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SK海力士

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SK海力士90億美元收購英特爾NAND業務

日前SK海力士(SK hynix)與英特爾(Intel)共同宣布協議,指出SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND記憶體與儲存業務。此次轉移的項目包含NAND SSD、NAND元件、晶圓,以及位於中國大連的NAND記憶體製造廠,而英特爾將會持續發展其Optane事業。 SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND記憶體與儲存業務 (圖片來源:英特爾) 現階段SK海力士與英特爾還在等待政府的批准,並預計於2021下半年獲准。待政府通過後,SK海力士便會收購英特爾的NAND SSD事業,包括與NAND SSD相關的IP及研發人員,同時取得大連的工廠。收購的首付款為70億美元,此交易預計在2025年3月完成,並交付剩餘的收購款20億美元。根據協議,英特爾將繼續在大連的NAND晶圓廠製造及設計,直到最終結束營運。 2020年的前六個月,NAND業務佔英特爾NVM解決方案事業部(NSG) 28億美元的收入,並為NSG帶進6億美元的營收。透過此次收購,SK海力士旨在增強其儲存解決方案,包含企業級SSD,增強在NAND Flash產業內的競爭力。 SK海力士曾於2018年開發出基於Charge Trap Flash(CTF)架構的96層4D NAND Flash,2019年則研發出128層的4D NAND Flash。未來SK海力士將結合英特爾的技術與製造能力,創造更良好的3D NAND解決方案。
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獨立顯卡/遊戲機雙引擎帶動 GDDR6將成繪圖記憶體新主流

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,由於兩大顯卡廠NVIDIA與超微(AMD)都預計將於2020年第三季發布全新GPU,加上微軟(Microsoft)與Sony也將在第四季發布新款遊戲機,並全部搭載高容量GDDR6記憶體,這不僅將成為支撐繪圖用記憶體(Graphics DRAM)價格的支柱,亦將使得GDDR6取代GDDR5,成為新一代的繪圖記憶體主流規格。 身為顯卡領導廠商的NVIDIA,在競爭對手AMD率先於2019年導入7nm製程的壓力下,NVIDIA計劃在2020年第三季發表首度搭載7nm的新款Ampere GPU,全數搭載GDDR6,規格較上一代明顯進步。AMD同樣將於第三季發表7nm+的BIG NAVI效能升級版GPU,並將GDDR6列為標配,容量有機會進一步提升。 TrendForce指出,兩廠的新產品首波都將以獨立繪圖卡(discrete graphics card)市場為主,正式搭載於筆電的時間點應落在2021年上半年,不過在效能與功耗顯著提升的誘因下,預計市場將掀起「換卡風潮」,進一步刺激GDDR6的需求。 除了新獨立繪圖卡之外,微軟和Sony將分別在第四季發表XBOX Series X以及PS5全新遊戲機。從硬體規格來看,除了CPU時脈明顯提升外,GPU都將搭配最高規的GDDR6 16GB,不僅容量較原有機型翻倍,更遠超過目前主流顯卡6~8GB的規格,將帶動GDDR消耗量顯著增加。  
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半導體廠商Q1營收稍見樂觀 Q2預估現疫情衝擊

半導體廠商SK海力士(SK Hynix)/賽靈思(Xilinx)/德州儀器(TI)陸續公布Q1營收以及Q2的營收預測。其中,除了賽靈思Q1營收低於預期,SK海力士及德州儀器Q1的收入雖低於去年同期,但仍高於原先的Q1營收預估,受新冠疫情影響較小。然而德州儀器下修第二季的營收預測數字,可推測新冠疫情已在今年Q2明顯衝擊半導體產業。 SK海力士做為蘋果及華為的晶片供應商,Q1利潤下降41%,但是與原先因疫情而來的保守估計相比,大幅超出預期。1~3月的營利為8000億韓元(6.49美元),高於Refinitiv SmartEstimate推估的4470億韓元,但遠低於去年同期的1.4兆韓元。 賽靈思Q1的收入則約在6.6億至7.2億美元之間,低於分析師預期的7.388美元及去年同期收入則為8.496億美元。受限疫情所帶來的不確定性,賽靈思並未提供年度營收預估。而德州儀器Q1盈餘為每股1.24美元,多於市場預期的1美元,營收下降7%來到3.33億美元,仍高於預估的3.17億美元。而德州儀器預計Q2營收將低於華爾街的預期,為每股1.04美元、盈利64美分,營收落在26.1億至31.9億美元之間。 圖 德州儀器預計Q2營收將低於華爾街的預期。來源:TI  
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WD/Kioxia發表BiCS5 3D NAND全面進入百層世代

自三星電子(Samsung Electronics)在2019年第二季發表其第六代V-NAND,將堆疊層數首度拉高到132層後,SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)與英特爾(Intel),均已陸續發表堆疊層數超過100層的3D NAND Flash。近日威騰(WD)與鎧俠(Kioxia)亦發表其BiCS5 NAND Flash,將堆疊層數提升到112層,正式宣告3D NAND Flash的堆疊競賽進入百層世代。 威騰與鎧俠近日宣布,兩家公司已成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5。BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,堆疊層數則提高到112層,能以更低成本提供更大儲存容量,效能與穩定性亦比現有的BiCS4更優異,可滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。 威騰與鎧俠目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC,並預計在2020年下半年就能開始商業化量產,供應採用新技術的消費性產品。未來,BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。 因應BiCS5 NAND Flash顆粒進入量產,下半年威騰與鎧俠的SSD產品線應會有明顯更新。 威騰記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示,隨著下一個十年的到來,如何增加3D NAND容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。該公司利用更先進的多層儲存通孔(Multi-tier Memory Hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。 採用多種新技術與創新製程的BiCS5,是威騰與鎧俠目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、經過最佳化的工程設計流程,及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。BiCS5採用112層垂直堆疊,使每片晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。 BiCS5是由威騰與鎧俠共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。
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DRAM市場供需持平 力抗貿易戰與新冠病毒

2019年第四季到2020年第一季期間歷經中美貿易戰與新型冠狀病毒疫情,產業內出現起伏不一的動盪,其中記憶體市場因半導體業自動化程度高,以及中國準備的原物料尚充足,並未受到人力或物力短缺衝擊,因此DRAM的整體營收仍呈現小幅度上漲的趨勢。 回顧2019年第四季三大DRAM原廠的營收表現,除三星的營收微幅下跌5%,SK海力士及美光營收皆高於第三季。三星官方指出,本季受到DRAM價格走跌影響,獲利少於去年同期,但是數據與相關應用的需求增加、成本下降,整體營收仍高於同年第三季,達67.6億美元營收。TrendForce進一步分析各廠的營收狀況,排名第二的SK海力士儘管報價下跌,銷售額依然達到8%的成長,來到45.4億美元。美光的營收則為43.7億美元,銷售位元出貨成長近10%。 推估2020年第一季,因採購端的備貨意願,DRAM合約價格提升,但是由於價格漲幅有限,且適逢隨春節假期而來的淡季造成出貨下降,原廠的獲利無大幅度提升。根據TrendForce針對三大廠的技術觀察,三星Line 13的DRAM投片下滑,另一方面,平澤二廠將啟動量產,並導入1Z nm量產,整體而言無太大變動。而SK海力士持續將M10的DRAM投片轉移到生產感測器,並增加M14的產量,而位於中國無錫的工廠,受中美貿易戰及新冠狀病毒疫情影響,投片策略傾向保守。目光回到台灣,台灣美光記憶體已全面生產1X nm,下一步則以1Z nm進行生產,晶圓科技部分則已經過半導入1X nm。 綜觀2019年第四季結果與2020年第一季的走勢,仰賴於高度自動化與春節之前的充足備料,DRAM的市場處於穩定狀態,不必擔憂營收表現受到外部經濟因素的重大打擊。  
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調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%

市場調研機構IC Insights日前發布2020至2024年全球晶圓產能預估報告,根據當前排名,三星以15%獨占鰲頭,台積電則以12.8%緊追其後。至於前五名依序為三星、台積電、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)以及鎧俠(Kioxia,原為東芝)。 全球前五大晶圓製造商的總產能超過全球總量的半數。 該機構釋出的報告揭示截至2019年12月全球25大晶圓廠的排名,其中前五大晶圓廠總產能占全球晶圓產能53%,且每月皆生產超過100萬片晶圓,相較之下2009年前五大晶圓廠僅占全球總產能36%。至於其他大廠如英特爾、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)等則紛紛跌至前五名外。 根據統計,三星於全球擁有最大晶圓產能,每月生產超過290萬片晶圓,占全球總產能15%,其中約三分之二用於製造DRAM及NAND快閃記憶體。該公司目前著手於韓國兩處以及中國等三地建造新工廠;居於其後的全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC),以月生產250萬片晶圓的產能占全球12.8%,並計畫持續於台中及台南各新建一座晶圓廠。 歸功於在新加坡新設12吋晶圓廠,使2019年產能提升,美光以9.4%的產能占據全球第三名,每月生產約180萬餘片晶圓。該公司還收購了位於猶他州的IM Flash合資工廠中的英特爾股份,並計畫2020年於美國維吉尼亞州建第二家晶圓廠;排名第四的SK海力士將其超過80%的產能投入DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造,月生產180萬片晶圓,占全球總產能8.9%。該公司於2019年分別於韓國及中國新建晶圓廠,之後將持續於韓國利川開設新晶圓廠 Flash記憶體供應商鎧俠則以140萬片晶圓的產能擠進第五名,占全球總量7.2%。同時該報告亦指出,晶圓製造前五大純晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯電、中芯國際(SMIC)和力積電均躋身全球產能前12名,以月產480萬片的總量占全球總產能的24%。
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半導體業大者恆大 2019資本支出集中率再攀高

產業研究機構IC Insights發表主要半導體公司2019年和2020年的資本支出預測,2019年排名前五位的公司(三星、英特爾、台積電、SK海力士和美光)在半導體產業資本支出中所占的比重將達到68%的歷史新高,超過2013年和2018年創下的67%高點。回顧1994年,前五名支出僅占產業總支出的25%,因此大公司增加其資本支出比重的趨勢一直沒有減弱,再次證明半導體產業大者恆大的走向。 2019年排名前五位的半導體廠商資本支出所占的比重將達到68%的歷史新高。 三星和台積電2019年第四季與整年度資本支出顯示,兩家公司在年初時的支出都相對較低,然後在第二季支出增加到了較為適度的水平。此外,兩家公司在第三技法說會中都宣布,計劃將第四季的資本支出增加到創紀錄的水準。 台積電計劃將2019年第四季的資本支出較第三季增加64%至51.47億美元。這將是該公司季度支出的歷史新高,比2014年第一季度的37.99億美元的歷史記錄高出36%。台積電TSMC 7奈米(nm)製程的需求非常強勁,預計該製程將占2019年第四季營收的33%。目前,其大部分投資將針對7奈米和5奈米技術的的新增產能。 另一家半導體大廠三星則宣布了計劃在2019年四季創下其半導體支出的單季新高記錄,該季大部分資本支出專用於建立記憶體設備,以滿足中長期需求。三星2019年第四季資本支出預計達79億美元,與第三季相比,成長81%。比該公司在2017年第四季的單季最高支出68.77億美元高出15%。 對於2019年全年,三星的半導體資本支出預計為199億美元,較2018年的支出下降8%。然而,該公司2017、2018和2019年的半導體集團資本支出總額預計為658億美元,較同期第二大支出的英特爾多53%。此外,三星在2017~2019年的658億美元半導體資本支出將是同期所有中國本土半導體廠商總支出308億美元的兩倍多。無論是台積電或三星半導體,想要在產業中保持領先從來就不是件簡單的事,包括更多資本與研發都是必要的投資。
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2019年記憶體產業資本支出總金額約416億美元

隨著記憶體廠擴展和升級的大浪潮即將結束,代工廠將在2019年占據大部分半導體資本支出比重。過去兩年,記憶體的資本支出是推動整個半導體產業資本支出大幅成長的因素。這些升級和擴廠計劃中的大多數已完成或已進入其最終建設階段。因此,預計記憶體資本支出將占今年半導體行業資本支出總額的43%,低於2018年的49%。繼2018年創下1,059億美元的紀錄之後,預計2019年半導體資本總支出將下滑8%至978億美元。 七年來,記憶體設備資本支出的比重大幅增加,從2013年的27%(147億美元)成長到2018年創紀錄的49%(520億美元)紀錄,2019年資本支出約416億美元,2013~2019年的年複合成長率為18.9%。2017年和2018年支出最大的IC產品是Flash記憶體/非揮發性記憶體類別,三星、SK海力士和美光三家大廠DRAM和NAND記憶體都積極投資,而英特爾、東芝Memory、Western Digital、SanDisk和XMC、Yangtze River Storage Technology在過去18個月中均大幅提高了3D NAND快閃記憶體容量, DRAM和NAND記憶體市場已進入產能過剩和價格疲軟的時期。 DRAM和NAND快閃記憶體的每位元價格急劇下跌,以及對2019年的資本支出大幅削減可以證明。 在2019年,預計DRAM和Flash的資本支出將分別衰退19%和21%。預計2019年記憶體資本支出為416億美元,比2018年減少104億美元。今年DRAM和快閃記憶體市場的支出大幅削減,是記憶體廠商試圖防止在2019年下半年和2020年價格持續下跌的原因。  
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2019上半年半導體營收 台灣表現相對亮眼

產業研究機構IC Insights發表2019年上半年前15大半導體廠營收表現與整體產業成長趨勢,英特爾取代三星成為2019年第一季半導體供應商。三星在2017年和2018年藉著記憶體的大幅成長取得龍頭寶座,但隨著DRAM和NAND的需求緊縮,2019年三星將讓出第一名的位置。與上半年相比,排名前15位的半導體公司銷售額在上半年衰退18%,三大記憶體供應商,三星、SK海力士和美光,在每家公司年度衰退都超過33%的情況下,再次印證記憶體產業的景氣循環特性。 IC Insights表示,上半年全球前15大半導體廠除了日商索尼(Sony)之外,都較去年同期下滑,上半年半導體業營收排名,以英特爾的320億美元居冠,三星以267億美元居次,台積電148億美元排名第三,海力士116億美元為第四,美光102億美元居第五。 上半年排名前15的廠商包括一家純晶圓代工廠台積電(TSMC)和四家無晶圓廠公司。如果台積電被排除在排名之外,中國的IC設計公司海思(HiSilicon)(35億美元)將排在第15位。與上半年相比,海思的上半年銷售額成長了25%。然而,由於海思集團超過90%的IC銷售是對華為的內部轉移,華為在美國政府的“黑名單”可能會在今年下半年壓抑海思半導體的銷售成長率。 台廠當中,以台積電排名第三最佳。台積電上半年合併營收新台幣4,597.03億元,比去年同期下滑4.5%,主要受到晶圓14廠光阻劑汙染及客戶庫存調整影響,若排除相關干擾,台積電表現可望更好。近日台積電提出本季營收展望,以美元計價達91億至92億美元,季增18%,看好第4季仍持續成長,全年合併營收有機會仍維持上升走勢,續創歷史新高。 聯發科第2季單季合併營收新台幣615.67億元,季增16.7%,順利達標,且毛利率達41.9%,獲利較首季大增約九成,每股純益(EPS)4.11元;上半年合併營收1,142.89億元,首度躋身前15大半導體廠商。  
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英特爾2019年將奪回半導體排名龍頭寶座

產業研究機構IC Insights日前更新其2019~2023半導體市場預測,預計到2019年,記憶體市場將大幅下降24%,將使整個半導體市場下滑7%。2018年三星的半導體銷售額中有83%來自記憶體,預計記憶體市場的低迷將拖累該公司今年的半導體總銷售額下降20%。雖然預計英特爾的半導體銷售額在2019年將相對持平,但該公司有望重新獲得排名第一的半導體供應商排名,找回1993年至2016年該公司長期占據的位置。 由於DRAM和NAND Flash市場預計2019年將出現大幅下滑,因此IC Insights預計2019年其他排名前十的記憶體供應商(SK海力士、美光和東芝/東芝記憶體)的銷售額將下降20%以上。與三星類似,SK海力士、美光和東芝預計2019年的銷售額將大幅下滑,可能會使這些公司的營收降回復至2017年的水準,甚至更低。再次證明記憶體產業景氣循環的”常態”。 另外,IC Insights針對2019年主要半導體廠的最新資本支出預算進行研究指出,由於記憶體供應商預計將在2019年遇到非常困難的一年,這些生產商的大量資本支出縮減可能會使全球半導體產業的資本支出今年至少下滑14%。  
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