadence)與國家儀器(NI)共同宣布達成Cadence收購NI子公司—高頻射頻(RF)EDA軟體技術供應商AWR的最終協議。雙方達成戰略合作協議,擴大推動通訊領域電子系統創新的合作,同時AWR專業RF人才團隊也將加入Cadence。 Cadence將收購AWR,攜手於電子通訊領域規畫創新藍圖。 Cadence總裁Anirudh Devgan博士認為,面臨產品上市週期遽增的壓力,以及為設計飛速成長的5G、無線應用通訊與雷達晶片、模組及系統,客戶須整合設計、模擬及分析環境,使產品差異化並縮短設計週期。而AWR的人才和技術將助Cadence開發更優化及緊密整合的RF設計解決方案,加速系統創新且持續推動智慧系統設計策略。 根據雙方最終協議條款,收購完成時Cadence將支付約1.6億美元現金,且有約110名AWR員工將加入該公司。本次收購預計於2020年第一季完成,須滿足獲監管部門批准等的慣例成交條件(Customary Closing Conditions)。未來雙方技術整合運算軟體後的工作流程,將與NI LabVIEW和PXI等模組化儀器系統及半導體資訊平台緊密結合,組成全新策略聯盟。 AWR的軟體工具可協助微波和射頻工程師設計複雜的高頻RF應用無線產品,適用領域自通訊、航太、國防、半導體、電腦至消費電子,讓客戶加速系統設計及產品開發週期,縮短從概念到生產的時間。 AWR總經理Joseph E. Pekarek表示,RF/微波/毫米波應用需有卓越解決方案,才能實現設計首次通過,確保優良設計性能。加入Cadence後,該公司將充分發揮Virtuoso和Allegro兩大設計工具平台核心優勢,整合AWR設計環境平台,提供複雜IC、封裝及電路板完整的解決方案。 回顧傳統RF/微波設計流程,使工程師面臨兩大挑戰。其一為極易出錯,易使生產力下降及效能損失。然而AWR設計環境將無縫整合Cadence Allegro PCB設計工具、Virtuoso與Spectre平台,助客戶實現RF IC設計。 另一艱難挑戰,是電磁及熱分析工具極為困難的相關設置使用。為解決此難題,Cadence亦整合系統分析工具,包含Clarity 3D電磁求解器、Celsius熱傳求解器及Sigrity PowerSI技術。
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部署自駕市場 賽靈思:FPGA比ASIC更具靈活優勢

要實現自動駕駛,意味著要先實現高速運算,以處理、分析大量的感測數據(例如雷達、光達、攝影機等),因此,除了CPU、GPU之外,現在也已有越來越多車商或半導體業者採用高效、低功耗且能大規模量產的ASIC(例如特斯拉)。對此,賽靈思Xillinx汽車戰略與客戶市場營銷總監Dan Isaacs表示,自動駕駛的功能需求不斷變化,而可編程的FPGA晶片有著更好的設計和升級彈性,靈活性優於ASIC,更符合自動駕駛多樣的功能設計。 賽靈思汽車戰略與客戶市場營銷總監Dan Isaacs表示,汽車市場需求變化快速,需要靈活彈性的解決方案 Isaacs進一步說明,FPGA是一個可編程的邏輯晶片,可以支援多種演算法,以讓晶片適用不同的自動駕駛功能(例如安全、感測等)。若是採用ASIC,有要如果要更改其中一項功能,或是指令要求的話,很可能無法輕易更動,而需要重開一顆ASIC,如此一來不僅成本提高,也可能會增加風險,因為不確定後來新的ASIC是否適用。像是自動駕駛的安全需求是不斷變化、採用FPGA的話,便可以用同一個元件滿足各種功能調整、改進、增添的需求,而這是ASIC無法做到的。 Isaacs指出,許多人認為FPGA價格遠高於ASIC,因此較少採用,其實這是一種對FPGA的誤解。賽靈思目前已出貨1.7億顆的車用FPGA晶片,這證明了FPGA的適用性、效能及優勢,且可編程的靈活特性又可以減少重開晶片的風險及成本;換言之,FPGA所能帶來的效益及優勢已遠遠超過其價格,擁有相當好的性價比。 另外,布局自動駕駛市場,賽靈思也於近期發布全新高效能的自行調適元件XA Zynq UltraScale+ MPSoC 7EV與11EG,進一步擴大其車規級16奈米系列產品。這兩款新元件能提供最高的可程式化容量、效能與I/O功能,並為L2+到L4等級的先進駕駛輔助系統(ADAS)與自動駕駛應用提供高速資料彙整、預處理和分配(DADP)及運算加速。新款元件提供超過65萬個可程式化邏輯單元與近3千個DSP單元,和前一代最大元件相比增加2.5倍。在新增這兩款高效能元件後,包括汽車製造商、自駕計程車開發商和一級供應商都能在一定的功耗範圍內執行DADP與運算加速,加速自動駕駛車輛的生產部署。 Isaacs說明,新推出的元件主要是因應自動駕駛愈來愈複雜的運算需求。如今的自動駕駛車輛有著越來越多的感測器,像是雷達、超音波、影像感測器和光達等。這些感測器所收集的數據資訊都要快速、即時地進行分析處理,因此市場對於運算的需求越來越高;因此,該公司擴展XA產品系列,協助車商、系統業者實現數據整合處理,並透過更加的靈活性和擴充能力,滿足瞬息萬變的自駕車市場。
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Gartner預測2023年全球自駕車成長大躍進

國際研究暨顧問機構Gartner預測,2023年全球配備自動駕駛相關硬體車輛(下稱自駕就緒車; Autonomous-Ready Vehicles)淨成長數將達745,705輛,相較2018年137,129輛與2019年332,932輛,呈現大幅成長。該機構表示,成長驅動力來自先行引進自駕技術法規的北美、大中華區及西歐國家。 全球自駕車銷售數量於未來幾年內將持續成長,至2023年將超過74萬輛。 Gartner首席研究分析師Jonathan Davenport表示,目前全球自駕車皆仍處研發階段,而具有限自動駕駛功能的汽車亦須仰賴真人監督。但許多車輛已有支援全自動駕駛功能的硬體,如攝影機、雷達,甚至配置光達(LiDar)感測器。透過無線軟體更新(OTA),車輛開始能執行更高等級的自動駕駛功能,因此稱之為「自動駕駛就緒」。 即便自駕車數量將快速成長,主要仍聚焦在消費性車輛,因此同等級商用車數量依然很低。2020年自駕車中,消費性車輛的淨增加數可望達380,072輛,反觀商用車僅10,590輛。 然而,自駕車發展受限於相關法令的缺乏。Jonathan Davenport指出,由於製造商須為自駕車行駛行為負責,確保其能於無人監督下上路才得以部署。目前尚未有國家頒布法規,允許可量產的自駕車上路,為相關技術發展阻礙。當法規逐步法制化施行,自駕車的生產和部署可望快速增加,但仍須等待幾年才得以實現。 此外,感測器的高昂成本亦成為發展限制。Jonathan Davenport表示,尚在研發階段的自動駕駛計程車(Robo-Taxis),每台成本最高可達40萬美元;其中自駕車必備的光達感測元件,光單位成本至少要價7.5萬美元,較一般消費級汽車價格高兩倍以上,使高階自駕車技術仍無法打入主流市場。預計2026年自駕車所需感測器成本將比2020年下降約25%,但感測器陣列(Sensor Array)成本仍高居不下。意即未來10年內,先進自動駕駛功能將僅導入高級車種及行動服務車隊。 綜觀自駕車市場,其成長速度取決於公眾安全觀感。人車換手時的安全疑慮為關鍵障礙,眼下自駕車的感知運算仍略差於真人。Gartner資深研究總監Michael Ramsey表示,實務上難以針對各種狀況模擬車輛安全測試。況且自駕車表現須遠優於真人駕駛、大幅減少事故量才能搏得大眾信賴。Gartner預測至2025年系統表現才能超越人類駕駛。 反映市場現況,Jonathan Davenport指出已有多家公司挹注資金開發感知系統,並研發安全性可於商業應用的系統;同時企業為加速技術創新,使用人工智慧驅動模擬軟體,了解車輛可能的反應以產生測試資料。
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再砸35億開設研發中心 ZF深耕中國市場

總部位於德國,主要從事工程學,以其在汽車工業領域內的設計、研發、製造而聞名,是全球性的轎車、商用車傳動和底盤技術供應商,同時涉足海運、國防和航空工業及基礎工業設備的ZF,日前與廣州市花都區政府擴大協議,將在當地建立其在中國第三家研發中心,逐步擴大布局中國市場,推進汽車電子、制動、轉向安全系統及新能源汽車和無人駕駛車等研發項目。 ZF將落腳中國廣州建設第三個研究中心,致力於本土化發展。 ZF集團董事會成員、亞太及印度地區總裁柯皓哲博士(Dr. Holger Klein)表示,此決定對該公司意義重大,印證其決心深耕中國的汽車市場。新研發中心將肩負發展核心技術的使命。 目前ZF在中國上海有兩個嵌入式研發中心,分別致力於主動與被動安全技術,以及全應用動力傳動與底盤技術研發工作。該公司近年積極布局自動駕駛和電驅動業務,對中國汽車市場長遠發展抱有信心。預期其在智慧網聯汽車及智慧交通等領域將快速發展,深耕本土研發,配合中國汽車智慧化、互聯化、清潔化、共享化的趨勢。 ZF集團中國區總裁、亞太區營運高級副總裁汪潤怡亦指出,此次計畫將提升與華南地區客戶溝通效率,將更多高科技人才吸引至汽車行業和相關生態系統,將與客戶和合作夥伴攜手促進華南地區汽車與科技行業互補結合。 新研發中心預計投資額約人民幣7億元,於2023年開始運作。將採用核心工程技術研發能力,範圍涵蓋軟體開發和未來相關技術,不但能緩解上海兩個研發中心的壓力,更能互補技術優勢、構成協同效應,並整合當地ZF投資企業與市場。
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三星:5G毫米波加速建置中 2020年將陸續商用

5G正式起跑,在6GHz商用啟動之後,世界各國也開始加快28GHz的5G毫米波商用建置,三星(Samsung)中國研究院院長張代君近日於在台舉辦的「贏戰5G星未來」三星5G大師對談會上表示,毫米波頻譜資源無疑更豐富,也更適合高速訊息傳輸、下載等,為此,各國運營商已紛紛加快5G毫米波測試、設置,目前除了美國之外,韓國也預計繼3.5GHz之後,於2020年中實現28GHz商用。 張代君進一步說明,事實上,5G低頻段和毫米波頻段的部署是相互互補的,因5G應用十分廣泛,而不同的應用所需的頻段也不盡相同。也因此,不論是從6GHz以下先行布建,或是先採用28Ghz頻段,最終都會是高/低頻端並行建置,各國的系統運營商再依其應用而選擇要用低頻段或是毫米波頻段。 三星中國研究院院長張代君。 舉例而言,美國由於政策緣故,因此5G的建置是先從28GHz的毫米波頻段開始,在大城市、密集地區等已開始進行毫米波的測試、覆蓋及商業化;但同時美國也加快6GHz以下的布建。至於亞洲國家,則是在6GHz以下商用化後,加快毫米波的布建,例如韓國在3.5GHz商用化後,開始加快28GHz的測試、設置步伐,不出意外的話,將會在2020年中實施28GHz的商用;而中國也是如此。至於日本,則是6GHz和28GHz同時開標,其低頻段和高頻段的建置也正如火如荼進行中。 總而言之,毫米波的測試、建置在3.5GHz商用啟動後可說全面加速,為此,三星也備有全套的端對端解決方案。像是於2019年初宣布完成尖端mmWave射頻積體電路(RFIC)和數位/類比前端(DAFE)ASIC的開發,將支援28GHz和39GHz頻段的應用。 除此之外,三星近期也於MWC LA 2019上推出28GHz的5G整合型基地台,該產品最高可支援高達10Gbps的通訊速度,並整合了無線通訊和數位通訊功能,且大幅縮小重量和體積,以利運營商將其安裝在任何地方,例如路燈柱或建築物牆面。 三星日前在台舉辦贏戰5G星未來大師座談活動。  
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