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2024年音訊關鍵零組件產業規模將達208億美元

產業研究機構Yole Développement(Yole)發表研究報告指出,麥克風、音訊IC和微型揚聲器的消費市場預計將從2018年的141億美元成長到2024年的208億美元,年複合成長率(CAGR)為6.6%。透過查看MEMS麥克風的數量成長,可以了解所涉及的產品。智慧音箱中的MEMS麥克風年複合成長率將達到13%,到2024年產業規模將達到12億個。在無線耳機中,MEMS麥克風的年複合成長率將達到29%,2024年規模將達到13億個。 對於MEMS麥克風,樓式(Knowles)和Goertek是主要廠商,在2018年這個12億美元的市場中,它們分別占據39%和28%的市占率。近年來,Knowles的收入可能已經飽和。但是,它仍然在不斷擴大的市場中與提供低成本解決方案的中國企業保持聯繫。同時,英飛凌科技通常向Goertek和AAC等播放器提供麥克風裸晶。 對於音訊編解碼器和放大器,Cirrus Logic、高通和德州儀器(TI)是2018年34億美元市場的主要供應商。它們的市占率分別為35%、18%和12%。將來,蘋果、高通和海思等AP製造商可能進一步整合AI功能,Knowles和Goertek提出了將AI功能與編解碼器和數位訊號處理功能整合在一起的專用音訊晶片。另一方面,諸如CEVA和Xperi之類的IP供應商正在致力於AI處理的晶片設計。  
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ST:智慧手機將推動ToF持續成長

智慧手機仍會是ToF感測器主要成長推手。意法半導體(ST)影像産品部技術行銷經理張程怡表示,ToF感測器目前最大的市場仍是智慧手機的照相應用,且滲透率會越來越高。主因在於手機業者為達到更好的拍照效果,不論旗艦、中低階手機的後置鏡頭都開始搭載ToF之外,也有業者為了實現更強大的自拍功能,開始在前鏡頭添加ToF,讓自拍的對焦速度變得更快,ToF感測器在手機的成長量因而持續上揚。 張程怡說明,五年前(約是2014年),智慧手機的鏡頭鮮有搭載ToF感測器,到了三年前(2015年)開始有這風潮,而到如今,幾乎每個智慧手機的後置鏡頭都會搭載ToF感測器,否則拍照功能會大不如人。 意法半導體影像産品部技術行銷經理張程怡。 然而,智慧手機近年來的成長停滯,是否對ToF感測器有所影響?對此,張程怡指出,近年來,甚至是未來ToF感測器的發展仍會是以手機市場為重點。雖然說智慧手機的這幾年來並沒有明顯的成長,但對ToF感測器而言,驅使其銷售數量繼續攀升的並非是智慧手機的數量,而是滲透率,也就是ToF感測器的滲透率遠高於智慧手機的成長率,其中的關鍵就在於對拍照功能的要求。 張程怡說,現在愈來愈多的拍照評鑑網站對各式手機拍照功能進行評測(例如法國知名網站DxOMark),而手機業者為了拿到更高的評鑑分數,會不斷強化手機的拍照功能,後鏡頭搭配ToF感測器已是常態。然而,在這些評鑑網站漸漸將自拍照片列入評測考量之後,也驅使手機業者也開始在前鏡頭上「大作文章」,也就是添加ToF感測器;因為有沒有ToF感測器的對焦速度會差很多。所以,市面上已有些手機是前/後鏡頭都搭載了ToF感測器,且這類產品的比重未來預估會再提高。 也因此,智慧手機的成長幅度雖不明顯,但消費者對拍照功能的需求增加,使得智慧手機仍是ToF感測器主要成長關鍵。ST目前已有VL6180、VL53L0和VL53L1等系列產品,且會繼續開發微型ToF模組(例如新一代ToF產品VL53L5預計2020年推出),創造新的使用案例。
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旺宏30立足NOR Flash 深耕汽車/醫療/工業應用

1989年12月9日成立的旺宏電子,日前歡慶30週年,多年來深耕編碼型快閃記憶體(NOR Flash)技術,在該領域站穩龍頭寶座,未來將持續投入技術發展,並發展物聯網時代的醫療、工業、汽車領域應用,以產品品質為導向,期待20年後可以挑戰快閃記憶體領域包括NOR Flash與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)全球第一的位置。 旺宏慶祝成立30週年,董事長兼執行長吳敏求發表演說,並感謝4000位員工貢獻 進入人類的而立之年,旺宏在半導體領域已經是一家成熟的公司,回顧過去的三個10年,旺宏電子董事長兼執行長吳敏求說,旺宏的第一個十年,成為半導體行業的標竿,十年之內成長至約十億美金的營業額;第二個十年,該公司遭遇產業環境與經營困境,幾乎要倒地不起;第三個十年,又經歷了擴廠而虧損的窘境,但在全體同仁努力下,推出55奈米的NOR及19奈米的NAND,最後又站起來。經歷這些挑戰始終沒被打倒,吳敏求將之歸功於所有員工的努力。 旺宏董事長兼執行長吳敏求將該公司30年的成就歸功所有同仁 半導體是資本、人才與技術密集的產業,吳敏求認為,在旺宏成立初期,除了人才以外,幾乎一無所有,首先透過借力使力的策略,讓該公司順利在產業站穩腳步,並在美國成立一家公司,協助日本任天堂進軍美國市場;後來旺宏拿到任天堂唯讀記憶體(ROM)生意,更找台積電合作,由台積電出資購買設備,旺宏負責生產,再出貨給任天堂;並與任天堂融通資金,擴充產能並回售,與任天堂建立緊密的夥伴關係,未來在競逐NAND Flash市場的過程中,預計也將利用借力使力的策略。 多年來旺宏積極耕耘技術深度,吳敏求表示,現階段該公司專利申請量超過9,600件,取得專利數高達7,950項,而且有許多是基礎專利,尤其在3D NAND的領域,已有超過2,400項專利,很多都是基礎專利,將來可為旺宏帶入不少利潤。面對產業的競爭與挑戰,吳敏求坦言該公司不擅長價格與量產型產品的競爭,所以格外強調技術與品質的發展,也自詡是半導體業第一家將產品品質從ppm Level推向ppb Level的廠商,目前每10億個產品的不良率在500個以內。 任天堂遊戲機是旺宏未來布局的重點之一 因此,旺宏在應用發展部分,看好醫療、汽車、工業領域,如心律感測器、血糖機、自駕系統等,汽車應用需要搭載快速啟動記憶體,醫療應用要求記憶體零雜訊,以提升量測準確度,另外也推出120萬次讀取都不失敗的產品,與每一顆IC具備獨特IO的加密記憶體,穩定性與可靠性符合車用/工業等級要求,其他熱門應用包括:無人機、任天堂遊戲機及5G基地台也是布局的重點,吳敏求強調,5G基地台布建環境不亞於汽車與工業場域,全球主要的基地台設備供應商有八成與旺宏洽談合作,2020年以後5G建設加速,會帶來更多營收貢獻。
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2020十大科技策略趨勢 邊緣運算導入提升自主性

國際研究暨顧問機構Gartner提出2020年企業必須了解的十大策略性科技趨勢,分別為超級自動化、多重體驗、專業知識的全民化、增進人類賦能、透明化與可追溯性、更強大的邊緣運算、分散式雲端、自動化物件、實用性區塊鏈以及人工智慧安全性。 Gartner的十大科技策略趨勢是企業在制定未來五年科技規劃時必須考量的一部分。這些趨勢對人類及其居住空間、所有產業和地區都有著廣泛影響,且極可能顛覆現狀。2025年以前,與這些趨勢相關的科技都將歷經重大變化、通過關鍵爆發期,達到全新層次的成熟度,因此得以拓展實際應用案例並降低風險。 名列Gartner十大科技策略趨勢之一的更強大的邊緣運算(Empowered Edge),探索了物聯網的持續演進過程,以及如何藉由電腦科技連結並驅動人們身邊所有事物,包括消費性和工業用裝置。更強大的邊緣運算逐漸因人工智慧功能提升,以及透過機器人、無人機和自駕車等自動化物件而得以實現。 更強大的邊緣運算 邊緣運算是一種運算拓撲,能將資訊的處理、內容的收集與傳送都保留在靠近該資訊來源處,仿效分散式處理的概念,嘗試讓流量和處理工作都在本機進行,目的在縮短延遲時間、發揮邊緣功能並賦予邊緣端更大的自主性。 物聯網架構正朝著邊緣導向演進,智慧功能逐漸移轉到端點、閘道和類似裝置。不過現在的邊緣架構仍有些分層,資訊透過定義完整的多層端點流向接近邊緣處,有時候則是流向遠端邊緣,最終進入集中式雲端和企業系統。 長期來說這種成組的階層將逐漸淡出,創造出一個非結構化的架構,其中有各式各樣「物件」和服務連接到透過一組分散式雲端服務加以連結的動態彈性網狀網路。在這種情況下,像無人機這樣的智慧「物件」就可能和企業物聯網平台、政府無人機追蹤服務、地方感測器和城市層級的地方雲端服務溝通,再與附近導航用無人機進行點對點無線連接模式(Peer to Peer Mode, P2P)資訊交換。 邊緣、近邊緣(Near Edge)和遠邊緣(Far Edge)會連接到集中式的資料中心和雲端服務。邊緣運算能解決許多迫切問題,例如頻寬成本過高、延遲時間太長令人無法接受。在不遠的將來,邊緣運算拓撲將可實現特定的數位商業和IT解決方案。 分散式雲端逐漸演進後將提供一套通用或輔助服務,能夠集中管理也可供給邊緣環境執行使用。 網狀網路架構將實現更具彈性、智慧且反應力更強的P2P物聯網系統,但可能會造成系統複雜程度增加的代價。網狀架構也是眾多分散式網路生態系統產生的結果,要徹底轉型為數位商業及產品,就必須利用智慧網狀網路架構來增加競爭優勢。從集中式到邊緣、再到網狀網路的演進過程,對產品開發將帶來極大影響,團隊在雲端和邊緣運算設計方面的技能也要進化。網狀網路的標準還不成熟,但電機電子工程師協會(IEEE)和開放霧運算聯盟(OpenFog Consortium)等組織已開始針對網狀網路架構領域進行研究。 隨著端點數量增加,功能也越來越先進,可由人工智慧所驅動並執行像Linux這樣的作業系統,而未來網狀網路架構也將變得更為普及。新型網狀網路架構將會增加物聯網系統的複雜程度,使設計、測試和支援相關工作變得更具挑戰性。除此之外,網狀網路往往代表有更多P2P活動,讓合作夥伴和生態系統可以延伸到個別產品以外之範圍。 Gartner預測,2028年之前邊緣裝置嵌入感測器、儲存、運算和先進人工智慧功能的數量將穩定增加。不過邊緣運算是一種異質性概念,範圍除涵蓋簡單的感測器和嵌入式邊緣裝置,也包括行動電話等為人熟知的邊緣裝置,以及自駕車之類的高度先進邊緣裝置。不同種類邊緣裝置用在不同情境,使用壽命也大不相同,從1到40年不等。以上因素加上廠商為邊緣裝置導入更多功能的推動加速,都為管理和整合帶來更複雜和持續的挑戰。 智慧功能將移往網路邊緣各式各樣的端點裝置,包括: .簡易型嵌入式邊緣裝置(例如家電、工業裝置)。 .邊緣輸入/輸出裝置(例如喇叭、螢幕)。 .邊緣運算裝置(例如智慧手機、個人電腦)。 .複雜的嵌入式邊緣裝置(例如汽車、發電機)。 這些邊緣系統將直接或透過中介的邊緣伺服器、閘道器,連接超大型後端服務。 位於邊緣的資料/分析/人工智慧 在數位商業計畫的帶動下,到了2022年企業所產生資料將有75%是在傳統集中式資料中心或雲端以外的地方創造或處理,而現在僅不到10%。分散式資料的趨勢迫使企業採取不同方式,在集中蒐集資料後處理、或是直接連結資料生成處進行本地處理兩者間達到平衡。現在的使用案例需要資料管理功能移往邊緣,也就是把處理功能帶到資料那裡,而不是永遠都把資料蒐集過來再集中處理。但這種分散式「連接」的模式也帶來許多挑戰。例如: .若資料位於邊緣,該以何種形式儲存? .如何在邊緣執行治理管控? .如何與其他資料整合? 為因應這些挑戰,負責資料與分析的主管必須針對資料資產的說明、組織、整合、分享與治理,來進行優化處理。 雖然並非資料管理的所有面向都必須發生在邊緣,現在使用案例的需求有逐漸往此方向發展的趨勢。因為具有高度分散的本質,包括物聯網解決方案架構等現代數位商業應用,未來很可能會挑戰企業管理及處理資料的能力,但目前大多數人尚未準備好能面對這些資料的規模和複雜度。轉變至邊緣運算的過程中會有以下幾點影響: 資料和分析技術的使用案例和解決方案必須支援新型分散式資料架構,而這是資料和分析技術主管現有資管能力不及之處。在資料管理中納入分散式資料儲存庫和處理,以便從資料所在地提供支援。 分散式資料需要分散式資料管理功能,迫使主管重新權衡他們將資料處理功能導入邊緣的能力。藉由雲端資料儲存庫、分散式平行處理平台和嵌入式資料庫技術來提升資料持久功能。 邊緣運算和其他分散式環境將挑戰資料管理技術供應商的能力,因此主管會更深入檢視如何在相關技術市場中找到方向。根據他們管理分散式資料的能力,評估現有和未來可能合作的廠商。 5G與邊緣運算溝通機制 讓邊緣裝置互相連接或連接後端服務,是物聯網的基礎,同時也是實現智慧空間的元素之一。5G是4G長程演進技術(LTE)LTE Advanced和LTE Advanced Pro的次世代蜂巢式標準。國際電信組織(ITU)、第三代合作夥伴計畫(3GPP)和歐洲電信標準協會(ETSI)等數個全球性的標準制定機構已提出定義。5G標準之後其他迭代也將支援窄頻物聯網(NB-IoT),鎖定有低耗電和低吞吐量需求的裝置。新的系統架構包含核心網路切分以及邊緣運算。 5G能解決三種關鍵技術通訊面向,每個都能支援不同新服務與其他新服務模式(例如延遲即服務: 增強型行動寬頻通訊(eMBB),大部分供應商可能會首先採用這類技術。 超可靠度和低延遲通訊(URLLC),能滿足現有許多工業、醫療、無人機和運輸方面的需求,因其對可靠度和延遲的要求甚至超越頻寬。 大規模機器型通訊(mMTC)則能解決物聯網邊緣運算對規模的需求。 使用較高的蜂巢式頻率和超大容量,會需要密集部署,且高頻率重複使用。因此,預料大部分公用5G服務一開始會以孤島式部署為主,而非全國性的連續覆蓋。Gartner預測到了2020年,全球將有4%以網路為主的行動通訊服務供應商將推出商用5G網路。許多通訊服務供應商還不是很清楚哪些使用案例本質或商業模式可能帶動5G服務,因此在2022年之前,企業主要會利用5G來支援物聯網通訊、高解析影片和固定無線接入(Fixed Wireless Access, FWA)。未經授權的無線電頻譜(例如美國的民用頻段無線電服務「CBRS」,英國德國也有類似計畫)將帶動私人5G(和LTE)網路的部署,讓企業可以利用5G技術的優勢,而不必等待公共網路擴大覆蓋。  找出絕對需要5G高階效能、低延遲或更高密度以滿足邊緣運算需求的使用案例,再根據2023年前供應商預計推出的服務,規劃組織如何利用這些使用案例的一套計畫,評估哪些可用選項比較適合用在特定的物聯網案例,且較5G更具成本效益。範例包括低功耗廣域網路(LPWAN)網路,像是以4G LTE為基礎的NB-IoT或LTE Cat. M1、長距離廣域網路(LoRa)、Sigfox和Wi-SUN。 邊緣物件的數位分身 數位分身指真實世界中某個實體或系統的數位表徵。數位分身是藉由封裝的軟體物件或模型,映射出獨特的實體物件。來自多重數位分身的資料,可聚合成一個橫跨各種真實世界實體(例如一座發電廠或城市)的合成觀點。 起初企業將單純採用數位分身,而隨著時間過去這些分身將有所演進,更有能力收集正確資料並予以視覺化、使用正確的分析技術和規則,再針對商業目標做出有效回應。數位分身模型將會增生,供應商也開始提供顧客這類模型,成為它們的產品中極為重要的部分。 (本文作者為Gartner研究副總裁暨權威分析師)
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採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

GaN損耗低 直接驅動優勢多 在設計開關電源時,主要品質因數(FOM)包括成本、尺寸和效率。將這三個FOM結合在一起,就需要綜合考慮多種因素。例如,提高開關效率雖然可以減少磁性元件的尺寸和成本,但也會增加磁性元件的損耗和電源裝置的開關損耗。由於GaN的截止電容較低且無二極管反向恢復,因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT有顯著降低損耗的能力。正常情況下,MOSFET/IGBT驅動器會提供合適的開啟和關閉電流以支持輸入電容。驅動器輸出和裝置閘極之間的外部電阻能控制開關速度,並抑制功率和閘極迴路振鈴。隨著GaN的開關速度增加,外部零組件會增加過多的寄生電感(Parasitic Inductance)來控制開關。藉由GaN裝置將驅動器整合到封裝中,可以大幅減少寄生電感,降低開關損耗,並最佳化驅動控制。 GaN中的本體二維電子氣(2-DEG)層可以在源極和汲極之間使裝置在零閘-源電壓下導通。為安全起見,當偏壓功率不可用時,必須關閉開關電源供應器使用的功率裝置後才能斷開輸入和輸出的連接。為了模擬增強型裝置,將低壓MOSFET與GaN源串聯。圖1顯示了實現這一點的兩種不同配置:串接和直接驅動。 圖1 串接和直接驅動配置方式 接下來將比較功耗,並描述與每種方法相關的注意事項。在串接配置中,GaN閘極接地,並驅動MOSFET閘極以控制GaN裝置。由於MOSFET是矽元件,許多閘極驅動器都可輕鬆獲得。然而,由於GaN閘-源極電容(CgS)和MOSFET Coss必須在GaN裝置關閉前充電達到GaN臨界值電壓,因此這種配置顯示出更高的組合Coss。 在直接驅動配置中,MOSFET是打開的,且由接地電壓和負電壓(VNEG)之間的閘極驅動器驅動的GaN閘極打開/關閉組合裝置。此外,MOSFET Coss不需要充電。關閉GaN Cgs的電流來自於較低的偏壓電源。較低的供應電壓可提供相同的GaN閘-源極電荷(Qgs),以降低功耗。在開關頻率較高的情況下,這些功率差異會大幅增加。反向恢復Qrr損耗在串接配置中發揮作用。這是因為在第三象限傳導中,MOSFET呈關閉狀態,並通過內接二極體傳導。由於負載電流反向流動,MOSFET中出現儲存電荷。克服反向恢復電荷的電流來自高壓電源,會導致大量損耗。 然而,在直接驅動配置中,MOSFET始終處於開啟狀態,而其寄生二極體因為較低的RDSon而不開通;因此,在直接驅動配置中不存在與Qrr相關的功率損耗。 在串接配置中,關閉模式下GaN和MOSFET之間的電壓分布會使得MOSFET因高GaN汲-源極電容(Cds)而突崩。 一種解決方案是在MOSFET的汲極和源極並聯的情況下增加一個電容器。然而,這種方法只適用於柔性開關應用,在硬性開關應用中會產生高功耗。 由於GaN閘極與MOSFET的源級相連,因此無法控制串聯驅動中的開關速度。在硬性開關操作中,GaN Cgs、MOSFET Coss和MOSFET Qrr中有效Coss的增加,以及可能因防止MOSFET突崩所產生的電流傳導,會在初始充電期間產生更高的汲極電流。這種更高的汲極電流會導致串接驅動中的功耗更高。 MOSFET的汲極電荷足以關閉GaN裝置之後,汲極中Coss的驟降,加上流過功率迴路電感的汲極電流較高,導致串接配置中的開關節點產生過大的振鈴。圖2為硬性開關事件中的開關波形,在此模擬中,直接驅動配置在每次硬性開關事件中消耗的能量更少,即使其開關速度較低,振鈴也較小(直接驅動50V/ns時為4.2W,相較串接驅動150V/ns時為4.6W,均帶5A負載電流)。 圖2 硬性開關操作導致振鈴過大。 另一方面,直接驅動配置在開關操作過程當中可直接驅動GaN裝置的閘極。當不存在偏壓電源的時候,MOSFET閘極會被拉至接地,並且以與串接配置相同的方式來關閉GaN裝置。 只要存在偏壓電源,MOSFET會保持開啟狀態,且寄生電容和內接二極體會從電路中移除。直接驅動GaN閘極的優勢在於可以藉由設定對GaN閘極充電的電流來控制開關速度。對於升壓轉換器,驅動器電路的簡單模型如圖3所示。可以從這個模型中推導出方程式。 圖3 直接驅動配置的驅動路徑模型 公式1證明當GaN裝置具有足夠的閘-汲極間電容(Cgd)時,利用閘極電流,可透過米勒反饋(Miller Feedback)來控制開關事件的速度。對於Cgd較低的裝置來說,此種反饋將流失,且裝置的跨導(gm)控制著開關速度。    公式1   直接驅動配置的另一個優勢在於可以給閘極迴圈增加阻抗來抑制其寄生共振。抑制閘極迴圈也可以減小功率迴圈中的振鈴,使得GaN裝置上的電壓應力降低,減少硬式開關期間的電磁干擾(EMI)問題。 圖2的模擬顯示了以功率和閘極迴圈寄生電感為模型的降壓變換器中開關節點振鈴的差異。直接驅動配置有一個過衝量非常小的受控開關。然而,由於閘極迴圈中的初始COS、Qrr較高與較低的阻抗,串接驅動的振鈴和硬式開關損耗明顯更高。 整合閘極驅動器 GaN FET開關控制更順暢 以德州儀器(TI)旗下的LMG341X系列600V GaN裝置為例,該產品為首款整合GaN FET plus驅動器和保護特性的產品,並且是8mm×8mm的方形扁平無針腳(QFN)封裝多晶片模組(MCM),包含一個GaN FET和一個使用整合20V串聯FET的驅動器,總RDSon為75mΩ。 圖4為此裝置的方塊圖。閘極驅動器提供了GaN FET直接驅動能力,並具有一個內建的降壓/升壓轉換器來產生關閉GaN FET時所需的負電壓。閘極驅動器採用單一12V電源供電,並擁有一個內部低壓差穩壓器(LDO),可以用來生成為驅動器和其他控制電路供電的5V電源軌。內部欠壓鎖定(UVLO)電路保持安全FET關閉,直到輸入電壓高於9.5V。UVLO超過自身的臨界值時,降/升壓轉換器即打開並為負電源軌(VNEG)充電。一旦VNEG電源電壓超過其自身的UVLO,驅動器就會啟用。 圖4 單通道600V、76-ΩGaN FET電源極的方塊圖 與分離式GaN和驅動器相比,LMG341x系列的整合直接驅動裝置具有很多優勢。閘極驅動器的一大重要作用是在硬式開關事件期間對開關速度的控制。 另外該產品使用可程式化電流源來驅動GaN閘極。電流源提供阻抗來抑制閘極迴圈,並允許用戶以控制的方式將開關速度從30V/ns編程至100V/ns,以解決電路板寄生和電磁干擾問題。 藉由將串聯FET整合到驅動器的積體電路(IC)中,敏感FET和電流感測電路為GaN FET提供過電流保護。這一關鍵特性可以提升系統整體可靠性。這種電流感測方案在使用強化模式GaN裝置時是不適用的。當流過GaN FET的電流超過40A時,電流保護電路會跳脫。過電流事件發生後的60ns內,GaN FET會關閉,以防止晶片過熱。 藉由將驅動器晶片包裝在與GaN FET相同的晶片連接焊盤(DAP)上,驅動器晶片上的引線框架可以感測到GaN裝置的溫度。驅動器在過熱時可以透過停止GaN驅動來保護裝置。整合的GaN裝置也可以提供故障輸出,以通知控制器開關因為出現故障而停止。為了使用直接驅動方法來驗證操作,我們創建了一塊半橋式板,並將其配置為降壓轉換器;並使用ISO7831雙向位準偏移器來饋送高側驅動訊號,並恢復位準偏移故障訊號。 在圖5中,GaN半橋式配置從480V匯流排以1.5A的電壓以及100V/ns的開關速度切換。①表示開關節點波形,②表示感應器電流。硬式開關導通狀況較好,並有~50V過衝電壓。該波形使用1GHz示波器和探針測得,用來觀察是否存在任何高頻振鈴。快速地接通,加上截止電容的減少以及缺少反向恢復電荷,使得基於GaN的半橋式配置能夠高效地切換,甚至作為硬式開關轉換器。 圖5 降壓開關波形示例 總結來說,GaN在減少截止電容和無反向恢復方面提供的優勢開闢了在使用硬式開關拓撲結構的同時能保持高效率的可能。若要最大限度地發揮GaN帶來的優勢,則需要控制高開關速度,也因此需要一個最佳的組合封裝驅動器和精細的電路板布線技術。組合封裝驅動器有助於減少閘極迴圈寄生,以減小閘極振鈴。有了精細布線的印刷電路板(PCB),最佳化的驅動器就可以讓設計人員控制開關事件的速度,並將振鈴和電磁干擾降到最低。這一效果是通過GaN裝置的直接驅動配置實現的,而非串接配置。 而LMG341x系列元件能夠讓設計人員以30V/ns到100V/ns的開關速度控制各種裝置的開關。此外,驅動器可以提供過電流、過熱和欠壓防護。 (本文作者皆任職於德州儀器)  
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工研院發布新世代MRAM/FRAM技術 推動新興記憶體發展

AI、5G等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,在DRAM、SRAM、快閃記憶體等存在已久的記憶體技術愈顯吃力的情況下,新興記憶體備受關注。為此,工研院近期於IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)上發表新一代 FRAM與MRAM 技術進展,除了引領業者創新研發方向外,也希望能藉此加快新興記憶體發展腳步。 工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G與AI時代來臨,且產生的資料量更多、更廣,因此會有更大的儲存需求;而要有更快的運算效率,意味著記憶體的讀取速度也要再加快。因此,5G、AI的出現,驅使記憶體朝更大容量、更快讀取速度發展,也因此,各大記憶體業者開始加快並投入更多資源開發新興記憶體,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色,期能在日後取代目前主流的三大記憶體產品(分別為DRAM、Flash和SRAM)。 工研院電光系統所所長吳志毅。 吳志毅說明,新興的FRAM及MRAM讀寫速度比大家所熟知的快閃記憶體快上百倍、甚至千倍。其中,FRAM的操作功耗極低,適合IoT與可攜式裝置應用,而MRAM速度快、可靠性好,適合需要高性能的場域,像是自駕車,雲端資料中心應用等,兩者都是非揮發性記憶體,均具備低待機功耗、高處理效率的優勢,未來應用發展潛力可期,而工研院也積極研發新一代的FRAM和MRAM技術,加快普及速度。 首先在MRAM技術的開發上,工研院於IEDM上發布自旋軌道轉矩(Spin Orbit Torque, SOT)MRAM相關的最新研成果。相較於台積電、三星等公司即將導入量產的第二代MRAM(STT-MRAM)技術,SOT-MRAM為全球積極研究中的最新第三代技術,以寫入電流不流經元件磁性穿隧層結構的方式運作,避免現有MRAM操作時,讀、寫電流均直接通過元件對元件造成損害的狀況,同時也具備更穩定、更快速存取資料的優勢。目前相關的技術已成功導入工研院自有的試量產晶圓廠,後續商品化的進度可期。 至於在FRAM,其具有所有新興記憶體技術中最低的操作功耗,但現有的FRAM使用鈣鈦礦(Perovskite)晶體作為材料,而鈣鈦礦晶體材料化學成分複雜、製作不易且內含的元素會干擾矽電晶體,因此提高了FRAM元件的尺寸微縮難度與製造成本。 為此,工研院在以「使用應力工程氧化鉿鋯之三維、可微縮、高可靠度鐵電記憶體技術」為題的論文中,成功以半導體製程中易取得的氧化鉿鋯鐵電材料替代現有材料,不但驗證優異的元件可靠度,並將元件由二維平面進一步推展至三維立體結構,展現出應用於28奈米以下嵌入式記憶體之微縮潛力。 另外,工研院也以「亞奈安培操作電流之氧化鉿鋯鐵電穿隧接面於記憶體內運算應用」為題的論文中,使用獨特的量子穿隧效應達到非揮發性儲存的效果,所提出的氧化鉿鋯鐵電穿隧接面可使用比現有記憶體低上一千倍的極低電流運作,並達到50奈秒的快速存取效率與大於一千萬次操作的耐久性,此元件將來可用於實現如人腦中的複雜神經網路,進行正確且有效率的AI運算。
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5G應用帶動運算需求 光通訊朝400G發展

5G發展帶動網路傳輸速率提升,產業研究機構資策會MIC指出,低延遲、IoT應用、分散運算及儲存等需求持續發展,讓邊緣運算市場受到矚目,5G基礎建設布建投入日趨積極,網路設備市場規模呈成長趨勢,其中雲端服務業者購買伺服器與乙太網路交換器比重迅速提高,資料中心乙太網路主流規格轉移至100G甚至400G、800G以上技術標準也蓄勢待發。 超大規模資料中心成為400Gb規格主要驅動力,MIC認為,2019年400G的交換器產品已經開始向資料中心業者出貨,更前瞻的800G技術亦在研擬中;另外,中美貿易戰有助提高台灣交換代工業者在白牌市場的滲透率,美系電信設備業者與電信營運商將以台廠作為優先考量。 5G網路建設面臨諸多難點,因而重拾固移融合的方法,協助營運商運用固網資源打造多元網路傳輸方案,支援網路切片應用,也有助於有線光纖通訊系統的發展,且能減少建設的資本支出,共享所有網路資源。 全球營運商、設備大廠等正共同訂定5G FMC(Fixed Mobile Convergence)工作項目,並納入5G R16標準內,預計2020上半年釋出,運用固網能量加速5G網路建設,同時促進固網發展。 5G大頻寬應用需求驅動寬頻網路升級,為PON提供新市場機會,MIC表示,其中WDM-PON透過現行主流技術選項XG-PON/XGS-PON平滑升級,深具成本效益。中國大陸視N×25Gbps WDM-PON系統為5G前傳網路應用的最佳技術,積極促進ITU-T將25G WDM-PON架構標準化,中美科技戰也促使中國大陸加快5G網路商轉,帶動光纖網路升級需求。  
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台灣5G商用2020啟動 IDC:垂直應用再等2~3年

NCC將於12月10日開始進行5G頻譜競標,意味著台灣5G商用服務即將啟動。對此,IDC 國際數據資訊觀察,在5G頻譜競標、釋照後,預計在2020年6、7月台灣電信業者就會開啟5G商用,不過會先以消費性服務為主(如智慧手機、AR、VR等),至於垂直應用方面,需要一段時間部署SA基礎建設與設備,因此如工業、醫療、汽車等領域要實現5G商用,時間點約落在2023年左右。 IDC資深市場分析師葉振男表示,垂直應用是5G市場關注焦點,不過這些應用多是要等5G SA架構和標準完善後才有辦法實現。目前標準部分預計在2019~2020年釋出,3GPP原本預計在2019年底釋出R16版本,但依照其以往釋出時間通常會延遲個一到兩季的情況,較有可能的公布時間應會是在2020年第一季。而在釋出之後,電信設備商還需要約兩季的時間打造設備,而電信業者取得設備後也需花將近一年的時間進行試驗,以落實垂直場域的應用和服務,上述流程、時間加起來,推出台灣5G垂直應用服務真正實施的時間點約莫是在2023年或之後。 IDC資深市場分析師葉振男說明,在SA建置尚未完善下,台灣5G會先以消費性應用為主。 葉振男進一步說明,5G垂直整合應用之所以須等SA架構完善後才得以實現,主要原因在於許多應用(汽車、醫療等)都需要更好的延遲性,延遲性要達到3GPP的標準(10的負6次方);而這基本上是SA架構才有辦法達到,NSA架構是無法達成的。也因此,在延遲性無法達到3GPP制定的標準推出垂直應用服務的話,基本上都不會有好的效果或是使用體驗。也因此,目前台灣電信業者在垂直應用的布局上,傾向等SA的架構底定,在設備端準備好也做過試驗之後,才會推相關商用服務。 葉振男指出,在垂直應用服務推出之前的時間,也就是2021~2023之間,台灣電信業者除了加快SA基礎設施的建置外,同時會先以NSA架構為主推出相關商用服務,也就是比較偏消費性的應用。像是智慧手機、頭戴式裝置(VR、AR)、球場導覽等提升民眾體驗的沉浸式應用(因這些應用對延遲性的要求沒有垂直產業高),透過這些服務讓民眾感受到5G的使用體驗是遠高於4G時代,加強民眾對5G的接受度。 葉振男說明,總而言之,在2020年5G商用開啟後的2~3年時間,台灣5G會先以消費性應用為主,同時電信業者也會花兩年的時間(2021~2023)加快SA的部署,待SA的基站、核心網和軟體都完善之後,才會開始推動車用、醫療、工廠等垂直應用。
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產業推力源源不絕 5G 2020產業榮景可期

5G在2019年4月,由南韓與美國不斷微調提前的開台日期中揭開序幕,而這個小插曲,也成為2019與2020年5G發展的縮影,5G成為發展最迅速的行動通訊標準,因為5G涵蓋層面廣泛,使其大到國家競爭力,小到廠商產品布局,都有戰略性意義,帶動這波5G產業卡位布局熱潮。 2020年,5G將持續發展更關鍵的技術標準,同時在產業推動廠商積極布局,插旗搶占地盤之後,如何順利掠奪市場商機,推出符合消費者需要的服務,建立正確的商業模式,成為這段時間的重點,數據服務繼語音之後,成為下一個"雞肋",企業專網變成營運商希望可以孵化的金雞蛋;同時,在營運商的推動之下,Open RAN將解構過去的電信網路,打開無線接取網路潘朵拉的盒子,再次引發另一波卡位戰,5G時代精彩可期。 3GPP R16/R17完善5G標準 3GPP 5G NR標準涵蓋R15、R16、R17,其中R15最終版已於2019年3、4月左右定案,R16將於2020年3、4月凍結,該版本標準將作為IMT-2020技術候選提交給ITU,而R17版本針對現有架構與功能持續演進,滿足各種場景應用需求,R17於2019年底確認內容,2021年終技術內容凍結。Nokia台灣客戶營運部技術總監陳銘邦(圖1)表示,R16以低延遲技術為主,並詳細制定工業物聯網(IIoT)架構、有線/無線聚合、專網(Non Public Network)、5G NR運作在非授權頻段等(圖2)技術。 圖1 Nokia台灣客戶營運部技術總監陳銘邦表示,R16以低延遲技術為主,R17則發展大規模物聯網。 圖2 3GPP R15/R16/R17技術規格要點 R17則基於發展大規模物聯網,同時將更全面支援垂直產業的聯網應用,在基礎功能強化部分,如MIMO增強、定位增強、覆蓋範圍增強、RAN數據蒐集增強、綜合接入與回傳增強、節能增強、小數據傳輸優化、Sidelink增強;支援垂直產業部分,發展NR-Lite規格、IIoT/URLLC增強、非授權頻譜NR增強、NR廣播/多播等;支援不同的終端型態部分,NR-Lite優化NR終端、多SIM卡操作;延伸訊號的覆蓋範圍與高度,發展非地面網路NR;其他如:人工智慧(AI)/機器學習(ML)5G網路、52.6GHz以上頻譜利用等。 R16在2020年發布之後,5G主要技術框架更加完善,因此明年5G產品將大舉出籠,如何激發市場需求並發展創新應用成為重點。電信技術中心副執行長林炫佑(圖3)直指,激發需求重於創造需求,透過5G高速、低延遲、大量連結的技術,可以實現先進影音功能、智慧治理、URLLC應用技術與創新應用技術等面向,其中影音應用如AR/VR沉浸式影音、4K/8K即時影像、Hologram全息投影將會是5G發展最快的應用,而低延遲與高可靠度的應用,如車聯網、無人機、數位雙胞胎(Digital Twin)、智慧電網等B2B、B2B2C應用則是5G時代的關鍵。 圖3 電信技術中心副執行長林炫佑指出,5G垂直產業應用發展,激發需求重於創造需求。 B2C應用高畫質影音與雲端遊戲 5G在創新應用上引領的變革,預計將造成一波新的典範轉移,5G商業模式中B2C轉變為營運商基本盤,B2B與B2B2X的產業潛力成為開發重點。B2C的業務規模基本上已經固定,5G預期不會帶來大幅度的成長,但也是營運商絕對不能失去的市場,除了高畫質影音之外,由於5G頻寬的大幅成長,推動雲端線上遊戲平台發展,Apple Arcade、Google Stadia、微軟Project xCloud呈現方興未艾的態勢。 此外,5G產業應用被視為是帶動電信營運商營收動能的「靈藥」之一。陳銘邦認為,5G的產業應用以車用、智慧製造、能源、健康照護為四大類別。尤其是製造業發達的國家如德國,對於5G企業專網的推動更是不遺餘力,根據工研院產科國際所的研究指出,德國汽車業者可望在不依賴電信業者的5G基礎網路設施下自建5G網路,以避免數位轉型工作託付給電新業者。 B2B應用前景可期但挑戰不小 R16標準中工業物聯網是一大重點,而近年由工業4.0帶動的製造業升級運動有了5G的加值,發展前景可期,資策會智慧系統研究所副所長馬進國解釋,藉由感測大數據,建構監控、生產計劃、分析及預測等模組,讓工廠管理更智慧更簡單,可隨時隨地觀看工廠的稼動率、加工狀況等,讓管理者即時化、可視化與有效化管理所有生產資訊,提升經營效率,實現智慧工廠最終極目標。 透過IIoT感測模組整合至零組件廠,並提供相關Domain Knowledge與整機廠連結,輔以AI建模等工具,快速變更設計及生產製程,以符合目前更短的產品生命週期,加速智慧零組件與智慧機械整合與開發速度。應用5G技術與AR/VR,導入現場即時故障排除,並建構預診斷機制,改善目前售服與維修成本。而這些目標事實上需要更多時間逐步達成,馬進國不諱言,5G產業應用要比氣長,不像B2C可以很快導入,即時看到成果並帶動營收,未來二~三年基本上都是醞釀期。 5G技術與垂直產業的發展願景,現階段還面臨許多挑戰,林炫佑進一步指出,目前缺乏可有效提升投報率的案例,垂直領域廠商尚未將5G研發範疇,5G與當前各種垂直領域設備之相容性與互通性待驗證,垂直領域廠商需與5G營運商或新創公司展開新的合作模式,採用5G與有線連線對部分垂直領域差異性尚不明顯,5G垂直應用將與外部資源連線,垂直領域卻乏專家確保資訊安全及數據保護。 專網推動應提升產業競爭力 5G產業應用不僅是傳統的B2B,更可能是B2B2C或B2B2X,所以也興起企業專網的發展熱潮,又帶動專用頻段的需求,包括英國、德國、日本、瑞典都劃設專用頻段供產業應用,希望此舉能有助5G時代的產業發展。英國將1.8GHz與2.3GHz作為Local Shared-Access使用,3.8~4.2GHz作為Local Private和Shared網路使用,農民、工廠、商業園區、公園可申請。德國也保留3.7~3.8GHz作為企業專網頻段,BNetzA根據需求分配給申請者,Volkswagen、Daimler、BMW、Siemens、Bosch等皆有意申請。 專網專頻在台灣也引起廣泛討論,不久前傳出政府有意比照德國、瑞典,保留3.7~3.8GHz中100MHz做為企業專網頻段,造成電信營運商大動作反彈,認為此舉對花大把資金取得頻譜的營運商不公平。因此,10月底交通部對電信業者承諾,企業專網專頻預計三年後才開放申請、且必須先申請一年實驗計畫,企業專頻頻譜使用「有價」,單位成本需與電信業者取得5G頻譜接近;此外,申請專網的企業須提出事業計畫書、每三年檢討頻譜使用效率。 而使用頻段則不是3.7GHz的熱門頻段,改至5G第二波釋照的4.4~5GHz頻段。行政院科技會報執行秘書蔡志宏表示,有關5G專網,未來公私單位都可提出申請,若是企業界要使用,則要看專網運作的範圍。行政院對5G專網專頻的政策指導方向會由行政院長於12月10日5G頻譜競標前後親自拍板。盼依然是以專業為依歸,同時顧及台灣資通訊、電信產業競爭力建構,以開放、自主、創新態度,並不自外於國際潮流為原則。 5G Open RAN成潮流 另外,5G時代許多應用與物聯網、人工智慧(AI)息息相關,因應網路對邊緣運算架構的需求,由大型電信營運商AT&T、中國移動、Deutsche Telekom成立ORAN組織,目的是解構目前以華為、Ericsson、Nokia主導的無線接取網路架構,Deutsche預估,以RAN建置成本占5G網路70%來看,Open RAN可以協助RAN成本節省50%,整體成本可以降低35%。 過去無線接取網路是由RAN架構以硬體的RAN設備與技術支援、技術服務組成,由於5G網路支援多樣化應用,網路朝向虛擬化、軟體化發展,工研院資通所副所長丁邦安表示,開放式網路架構可以將原來形同黑盒子的RAN解構再重組,供應鏈切得更細,除了射頻前端設備之外,與運算有關的設備不再使用專用設備,可以導入通用型的運算平台或伺服器,一方面也支援AI的運算與處理,一方面可以降低成本,達成系統簡化發展的目標。 除了ORAN以外,目前也已有多個組織投入RAN開放的發展,Fackbook在2016年成立TIP(Telecom Infra Project)號召500家廠商加入,以雲端原生模式解構電信基礎架構;開放網路基金會(Open Networking Foundation,...
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Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

Si/SiC/GaN材料特性比較 目前,市場上絕大部分的功率元件從20V到數kV都是以矽的技術為基礎,當矽的技術到達其極限,材料性質就會限制住功率半導體元件的效率提升空間,金氧半場效電晶體(MOSFET)是最常見的功率半導體元件,其導通電阻受限於崩潰電壓,也就是磊晶層的特性,導通電阻的公式如公式1:                                  公式1 簡化之後,就是「矽的極限」關係式                  ...
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