- Advertisement -
首頁 標籤 Optane

Optane

- Advertisment -

貿澤開始供應Intel Optane記憶體

貿澤電子(Mouser)即日起供貨Intel Optane持續性記憶體,這款裝置容量大幅增加到512GB,是比DRAM更經濟實惠的替代性產品。Intel Optane具有出色的效能與效率,有助於支援記憶體資料庫、分析工具和內容傳遞網路等應用。 貿澤所供應的Intel Optane持續性記憶體模組能為設計人員和開發人員提供更大、更經濟實惠的記憶體容量,以用作揮發性記憶體或持續性的高效能資料層。為簡化整合,本模組與DDR4插槽相容,可在與DDR4 DRAM相同的匯流排/通道上運作,與同一平台上的傳統型DDR4 DRAM DIMM搭配時更能展現設計彈性。系統管理員可將Intel Optane持續性記憶體設定為揮發性記憶體容量,其運作方式對軟體來說幾乎與DRAM無異,或設定為非揮發性記憶體,跟SSD一樣用於保留資料,但資料存取速度比傳統NAND型磁碟機快上225倍。 Intel Optane持續性記憶體模組提供128GB、256GB和512GB的容量選擇,且相容於第二代的Intel Xeon可擴充處理器系列,可用於開發擁有最多八個插槽,系統記憶體容量高達24TB的系統。本模組能使系統達到更高的記憶體容量,耐用度也比NAND SSD更為出色,適用於寫入密集的工作負載,可提升系統整體效能。 多功能的Intel Optane持續性記憶體提供兩種運作模式,分別是應用程式直接存取模式和記憶體模式,能讓使用者針對特定的工作負載量身打造持續性記憶體解決方案。Intel Optane持續性記憶體可交互作為記憶體和儲存裝置運作,支援開發全新的資料密集使用案例,還能使處理器發揮最高效能,促進基礎架構整合。
0

專訪英特爾資料中心事業群副總裁Lisa Spelman 用完善生態系優化資料中心負載

英特爾資料中心事業群副總裁暨行銷總經理Lisa Spelman表示,目前有著三大技術趨勢不斷推動資料中心的發展,分別為雲端運算、5G/Edge擴展,以及人工智慧(AI)。首先是雲端運算,雖說此一技術是三種裡面最為成熟的,但由於新興應用愈來愈多,驅使雲架構的規模和效率須不停提升,並從本地擴展到邊緣。 而在5G/Edge部分,5G的革命性在於可謂每個使用這、行業帶來新的體驗,企業能透過5G創造新的商機。而與5G相結合,愈來愈多的運算、數據產生和服務應用的位置出現的轉移,也就是從雲端轉向邊緣,且發展力道十分強勁。最後,人工智慧則是在以數據為中心的應用中迅速傳播,並將塑造整個產業、人類生活的未來。AI的顛覆性創新已從數據中心轉移至邊緣,可說已遍及各式雲端、邊緣架構,衍生各式創新應用,預計在未來的兩年中,將會有近75%的應用程序整合AI。 簡而言之,這三大趨勢的出現,驅使資料中心的工作負載出現了全新的變化,有了新的應用意味著數據的產生、收集、運算需求也愈來愈高;也因此,優化工作負載成了關鍵任務,如此一來才能實現更高的性能、新功能和更高的服務品質。 Spelman指出,為此,多年來英特爾的硬體一直在追求更高效的分析和機器學習演算法。借助第一代Xeon可擴展處理器,可透其整合的Intel AVX 512引擎賦予CPU更大的AI實力,進一步為深度學習訓練和推論工作帶來顯著的性能提升。至於新發布的第二代Xeon可擴展處理器,內建可使推論加速的DL Boost技術,以進一步促進深度學習效率。 據悉,英特爾新推出的Xeon可擴展處理器代號為「Cooper Lake」,將在每個插槽支援高達56個處理器核心,並且在標準插槽式處理器內建AI訓練加速器,該處理器預計在2020上半年問市。 Cooper Lake高核心數處理器將會沿用原先內建於Intel Xeon Platinum 9200處理器系列的功能,帶來突破性的平台效能,這些功能已經被許多要求嚴格的高效能運算系統(High Performance Computing, HPC)客戶,包括HLRN、Advania以及4Paradigm等所採用。 值得一提的是,新款Intel Xeon可擴充處理器,與標準的Intel Xeon Platinum 8200處理器相比,提供兩倍的處理器核心數(最高56核心)、更高的記憶體頻寬、以及更高的人工智慧推論(Inference)與訓練效能。透過在Intel Deep Learning Boost(Intel DL Boost)中最新加入支援的bfloat16技術,Cooper Lake將提供內建高效能人工智慧訓練加速功能的x86處理器,該產品亦與即將推出的10奈米Ice Lake處理器擁有平台相容性。 除了提供高效能的晶片之外,Spelman也說明,要妥善的利用這些數據,降低工作負載,所需的不僅僅是高效的運算方法,也須從數據的移動、儲存著手強化。為此,該公司近期收購了Barefoot...
0

卡位MRAM/FRAM/PCRAM 半導體業者布局各有盤算

物聯網(IoT)、人工智慧(AI)、5G、工業4.0等應用推升資訊量暴漲,使得DRAM、SRAM、NAND Flash等傳統記憶體的儲存效能逐漸遇到瓶頸,同時在高速運算方面也受到了阻礙。為克服此一挑戰,產官學各界紛紛加大新興記憶體的研發以及投資力道,相關解決方案陸續問世,期能在未來取代傳統DRAM、Flash和SRAM三大記憶體產品。 MRAM成主要發展方向 新興記憶體如雨後春筍般浮現,其中MRAM備受期待的原因,除了其具備更好的儲存效能之外,另一個原因在於MRAM的特性可以滿足製程微縮需求,因此被視為極具吸引力的記憶體方案。所以,不論是學界或是半導體產業,多以MRAM為主要的發展目標,希望能早日拓展MRAM市場普及率。 三星宣布開始量產28nm FD-SOI製程eMRAM 布局MRAM市場,三星電子(Samsung)宣布已開始量產28nm FD-SOI製程的商業化嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。三星指出,該公司克服了eMRAM可擴展性挑戰的技術障礙,並將製程節點發展到28nm,除了實現更低成本、更佳功率、速度之外,還能讓產品依舊保有非揮發性、隨機存取和高耐久性等特徵。 據悉,基於此一製程的eMRAM解決方案可提供更好的功率、讀寫速度和更低成本等優勢。由於eMRAM不需要在寫入數據前進行抹寫循環(Erase Cycle),因此eMRAM的寫入速度和傳統快閃記憶體相比快了1,000倍。另外,eMRAM的使用電壓低於傳統快閃記憶體,具有低功耗特性,且在待機狀態下不會耗電,因此能提高能源效率。 三星晶圓代工行銷副總裁Ryan Lee表示,在克服新材料的複雜挑戰後,該公司開發了eMRAM技術,並將eMRAM與現有成熟的邏輯製程結合,以提供獨特的競爭優勢和量產可能,滿足客戶和市場需求。 透過與28nm FD-SOI製程結合,以實現更好的電晶體控制(Transistor Control)和降低洩漏電流,此一方案將可滿足MCU、IoT和AI等各式應用需求。另外,在宣布可量產28nm FD-SOI製程的eMRAM解決方案後,三星也計劃擴展其eMRAM解決方案,除了在2019開始生產1Gb eMRAM測試晶片之外,也預計2020年積極推廣18nm FD-SOI eMRAM。 結合MRAM 群聯讓SSD效能再攀升 另一方面,隨著企業伺服器應用近年來逐漸大量採用SSD已是主流趨勢,而如何透過整合各種新興記憶體技術來提升現行主流SSD的效能及可靠度也逐漸成為研發企業級SSD時不斷探討的議題。因此,群聯電子便嘗試將企業級SSD方案整合MRAM,以拓展高階儲存應用市場。 群聯電子技術長馬中迅(圖1)表示,5G將會對儲存產業帶來明顯的轉變,5G的特點包括頻寬高、速率快、延遲性低,因而可以傳輸、擷取大量的聯網裝置資料;因此,對於儲存產品而言(例如SSD),也必須要呼應到5G的特點。同時,由於AI應用的興起,高速運算的需求增加,這也會對儲存產品有更高的性能和容量要求,基於5G和AI的變化,記憶體業者開始強化儲存架構,朝更快、容量更大邁進。 圖1 群聯電子技術長馬中迅指出,5G將全面改變各種應用體驗,記憶體效能也須跟著提升。 為此,群聯宣布與Everspin策略聯盟,正式整合Everspin的1Gb STT-MRAM至群聯次世代的企業級SSD儲存解決方案設計,持續引領快閃記憶體控制晶片設計方向。 馬中迅指出,MRAM是一種非揮發性記憶體技術,其特色除了具有低功耗及讀寫速度高於NAND等之外,還包括斷電時資料不會遺失。雖說目前的記憶體技術或SSD等儲存技術也有斷電資料保存方案,但這需要一些成本、時間和技術代價,但若改用MRAM,可以進一步優化無預警斷電的資料防護機制(也就是恢復時間更快)。而SSD搭配MRAM後,更能提升SSD的效能,對於群聯持續布局企業伺服器SSD高階儲存應用市場為一大助力。 據悉,整合Everspin的1Gb STT-MRAM至群聯的快閃記憶體控制晶片設計及SSD儲存方案,將能協助該公司超大型數據中心客戶及企業OEM夥伴提升整體SSD效能、降低資料延遲,以及提升服務質量(Quality of Service, QoS)。 讓儲存更穩/更好 工研院積極研究SOT-MRAM AI、5G等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長,因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求,新興記憶體備受關注。為此,工研院也致力研發新一代MRAM技術,除了引領業者創新研發方向外,也希望能藉此加快新興記憶體發展腳步。 工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G與AI時代來臨,摩爾定律一再向下的微縮,半導體走向異質整合,不同的技術整合性越來越強,能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。MRAM速度快、可靠性好,適合需要高性能的場域,像是自駕車,雲端資料中心應用等,未來應用發展潛力可期。 據悉,在MRAM技術的開發上,工研院於IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting, IEDM)中發表自旋軌道轉矩(Spin Orbit Torque, SOT)MRAM相關的最新研究成果。 吳志毅指出,相較於台積電、三星等公司即將導入量產的第二代MRAM技術(STT-MRAM),SOT-MRAM為全球積極研究中的最新第三代技術,以寫入電流不流經元件磁性穿隧層結構的方式運作,避免現有MRAM操作時,讀、寫電流均直接通過元件對元件造成損害的狀況,同時也具備更穩定、更快速存取資料的優勢。 吳志毅補充,更重要的是,SOT-MRAM的讀寫次數更優於STT-MRAM。假設目前STT-MRAM的讀寫次數為10的10次方左右,那麼新一代SOT-MRAM的讀寫次數則可達到10的14次方左右。換言之,SOT-MRAM不僅能夠更穩定、更快速存取資料,且讀寫次數大幅增加,因而有望滿足更多高速運算應用。 FRAM方案持續問世 材料為普及挑戰 相較於其他以MRAM為主的業者,日本記憶體大廠富士通(Fujitsu)則是致力推動FRAM,並持續推出相關解決方案。例如日前富士通便發布可在攝氏高達125度的高溫下運作的新款2Mbit...
0

整合QLC NAND 英特爾推廣Optane技術添利多

為拓展Optane技術,英特爾(Intel)宣布推出採用固態儲存的Intel Optane記憶體H10,該產品將Intel Optane技術和Intel Quad Level Cell(QLC)3D NAND技術的儲存容量整合在單一的M.2模組當中。 英特爾指出,將Intel Optane技術與Intel QLC 3D NAND技術結合在一個M.2模組當中,可將Intel Optane記憶體的應用擴展到輕薄的筆記型電腦,以及某些空間受限的桌上型電腦,例如整合式多功能(All-in-one)PC和迷你PC。 英特爾非揮發性記憶體解決方案事業群資深副總裁暨總經理Rob Crooke表示,H10整合了Intel Optane技術和Intel QLC NAND技術,提供了高於TLC 3D NAND SSD的效能,減少使用者對於第二顆資料儲存設備的需求。 與大多數NAND SSD相比,搭載Intel Optane記憶體的SSD速度更快;而採用Intel Optane記憶體的Intel平台能夠根據日常運算活動做調整,以優化用戶最常處理的工作和應用程式的效能。同時,憑藉高達1TB的總儲存容量,新推出的Optane記憶體H10,將能夠因應使用者目前及未來的應用程式與檔案需求。 英特爾說明,採用Intel Optane記憶體H10和固態儲存的第8代Intel Core...
0

3D封裝/GPU/CPU架構盡現 Intel六大領域戰略力拓市場

英特爾(Intel)日前舉辦「架構日」(Architecture Day 2018)活動,除了於會中展示多樣基於10奈米系統,用於PC,數據中心和網路的解決方案之外,更於會中宣布未來將聚焦於六個工程領域的技術策略,分別為先進製程和封裝、加速AI和繪圖的新架構、超快速記憶體技術、高頻寬網路晶片互聯、嵌入式安全功能,以及統一/簡化編程;期能透過這些技術為更加多元化的運算時代奠定基礎,強化英特爾的創新及市場領導力度,並擴大潛在市場商機。 Intel核心與視覺計算高級副總裁Raja Kodur表示,運算技術在過去十年中發生了巨大的變化,數據生成的速度不停加快,因而可看見未來對於運算的龐大需求,使得這些運算架構快速發展並以指數的方式擴張。而該公司有著大膽的工程願景,期望在未來五年能夠在10毫秒內為每個人提供10 Petaflops的運算和10 PB的數據,而這六大工程領域技術將是實現此一目標的關鍵。 會中英特爾也說針對幾項亮點技術進行說明,首先是全新3D封裝技術「Foveros」。繼2018年推出嵌入式多晶片互連橋接(EMIB)2D封裝技術後,英特爾也於今年發布名為「Foveros」的全新3D封裝技術,其具備3D堆疊的優勢,可實現邏輯對邏輯(Logic-on-logic)的整合。 據悉,Foveros可將晶片堆疊從傳統的被動矽中介層(Passive Interposer)和堆疊記憶體擴展到高效能邏輯,如CPU、繪圖和AI處理器,為結合高效能、高密度和低功耗晶片製程技術的裝置和系統奠定基礎。 同時由於設計人員希望能在新的裝置設計中混合和匹配(Mix and Match)技術IP模組與各種記憶體及I/O元件,因此該技術提供更大的彈性,允許將產品分解成更小的「小晶片」(Chiplet);I/O,SRAM和電源傳輸電路等可建置於底層晶片(Base Die)中,高效能邏輯晶片則堆疊其上。英特爾預計將於2019年下半年使用Foveros技術推出一系列產品。 此外,英特爾也展示了次世代CPU微架構「Sunny Cove」。該架構可提高一般運算任務的單一時脈效能和功耗效率,包含加速AI和加密等特殊用途運算任務的新功能;且可以減少延遲並促進高流量,提供更大的平行運作能力,進一步改善從遊戲到媒體到資料導向應用程式等領域的體驗。Sunny Cove將成為2019年稍晚推出的伺服器Xeon及PC客戶端Core處理器的基礎。 值得一提的是,英特爾也於會中宣布推出全新Gen11整合式繪圖晶片,配備64個增強型執行單元,浮點運算性能超過1 TFLOPS,並採用最新媒體編碼器和解碼器。英特爾也於會中重申將在2020年前推出首款獨立繪圖晶片的計畫,並表示從2019年開始,以10奈米為基礎的處理器將採用新的整合式繪圖晶片。 除了上述之外,英特爾也於活動上說明Optane技術進展、新的One API軟體以及深度學習參考堆疊等內容。Raja Kodur指出,運算需求的不停成長,使得該公司有機會以前所未有的方式進行改變,隨著我們為客戶,邊緣和雲運算環境推動一波又一波的創新,累積了各種差異化的技術,未來將能夠在這六大領域中持續發揮作用,為各種創新應用奠定基礎。
0
- Advertisement -
- Advertisement -

最新文章

- Advertisement -

熱門文章

- Advertisement -

編輯推薦

- Advertisement -