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IC Insights:「中國製造2025」半導體自給率難達標

中國自2005年以來一直是半導體最大的消費國,根據產業研究機構IC Insights的最新研究指出,中國的IC產量並沒有立即出現大幅提升。中國的IC產量占其2018年1550億美元IC市場的15.3%,高於2013年前的12.6%。此外,IC Insights預測2023年中國IC產能將提升至其市場規模的20.5%。預計中國的IC產量在2018~2023年間將呈現15%的年複合成長率(CAGR)。SK海力士、三星、英特爾和台積電是在中國擁有重要IC產品的主要外國IC製造商。 英特爾在中國大連的12吋晶圓廠(Fab 68於2010年10月下旬開始生產MCU)於2015年第三季閒置,因為該公司將晶圓廠轉為3D NAND Flash製造。截至2018年12月,英特爾中國工廠的產能為滿載每月7萬片12吋晶圓。另外,2012年初,三星獲得韓國政府的批准,在中國西安建立一個12吋IC製造廠,生產NAND Flash。三星于2012年9月開始建設該工廠,並於2014年第二季開始生產。該公司在第一階段投資了23億美元,預算總額為70億美元。該工廠是2017年三星3D NAND生產的主要工廠,截至2018年12月,該工廠每月產能10萬片晶圓,三星計劃將該工廠擴建至每月20萬片晶圓。 預計未來五年IC銷售量將大幅增加,包括中芯國際(SMIC)和華虹集團以及長江儲存(YMTC)和長鑫儲存(CXMT)。DRAM廠福建晉華(JHICC)目前處於擱置狀態,等待美國對該公司實施的製​​裁。此外,有可能有新公司希望在中國建立IC產線,如台灣的富士康,該公司於2018年12月宣布擬在中國投資90億美元建立半導體產線,提供代工服務以及生產電視晶片和影像感測器。 IC Insights預測,如果中國的IC產能在2023年擴張至470億美元,那麼它仍然只占2023年全球IC市場總額的5714億美元的8.2%。即使由YMTC和CXMT等中國新創半導體廠建立新的IC生產,IC Insights也認為外國公司將繼續成為中國IC生產基地的重要組成。因此,IC Insights預測,2023年中國至少50%的IC生產將來自在中國擁有晶圓廠的外國公司,如SK海力士、三星、英特爾、台積電、聯電、Globalfoundries和富士康等。IC Insights認為中國目前的本土IC產業發展將遠遠落後於中國政府「中國製造2025」計劃的目標,即2020年實現40%的自給率,2025年70%自給率。  
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需求持續不振,2019年DRAM投資與位元產出同步放緩

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,2018年第四季DRAM合約價格較前一季大幅修正約10%後,2019年由於PC、伺服器與智慧型手機等終端產品需求疲軟,因此DRAM主要供應商紛紛放緩新增產能的腳步,以期減緩價格跌勢。 DRAMeXchange指出,與實際位元生產量最相關的指標為各供應商的資本支出計畫,而2019年DRAM產業用於生產的資本支出總金額約為180億美元,年減約10%,為近年來最保守的投資水位。 其中,兩家韓系廠商最先宣布將放緩2019年投資計畫。市占最大的三星半導體2019年DRAM投資總金額約在80億美元,主要用在先進製程(1Ynm)的持續轉進以及新產品的開發。投片計畫是三星近年來最保守的一次,目前決議終止平澤廠(Line18)擴產計畫,將使2019年位元成長達到歷年新低,約在20%水位。 市占第二名的SK海力士2019年DRAM投資金額也降低到約55億美元,主要用以持續轉進新製程與提升良率為主。但由於中國無錫新廠才剛落成,因此該廠全年仍有約30~40K產能提升,根據DRAMeXchange計算, SK海力士2019年位元成長約21%,稍微高過三星。 而市占第三的美光半導體,近日才宣布下修2019年資本支出至約30億美元,並且將2019年的生產位元成長目標由原先的近20%下修至15%水位,以期改善庫存持續升高的狀況。 至於需求端,2019年第一季受到連假以及淡季效應的影響,將會是最為疲弱的季度,而且目前也沒有跡象顯示第二季之後需求會有所改善。在中美貿易戰持續延燒的大前提下,市場仍充滿不確定性,基於上述供需預測,DRAM價格仍將逐季修正,2019年第一季價格下修幅度約為15%,第二季預期將收斂至10%以內,而下半年除非需求明顯改善,否則價格仍將維持約5%的季度下修。  
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2018半導體資本支出破1000億美元 記憶體占53%

產業研究機構IC Insights預測,2018年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是史上首次資本支出上超過1000億美元,同時較2017年的933億美元成長了9%,比2016年成長了38%。 其中超過一半的資本支出預計用於記憶體—主要是DRAM和Flash,包括對現有晶圓廠產線和全新製造設備的升級。預計今年記憶體投資將占到半導體資本支出的53%。儲存設備的資本支出在六年內大幅增加,幾乎翻了一倍,從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的產業資本支出總額的53%(540億美元),相當於2013~2018複合年成長率為30%。 在主要產品類別中,預計DRAM/SRAM的支出增幅最大,但預計Flash占今年資本支出的最大比重。預計2018年DRAM/SRAM部門的資本支出將在2017年強勁成長82%後再度出現41%的成長。預計2017年快閃記憶體的資本支出將在2017年成長91%後,2018年再成長13%。 經過兩年的資本支出大幅增加,一個迫在眉睫的主要問題是,高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。記憶市場的歷史先例表明,過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數據/SanDisk和XMC/長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND Flash容量(以及新的中國記憶體新創公司進入市場),IC Insights認為,未來3D NAND Flash市場供需過剩的風險正不斷提升當中。  
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