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SK海力士90億美元收購英特爾NAND業務

日前SK海力士(SK hynix)與英特爾(Intel)共同宣布協議,指出SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND記憶體與儲存業務。此次轉移的項目包含NAND SSD、NAND元件、晶圓,以及位於中國大連的NAND記憶體製造廠,而英特爾將會持續發展其Optane事業。 SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND記憶體與儲存業務 (圖片來源:英特爾) 現階段SK海力士與英特爾還在等待政府的批准,並預計於2021下半年獲准。待政府通過後,SK海力士便會收購英特爾的NAND SSD事業,包括與NAND SSD相關的IP及研發人員,同時取得大連的工廠。收購的首付款為70億美元,此交易預計在2025年3月完成,並交付剩餘的收購款20億美元。根據協議,英特爾將繼續在大連的NAND晶圓廠製造及設計,直到最終結束營運。 2020年的前六個月,NAND業務佔英特爾NVM解決方案事業部(NSG) 28億美元的收入,並為NSG帶進6億美元的營收。透過此次收購,SK海力士旨在增強其儲存解決方案,包含企業級SSD,增強在NAND Flash產業內的競爭力。 SK海力士曾於2018年開發出基於Charge Trap Flash(CTF)架構的96層4D NAND Flash,2019年則研發出128層的4D NAND Flash。未來SK海力士將結合英特爾的技術與製造能力,創造更良好的3D NAND解決方案。
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宜鼎推96層3D TLC SSD 深入全球工業應用

宜鼎國際(Innodisk),近期以96層3D NAND快閃記憶體產品陣容積極強攻各應用領域,為企業和工業應用帶來了高品質的快閃記憶體存儲方案。宜鼎國際2020年已連續第三年蟬連全球工業級固態硬碟全球市占第一,結合了堅強的軟、韌、硬體研發以及全球技術團隊,打造全方位整合服務,準備好迎接2021需求回溫。 隨著NAND Flash製程演進與市場需求的發展,96層3D TLC固態硬碟(SSD)在市場上具備價格優勢,而宜鼎長期深入各種工業應用市場,提供專為工業與類工業應用開發的各種軟硬韌體,不僅有iDataGuard、iPower Guard 等電源管理保護機制、支援iRetention的韌體技術,層層強化SSD的可靠度及資料保存能力;從NAND Flash到SSD模組都通過符合工業等級的嚴苛測試驗證,提供96層3D TLC固態硬碟更高品質的產品方案。 根據近期公布的全球權威研究機構報告指出,innodisk為全球重要固態硬碟供應商之一,尤其在工業級全球市場已持續三年領先,表現亮眼,多年來憑藉堅強的全球研發與技術團隊,深受全球客戶信賴。宜鼎表示,看好5G、無人應用、醫療等快速膨脹的應用拉動需求面,宜鼎所推出的96層3D NAND SSD,寫入/抹除次數(P/E Cycle)達3000週期,並以高品質以及嚴格的工業級測試流程為準則,樹立工控產品標竿;此外,宜鼎對於長期供貨與各種客製化方案的高度支援,都將深入全球工業應用,共同協力客戶升級至96層3D NAND TLC方案。 宜鼎國際將工業級硬體韌體技術導入96層3D TLC解決方案,打造出規格完整的產品陣容,包括SATA 3TG6-P和3TE7系列,以及PCIe Gen3 x4 3TG6-P和3TE6系列,並具備2.5吋SATA、M.2(2242和2280)以及mSATA等外型尺寸。此外,宜鼎也提供市場較少見的64 GB至4TB的大容量選擇,並提供選配 iCell, AES / TCG Opal及Quick...
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英特爾持續採用3D XPoint 與美光重簽協議

英特爾(Intel)與美光(Micron)日前簽署新的3D XPoint記憶體晶圓供應協議。分析師推測,由於現在美光是3D XPoint記憶體唯一的製造商,英特爾須支出更多預算給美光。此決策顯示英特爾規劃繼續生產採用3D XPoint記憶體的產品,但產品的細節仍有待消息公布。 圖 英特爾搭載3D XPoint記憶體的Optane產品。圖片來源:英特爾 2018年英特爾終止與美光在NAND與3D XPoint的合作關係之後,出售前合夥人位於美國猶他州的晶圓廠。由於英特爾當時尚未將Optane產品所需的 3D XPoint生產移往中國大連的工廠,為確保美光將記憶體賣給英特爾,必須與美光簽訂供給協議。 於2018年十月協議生效時,美光取得工廠的所有權。但是日前兩公司終止該筆交易,並基於價格與預估條款變化而重簽協議。雙方雖未透露協議的細節,但是美光表示,這筆協議不會改變美光先前的立場。 與此同時,市場分析師表示,儘管產品訂價高昂,英特爾仍在3D XPoint上損失大筆金錢。而美光少以3D XPoint為基礎生產產品,可間接推斷3D XPoint的成本不低。截至目前,美光唯一使用3D XPoint記憶體的產品只有X100 SSD。 英特爾與美光的新簽協議,則揭露英特爾打算繼續生產搭載3D XPoint記憶體的Optane系列產品,因其在英特爾的資料中心業務中扮演要角,但英特爾對3D XPoint系列產品的規劃仍有待公告。
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儲存業務發展不如預期 英特爾有意改變策略

英特爾(Intel)正重新考慮過去自產NAND flash的決策,並且可能改由向第三方供應商購買。英特爾財務長George Davis日前在分析師會議中表示,英特爾的固態硬碟(SSD)銷售業務不若預期,使得該公司的NAND Flash業務也受到影響。對此,英特爾正在思考其他策略選項,包含不再自行生產NAND Flash顆粒,改用外購晶片,甚至是直接採購完整的SSD。 英特爾正重新考慮選擇自產NAND flash的決策。圖片來源:英特爾 Davis告訴分析師,NAND flash是英特爾的大賭注,因為NAND在資料中心扮演越來越重要的角色,其觀點對應到英特爾執行長Bob Swan在2019年四月談及2019年Q1財報不理想。Swan說,英特爾正在評估生產NAND的業務,因為此項業務並不賺錢。 針對英特爾自產晶片的脈絡,可以回溯已經解散的合資公司IM Flash。2005年英特爾跟美光(Micron)合資創立IM Flash,專為英特爾及美光生產SSD所需的快閃晶片。IM Flash全盛時期掌管三間分別位於美國與新加坡的工廠。然而2013年英特爾宣布將其中兩家晶圓廠的股份轉售給美光,引起軒然大波。當時英特爾表示,此舉是為了修改兩方的協議,以便雙方都能投入在Optane產品中採用的3D XPoint技術。因此英特爾過多的NAND晶片,再將多餘的產能賣給美光,並建立3D XPoint的未來業務。 XPoint的產品在2015年七月發布,晶片由IM Flash在同時製作3D NAND晶片的狀況下同步生產。不久之後,英特爾在同年宣布於中國大連生產自家的3D NAND晶片。接續而來的重大轉變發生在2018年十月,美光表示有意收購英特爾在IM Flash的股份,隔年美光如願收購,並與英特爾簽下提供XPoint晶片的協議。
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電晶體密度提升速度減緩 摩爾定律越走越艱辛

引領半導體產業向前邁進的摩爾定律(Moore’s Law),近年來明顯遇到瓶頸。記憶體、處理器等使用先進邏輯製程生產的晶片,均已很難按照摩爾定律預期的速度,實現每兩年電晶體數量翻倍。 研究機構IC Insights整理英特爾(Intel)、美國半導體產業協會(SIA)等半導體公司、產業組織的資料,發現不管是DRAM、NAND Flash、CPU或GPU,這些使用最先進邏輯製程的晶片,都已經先後遇上電晶體數量成長速度放緩的問題。 以NAND Flash為例,雖然目前業界已普遍轉向3D結構,但NAND Flash的密度在2012年以後,每年成長速度就只有30~35%。英特爾CPU的電晶體數量,在2010年以前的平均成長速度還有40%,但此後的成長速度則只剩下一半。 蘋果的A系列應用處理器算是比較特別的例外,自2013年以來,A系列應用處理器的電晶體數量成長速度,還能維持在每年40%以上。  
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貿澤攜手兆易創新簽訂代理協議供應高效能記憶體產品

貿澤電子(Mouser)宣布與非揮發性記憶體解決方案供應商兆易創新(GigaDevice)簽訂代理協議並達成合作夥伴關係。簽署此項協議後,貿澤電子現已成為兆易創新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產品的原廠授權代理商,這類裝置適用於汽車、消費性電子裝置、物聯網(IoT)、工業、行動裝置、電腦、網路和電信等嵌入式應用。 多款兆易創新記憶體解決方案。GD25 SPI NOR Flash記憶體產品線可提供四種電壓規格、20年資料保留期和10萬次寫入/抹除次數,具有高可靠性。此產品線包含最新的高速4通道GD25LT系列以及高速8通道GD25LX系列兩種NOR Flash解決方案,後者是為汽車、人工智慧(AI)和物聯網等需要高速讀取/寫入大量程式碼的應用所設計的高效能方案。此外,此產品線的GD25WDxxCK系列採用較小巧的1.5mm×1.5mm USON8模製類型封裝,比現有的3mm×2mm USON8封裝小60%。 GD5F SPI NAND Flash產品線和GD9F Parallel NAND Flash產品線均提供高儲存容量和高效能,可滿足行動裝置、數位機上盒、資料卡、電視等裝置的多媒體資料儲存應用所需。這兩個產品線皆提供兩種電壓規格,密度最高達4Gb(GD5F產品線)或8Gb(GD9F產品線)。採用低接腳計數的GD5F產品線提供最高120MHz的高速時脈頻率,四通道I/O速率最高可達每秒532Mbits(Mbit/s)。GD9F裝置的I/O讀取效能最快可達25ns,並具備晶片內建安全功能,提供多種封裝選項。
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慧榮於Embedded World 2020秀嵌入式儲存/圖形顯示晶片方案

慧榮科技(Silicon Motion)於2月25日至2月27日在德國紐倫堡Embedded World攤位展出一系列瞄準車載及工控市場的嵌入式儲存解決方案及圖形顯示晶片。Embedded World是全球最大的嵌入式電子及工業電腦應用展,本次大會不畏新冠疫情威脅,如期開展。 慧榮科技於Embedded World展出產品包括FerriSSD解決方案,其為需要快速存取及小體積設計的嵌入式應用提供PCIe NVMe/SATA/PATA的單晶片SSD解決方案。慧榮於Embedded World展出新一代的PCIe NVMe FerriSSD,包括SM689和SM681。SM689以PCIe Gen3 x4介面支援具備資料備援的嵌入式DRAM,展現最高達1.65GB/s的連續讀取速度和最高達650MB/s的連續寫入速度。SM681 DRAM-Less系列能在成本與效能考量間取得最佳平衡,設計上少了DRAM能大幅節省成本,同時透過HMB(主機記憶體緩衝)來維持類似DRAM的效能。FerriSSD同時支援商溫和寬溫,提供4GB到480GB 3D TLC/MLC/SLC多種容量及記憶體組態可供選擇。此外,採用慧榮的端到端資料保護、ECC代碼糾錯技術和資料緩存技術,能確保企業級資料儲存的完整性和可靠性,能充分滿足當下車用、商業、企業與工控應用對資料儲存完整性和可靠性的嚴苛要求。 Ferri-UFS解決方案則以良好的技術和NAND管理經驗,支援UFS2.1的先進功能,如HS-Gear3 x 2通道模式和命令佇列。Ferri-UFS透過對寬溫和各種容量的支援,可輕鬆進行PCB設計並降低成本生產,滿足POS機、網路、電信設備和各種先進工業應用的要求。出色的效能、支援多工和高穩定性,使得Ferri-UFS可靈活滿足大量行動裝置和日益興起的嵌入式及可擕式應用的需求。 而Ferri-eMMC解決方案結合NAND快閃記憶體、控制晶片及韌體,與業界標準eMMC 4.5/5.0/5.1通訊協定的JEDEC標準相容,可輕鬆進行PCB設計並降低成本生產,適用於多種嵌入式應用。針對車載資訊娛樂系統應用,Ferri-eMMC通過了業界最高的低dppm及AEC-Q100標準,也提供長產品生命週期支援。業界知名的Silicon Motion控制晶片及韌體技術為Ferri-eMMC提供先進的NAND管理功能,包括錯誤糾正、壞塊管理、健康度監控,能確保資料的可靠性,同時提供強大的資料保護功能,讓Ferri-eMMC成為嵌入式儲存的良好選擇。 慧榮科技最新高性能4K圖形顯示晶片提供了雙顯示通道並支援多個輸出介面,包括PCIe、USB、有線網路和Wi-Fi。主要應用包括PCIe嵌入式繪圖晶片、USB多功能擴充座、USB顯示器、精簡型/極簡型電腦、POS機、數位看板、視訊會議系統等。慧榮科技高效能4K圖形顯示晶片通過PCIe介面或USB 3.0介面連接到主機,SMI獨有的CAT(Content Adaptive Technology, CAT) 內容自我調整技術能通過USB或網路,藉由動態切換演算法來壓縮內容,能大幅降低CPU使用率及USB使用頻寬,提供良好的使用者體驗。
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華邦推新Octal NOR Flash高速/低成本方案

華邦電子日前宣布推出新型高速OctalNAND Flash產品,可望使高容量Serial NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案。 華邦電子經理黃信偉表示,新型OctalNAND Flash將不可能化為可能,認為華邦車用與工業市場的客戶,只需支付Octal NOR Flash一部分的費用,便能在1Gb至4Gb容量裝置上獲得每秒240MB讀寫效能。 首款採用x8 Octal介面的NAND Flash—華邦OctalNAND Flash產品可望提供車用電子與工業製造商高容量的儲存記憶體產品,毋須屈就成本,砸大錢購買NOR Flash。眾所周知,NOR Flash在512Mb以上的儲存容量成本擴充效益不佳。 華邦電子首款採用1Gb W35N01JW全新介面的產品,連續讀取速度最高可達每秒240MB,相較華邦先前發表的高效能W25N-JW QspiNAND Flash系列產品,速度高出3倍,相較市面上一般的Quad Serial NAND Flash產品,讀取速度更是快了將近10倍。 W35N-JW OctalNAND Flash採用華邦通過驗證的46nm SLC NAND製程,提供卓越的資料完整性,且資料保存期更可達10年以上。此產品寫入/抹除次數(Program/Erase...
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調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%

市場調研機構IC Insights日前發布2020至2024年全球晶圓產能預估報告,根據當前排名,三星以15%獨占鰲頭,台積電則以12.8%緊追其後。至於前五名依序為三星、台積電、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)以及鎧俠(Kioxia,原為東芝)。 全球前五大晶圓製造商的總產能超過全球總量的半數。 該機構釋出的報告揭示截至2019年12月全球25大晶圓廠的排名,其中前五大晶圓廠總產能占全球晶圓產能53%,且每月皆生產超過100萬片晶圓,相較之下2009年前五大晶圓廠僅占全球總產能36%。至於其他大廠如英特爾、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)等則紛紛跌至前五名外。 根據統計,三星於全球擁有最大晶圓產能,每月生產超過290萬片晶圓,占全球總產能15%,其中約三分之二用於製造DRAM及NAND快閃記憶體。該公司目前著手於韓國兩處以及中國等三地建造新工廠;居於其後的全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC),以月生產250萬片晶圓的產能占全球12.8%,並計畫持續於台中及台南各新建一座晶圓廠。 歸功於在新加坡新設12吋晶圓廠,使2019年產能提升,美光以9.4%的產能占據全球第三名,每月生產約180萬餘片晶圓。該公司還收購了位於猶他州的IM Flash合資工廠中的英特爾股份,並計畫2020年於美國維吉尼亞州建第二家晶圓廠;排名第四的SK海力士將其超過80%的產能投入DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造,月生產180萬片晶圓,占全球總產能8.9%。該公司於2019年分別於韓國及中國新建晶圓廠,之後將持續於韓國利川開設新晶圓廠 Flash記憶體供應商鎧俠則以140萬片晶圓的產能擠進第五名,占全球總量7.2%。同時該報告亦指出,晶圓製造前五大純晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯電、中芯國際(SMIC)和力積電均躋身全球產能前12名,以月產480萬片的總量占全球總產能的24%。
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Gartner:2019全球記憶體市場衰退 英特爾重奪龍頭寶座

國際研究暨顧問機構Gartner初步調查結果顯示,2019年全球半導體總營收為4,183億美元,較2018年減少11.9%。由於記憶體市場衰退,許多大廠受到負面衝擊,像是2017、2018年營收都排名第一的三星電子(Samsung)也深受影響,讓英特爾(Intel)藉此重新奪回市場冠軍寶座。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示,2019年記憶體市場營收下滑31.5%,占半導體整體銷售的26.7%,其中DRAM從2018年底到2019年全年都供過於求,因此2019年營收下滑37.5%。這次供過於求狀況產生,主要原因在於超大規模(Hyperscale)市場需求突然下滑。OEM庫存水位過高,使得廠商於2019上半年期間都在解決此狀況,而下半年DRAM廠商庫存過多也壓低了價格,造成2019年全球DRAM平均售價(ASP)下滑47.4%。 2019年,英特爾從連續稱霸兩年的三星電子手中,重新奪回全球半導體廠商營收排名第一的寶座(見表1)。由於伺服器市場趨緩、CPU供應持續吃緊、英特爾在去年第四季將蜂巢式調變解調器(cellular modem)業務出售給蘋果(Apple)等因素,導致英特爾2019年半導體營收下滑0.7%。 三星因記憶體市場衰退落到第二名,與其他記憶體廠商一樣因DRAM及NAND flash市場供過於求和價格下滑而陷入苦戰。2019年三星記憶體營收下滑34%,占整體銷售的82%。 表1:2019年全球前十大半導體廠商營收(單位:億美元) 就記憶體部門而言,2019年NAND flash衰退幅度較整體記憶體市場小,營收下滑23.1%,主因是2018年底庫存水位上升,2019年上半需求趨緩又更形惡化。KIOXIA和Western Digital合資成立的晶圓廠發生斷電事故,促使廠商出清庫存,推動價格從低點回升,使2019年7月NAND市場開始穩定。由於市場對於固態硬碟(SSD)及5G智慧型手機需求強勁,Gartner認為NAND市場回溫的趨勢將持續到2020年。 其他類型裝置的營收表現各異。類比產品下滑5.4%,主要原因在於終端設備市場疲軟,尤其是工業與舊款車用產品與其他泛用標準型裝置,例如微控制器和其他邏輯產品;受惠於智慧型手機鏡頭數量不斷增加,光電類則是增長2.4%,創下所有類型裝置當中最佳表現。 Andrew Norwood指出,Gartner預期在廠商清空過高庫存,進而拉抬晶片(尤其是記憶體部門)的平均售價後,2020年半導體市場營收將會上揚。邁入2020年,儘管中美貿易戰的局勢似有緩解趨勢,不過2019年美國已將華為等幾家中國大陸企業列入出口管制實體名單,最直接的衝擊就是迫使華為到美國以外地區尋找替代的晶片供應商,像華為獨資成立的海思半導體(HiSilicon)就是名單首選,其他還有日本、台灣、南韓和中國大陸廠商。這部分將是2020年的觀察重點之一。
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