ST
意法推出數位電源/馬達控制探索套件
意法半導體(ST)擴大對STM32G4微控制器的開發支援,推出數位電源和馬達控制兩個版本的探索套件,並在最新的STM32CubeG4套裝軟體(v 1.1.0)中增加新的韌體範例,幫助開發者進一步了解競賽級無人機、專業級無人機和小型電動車等應用的數位電源和馬達控制技術。
B-G474E-DPOW1探索套件是一個功能完整的數位電源開發平台,其包含STM32G474RE 微控制器、板載電阻負載的降壓-升壓轉換器、高亮度RGB LED控制器、使用者LED指示燈和按鈕、靈活的電源和資料介面,以及支援程式除錯。使用者可以探索微控制器的濾波數學加速器(Filter-Math Accelerator, FMAC),處理3p/3z補償等功能,確保在負載範圍內可維持高效能,還可探索數位斜率補償功能,在照明等應用中釋放CPU時鐘週期。
B-G431B-ESC1探索套件是一個功能完整的馬達轉速電子控制(Electronic Speed Control, ESC)參考設計,適用於最高40A的三相無刷直流馬達(BLC)和永磁同步馬達(PMSM),元件包含一個STM32G431CB 微控制器和一個採用STripFET F7功率MOSFET的三相馬達驅動級,可以處理無感測器向量控制演算法(Field-Oriented Control, FOC)或六步換向控制。板載功能包括電保護、熱保護、交錯上下臂驅動器,支援馬達感測器和三電阻電流檢測。例如,電路配置密集可讓愛好者拆除STLINK子板,並在應用中直接使用控制器。該套件支援X-CUBE-MCSDK v5.4.1 馬達控制SDK,其目標應用是由6S 鋰聚電池組供電的無人機、小型電動車和無線電控制之車輛。
STM32G4系列現在為STM32產品家族帶來一個新的封裝選擇:128腳位的14×14 LQFP封裝。這是STM32G4系列中首個腳位數量超過100的封裝,其封裝面積與現有的LQFP100封裝相同,而更多的腳位埠讓使用者能夠更靈活地處理I/O密集型任務。STM32G4微控制器功能強大,其整合了豐富的類比功能、高解析度計時器、安全即時韌體升級雙區快閃記憶體、低動態功耗(160μA/MHz)模式和最大125°C (環境)溫度之選項,適用於消費性電子和工業領域的馬達控制、數位電源和儀表應用。這一功能強大的微控制器系列採用170MHz Arm Cortex-M4F內核心處理器,並整合意法半導體的自我調整即時ART Accelerator加速器、CCM-SRAM程式加速器,以及新FMAC和三角函數座標旋轉計算硬體加速器等專有創新技術,可以帶來卓越的整體應用和即時控制性能,而且效能傲人。
意法推出雙介面安全微控制器
意法半導體(ST)推出的ST31P450雙介面安全微控制器採用最新的40nm快閃記憶體,以及強化的RF射頻技術,為銀行卡、身份證、交通卡、付費電視等非接觸式智慧卡帶來優異的連接穩健性和讀寫性能。
ST31P450採用經過檢驗的32位元Arm SecurCore SC000安全處理器,符合ISO 7816和ISO 14443 A類智慧卡和非接觸式智慧卡標準,其支援MIFARE全系軟體庫,包括MIFAREClassic、MIFAREPlus和MIFAREDESFire。意法半導體的40nm快閃記憶體技術可以將晶片做得極小,適用於銀行卡等雙介面應用,加強的安全性可提升交易安全性和防偽功能。
升級的RF讓無線連接變得極其穩定可靠,並讓非接觸式交易變得更快速便利。此外,ST31P450的新低功耗加密引擎可最大限度地降低功耗,當射頻場強度較弱時,在確保優異讀寫性能的同時還能執行加密運算。ST31P450亦配備優化的裝載韌體,讓發卡商在發卡後的維護變得更輕鬆。
ST31P450安全微控制器及其相關的加密庫有望在未來幾個月內取得Common Criteria EAL5 +以及EMVCo和中國銀聯(CUP)的安全認證。
意法推出1050V高擊穿電壓MOSFET VIPer轉換器
意法半導體(ST)推出新款VIPer26K高壓功率轉換器,其整合一個1050V耐壓N-Channel功率MOSFET,使離線電源兼具寬壓輸入與設計簡單之優勢。
VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統垂直堆疊FET和相關被動元件,即可帶來類似的電壓處理能力,並可採用尺寸更小的外部緩衝元件。轉換器內建漏極限流保護功能,而MOSFET則包含一個用於過溫保護的偵測FET腳位。
晶片整合了高壓啟動電路、內部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支援所有常見開關式電源拓撲,包括一次側或二次側穩壓隔離反激式轉換器、電阻回饋非隔離反激式轉換器、降壓轉換器和降壓/升壓轉換器。
這是市面上最高的MOSFET擊穿電壓,其結合晶片上整合的一整套功能,僅需要極少的外部電路,這些特性使設計人員能夠節省物料成本和電路板空間,同時提升電源的可靠性,例如,單相和三相智慧電表、三相工業系統、空調和LED照明電源。
新品還有很多其他優勢,例如,內部固定切換頻率60kHz,抖動±4kHz,配合MOSFET開通和關斷期間閘極電流控制功能,可最大限度地降低切換頻率雜訊輻射。高轉換效率和低於30mW的空載功耗,有助於應用達到高效能等級和嚴格的生態設計要求。
意法構建STM32Trust生態系統整合網路保護資源
意法半導體(ST)推出STM32Trust,協助設計人員利用業界最佳典範,為新的物聯網設備構建強大的網路安全保護系統。STM32Trust整合知識、設計工具和意法半導體獨創的即用型軟體,協助設計人員利用STM32微控制器內建的安全功能,在裝置之間建立互信、防止非法存取,防禦邊通道攻擊,避免資料竊取和程式碼碼竄改。
意法半導體微控制器事業部總經理Ricardo De Sa Earp表示,智慧感測器和遠端致動器等連網裝置是基礎建設和服務的固有元件,因此,確保這些裝置具備有效的安全性變得至關重要,新推出的強制性安全規定是當今通用微控制器市場中一個全新的重大挑戰,STM32Trust讓開發人員更容易理解和接受新的安全規範。
STM32Trust整合了STM32系列可用的全部網路保護資源,充分利用以安全為核心的晶片功能和套裝軟體,讓設計人員執行一個強大的多層安全保護策略。STM32系列是全球領先的Arm Cortex CPU架構系統晶片產品組合,全系列共有近1,000款產品,用於智慧裝置、遠端感測器、穿戴式裝置、電子醫療裝置、物聯網閘道器、存取權限控制型記憶體、行動支付等連網設備。根據不同的型號,提供硬體網路保護功能,包括制定安全引導、防止駭客觀察訊號模式的亂數產生器、專用加密輔助處理器,以及金鑰安全存儲元件等功能。意法半導體還在晶片上構建了篡改檢測、防火牆代碼隔離機制,並執行ArmTorrentZone安全技術,為最易受攻擊的程式碼提供額外保護。STM32Trust擁有開發人員所需的全部資源,包括參考資料和免費軟體,可有效保護連網裝置的資料安全。
在參考套裝軟體中,X-CUBE-SBSFU呈現了在應用程式碼傳輸到引導記憶體或現場更新兩種最易受攻擊的情況下,如何保護的應用代碼的安全。X-CUBE-SBSFU參考包適用於STM32F4、F7、H7、L0、L1、L4、G0、G4和WB。意法半導體安全元件STSAFE的參考設計則可最大限度提升最終應用的安全級別。
此外,STM32L4和STM32H7微控制器的安全韌體安裝解決方案可在首次燒錄程式碼時保護裝置的安全。該解決方案提供了一個完整的應用安全安裝工具包,使用Trusted Package Creator軟體讓OEM二進位檔案加密,透過STM32CUBE讀寫器將程式碼安全地安裝在STM32快閃記憶體,而使用STM32HSM模組則可將OEM數位憑證交給負責程式碼安裝的合作廠商。
意法推出靈活數位功率因數控制器
意法半導體(ST)的雙通道交錯式升壓PFC控制器STNRGPF12,兼具優勢包括數位電源的設計靈活性和類比演算法的快速回應。控制器設定和優化過程非常簡單,只需使用意法半導體的eDesignSuite軟體就可以輕鬆完成。
STNRGPF12適用於600W以上的應用,可提升各種設備的效能和可靠性,包括工業馬達控制器、充電樁、不斷電供應系統、4G和5G基地台、電焊機、電信交換機、家用電器和資料中心電源。
STNRGPF12採用固定頻率連續導通模式(Continuous-Conduction Mode, CCM),具有平均電流模式控制功能。STNRGPF12內外控制環完美兼顧數位和類比性能。內部電流環使用硬體類比比例積分(PI)補償器,外部電壓環則採用動態回應快速的數位PI控制器,這使STNRGPF12能夠管理電壓環和電流環的串聯控制,透過控制總平均電感電流來調整輸出電壓。
新產品還整合了豐富的功能,其中,數位輸入湧流限制功能利用高邊開關電路中的可控矽整流器(Silicon Controlled Rectifier, SCR)簡化軟啟動管理,增強系統穩健性。STNRGPF12還支援負載前饋、電流均衡、切相和風扇控制。晶片上整合的UART控制器可讀取非易失性記憶體,以便使用者設定PFC參數,滿足特定的應用需求,並可讓使用者查看參數。
使用者另外還可以利用意法半導體廣泛的生態系統快速啟動設計專案,發揮STNRGPF12最大潛力。生態系統包括STEVAL-IPFC12V1雙通道2kW交錯式PFC參考設計和配置軟體。
意法推出袖珍/方便STLINK-V3MINI除錯探針
意法半導體(ST)新款除錯探針STLINK-V3MINI兼具STLINK-V3SET強化功能和獨立模組的簡便性,可加速韌體燒錄速度,同時提升介面的易用性,而且價格更實惠。
體積袖珍、攜帶方便,新款探針可隨時隨地上傳和為STM32微控制器應用軟體除錯,利用意法半導體14腳位STDC14除錯排線連接微控制器,支援虛擬COM連接埠(Virtual COM Port, VCP)等強化功能。VCP將帶來更省事、更靈活的優勢,例如,可以在PC上輕鬆觀察執行資料,讓除錯流程變得更快、更明確。
支援USB隨身碟模式是STLINK-V3MINI的另一個功能,透過簡單的滑鼠操作,可直接以探針上傳檔案,快速驗證全新的創意,或執行各種demo程式,讓開發工作變得更輕鬆。
此外,STLINK-V3MINI還配備用於3D列印的參考檔案,讓使用者能夠設計客製化的探針外殼。STLINK-V3MINI與STM32CubeProgrammer完美搭配,主流的商用IDE開發環境,包括Keil MDK-ARM、IAR EWARM,以及採用GCC的IDE,例如:意法半導體STM32CubeIDE免費開發環境,可直接支援STLINK-V3MINI探針。另外,使用者還可免費使用意法半導體所提供的探針底層API介面,以便在測試平台上整合STLINK-V3MINI。
意法推出600V三相智慧關斷閘極驅動器
意法半導體(ST)新款STDRIVE601三相閘極驅動器用於驅動600V N通道功率MOSFET和IGBT電極體,穩定性位居目前業界最先進之水準,可耐受低至-100V的負尖峰電壓,邏輯輸入回應速度在85ns以內,處於同級產品一流水準。
STDRIVE601內建智慧關斷電路,可提升保護功能的啟動速度,在檢測到超載或短路後,立即關閉閘極驅動器輸出。用外部電容和電阻設定斷態持續時間,必要時,設計人員可以用較大的C-R值設定所需時間,而不影響關斷反應時間。STDRIVE601配備故障指示器腳位。
STDRIVE601可以替代三個半橋驅動器,簡化PCB電路板配置設計,優化三相馬達驅動器的性能,以驅動家電、工業縫紉機、工業驅動器和風扇等設備。
所有輸出均可灌入350mA電流,源出200mA電流,閘極驅動電壓範圍為9V~20V,可驅動N道功率MOSFET或IGBT電極體。低邊和高邊之間的延遲配對功能消除了週期失真現象,並允許高頻開關操作,而互鎖和死區特性可防止交叉導通。
STDRIVE601採用意法半導體的BCD6S離線功率開關製程,驅動電源是高達21V的邏輯電源電壓和高達600V的高邊自舉電壓。驅動器整合了自舉二極體,可節省物料清單成本,此外,低邊和高邊驅動電路皆具備欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout, UVLO)功能,可防止電源開關在低效能或危險狀況下執行。
EVALSTDRIVE601評估板現已上市,可以幫助使用者發現更多STDRIVE601驅動器的功能,快速研發並執行首個原型系統。STDRIVE601晶片現已量產,其採用SO28封裝。
意法與艾睿電子合作推出電子燃油噴射參考設計方案
為協助車商滿足即將實施的單雙缸汽油引擎發動排放法規,半導體供應商意法半導體(ST)和艾睿電子攜手推出一個功能完整的電子燃油噴射(Electronic Fuel-Injection, EFI)系統電子控制單元(Electronic Control Unit, ECU)參考設計方案。
SPC5-L9177A-K02電子控制單元參考設計方案目標小型引擎,其能滿足即將實施的歐洲五號(Euro 5)、印度Bharat Stage VI(BSVI)和中國四號(China IV),以及針對未來摩托車、機車、三輪車等小排放量機動車的排放標準,同時亦可用於配備EFI電子控制單元的發電機、船舶引擎和農業用引擎。
參考設計方案的主要元件是意法半導體的SPC572L系列32位元PowerArchitecture車用動力總成微控制器,以及為小排放量引擎應用和市場需求而專門設計之整合電源、通訊介面、負載致動器的L9177A高整合IC。意法半導體的STGD18N40 IGBT和L9616 CAN介面IC也包括在內。
參考設計板可供客戶直接開發應用,同時配備一個完善的開發生態系統,其中包括SPC5Studio整合式開發環境(IDE)(包括底層驅動程式)、SPC572L系列通用計時器模組(GTM)配置器、引擎曲軸位置感測器和執行器動力總成軟體庫。為了克服與電子燃油噴射相關的複雜挑戰,意法半導體與eMoticom合作開發了一個基本應用軟體,以幫助使用者啟動和管理單缸引擎。
SPC572L系列屬於意法半導體 32位元高性能系列車用微控制器系列,用於管理四缸以下的汽柴油引擎,以及底盤、變速箱、轉向系統和制動系統。SPC572L系列整合複雜的GTM智慧計時器模組、16個輸入通道、56個輸出通道、帶模擬EEPROM的1.5MB讀寫同步(RWW)快閃記憶體、64KB通用資料SRAM、兩個解串/串列周邊介面(Deserial/Serial Peripheral Interface,DSPI)模組、增強型數位類比轉換器系統和自檢功能。
L9177A晶片整合了穩壓電源和致動器,可以控制兩缸以下的內燃機,利用意法半導體專有的BCD製程,在一顆晶片上整合邏輯電路和電源電路,包括有熱關斷功能的300mA 5V穩壓器,以及電池短路保護功能的5V追蹤式穩壓器,還有兩個低RDS(ON)導通電阻的噴油器驅動器、用於控制引擎怠速的步進馬達驅動器、氧氣感測器加熱器輸出和全面的診斷功能。
貿澤電子7月新品精選
貿澤電子Mouser Electronics致力於快速推出新產品與新技術。貿澤是領先業界的新產品引進(NPI)代理商,首要任務是庫存來自750多家製造商合作夥伴的各種最新產品與技術,為客戶提供優勢,協助加快產品上市速度。貿澤在7月發表超過287項新產品,且這些產品均可在訂單確認後當天出貨。
貿澤7月發表的部分產品包括:第二代Intel Xeon Gold可擴充處理器,第二代的Intel Xeon Gold可擴充處理器為採用14 nm微影製程技術製造的64位元多核心伺服器微處理器;STMicroelectronics STEVAL-MKSBOX1V1 SensorTile.box開發套件,ST STEVAL-MKSBOX1V1 SensorTile.box開發套件隨時可搭配無線IoT和穿戴式感測器平台使用,無論何種專業程度的工程師,都可以運用此套件使用及開發以遠端動作和環境感測器資料為基礎的應用程式;Sensirion SLF3S-1300F液體流量感測器,Sensirion SLF3S-1300F液體流量感測器可以準確、可靠地對流速高達每分鐘40 ml的流動液體進行雙向測量;OSRAM Opto Semiconductors OSLON Pure 1010 LED,OSRAM OSLON Pure 1010 LED外型尺寸最小(1.0×1.0×0.25...
碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往
目前工業傳動通常採用一般所熟知的矽基IGBT逆變器(Inverter),但最近開發的碳化矽MOSFET元件,為這個領域另外開闢出全新的可能性,不但每單位面積的導通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統的矽基續流二極體(FWD)相比,內接二極體關閉時的反向恢復能量仍在可忽略範圍內。考量到幫浦、風扇和伺服驅動等工業傳動都必須持續運轉,利用碳化矽MOSFET便有可能提升能源效率,並大幅降低能耗。本文將以意法半導體(ST)旗下的碳化矽MOSFET產品為例,比較1200 V碳化矽MOSFET和Si IGBT的主要特色,兩者皆採ACEPACK封裝(表1),同時利用ST的PowerStudio軟體,將雙脈波測試的實驗數據和統計測量結果套用在模擬當中,模擬20kW的工業傳動,並評估每個解決方案每年所耗電力,還有冷卻系統的要求。
矽基IGBT應用限制
以逆變器為基礎的傳動應用,最常見的拓撲就是以六個電源開關連接三個半橋接電橋臂。每一個半橋接電橋臂,都是以歐姆電感性負載(馬達)上的硬開關換流運作,藉此控制它的速度、位置或電磁轉距。因為電感性負載的關係,每次換流都需要六個反平行二極體執行續流相位。
當下旁(Lower Side)飛輪二極體呈現反向恢復,電流的方向就會和上旁(Upper Side)開關相同,反之亦然;因此,開啟狀態的換流就會電壓過衝(Overshoot),造成額外的功率耗損。這代表在切換時,二極體的反相恢復對功率損失有很大的影響,因此也會影響整體的能源效率。跟矽基FWD搭配矽基IGBT的作法相比,碳化矽MOSFET因為反向恢復電流和恢復時間的數值都低很多,因此能大幅減少恢復耗損以及對能耗的影響。
圖1和圖2分別為50A-600VDC狀況下,碳化矽MOSFET和矽基IGBT在開啟狀態下的換流情形。請看深色區塊,碳化矽MOSFET的反向恢復電流和反向恢復時間都減少很多。開啟和關閉期間的換流速度加快可減少開關時的電源耗損,但開關換流的速度還是有一些限制,因為可能造成電磁干擾、電壓尖峰和振盪問題惡化。
圖1 開啟狀態的碳化矽MOSFET
圖2 開啟狀態的矽基IGBT
除此之外,影響工業傳動的重要參數之一,就是逆變器輸出的快速換流暫態造成損害的風險。換流時電壓變動的比率(dv/dt)較高,馬達線路較長時確實會增加電壓尖峰,讓共模和微分模式的寄生電流更加嚴重,長久以往可能導致繞組絕緣和馬達軸承故障。因此為了保障可靠度,一般工業傳動的電壓變動率通常在5~10V/ns。雖然這個條件看似會限制碳化矽MOSFET的實地應用,因為快速換流就是它的主要特色之一,但專為馬達控制所量身訂做的1200V矽基IGBT,其實可以在這些限制之下展現交換速度。在任何一個案例當中,無論圖1、圖2、圖3、圖4都顯示,跟矽基IGBT相比,碳化矽MOSFET元件開啟或關閉時都保證能減少能源耗損,即使是在5V/ns的強制條件下。
圖3 關閉狀態的矽基MOSFET
圖4 關閉狀態的矽基IGBT
圖5 比較動態特質
靜態與動態效能比較
以下將比較兩種技術的靜態和動態特質,設定條件為一般運作,接面溫度TJ= 110℃。圖5為兩種元件的輸出靜態電流電壓特性曲線(V-I curves)。兩相比較可看出無論何種狀況下碳化矽MOSFET的優勢都大幅領先,因為它的電壓呈現線性向前下降。反觀IGBT的電壓呈現非線性下滑(VCE(sat)),這是集極電流的作用之一。即使碳化矽MOSFET必須要有VGS=18V才能達到很高的RDS(ON),但可保證靜態效能遠優於矽基IGBT,能大幅減少導電耗損。
兩種元件都已經利用雙脈波測試,從動態的角度加以分析。兩者的比較是以應用為基礎,例如600V匯流排直流電壓,開啟和關閉的dv/dt均設定為5V/ns。圖6為實驗期間所測得數據之摘要。跟矽基IGBT相比,在本實驗分析的電流範圍以內,碳化矽MOSFET的開啟和關閉能耗都明顯較低(約減少50%),甚至在5V/ns的狀況下亦然。
圖6 動態特色的比較
電熱模擬顯現工業傳動應用效能
為比較兩種元件在一般工業傳動應用的表現,本文利用意法半導體的PowerStudio軟體進行電熱模擬。模擬設定了這類應用常見的輸入條件,並使用所有與溫度相關的參數來估算整體能源耗損。
用來比較的工業傳動,標稱功率為20kW,換流速度為5V/ns。設定4kHz和8kHz兩種不同切換頻率,以凸顯使用解決方案來增加fsw之功能有哪些好處。
因為考量到隨著時間推移,所有馬達通常要在不同的作業點運轉,所以本文利用一些基本假設來計算傳動的功率損耗。依照定義IE等級成套傳動模組(CDM)的EN 50598-2標準,還有新型IES等級的電氣傳動系統(PDS),將兩個作業點套用在模擬之中:一是50%扭矩所產生的電流,第二個則為100%,對應用來說這代表著輸出電流分別為24和40Arms。
若以最大負載點而論(100%扭力電流),兩種元件的散熱片熱電阻都選擇維持約110℃的接面溫度。圖7在50%扭力電流和切換頻率4~8kHz的狀況下,比較碳化矽MOSFET和矽基IGBT解決方案的功率耗損。
圖7 50%扭力電流下每個開關的功率耗損
圖8則是在100%扭力電流下以同樣方式進行比較。功率耗損分為開關(傳導和切換)和反平行二極體,以找出主要差別。和矽基IGBT相比,碳化矽MOSFET解決方案很明顯可大幅降低整體功率損耗。有這樣的結果是因為無論靜態和動態狀況下,不分開關或二極體,功率耗損都會減少。最後,無論是4或8kHz的切換頻率,兩種負載狀況的功率耗損減少都落在50%範圍以內。
圖8 100%扭力電流下每個開關的功率耗損
從這些結果可以看出,這樣做就能達成更高的能源效率,減少散熱片的散熱需求,對重量、體積和成本來說也都有好處。表2總結了整個逆變器相關功率耗損的模擬結果(作業點100%),以及為了讓兩種元件接面溫度維持在110℃所必需的相關散熱片熱電阻條件。在模擬所設定的條件下,當8kHz時Rth會從矽基IGBT的0.22C/W降到碳化矽MOSFET的0.09C/W。大幅減少代表散熱片可減容5:1(就強制對流型態的產品而言),對系統體積、重量和成本有明顯好處。在4kHz的狀況下,Rth會從0.35降到0.17C/W,相當於4:1容減。
能源效率影響工業成本
當工業應用對能源的需求較高且必須密集使用,能源效率就成了關鍵因素之一。為了將模擬的能源耗損數據結果轉換成能源成本比較概況,必須就年度的負載設定檔和能源成本這些會隨著時間或地點而有所不同的參數,設定一些基本假設。為達到簡化的目的,我們把狀況設定在只含兩種功率位階(負載因素100和50%)的基本負載設定檔。設定檔1和設定檔2的差別,只在於每個功率位準持續的時間長短。為突顯能源成本的減少,我們將狀況設定為持續運作的工業應用。任務檔案1設定為每年有60%的時間處於負載50%,其他時間(40%)負載100%。任務檔案2也是這樣。
對於每個任務檔案全年能源成本的經濟影響,乃以0.14/kWh為能源成本來計算(歐洲統計局數據,以非家庭用戶價格計算)。從表3可以看出,碳化矽MOSFET每年可省下895.7~1415kWh的能源。每年可省下的對應成本在125.4~198.1歐元之間,如電壓變動比率限制不那麼嚴格,則可省更多。
碳化矽MOSFET具成本/效率優勢
本文針對採用1200V矽基IGBT和碳化矽MOSFET之工業傳動用逆變器,進行了效能基準測試。內容還特別探討馬達繞線和軸承保護所導致在電壓變動比率方面的技術限制,接著在20kW工業傳動條件下,針對上述技術與限制進行比較。結果顯示,使用碳化矽MOSFET取代矽基IGBT可大幅增加電力能源效率,即使換流速度限制在5V/ns。比較成本後也發現,在特定的假設條件下,這種做法可減少一般工業傳動應用的能源費用支出。
(本文作者皆任職於意法半導體)