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愛德萬測試機首次用於中國AIoT量產產品

愛德萬測試為在中國設計和製造的智慧物聯網(AIoT)元件首次量產測試所需,安裝多套V93000 Wave Scale RF 系統。測試機台將用來量測由無晶圓廠恒玄科技(Bestechnic)設計、江蘇長電科技(JCET)江陰廠製造的高度整合藍芽音效系統單晶片(SoC)。而JCET也預計在今年下半年安裝更多V93000 Wave Scale RF測試機,持續為高產量且成本敏感的AIoT產業提供解決方案,並準備迎接新興5G市場的技術挑戰。 深受肯定的V93000 Wave Scale RF平台以低測試成本為AIoT及5G元件,提供全方位及高解析度的測試解決方案。並藉由搭配小型A類測試頭、Wave Scale MX卡和最新一代 SmarTest 8軟體,可針對無線通訊所需的射頻(RF)及混合訊號積體電路(IC)產品,提供具高度多元件同測及元件內部平行測試的能力。此系統的高產能特性,除了能急速壓縮新IC設計測試成本和上市時間,同時為評估未來支援無線連接的5G 產品創造了一條路徑。 Bestechnic測試經理黃新華指出,Wave Scale RF平台是最適合Bestechnic AIoT產品量產的測試解決方案,可同時滿足低成本和高性能的需求,此外,最新的SmarTest 8 軟體也節省很多產品上市時間。 JCET的IC事業中心總經理李全兵則提到,除了在所有恒玄科技的產品上導入V93000 Smart Scale RF...
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加強RF/功率半導體布局力道 Cree出售照明業務

為了更專注於加強RF業務及碳化矽(Silicon Carbide)和氮化鎵(GaN)技術,Cree將其照明業務出售給IDEAL INDUSTRIES。並藉此行為將更多資源投注於擴展其半導體業務,強化該公司在SiC和GaN市場的競爭優勢,滿足電動汽車、5G等應用需求。 Cree為了成為更具針對性的半導體公司,為Wolfspeed(Cree的核心和RF業務)提供更多資本,並提供額外資源以擴展其半導體業務。近日宣布執行最終協議,以大約3.1億美元的金額出售其照明產品業務部門Cree Lighting給IDEAL INDUSTRIES。其中包括商業用LED、燈具和企業照明解決方案業務和工業與消費性應用產品。 Cree執行長Gregg Lowe表示,Cree在過去的18個月中有重大的進展,加強了業務的重點,不僅致力於強化碳化矽和氮化鎵技術,使Wolfspeed成長了一倍以上;並收購了英飛凌(Infineon)的RF業務,使碳化矽材料製造能力也增加了一倍之多,另外簽署了多項長期供應協議,總計超過5億美元。 Lowe進一步說明,透過此次交易,Cree可以獲得大量資源,有助於加速Wolfspeed的增長,從而鞏固其市場地位。最重要的是可以增加對核心業務的重點經營,並加快碳化矽的採用。 IDEAL INDUSTRIES董事長兼執行長Jim James則提到,透過此次交易,該公司的技術與專業知識將與Cree Lighting市場優勢相結合,致力於創新,以及擴展技術實力和加強營運,而IDEAL INDUSTRIES也非常期待能協助Cree Lighting發揮其潛力。
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5G促進無線電/RF元件發展 成本效益是關鍵

由於應用於5G的技術紛紛登場,如sub-6GHz頻段、多輸入多輸出(Multi-input Multi-output, MIMO)、毫米波(mmWave)等等,對RF元件供應商思佳訊通訊技術(Skyworks)、博通(Broadcom)、科沃(Qorvo)、村田製作所(Murata)、高通(Qualcomm)等提出了嚴峻的技術挑戰。 市調機構Strategy Analytics指出,5G無線電和RF組件的高度複雜性將使智慧型手機價格高居不下,而有可能阻礙5G的發展。但同時也推動無線電和RF組件供應商提出更具成本效益的5G解決方案,以符合手機用戶日益複雜的無線電需求。 Strategy Analytics的RF和無線組件總監Christopher Taylor表示,由於5G目前快速發展的關係,智慧型手機和其他蜂巢設備中的無線電在功能以及頻段等方面變得相當地複雜。在展望無線電元件市場的未來時,應該密切地關注整個市場的架構、歷年價格的波動和需求的趨勢,方能在營運商、設備代工製造(Original Equipment Manufacturer, OEM)和元件供應商產生利益衝突時達到雙贏的局面。 另外,Strategy Analytics策略技術副總裁Stephen Entwistle補充說明,在過去的五年之中,濾波器(Discrete Filter)、開關和放大器(Amplifier)等RF解決方案已經從分離式元件轉變為大型系統級封裝(System in Package, SiP) RF前端模組(Front-End Module, FEM),在一個封裝中就能包含多種技術,這促使了RF前端模組供應商的整合。 隨著5G的發展,為所有能夠提供有吸引力價格、更完善的複雜模組與SoC的廠商提供更多的機會。相對地,那些沒有辦法跟上此一潮流的廠商將會被市場淘汰。
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賽靈思宣布擴大Zynq UltraScale+ RF系統單晶片系列

賽靈思(Xilinx)宣布擴大旗下Zynq UltraScale+射頻(RF)系統單晶片(SoC)系列,推出具有更高RF效能與擴充性的產品。延續Zynq UltraScale+ RFSoC基礎產品在多個市場的成功經驗,新一代的元件能涵蓋6GHz (sub-6GHz) 以下的所有頻段,滿足部署新一代5G網路的關鍵需求。新元件可支援直接射頻取樣,內含高達每秒取樣50億次(GS/S)的14位元類比數位轉換器(ADC)及每秒取樣100 億次的14位元數位類比轉換器(DAC),兩者的類比訊號頻寬皆高達6GHz。 賽靈思旗下RFSoC系列是滿足業界當前及未來需求的單晶片自行調適射頻平台。此系列產品包含賽靈思Zynq UltraScale+ RFSoC第二代元件,預計於2019年6月投入量產。此款元件不僅符合亞洲地區的5G部署時程,並可支援5G新射頻技術。RFSoC系列尚包含賽靈思Zynq UltraScale+ RFSoC第三代元件,相較於基礎產品,此新一代元件能在RF資料轉換器子系統中完整支援6GHz以下頻段直接射頻取樣、提供延伸毫米波介面,並減少高達20%的功耗。預計於2019下半年問市。 新產品在單顆晶片中整合更高效能的射頻資料轉換器,因此能提供廣泛的頻段覆蓋率,滿足業界部署5G無線通訊系統、有線電視存取、先進相位陣列(phased-array)雷達解決方案以及包含測試、量測和衛星通訊在內的其他應用之需求。省去分離式元件能減少高達50%的功耗與元件空間,使此新產品成為電信營運商落實大規模多輸入多輸出(mMIMO)基地台佈建5G系統的理想選擇。 賽靈思硬體與系統產品開發執行副總裁Liam Madden表示,賽靈思致力於協助客戶加速創新,尤其對於透過更高效能的Zynq UltraScale+ RFSoC系列產品促進靈活應變且智慧的5G基礎架構發展備感興奮。如今透過全面覆蓋6GHz以下的頻譜,賽靈思將為客戶在加速新一代系統的設計與開發帶來更強大的競爭優勢。
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(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。 目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。 RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。 Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。 Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。 另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...
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優化BJT/MOSFET低頻雜訊 DC-DC開關轉換量測有撇步

在電信網路中,與射頻(Radio Frequency, RF)訊號混合期間,從本機振盪器(Local Oscillator)和放大器的電源注入到中頻(Intermediate Frequency, IF)的低頻雜訊的增頻與變頻導致中頻的兩側形成頻帶,產生了更高的相位雜訊。在偵測數位調變訊號時,相位雜訊增加了均方根(Root-Mean-Square, RMS)相位誤差,而限制了網路的性能。本文解釋了雙極型接面電晶體(Bipolar Junction Transistors, BJT)、金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors, MOSFET)和電阻器中的低頻雜訊來源,以及這種雜訊如何傳遞(Propagate)到DC-DC轉換器的輸出電壓。此外,本文還介紹了一種用於量測DC-DC轉換器輸出電壓的低頻雜訊頻譜的設置,並使用該設置將低頻雜訊最佳化的DC-DC轉換器的雜訊頻譜與標準DC-DC轉換器進行比較。 低頻雜訊類型多 積體電路(IC)有不同類型的雜訊,包括閃爍雜訊(Flicker Noise)、熱雜訊(Thermal Noise)、射擊雜訊(Shot Noise)、突發雜訊(Popcorn Noise)和產生複合雜訊(Generation-Recombination Noise)。閃爍雜訊和熱雜訊在DC-DC轉換器的低頻輸出電壓雜訊頻譜中占大部分。 .閃爍雜訊 偏壓下在所有電子設備中均觀察到閃爍雜訊(也稱為1/f雜訊),頻率從10-6Hz到幾百赫茲。閃爍雜訊源於對通道電導率的調變。公式1將半導體的電導率(σ)表示為載子濃度(Carrier Concentration)與移動率的乘積:  公式1 其中q是電子的電荷;n和p分別是電子和電洞的濃度;μe和μh分別是材料中的電子和電洞移動率。 文中的兩個模型解釋σ調變:McWhorter 1957年開發的數字波動模型和Hooge在1969年開發的移動性波動模型。 根據McWhorter模型,閃爍雜訊是一種表面現象,它源於表面狀態下電荷捕捉(Charge Trapping)引起的載子濃度的變化。圖1顯示了反轉中N通道金屬氧化物半導體(NMOS)的能帶圖。 圖1 反轉中NMOS的能帶圖。 由於矽(Si)和二氧化矽(SiO2)之間的介面並不完全,因此在矽與二氧化矽介面的能隙中存在陷阱或居間能量狀態(Intermediate Energy States)。SiO2的缺陷也會導致整體SiO2陷阱。當應用於MOSFET時,McWhorter理論指出陷阱會導致載子從通道中捕獲和釋放,而引起臨界值電壓(Vt)的變化和載子濃度的波動。這些過渡的時間常數取決於陷阱與表面的距離,距離較遠的陷阱捕獲載子的可能性較小。 在Hooge的移動率波動模型中,半導體零組件中的閃爍雜訊主要來自於兩種載子散射機制:半導體晶格中的散射和雜質的散射。該模型更適合解釋BJT中的閃爍雜訊,而McWhorter模型則給予MOSFET中的閃爍雜訊更好的解釋。 .熱雜訊 熱雜訊是指由電阻介質中的熱激發引起的電荷載子隨機運動而導致的電壓波動。熱雜訊,也稱為詹森雜訊(Johnson...
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是德/OPPO攜手加速推動5G行動裝置開發

是德科技(Keysight Technologies)日前宣布名列全球五大行動裝置製造商之一的OPPO,選用是德科技5G New Radio(NR)網路模擬解決方案,在6GHz以下頻段(FR1)進行協定和射頻(RF)效能驗證。 OPPO是總部位於中國的智慧型手機製造商,該公司計畫於2019年推出首款5G行動裝置。藉由使用是德科技的5G測試解決方案,OPPO可加速開發5G智慧型手機並實現其策略性市場目標。 OPPO全球副總裁暨OPPO中國深圳研究所所長Levin Liu表示,我們為我們的5G研發進展以及最近的5G公開展示感到自豪,並很高興能與是德科技合作。藉由使用是德科技領先業界的5G測試解決方案,我們迅速發布了第一款商用的5G手機。 全球領先的晶片組製造商及其行動裝置生態系統,一致使用是德科技符合最新3GPP 5G NR標準的網路模擬解決方案,以加速5G設計的開發和驗證。這些解決方案可在Sub-6GHz和毫米波頻率上運作,以進行傳導和OTA(Over-The-Air)測試。這套通用的開發工具方便使用者共同分享在裝置生命週期的每個階段所獲得的設計洞察力。如此一來,晶片組和裝置製造商便可更快地將新的5G NR產品推出問市。
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是德高頻汽車雷達測試方案確保自駕安全性

是德科技(Keysight Technologies)是推動全球企業、服務供應商和政府機構網路連接與安全創新的技術領導廠商,該公司日前宣布推出新的增強型Keysight E8740A汽車雷達訊號分析與產生解決方案。部署這套全新的解決方案後,基於雷達的先進駕駛輔助系統(ADAS)便能主動偵測並減輕汽車遭到碰撞的風險。 隨著先進駕駛輔助系統和自動駕駛汽車越來越受歡迎,它們也引發了使用者對安全性和可靠性的擔憂。自動駕駛汽車依賴先進的感測器技術和高度整合的雷達。根據汽車工程師協會(SAE)提供的資料,每輛自動駕駛汽車最多需要24個雷達感測器。由於各個感測器會彼此干擾,因而嚴重影響到汽車雷達的可靠性。即使是系統的輕微錯誤或非預期的不當行為,都可能導致嚴重的情況或事故。 新版本的Keysight E8740A汽車雷達訊號分析和模擬解決方案,基於領先業界的高效能實體層儀器,可為每個待測雷達設計提供同級中最有效的射頻(RF)和毫米波效能驗證。它具備易於使用的直覺式操作介面,能以最高效率進行測試。這套全方位測試解決方案還可產生各種真實條件,以解決任何潛在的汽車雷達干擾問題。
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是德科技EM模擬器通過FD-SOI技術認證

是德科技(Keysight Technologies)日前宣布旗下的Momentum 3D平面電磁(EM)模擬器,已通過GLOBALFOUNDRIES(GF)22FDX、22nm全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)技術認證。   Keysight Momentum是先進平面3D電磁模擬器,可用於被動式電路建模和分析。它可模擬任意幾何結構的設計(包含多層結構),並可使用頻域力矩法(MoM)技術,準確地模擬複雜的電磁效應,包含耦合和寄生。   在取得認證後,設計人員現在可以使用GF的尖端22FDX技術進行精確的EM模擬,進而分析當今日益縮小、複雜設計中的電磁效應和特性。Momentum堆疊檔案已經整合入GF提供的最新22FDX PDK。   是德科技RFIC晶圓專案經理Punmark Ngangom表示,是德科技EM模擬器通過GF 22FDX認證,象徵著GF與是德科技就是德科技RFIC晶圓專案,維持緊密的合作關係。我們的共同客戶現在可充分利用經GF認證的Keysight Momentum堆疊檔。GF的標準22FDX PDK軟體套件現已提供這些檔案。   Keysight Momentum還被認證為經最佳化的RF/mmWave金屬選項,具有不同電感器,並可根據GF認證標準,實現與高達100GHz的矽量測和電路模型之間的高度精確關聯性。
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HOLTEK推新一代抗干擾MCU

Holtek 24-bit Delta Sigma A/D Flash MCU系列新增BH66F5250、BH67F5250/60成員。具有抗RF干擾能力強,非常適合惡劣的24-bit A/D量測應用環境,內建LDO輸出作為感測器的電源供應,例如:秤重、壓力與溫度的量測,對於各式電子秤、血壓計、血糖儀、壓力開關與其它量測類產品是很好的選擇。 BH66F5250和BH67F5250/60內建LED Driver、LCD Driver、OPA、LDO、PGA與24-bit Delta Sigma A/D,可以減少產品零件數目、降低成本及提高產能。在系統資源上具備8K/16K×16 Flash Program Memory、512/1024×8 RAM、128/256×8 True EEPROM、MDU、IAP、UART/SPI/I2C及Timer Module。 BH66F5250提供48-pin LQFP封裝型式,BH67F5250提供64-pin LQFP封裝型式,BH67F5260提供64-pin及80-pin LQFP兩種封裝型式。
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