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研華無線解決方案滿足工業4.0應用

嵌入式運算及物聯網(IoT)解決方案廠商研華,宣布推出兩種新的M2.COM IoT WLAN感測器節點-採用整合式ARM Cortex-M4處理器的BLE/WiFi Combo WISE-1530和SmartMesh WISE-1540。 這兩種感測器節點能夠提供用於感測和I/O控制的多重介面,如UART、I2C、SPI、GPIO、PWM和ADC。具備WLAN和時間同步的SmartMesh功能,WISE-1530和WISE-1540感測器節點適合用於工業4.0和智慧建築應用,如倉儲管理、機器診斷、工廠自動化和環境監控。 WISE-1530是一款整合了ARM Cortex-M4處理器和WiFi/BLE連線能力的無線模組,可為感測器和I/O控制提供多重介面。此外,WISE-1530 的設計對資料速率的要求較低,因此可在短距離通訊中實現數年的電池續航力。透過內建的作業系統和附加軟體堆疊,WISE-1530可更輕鬆使用感測器演算法建置應用軟體。可快速輕鬆獲取資料並將其轉換為不同的格式,以便與研華的WISE-PaaS 或其他雲端服務進行通訊。 WISE-1540 Mesh節點可在不到一毫秒內同步。網路中的時間會組織成時槽,能夠實現無碰撞封包交換和每段傳輸時間的分時跳頻(TSCH)連結層。 SmartMesh網路中的所有WISE-1540節點都可路由、提供或終止資料,同時提供多年的電池供電運作。SmartMesh可在最具挑戰性的RF環境下提供高度可靠的網路。每個裝置都有一或多個父節點,可提供備援路徑以克服因干擾、實體阻礙或多重路徑衰減引起的通訊中斷。
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布局自駕車市場 IDT/Steradian攜手打造4D毫米波雷達

汽車雷達需求持續攀升,Integrated Device Technology(IDT)近期宣布與Steradian Semiconductor建立戰略合作夥伴關係,共同為自動駕駛汽車市場,以及新興的工業、安全與醫療應用提供超高解析度的4D毫米波影像雷達(4D mmWave imaging RADAR),4D毫米波雷達可以測量物體的距離、高度、深度和速度。 Steradian Semiconductor為一家總部位於印度的半導體公司,由擁有數十年設計蜂窩/射頻和微波收發器IC經驗的行業專家創建,該公司的獨特IP將使IDT能提供高度差異化的「SenseVerse」系列RADAR收發器IC。 IDT全球營運副總裁暨技術長Sailesh Chittipeddi表示,該公司基於毫米波技術的新款影像雷達架構,將成為自動駕駛在各種氣候、環境下仍能可靠自主運行的關鍵;SenseVerse RADAR系列將為視覺與感測增添新的效能,讓自動駕駛、工業4.0等需要高分辨率解決方案的終端市場產生全新變革。 據悉,與Steradian Semiconductor合作研發的SenseVerse SVR4410 IC,為多通道高解析度MIMO雷達設備,其工作頻段為76~81GHz,具有更高的抗干擾性能與更高的通道數量。另外,憑藉整合波束成形和支援多設備聚合(Multi-device Aggregation),該產品擁有更小的外型、更佳的角度解析度/範圍,以及更低的功耗。 同時,兩家公司也正合作開發一系列高整合度產品以滿足市場需求,像是提供整合天線、SVR收發器(SVR Transceiver)、雷達處理IC或DSP演算法(DSP Algorithms)的雷達模組。 Steradian Semiconductor執行長Gireesh Rajendran指出,IDT的SenseVerse雷達系列提供全天候的高解析度感測,再結合該公司於RF領域的專業知識,將為自動駕駛、工業等廣泛的應用領域提供更高的價值。
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新興應用為砷化鎵GaAs重注成長動能

由於手機產業飽和而過了一段發展停滯期,砷化鎵(GaAs)晶圓市場因新興應用帶動重拾成長動能。根據市調機構Yole Développement(Yole)最新研究報告指出,2017年至2023年GaAs晶圓的年複合成長率(CAGR)為15%,其中光子學應用CAGR更高達37%。 GaAs四大應用包括:RF、光子學、LED和PV。GaAs為最成熟的化合物半導體之一,GaAs無處不在,成為每個手機中功率放大器的基石。在2018年,GaAs RF業務預估將占GaAs晶圓市場的50%以上。然而,由於手機市場逐漸飽和且晶片尺寸縮小、整合度不斷提升,過去幾年市場成長趨緩。 自2017年以來,GaAs晶圓在光子學應用中尤為突出。當Apple推出採用GaAs雷射發射器的3D感應功能的新款iPhone X時,為GaAs光子市場的成長點燃引擎。到2023年,光子應用的GaAs晶圓市場規模預計將達到1.5億美元。 另外,基於GaAs的ROY和紅外線LED應用也很有潛力,Yole估計,2017~2023年,整個GaAs LED市場的年複合成長率達到21%,到2023年超過GaAs晶圓產量的一半以上。  
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英飛凌射頻開關樹立新里程碑

英飛凌於2008年開始量產第一個Bulk-CMOS射頻(RF)開關。接著在5G時代,英飛凌的產品組合與產品獲得全球無線市場的歡迎。如今,英飛凌射頻Bulk-CMOS開關的年產量已超過10億,累積對客戶的出貨量已逾50億組。 英飛凌射頻系統部門副總裁暨總經理Philipp von Schierstaedt表示,英飛凌憑藉其在半導體製造方面的專業知識與傳承,已成為所有OEM、ODM與晶片組經銷商的優良合作夥伴。絕佳的市場接受度證明了我們對射頻前端系統的洞察、技術實力、卓越的品質以及供應保證,這些正是英飛凌的生產策略。 Bulk-CMOS提供多項產品整合優勢。自1960年代「固態」面市以來,射頻開關的設計技術走向兩大類:微機電開關(MEMS)和固態開關。MEMS的低切換速度、薄弱的重複性及可靠性,使其無法成為5G應用的理想選擇。 同時,科學上的努力讓固態的發展有了多種技術選擇。相較於砷化鎵與氮化鎵,以Bulk-CMOS為基礎的電晶體–電晶體邏輯展現出優秀的整合能力,最終使空間受限的設計得以在印刷電路板上實現。不同於其他替代方案,Bulk-CMOS不需要額外的氧化層,也無需在晶圓處理中使用不同的材料,這意味著直接的經濟效益。 整體產業的步伐不斷加快,5G電信的出現也為OEM與ODM業者手中一系列的技術參數帶來令人雄心勃勃的挑戰。英飛凌也將開發更多能支持射頻工作者抱負的產品。  
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