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首款符合R15數據晶片亮相 三星加速5G終端問世

三星(Samsung)日前宣布推出5G NR基頻數據晶片Exynos Modem 5100,該晶片採用10nm製程生產,可支援sub-6GHz以及毫米波(mmWave)頻段,並向下相容歷代行動通訊標準。 事實上,三星並不是首個推出5G基頻晶片的廠商,早前高通、Intel都已發表5G基頻晶片。不過三星宣稱,Exynos Modem 5100為業界首款完全符合3GPP最新R15規範的基頻晶片,不僅可支援5G sub-6GHz與毫米波頻段,更可下向相容2G GSM/CDMA、3G WCDMA、TD-SCDMA、HSPA以及4G LTE網路,換句話說,終端裝置只須採用單晶片即可兼容歷代的行動通訊標準。 三星進一步解釋,5G發展初期仍以非獨立式(NSA)架構為主,倚賴現有的4G基地台與核心網路進行部署,而兼容各通訊標準的單晶片解決方案,將更有利於此階段的商業應用發展。 該款基頻晶片在sub-6GHz頻段最高下行傳輸速率可達2Gbps,在毫米波頻段則可達6Gbps的下行傳輸速率。相較於先前的版本,Exynos Modem 5100在以上兩個頻段的傳輸速率分別是前代的1.7倍及5倍。此外,該款基頻機晶片在4G網路中亦能維持良好的傳輸速率及穩定性,下行傳輸速率達1.6Gbps。 據悉,三星已利用搭載Exynos Modem 5100的終端原型裝置以及5G基地台,通過5G NR數據通話無線傳輸(OTA)測試。三星表示,該項測試模擬真實的蜂巢式網路環境,而這將加速採用該晶片的終端裝置開發以及商用化發展進程。 Exynos Modem 5100預計將在2018年底開始供貨給客戶,此外,該公司也將推出射頻積體電路(RFIC)、封包追蹤(Envelope Tracking, ET)以及電源管理IC(PMIC)解決方案。三星系統半導體事業(System LSI)部門總裁Inyup Kang表示,隨著5G通訊的演進,未來三星將持續推動行動通訊創新應用與服務的發展。
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線掃描/雙鏡頭3D視覺各有所長 康耐視方案齊發

機器視覺若要擴大在工業中的應用,3D機器視覺是重要發展方向之一。不同於2D機器視覺,3D機器視覺加上了深度的量測,應用範疇便能增加許多。要做到3D機器視覺有許多不同的技術方式,製程自動化機器視覺系統開發商康耐視(Cognex)便於近日發表了最新的雷射掃描與雙鏡頭3D機器視覺解決方案,以因應最新的產線需求。 康耐視資深應用工程師陳元得表示,以雷射線掃描技術實現的3D機器視覺而言,最常遇到的局限是必須在掃描精度與速度之間取捨,無法兩者兼具。因此,該公司於今年推出了新品DSMax雷射位移感測器,以雷射線掃描做到3D機器視覺感測,並期盼能同時兼顧業界所需的量測精準度與作業速度。 陳元得進一步說明,DSMax在正式推出之間便已與三星(Samsung)合作許久,針對消費性電子產品的組裝需求研發。該方案能做到20KHz掃描速度與2K解析度圖像的感測器,同時其採用單幀高動態曝光技術(HDR),因此非常適合用於量測與檢測物件。例如,在智慧型手機生產線上組裝時,能用來檢測元件周圍的預留空間是否足夠,以保護電器使用時的安全。 另一方面,康耐視同時也推出了雙鏡頭解決方案--ES-A5000系列面陣掃描3D攝影機。陳元得表示,能快速取得影像並判斷方位是雙鏡頭3D機器視覺的最大優勢,因此該技術多是落實在機器手臂的引導應用之中。該產品亦推出了各種不同的解析度規格,以符合各類業者需求。  
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U-way推出WPC Qi 15W快充發射模組新品

隨著蘋果(Apple)與三星(Samsung)新產品發布會日趨接近,越來越多的消息報導蘋果與三星新機繼續搭載Qi無線充電快充功能。Qi無線充電快充技術儼然已經成為全球各大品牌手機廠商新款手機必備的功能選項。  為緊跟時代步伐,近日佑驊(U-way)推出符合WPC Qi最新標準V1.2.4 Qi 15W快充模(UNIQT-0035),該模組同時支持iPhone快充與Samsung快充,並通過WPC Qi 15W EPP認證,支援市面上100款無線充電手機。 該模組通過Qi 15W EPP認證,並自帶定位孔,能直接植入各種新產品中。亦能自動識別並調節電壓與電流,支援Qi 5W普充、Qi 10W快充、iPhone快充、Samsung快充以及Qi 15W快充共5種Qi無線充電模式。並自帶散熱鋁板,能有效降低產品溫度以及提高充電速度。 採用U-way無線充電模組能加快產品開發時效,不需專業研發團隊,直接崁入模組,能加速新產品上市時間。亦無須加入WPC聯盟,每年節省15,000美元年費。更毋須投資各類研發與測試設備。 看好無線充電市場的發展,佑驊將繼續大力發展Qi認證的無線充電發射與接收模組,並鼓勵各行各業與無線充電行業結合,創造出跨界產品。在未來,無論是傢俱業、家電業、音箱業、汽車業、工具機業與醫療器材業等,甚至是其它特殊產業,都能通過佑驊的模組輕鬆導入Qi無線充電技術。  
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布局QLC 3D NAND市場 三星/WD相繼出招

瞄準3D NAND市場商機,NAND Flash廠相繼於於2018下半年推出QLC架構的3D NAND Flash。除了英特爾(Intel)與美光科技(Micron)於日前宣布,雙方聯手開發的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體開始投產與出貨外;近期三星(Samsung)與Western Digital也相繼發表QLC 3D NAND Flash布局計畫。三星將開始量產款首款搭載QLC快閃記憶體的消費性SSD,而Western Digital則宣布已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構,目前已開始送樣,預計今年量產出貨,並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。 三星電子記憶體銷售和市場營銷執行副總裁Jaesoo Han表示,隨著該公司將產品陣容擴展到消費性電子市場和企業市場後,4-bits SSD產品將會迅速普及,擴展到任何市場。 三星指出,4-Bit QLC快閃記憶體能夠讓SSD達到540MB/s的持續讀取速度,以及520MB/s的持續寫入速度;且QLC架構的快閃記憶體可以讓這些SSD產品從 1TB起步,最高達到4TB的容量。目前已開始量產的消費級SSD,一共有1TB、2TB和4TB三種規格。 另一方面,Western Digital則宣布已成功開發第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash。透過專為96層BiCS4產品導入的QLC技術,已成功使單顆粒3D NAND的儲存容量高達1.33 Tb(Terabits)。 Western Digital矽晶片技術與製造部門執行副總裁Siva Sivaram指出,透過Western...
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