- Advertisement -
首頁 標籤 NAND

NAND

- Advertisment -

群聯獲頒長江存儲年度市場表現獎暨年度生態夥伴獎

長江存儲(YMTC)於1月16日以「新十年,芯夢想,新格局」為主題召開市場合作夥伴新春溝通會,向早期在市場布局和生態合作上發揮關鍵價值的企業頒發榮譽獎項。群聯電子獲頒年度市場表現獎及年度生態夥伴獎。YMTC除了肯定了群聯所帶來的市場真實回饋,也為後續產能提升奠定堅實基礎。長江存儲科技有限責任公司首席執行官楊士寧為部分獲獎企業代表頒發了榮譽獎杯。長江存儲董事長,紫光集團董事長兼首席執行官趙偉國,長江存儲執行董事、紫光集團聯席總裁刁石京,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翊等也出席了活動。 群聯(PHISON)董事長潘健成表示,群聯長期專注於快閃記憶體主控的開發與儲存方案的整合,透過群聯自有技術與IP,整合長江存儲Xtacking技術的3D NAND快閃記憶體,能快速的將儲存產品整合及導入市場,協助擴大市場的應用與普及率。長江存儲與群聯不僅是NAND原廠與控制晶片IC廠的關係,更是技術、產品、應用及市場等全方位的長期夥伴關係。 楊士寧在頒獎詞中談到,自長江存儲量產64層3D NAND快閃記憶體到現在,市場總體給予正面評價,背後更有合作夥伴的深度配合及終端市場歷練。依靠各自研發、測試團隊的共同努力,長江存儲感謝合作夥伴的信任和支援,希望一起為終端使用者帶來更大的價值。
0

CES 2020群聯秀QLC儲存方案與技術

全球最大科技盛會—美國拉斯維加斯消費性電子展(CES)於2020年1月7日揭幕,吸引全球超過4500家廠商參展,以及17萬的人次參觀。此次的焦點除了萬所矚目的5G科技外,5G技術所衍生的相關應用,例如汽車電子、人工智慧、影音串流、高清影像、智慧居家、萬物智聯等,也成為會場中關注度最高的趨勢應用。而5G相關應用平台與系統所需要的關鍵零組件中,儲存裝置 (Storage Devices)不僅扮演著不可或缺的高速儲存效能的角色,也是群聯未來成長動能之一。 群聯董事長潘健成表示,QLC快閃記憶體技術已談論多年,全球客戶均引頸期盼希望群聯能逐漸導入主流的SSD控制晶片及儲存方案中。而群聯成功導入QLC快閃記憶體且量產,發揮QLC的高CP值優勢。此外也希望透過QLC儲存方案量產,持續提升快閃記憶體普及率,讓更多消費者享受到快閃記憶體所帶來的高效能。 群聯電子(Phison)在本次CES全球科技盛會展出系列新QLC快閃記憶體(NAND Flash)儲存方案,從首款PCIe Gen4×4 SSD控制晶片PS5016-E16、PCIe Gen3x4 SSD控制晶片PS5012-E12、至SATA PS3112-S12 SSD控制晶片,均支援最新QLC快閃記憶體技術,最高容量分別達到4TB(E16)、8TB(E12)、與16TB(S12),而最高效能分別達到4.9GB/s(E16)、3.4GB/s(E12)、與550MB/s(S12);再加上針對經濟型消費市場推出高容量2TB與高速達550MB/s的DRAM-Less版本PS3113-S13T SSD控制晶片,為目前完整且量產的QLC SSD儲存方案。 群聯在這次CES電子展中除了SSD以外,也展出全系列搭載QLC快閃記憶體的移動式儲存方案,包含microSD、USB3.2、以及Thunderbolt3儲存方案。
0

2019英特爾重回半導體龍頭 索尼飛躍成長

市場調研機構IC Insights日前釋出研究報告,揭示英特爾(Intel)即便面對全球半導體市場的不樂觀,仍將超越三星(Samsung)重回全世界最大半導體供應商;而索尼(SONY)則以亮眼姿態躍升,於銷售成長率中稱冠。 英特爾在2019年全球半導體供應中排名第一,重回產業龍頭。 根據研究報告指出,2019年全球半導體產業整體銷售量不甚理想,與2018年相比估計減少13%,呈現下滑趨勢。報告中針對2019年全球半導體公司營業額進行排名,前15名排名依序為英特爾、三星、台積電、海力士(Hynix)、美光科技(Micron)、博通(Broadcom)、高通(Qualcomm)、德州儀器(TI)、鎧俠(Kioxia)、NVIDIA、索尼、意法半導體(ST)、英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)及聯發科技。若扣除純晶圓代工廠台積電不計,海思(華為)將排名第15名。 全球排名前15名的半導體公司銷售額預計皆達70億美元,但於銷售量上呈現萎縮,估計比2018年減少15%,比全球估計銷售數值低兩個百分點。 進一步探究前15名,其中僅有三間:索尼、台積電和聯發科,銷售額呈現增長,其餘均呈現衰退,尤其是三大記憶體供應商:三星、海力士以及美光,銷售數字均預計比2018年下降超越29%。其中海力士跌幅最劇,銷售額下降38%。此外,包括記憶體供應商三星、海力士、美光和鎧俠在內,更有六家公司預計2019年銷售將出現兩位數的衰退。 索尼在全球半導體產業不景氣的情勢下,銷售率仍逆勢成長為全球第一。 至於報告中比較的全球半導體公司銷售成長率,上升最顯著的是索尼。歸功於影像感測器的熱銷,在一片負成長中交出超越2018年的好成績,一舉上升4名。相形之下,恩智浦預計將下跌兩名至第14名。 隨著三星於DRAM和NAND快閃記憶體市場的顯著成長,英特爾自2017年第二季便被三星取代久居的首位,連兩年追於其後。但由於2019年記憶體市場的銷售額預估將大幅萎縮34%,英特爾2019年銷售額將以26%的差距超越三星,再次成為全世界最大半導體供應商。
0

叫陣英特爾/三星 東芝XL-FLASH亮相強攻記憶體市場

為進一步擴展記憶體市場版圖與競爭優勢,東芝記憶體(Toshiba Memory)宣布推出全新儲存級記憶體(Storage Class Memory, SCM)解決方案「XL-FLASH」;該方案基於東芝創新的BiCS FLASH 3D flash技術,將為資料中心和企業級儲存提供更低延遲和更高性能,預計於2019年9月送樣,2020年開始量產。 東芝記憶體子公司(Toshiba Memory America)存儲業務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示,借助XL-Flash技術,可為企業伺服器/存儲業者提供更具成本效益、更低延遲的解決方案,彌補DRAM和NAND性能之間的差距,且還為新興技術和行業標準打開了新方向;而該方案無論在成本、性能都具備相當的市場競爭優勢。 據悉,XL-FLASH彌補了DRAM和NAND之間的性能差距。雖然DRAM等解決方案可滿足研科應用所需的傳輸速度,但需要很高的成本。隨著DRAM單位成本限制了其容量的擴展性,新的SCM持久性記憶體解決了密度、成本、性能等問題。 XL-Flash是介於DRAM和NAND快閃記憶體之間的產品,與傳統的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延遲和更高的儲存容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署,但未來也將擴展到DRAM產品線上,例如未來行業標準的非易失性雙列直插記憶體模組(NVDIMM)。 該解決方案特點還包括:128Gb Die(2Die、4Die、8Die封裝);4KB Page大小,高效的作業系統的讀寫;16-plane更高效的並行架構;以及快速的讀取頁面和程式設計時間,XL-Flash提供小於5微秒的低讀取延遲,比現有TLC快10倍。 新發布的XL-FLASH具備許多特點。  
0

Gartner預測2019年全球半導體營收將下滑9.6%

國際研究暨顧問機構Gartner預測,2019年全球半導體營收總計4,290億美元,較2018年的4,750億美元減少9.6%,這是從2018年第4季以來對2019年營收的第三次下修。 Gartner資深首席分析師李輔邦指出,全球半導體市場受多重因素交互影響,正面臨2009年以來最大的跌幅。除了記憶體和其他種類晶片的售價下跌,中美貿易戰和手機、伺服器、PC等主要應用裝置需求停滯亦是不可忽視的因素。半導體廠商應重新評估生產和投資策略,以確保在衰退的市場中仍能站穩腳跟。 DRAM自2018年第三季起受到需求減弱影響,面臨供過於求的狀況,價格持續下滑。2019全年售價預計再下跌42.1%,供過於求現象估計將延續至2020年第二季。應用面來自超大規模伺服器(hyperscale)廠商需求速度減緩,加上DRAM供應鏈庫存持續增加,過去DRAM產業長期供不應求的狀況已在2018年下半年翻轉結束。 僵持不下的中美貿易戰導致匯率不穩定,而美國也因安全考量向中國企業實施貿易限制,對半導體產業的供需狀況帶來長期的影響。一方面這將加速中國國內的半導體生產,並促使中國針對多項技術(如ARM處理器)研發在地化的分支版本。另一方面有些製造商會在中美貿易戰期間遷出中國,或者為了減少未來紛爭而開始找尋多個不同的生產基地。 全球NAND市場則更早從2018年第一季即面臨過度供給,本季價格又因NAND短期需求不如預期而更加下跌。李輔邦表示,Gartner預期手機的高存貨率及固態陣列(Solid-State Array, SSA)需求遲緩將延續到未來幾季,並給價格帶來更大價格下跌壓力,預計要到2019年第四季後市場供需才可望更趨近平衡。不過市場的長期走勢(2022年後)表現就較讓人擔憂,畢竟PC和手機等產品的長期需求增長正在下降,而中國NAND新廠也將增加更多產能,而這些都是影響市場的重要因素。
0

智慧手機儲存需求漲 容量上看1TB

現在1TB儲存容量已經成為智慧型手機的主流,市場調查機構Counterpoint預計全球智慧型手機的平均NAND快閃儲存容量(Flash Memory Capacity )將在今年年底達到83GB,與去年同期相比成長了32%,且幾乎是2017年底全球平均43GB的兩倍。另外,估計到了2019年底,Android智慧型手機的平均存儲容量將達到68GB,iOS則為166GB。 智慧型手機儲存容量1TB的時代來臨。目前三星已經推出了具有1TB NAND快閃記憶體(Flash Memory)的Galaxy S10 Plus,是今年3月發布的Galaxy S10系列的最高存儲規格。嚴格來說,Galaxy S10 Plus並不是世界上第一款1TB智慧型手機,但它是第一款儲存容量這麼高的主流智慧型手機。去年五月,中國品牌Smartisan發布了一款叫作Nut T1的1TB容量智慧型手機,但它的知名度不高,銷售量相當少​​。 各大智慧型手機原始設備製造商每年都會推出旗艦機,每次推出時,NAND快閃儲存容量都不斷成長。Apple在2016年首次推出的iPhone 7系列中導入了256GB的容量,並在2018年的iPhone XS發布了512GB的容量;在iPhone XS發布前一個月,三星則推出了具有512GB NAND快閃儲存的Galaxy Note 9。幾個月後,1TB存儲容量的Galaxy S10 Plus面世。 1TB容量的存儲容量可與高級筆記型電腦媲美,能夠存儲多達250部4GB的電影。由於使用者每天利用智慧型手機拍攝大量的照片,隨著畫素的提升,智慧型手機照片的大小也跟著成長,智慧型手機高儲存容量的需求跟著水漲船高。還有如手機遊戲等需要大容量的智慧型手機應用程式數量的增加,也是推動更高存儲容量需求的另一個重要原因。同時,由於5G的商用化推動高速通訊、AI技術、AR/VR和高清/4K內容的發展,這些應用也推動了高儲存容量的需求。
0

貿澤電子擴充記憶體解決方案

授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與記憶體廠商Micron Technology簽訂全球代理協議,將改變世界資訊的使用方式。簽訂此協議後,貿澤的產品組合將涵蓋關鍵記憶體技術製造商,為全球的客戶供應Micron解決方案。 以超過40年的領先技術經驗為後盾,Micron產品適用於各式各樣的應用,包括運算、網路、資料、伺服器、行動裝置、嵌入式裝置、消費性裝置、汽車和工業等市場。 貿澤電子產品部資深副總裁Jeff Newell表示,該公司很高興有機會代理Micron的各種產品組合,將其高品質的記憶體解決方案介紹給全球的客戶。Micron產品加入貿澤的產品線後,將為設計工程社群提供與世界同步的產品和解決方案。 貿澤已開始供應全系列Micron記憶體產品,包括NAND、DRAM和DRAM模組、多晶片封裝,以及採用矽穿孔(TSV)技術的混合記憶體立方體。貿澤所供應的Micron產品組合亦包含採用3D XPoint技術的新型非揮發性記憶體,延遲較NAND少1,000倍。
0
- Advertisement -
- Advertisement -

最新文章

- Advertisement -

熱門文章

- Advertisement -

編輯推薦

- Advertisement -