Qorvo
貿澤電子供貨Qorvo產品系列
貿澤電子(Mouser Electronics)宣布即將開始供應Qorvo的Active-Semi產品系列。
Qorvo創新射頻解決方案加入Active-Semi的產品後,旗下增加類比與混合訊號系統單晶片(SoC)的產品組合,適合用於工業、商業和消費型設備等終端應用的充電、供電和嵌入式數位控制系統。Qorvo電源管理產品包含功率應用微控制器、DC/DC、AC/DC、PMU和LED驅動器,可大幅縮減解決方案尺寸及成本並改善系統可靠性。
對於IDP現有市場,包括5G基地台、國防適用的主動相位陣列、汽車和物聯網等,電源效率逐漸成為電子應用中核心需求。本產品的可程式混合訊號電源解決方案能為客戶提供易用性、高效率和設計彈性,有助於縮小設計佔用面積,降低材料清單(BOM)成本並縮短上市時間。
貿澤供貨Qorvo QPF4219整合式前端模組
貿澤電子開始供應Qorvo的QPF4219前端模組(FEM)。這款2.4GHz FEM是專為採用Wi-Fi 5(802.11ac)的物聯網(IoT)系統所設計,其外型尺寸小巧,並且整合了匹配功能,可將無線路由器、住宅用閘道器和存取點等應用內的布局面積縮到最小。
貿澤電子所供應的Qorvo QPF4219 FEM將2.4GHz功率放大器(PA)、穩壓器、單極雙投(SPDT)開關、含旁路模式之低雜訊放大器(LNA)以及電壓電源偵測器整合到單一裝置內。本裝置旨在高效地最佳化使用5V供應電壓的PA,降低耗電量的同時保持最高的線性輸出功率和優異的處理量。QPF4219擁有1.9 dB的雜訊係數效能,並且在各種條件下均一致,能將接收(Rx)靈敏度提升至最高。裝置亦整合晶片層級的第二次和第三次諧波濾波功能,以及用於同步雙頻(DBDC)作業的5GHz拒斥功能。
貿澤供貨Qorvo QPA2308 60W GaN功率放大器
貿澤電子宣布開始供應Qorvo的QPA2308 MMIC功率放大器。QPA2308是專為商業和軍事應用所設計,它能為5至6GHz的射頻(RF)設計提供高功率密度和功率附加效率。這款單晶微波積體電路(MIMC)功率放大器採用Qorvo的0.25 um碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)製程,可簡化系統整合,提供優異的效能,且採用尺寸小巧的15.24×15.24 mm鎖螺絲式封裝。
貿澤電子所供應的Qorvo QPA2308功率放大器提供60W以上的飽和輸出功率,和21dB以上的高訊號增益。本裝置的功率附加效率(PAE)額定值超過47%,裝置開始消耗正閘極電流(PSAT)時測得的RF輸出功率為48dBm。放大器的輸入反射損耗介於14~23dB,輸出反射損耗為13dB。為簡化系統整合,QPA2308亦提供兩個完全匹配至50ohm的RF連接埠,且分別整合隔直流電容器。
Qorvo QPA2308作業溫度介於-40至85°C,於85°C時,功率消耗為140W。本放大器符合RoHS標準,適合用於C頻段雷達、衛星(衛星通訊)和太空通訊,以及電子作戰技術等的RF應用。
貿澤也將同時供應QPA2308EVB1評估板。此評估板由Rogers RO6035HTC電介質所製成,此高可靠材料具備的介電常數及低耗損使其非常適合航太和國防專案。PCB厚度為0.01英吋,兩面均為0.5盎司銅。
加大5G發展力道 Qorvo收購Cavendish Kinetics
布局5G市場,Qorvo日前宣布收購高性能RF MEMS天線調諧(Antenna Tuning)應用技術供應商Cavendish Kinetics。在收購之後,Cavendish Kinetics團隊將繼續推動RF MEMS技術應用於Qorvo的全部產品線,並將該技術加速應用至行動設備以及其他市場,且可大規模量產。自2015年以來,Qorvo一直是Cavendish Kinetics主要戰略投資者,而未來在2020財年第二季度營收電話會議上,Qorvo將提供有關Cavendish Kinetics收購交易的更多細節。
Qorvo行動產品總裁Eric Creviston表示,Cavendish Kinetics 的加入讓該公司能夠在天線調諧領域確保市場競爭優勢。目前多家智慧手機供應商皆採用Cavendish Kinetics的RF MEMS技術以降低損耗並提高線性度,未來Qorvo也會在Cavendish Kinetics已有市場基礎上繼續拓展RF MEMS應用領域,像是用於基礎設施或是國防等。
RF MEMS技術主要應用於通訊元件上,其具備小體積、低功耗/成本,以及高整合度等優勢,且應用領域愈來愈廣泛,除了個人消費性電子產品,如智慧手機、行動裝置、PDA等,也可應用於軍事領域,像是作戰指揮、戰場通訊、微型衛星通訊系統和作戰雷達等。
總結來說,RF MEMS主要用於低、中和高頻段調諧智慧手機的主集天線(Main Antenna)和分集天線(Diversity Antenna),進一步帶來更強的訊號和更高的資料速率。RF MEMS具有傑出的品質因子(Q-factor)、改進的線性度和極低的插入損耗,因此能最大幅度地提高了性能,在提升4G和5G系統性能上具備了巨大的發展潛力。
Qorvo積極布局5G市場。
2020年GaAs射頻元件產業規模達64.92億美元
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求,逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料,加上隨著5G布建逐步展開,射頻元件使用量較4G時代倍增,預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年起進入新一波成長期。
拓墣產業研究院指出,由於射頻前端元件特性,包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等,在4G與5G時代有高度需求,傳統如HBT和CMOS的Si元件已無法滿足,廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑藉本身電子遷移率較Si元件快速,且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓等特性,因此特別適合應用於無線通訊中的高頻傳輸領域。
由於4G時代的行動通訊頻率使用範圍已進展至1.8~2.7GHz,對傳統3G的Si射頻前端元件已不敷使用,加上5G通訊市場正步入高速成長期,其使用頻段也將更廣泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此無論是4G或5G通訊應用,現行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。
若以目前市場發展來看,受到2018年下半年手機銷量下滑、中美貿易戰影響,衝擊GaAs通訊元件IDM廠營收表現,預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元,年減8.9%。然而,隨著5G通訊持續發展,射頻前端元件使用數量將明顯提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G時代的2顆、4G的5~7顆,提升至5G時代的16顆,將帶動2020年整體營收成長,預估GaAs射頻前端元件總營收將達64.92億美元,年增11.3%。
整體而言,隨著各國持續投入布建5G基地台等基礎設施,預估在2021、2022年將達到高峰,將可望帶動IDM大廠Skyworks(思佳訊)、Qorvo(科沃)新一波營收成長動能,而台廠射頻代工製造業穩懋、宏捷科及環宇等,也將隨著IDM廠擴產而取得訂單,逐漸擺脫營收衰退的陰霾。
是德推出調變失真分析測試解決方案
是德科技(Keysight)新推出的調變失真分析測試套件,成功助Qorvo一臂之力,使其能夠在製造測試階段,準確分析5G毫米波前端模組效能。
Qorvo是射頻解決方案供應商,主打無線基礎設施和國防應用,該公司近來選擇使用是德科技全新的調變失真分析測試套件來量測寬頻調變信號,讓頻寬最高可達43GHz的前端科技,能夠通過第三代合作夥伴計劃(3GPP)指定的5G NR測試。這次新增的製造測試功能,可以提高客戶在整個產品生命週期的系統產量。
為了確保穩定且有效率的5G毫米波通訊,工程師必須在設計、驗證和製造的一貫流程中,嚴格測試積體電路(IC)元件在線性和非線性條件下的效能。是德科技新推出的調變失真應用軟體,可與旗下的PNA-X向量網路分析儀緊密整合。如此一來,5G IC和FEM設計人員就可透過調變寬頻信號激發,準確、可重複並快速地進行元件特性分析。
是德科技無線測試事業群副總裁Kailash Narayanan表示,是德科技與Qorvo共同合作開發先進的5G量測技術,以推動新測試方法的發展,讓工程師能評估主動元件受到標準激發的響應。是德科技的IC測試解決方案套件,搭配全新的調變失真分析應用軟體,締造了業界最大的動態範圍,可準確量測各種參數,例如誤差向量振幅(EVM)和鄰近通道洩漏比(ACLR),它們全都攸關5G網路通訊服務的效率和穩定。
Qorvo高效能解決方案總經理Roger Hall表示,我們很高興能與是德科技協力合作,是德科技擁有專業技術和全方位解決方案套件,可以準確分析我們全新的 5G 毫米波前端模組。是德科技的 IC 測試能力讓我們能順利達成策略目標,以提供客戶最優質的產品。
(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動
電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。
目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。
RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。
Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。
Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。
另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...