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英飛凌高效多模強制頻率諧振數位控制IC亮相

英飛凌(Infineon)推出首款支援一次側零電壓切換(ZVS)的高效率返馳式控制器XDP數位電源XDPS21071,適用於USB-PD或QuickCharge等快速充電應用,亦可針對各種輸出應用發揮良好的輕載效率。 XDPS21071是一款高效能的數位返馳式控制器,整合雙MOSFET閘極驅動器和600V空乏型啟動單元。一次側控制器可驅動返馳拓撲的高電壓外部MOSFET和外部低電壓MOSFET,產生可用高電壓MOSFET達到ZVS條件的脈衝,可支援高達140kHz的固定頻率切換。 本裝置專利的強制頻率諧振(FFR)切換架構採用數位演算法,可透過參數設定(含UART連接埠)進行配置以符合各種應用需求及國際規範標準要求的轉換效率(即EU CoC version 5 Tier 2和DoE Level VI)。由於裝置具備智慧型、自適性的多模作業,能以適合的作業模式(即FFR、CrCM、突發模式)應對各種線路/負載條件,使系統發揮前所未有的效能,輕易完成設計與系統最佳化,還能透過ZVS作業達到低切換耗損。只增加些許的BOM成本,便能得到高系統效能。此控制器具備自適應過電流保護功能,並符合無鉛與RoHS規範。
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Littelfuse柵極驅動器評估平台加速碳化矽電源轉換器設計週期

電路保護、功率控制和感測技術製造商Littelfuse日前宣布推出柵極驅動器評估平台(GDEV)。新的評估平台可幫助設計師評估碳化矽MOSFET、碳化矽肖特基二極體和柵極驅動器電路等其他周邊元件,使其更易瞭解碳化矽技術在連續工作條件下如何在轉換器應用中發揮作用。 Littelfuse功率控制總監Corey Deyalsingh表示,柵極驅動器評估平台(GDEV)是碳化矽技術產品組合的重要拓展,因為碳化矽仍是一種相對較新的技術,而且在各種條件下的運行特性還存在一些未知數。GDEV可幫助工程師瞭解碳化矽器件的工作特性。透過利用此評估平台,設計師將能更易瞭解碳化矽技術帶來的節能機會。掌握這些知識之後,預計設計師將更有可能將碳化矽納入他們的未來設計中。 與大多數其他碳化矽評估平台不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致比較不同的柵極驅動器電路。GDEV支援800V DC連結輸入電壓和高達200kHz的開關頻率。 Littelfuse的柵極驅動器評估平台使用戶能夠評估碳化矽功率MOSFET和二極體在額定電壓和額定電流下的連續工作,為負載提供有功功率;並分析與基於碳化矽的設計相關的系統影響,包括效率提高、EMI排放和無源組件(尺寸、重量、成本);同時在定義明確且經過優化的測試條件下比較不同柵極驅動器解決方案的性能;且在連續工作條件下測試柵極驅動器電路,以評估柵極驅動器的熱性能和EMI抗擾性。
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英飛凌新半橋式SOI驅動器整合靴帶式二極體

英飛凌(Infineon)擴展旗下EiceDRIVER產品系列,推出採用英飛凌SOI(Silicon On Insulator)技術的650V半橋式閘極驅動器。該產品可提供負瞬態電壓抗擾性、單片整合實體的靴帶式二極體,以及針對MOSFET和IGBT變頻應用提供絕佳的閂鎖效應防護。這些功能可實現穩定可靠的設計,並且降低BOM成本。高輸出電流系列2ED218x專為電磁爐、空調壓縮機、交換式電源供應器(SMPS)和不斷電系統(UPS)等高頻應用所設計。低輸出電流的2ED210x系列則是專為家電、電動工具、馬達控制及驅動器、風扇和幫浦設計。 2ED218x為2.5A高電流EiceDRIVER系列,而2ED210x為0.7A低電流系列,兩款皆提供關機保護功能、獨立的邏輯和電源接地的版本。整合式靴帶式二極體結合30Ω導通電阻提供快速的逆向回復功能。間隔300ns重複脈衝的-100V負瞬態電壓(VS)抗擾性可提供穩固性與可靠的運作。此外,包括具有預防跨導邏輯的整合死區時間,以及高低側電壓供應的獨立欠壓鎖定(UVLO),支援安全操作。閘極驅動器系列的傳播延遲大約為200ns。
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東芝推車用100V N通道功率MOSFET

東芝(Toshiba)新推出兩款車用48V電氣系統應用的100V N通道功率MOSFET。該系列包括擁有低導通電阻「XPH4R10ANB」有利於降低設備功耗,其漏極電流為70A,以及「XPH6R30ANB」,其漏極電流為45A。產品量產和出貨已經開始。 新產品是東芝首款採用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N通道功率MOSFET。封裝採用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查,進而有助於提高可靠性。 主要特性包括使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝,並通過AEC-Q101認證。產品具低導通電阻:RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)、RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB);封裝則採用可焊錫側翼端子結構的SOP Advance(WF)封裝。 至於新品應用領域涉及車用設備,如電源裝置(DC-DC轉換器)和LED頭燈等(電機驅動、開關穩壓器和負載開關)
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意法宣布完成Norstel AB併購

意法半導體(ST)宣布完成對瑞典碳化矽(SiC)晶圓製造商Norstel AB(Norstel)的完整收購。在2019年2月宣布首次交易後,意法半導體行使期權,完成收購剩餘的45%股份。Norstel併購案總金額達1.375億美元,由現金支付。 意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,在全球碳化矽産能受限的大環境下,併購Norstel將有助於強化ST內部的SiC生態系統,同時提升該公司的生產彈性,讓公司能夠更完善地控制晶片良率和改善品質,並支援碳化矽長期的產品規劃和業務發展。實施此次併購與第三方簽署晶圓供應協議,目的是為確保晶圓的供給量,以滿足在車用和工業領域之客戶在未來幾年對於MOSFET和二極體成長的需求。 Norstel將被整合到意法半導體的全球研發和製造業務中,並持續研發150mm碳化矽裸片和外延片生產業務,以及研發200mm晶圓和更廣泛的寬能隙材料。
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採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

GaN損耗低 直接驅動優勢多 在設計開關電源時,主要品質因數(FOM)包括成本、尺寸和效率。將這三個FOM結合在一起,就需要綜合考慮多種因素。例如,提高開關效率雖然可以減少磁性元件的尺寸和成本,但也會增加磁性元件的損耗和電源裝置的開關損耗。由於GaN的截止電容較低且無二極管反向恢復,因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT有顯著降低損耗的能力。正常情況下,MOSFET/IGBT驅動器會提供合適的開啟和關閉電流以支持輸入電容。驅動器輸出和裝置閘極之間的外部電阻能控制開關速度,並抑制功率和閘極迴路振鈴。隨著GaN的開關速度增加,外部零組件會增加過多的寄生電感(Parasitic Inductance)來控制開關。藉由GaN裝置將驅動器整合到封裝中,可以大幅減少寄生電感,降低開關損耗,並最佳化驅動控制。 GaN中的本體二維電子氣(2-DEG)層可以在源極和汲極之間使裝置在零閘-源電壓下導通。為安全起見,當偏壓功率不可用時,必須關閉開關電源供應器使用的功率裝置後才能斷開輸入和輸出的連接。為了模擬增強型裝置,將低壓MOSFET與GaN源串聯。圖1顯示了實現這一點的兩種不同配置:串接和直接驅動。 圖1 串接和直接驅動配置方式 接下來將比較功耗,並描述與每種方法相關的注意事項。在串接配置中,GaN閘極接地,並驅動MOSFET閘極以控制GaN裝置。由於MOSFET是矽元件,許多閘極驅動器都可輕鬆獲得。然而,由於GaN閘-源極電容(CgS)和MOSFET Coss必須在GaN裝置關閉前充電達到GaN臨界值電壓,因此這種配置顯示出更高的組合Coss。 在直接驅動配置中,MOSFET是打開的,且由接地電壓和負電壓(VNEG)之間的閘極驅動器驅動的GaN閘極打開/關閉組合裝置。此外,MOSFET Coss不需要充電。關閉GaN Cgs的電流來自於較低的偏壓電源。較低的供應電壓可提供相同的GaN閘-源極電荷(Qgs),以降低功耗。在開關頻率較高的情況下,這些功率差異會大幅增加。反向恢復Qrr損耗在串接配置中發揮作用。這是因為在第三象限傳導中,MOSFET呈關閉狀態,並通過內接二極體傳導。由於負載電流反向流動,MOSFET中出現儲存電荷。克服反向恢復電荷的電流來自高壓電源,會導致大量損耗。 然而,在直接驅動配置中,MOSFET始終處於開啟狀態,而其寄生二極體因為較低的RDSon而不開通;因此,在直接驅動配置中不存在與Qrr相關的功率損耗。 在串接配置中,關閉模式下GaN和MOSFET之間的電壓分布會使得MOSFET因高GaN汲-源極電容(Cds)而突崩。 一種解決方案是在MOSFET的汲極和源極並聯的情況下增加一個電容器。然而,這種方法只適用於柔性開關應用,在硬性開關應用中會產生高功耗。 由於GaN閘極與MOSFET的源級相連,因此無法控制串聯驅動中的開關速度。在硬性開關操作中,GaN Cgs、MOSFET Coss和MOSFET Qrr中有效Coss的增加,以及可能因防止MOSFET突崩所產生的電流傳導,會在初始充電期間產生更高的汲極電流。這種更高的汲極電流會導致串接驅動中的功耗更高。 MOSFET的汲極電荷足以關閉GaN裝置之後,汲極中Coss的驟降,加上流過功率迴路電感的汲極電流較高,導致串接配置中的開關節點產生過大的振鈴。圖2為硬性開關事件中的開關波形,在此模擬中,直接驅動配置在每次硬性開關事件中消耗的能量更少,即使其開關速度較低,振鈴也較小(直接驅動50V/ns時為4.2W,相較串接驅動150V/ns時為4.6W,均帶5A負載電流)。 圖2 硬性開關操作導致振鈴過大。 另一方面,直接驅動配置在開關操作過程當中可直接驅動GaN裝置的閘極。當不存在偏壓電源的時候,MOSFET閘極會被拉至接地,並且以與串接配置相同的方式來關閉GaN裝置。 只要存在偏壓電源,MOSFET會保持開啟狀態,且寄生電容和內接二極體會從電路中移除。直接驅動GaN閘極的優勢在於可以藉由設定對GaN閘極充電的電流來控制開關速度。對於升壓轉換器,驅動器電路的簡單模型如圖3所示。可以從這個模型中推導出方程式。 圖3 直接驅動配置的驅動路徑模型 公式1證明當GaN裝置具有足夠的閘-汲極間電容(Cgd)時,利用閘極電流,可透過米勒反饋(Miller Feedback)來控制開關事件的速度。對於Cgd較低的裝置來說,此種反饋將流失,且裝置的跨導(gm)控制著開關速度。    公式1   直接驅動配置的另一個優勢在於可以給閘極迴圈增加阻抗來抑制其寄生共振。抑制閘極迴圈也可以減小功率迴圈中的振鈴,使得GaN裝置上的電壓應力降低,減少硬式開關期間的電磁干擾(EMI)問題。 圖2的模擬顯示了以功率和閘極迴圈寄生電感為模型的降壓變換器中開關節點振鈴的差異。直接驅動配置有一個過衝量非常小的受控開關。然而,由於閘極迴圈中的初始COS、Qrr較高與較低的阻抗,串接驅動的振鈴和硬式開關損耗明顯更高。 整合閘極驅動器 GaN FET開關控制更順暢 以德州儀器(TI)旗下的LMG341X系列600V GaN裝置為例,該產品為首款整合GaN FET plus驅動器和保護特性的產品,並且是8mm×8mm的方形扁平無針腳(QFN)封裝多晶片模組(MCM),包含一個GaN FET和一個使用整合20V串聯FET的驅動器,總RDSon為75mΩ。 圖4為此裝置的方塊圖。閘極驅動器提供了GaN FET直接驅動能力,並具有一個內建的降壓/升壓轉換器來產生關閉GaN FET時所需的負電壓。閘極驅動器採用單一12V電源供電,並擁有一個內部低壓差穩壓器(LDO),可以用來生成為驅動器和其他控制電路供電的5V電源軌。內部欠壓鎖定(UVLO)電路保持安全FET關閉,直到輸入電壓高於9.5V。UVLO超過自身的臨界值時,降/升壓轉換器即打開並為負電源軌(VNEG)充電。一旦VNEG電源電壓超過其自身的UVLO,驅動器就會啟用。 圖4 單通道600V、76-ΩGaN FET電源極的方塊圖 與分離式GaN和驅動器相比,LMG341x系列的整合直接驅動裝置具有很多優勢。閘極驅動器的一大重要作用是在硬式開關事件期間對開關速度的控制。 另外該產品使用可程式化電流源來驅動GaN閘極。電流源提供阻抗來抑制閘極迴圈,並允許用戶以控制的方式將開關速度從30V/ns編程至100V/ns,以解決電路板寄生和電磁干擾問題。 藉由將串聯FET整合到驅動器的積體電路(IC)中,敏感FET和電流感測電路為GaN FET提供過電流保護。這一關鍵特性可以提升系統整體可靠性。這種電流感測方案在使用強化模式GaN裝置時是不適用的。當流過GaN FET的電流超過40A時,電流保護電路會跳脫。過電流事件發生後的60ns內,GaN FET會關閉,以防止晶片過熱。 藉由將驅動器晶片包裝在與GaN FET相同的晶片連接焊盤(DAP)上,驅動器晶片上的引線框架可以感測到GaN裝置的溫度。驅動器在過熱時可以透過停止GaN驅動來保護裝置。整合的GaN裝置也可以提供故障輸出,以通知控制器開關因為出現故障而停止。為了使用直接驅動方法來驗證操作,我們創建了一塊半橋式板,並將其配置為降壓轉換器;並使用ISO7831雙向位準偏移器來饋送高側驅動訊號,並恢復位準偏移故障訊號。 在圖5中,GaN半橋式配置從480V匯流排以1.5A的電壓以及100V/ns的開關速度切換。①表示開關節點波形,②表示感應器電流。硬式開關導通狀況較好,並有~50V過衝電壓。該波形使用1GHz示波器和探針測得,用來觀察是否存在任何高頻振鈴。快速地接通,加上截止電容的減少以及缺少反向恢復電荷,使得基於GaN的半橋式配置能夠高效地切換,甚至作為硬式開關轉換器。 圖5 降壓開關波形示例 總結來說,GaN在減少截止電容和無反向恢復方面提供的優勢開闢了在使用硬式開關拓撲結構的同時能保持高效率的可能。若要最大限度地發揮GaN帶來的優勢,則需要控制高開關速度,也因此需要一個最佳的組合封裝驅動器和精細的電路板布線技術。組合封裝驅動器有助於減少閘極迴圈寄生,以減小閘極振鈴。有了精細布線的印刷電路板(PCB),最佳化的驅動器就可以讓設計人員控制開關事件的速度,並將振鈴和電磁干擾降到最低。這一效果是通過GaN裝置的直接驅動配置實現的,而非串接配置。 而LMG341x系列元件能夠讓設計人員以30V/ns到100V/ns的開關速度控制各種裝置的開關。此外,驅動器可以提供過電流、過熱和欠壓防護。 (本文作者皆任職於德州儀器)  
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48V電壓系統嶄露頭角 車載雙向降壓/升壓控制器建功

48V解決12V系統的局限性 新結構由兩個獨立的分支組成。傳統的12V匯流排採用鉛酸電池來滿足車載娛樂系統、照明與車窗等常規負載;而新的48V系統可以支援更繁重的負載,如:起動機發電機組、空調壓縮機、主動底盤系統、電動增壓器、渦輪增壓器和回饋制動。 如圖1所示,雙向電源供應將12V系統和48V系統橋接起來。不僅減輕汽車的重量,同時也提高了燃料效率,減少二氧化碳排放。48V系統可減輕線束(Wiring Harness)的重量。電壓越高,線規越小,這樣可以在不犧牲性能的情況下縮小電線尺寸和重量;如今高級車輛的接線長度可達4公里以上。 圖1 12V/48V雙向電源供應系統 與傳統的12V電池相同,48V鋰離子電池或超級電容器與雙向DC/DC轉換器能提供高達10kW的可用功率使雙電池系統更加完善。雙向電力傳輸需要在電池放電時給電池充電,並且在超載情況下為相反的電壓軌提供額外的電力。本文將討論12V/48V系統的要求,以及使用創新平均電流模式控制方案。該降壓/升壓控制器實現雙向能量轉換的所有控制電路,使系統明顯比傳統的離散式方案更為簡化。 LV 148標準規範 48V電池汽車系統的LV 148標準規定48V電源軌上的最大電壓必須達到70V且至少保持40ms。此外,在這種過載電壓情形中,系統必須保持正常運作,且不會產生任何性能損失。對於半導體供應商而言,這意味著連接到48V電源軌的所有電源都必須承受70V輸入電壓。然而汽車業者認為安全係數應該達到10%或更高;為了滿足這個期望,未受保護的48V電源軌上零組件的額定電壓應為100V。 對於從48V電源軌到12V電源軌的電力傳輸,可使用降壓轉換器;12V至48V的電源傳輸則可使用升壓轉換器。降壓和升壓拓撲結構在功率電子領域是眾所周知的,但設計兩個獨立的轉換器將占用電路板空間,並增加系統複雜性和成本。 設計工程師通常使用數位控制方案管理12V和48V雙電池系統,該方案包括多個分立元件,如電流檢測放大器、閘極驅動器和保護電路。德州儀器(TI)提供混合式架構,其中微控制器(MCU)處理更進階的智慧管理,而整合類比控制器(如LM5170-Q1)提供電源轉換功能。LM5170-Q1還可以在純類比功能中運用,並將MCU從迴路中移除。 LM5170-Q1可在雙48V和12V汽車電池系統之間高效傳輸每相500W以上的電力,並提供整合的電流檢測放大器和高電流閘極驅動器。系統保護功能包括整合斷路器和獨立的相電流監控,可避免使用額外的分立元件。並聯堆疊多個控制器可以提供千瓦的功率(圖2),48V匯流排可為驅動各種系統提供10kW的功率。 圖2 LM5170的電流控制迴路 平均電流模式控制方案在由方向輸入回應(DIR),訊號指定的方向上調節在高壓埠和低壓埠之間流動的平均電流。將DIR設置為「1」時,電源從48V埠流向12V埠。將DIR設置為「0」時,電源從12V埠流向48V埠。DIR指令(DIR command)定義如何在降壓或升壓模式下控制Q1和Q2。 傳統的平均電流模式控制方案存在兩個挑戰:電流迴路傳遞功能隨工作電壓和電流條件而變異,且雙向操作需要兩個不同的迴路補償。在TI的LM5170-Q1中,雙向操作的傳輸功能相同。由於TI解決方案保持固定迴路增益,因此它允許單個電阻-電容(RC)網補償降壓和升壓轉換。 LM5170-Q1控制方案的優點,包括以下幾點: 高準確度:控制器的1%精確雙向電流調節確保精確的電力傳輸。 功率效率:LM5170-Q1能實現高於97%的系統效率。 高精密度:控制器具備99%的準確度監控電流。 高功率:整合的5A峰值半橋式閘極驅動器提供高功率能力。 卓越的性能:同步整流器金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的二極體模擬模式可防止負電流並提高輕負載效率。 汽車品質:LM5170-Q1獲汽車電子委員會(AEC)-Q100認證。表1列出了48V系統中需要考量的功能。 如圖3所示,簡化的應用電路展現LM5170-Q1的整合特性。 圖3 簡化的應用電路 在LM5170-Q1控制器上,類比訊號或數位脈衝寬度調變(PWM)輸入規劃了電流調節層級。雙通道差分電流檢測放大器和專用通道電流監視器達成典型的1%精確度。5A半橋式閘極驅動器能夠驅動並聯MOSFET開關,提供每相500W或更高的功率。同步整流器的二極體模擬模式能防止負電流並提高輕負載期間的非連續模式操作的效率。保護功能的特色包括逐週期電流限制,高壓和低壓埠的過壓保護,MOSFET故障檢測和過熱保護。 功率層級與控制電路 48V-12V雙向轉換器操作的平均電流模式控制方案具有以下功率級: .高側FET(Q1) .低側FET(Q2) .功率電感器(LM) .電流檢測電阻(RCS) .兩節電池:一節在高壓埠,一節在低壓埠。 控制電路包括: .透過DIR指令(0或1)進行方向轉向且增益為50的電流檢測放大器。 .用作電流迴路誤差放大器的跨導放大器(Transconductance Amplifier),在非反相針腳上施加參考訊號(ISET)以設置相位直流電流調節值。 .PWM比較器。 .與高壓埠電壓成比例的斜坡訊號。 .由DIR控制的轉向電路應用PWM訊號控制Q1或Q2作為主開關。 .COMP節點處的迴路補償網路。 48V-12V雙向轉換器通常必須具有高精確度的電流調節(優於3%),以精密地控制從一個電池軌向另一個電池軌傳輸的電量。由於高功率,系統通常需要交錯並聯多相電路來共用總負載,且共用應在各個相位之間保持均衡。由於不能實現多相共用,所以電壓控制模式拓撲並不合適。 LM5170-Q1藉由同步多個控制器實現更多相位,並達成多相並聯運行。每個相位與相移時鐘同步。使用多相架構可減少零組件的物理尺寸,並使得熱管理更加容易。為了並聯每個功率相,在降壓或升壓模式操作中的控制方案是電流模式控制。多相操作還可使得每相交錯切換,以減少輸出波紋,以降低電磁干擾(EMI)。 最後,在使用兩節電池的情況下,在維護期間可拆卸一個或兩個汽車電池並重新連接。在重新連接期間,可能將電線連接到錯誤的電池接線頭,並損壞ECU中的元件。為避免這種類型的損壞需要反極性的保護。由於功率損耗高,無法使用蕭特基二極體。相反,LM5060-1-Q1高側斷路器控制器和n通道MOSFET降低了功耗。當與電源串聯時,LM5050-Q1與外部MOSFET一起作為二極體整流器工作。可以連接5V至75V的電源供應,並可承受高達100V的瞬態電壓。 滿足未來汽車電氣系統需求 LM5170 48V-12V雙向轉換器評估模組(EVM)旨在展示LM5170-Q1控制器。可以藉由外部指令訊號或板載跳線(Onboard Jumper)控制電流的方向。透過板載介面接頭,可以使用數位訊號處理器(DSP)、現場可編程陣列(FPGA)、MCU或其他數位控制器來操作EVM。 此外,12V/48V汽車系統的雙向DC/DC轉換器參考設計滿足12V/48V汽車系統的典型工作電壓要求。該系統使用兩個LM5170-Q1電流控制器和一個MCU進行功率級控制,為系統提供電壓回饋。TI的12V/48V解決方案採用創新的平均電流控制方案提供電流控制,消除了額外的相電流平衡電路。LM5170-Q1具備高度整合程度,可減少印刷電路板面積,簡化設計並加速開發。 (本文作者為德州儀器汽車動力系統系統工程師)
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專訪達爾全球離散元件產品副總裁唐逸鵬 功率離散元件尤重基本功

有鑑於此,除了少數擁有特殊設計或製程know-how的業者外,許多國際大廠已漸漸從這個領域淡出,改推整合式產品,例如結合控制器跟MOSFET的電源管理晶片(PMIC)。但達爾(Diodes)全球離散元件產品副總裁唐逸鵬認為,只要掌握核心技術,而且基本功夠紮實的團隊,在這個紅海市場上還是大有可為。 電路抄襲沒用 離散元件差異化全靠基本功 出身類比晶片名門國家半導體(National Semiconductor; NS)的唐逸鵬回憶說,早年NS都會定期出版一份教科書等級的刊物,詳盡介紹自家產品的設計架構跟工作原理。NS之所以如此大方,是因為該公司根本不怕其他競爭同業抄襲。 他解釋,類比產品有一個特性:即便電路設計一模一樣,搭配不一樣的製程參數跟材料,就會有天差地遠的性能表現。所有的魔鬼都藏在細節裡,如果設計團隊沒有對製程、材料、物理學有很深的理解,就會掉入這些陷阱中。而這正是國家半導體之所以在類比元件市場得以成為一方之霸,最後被德州儀器(TI)高價收購的原因。 而在各式各樣的類比產品中,二極體跟MOSFET這類離散元件,又是最考驗研發團隊基本功的產品。因為這類元件的功能相對單純,不像其他類比產品還有很多花樣可以玩,因此,要把二極體跟MOSFET做好,除了把馬步紮穩,把材料、製程徹底摸熟之外,別無他途。當然,隨著技術進步,現在的二極體跟MOSFET產品也開始整合一些周邊,例如靜電放電(ESD)等保護功能,但核心的二極體或MOSFET本體,拚的還是基本功。 也因為如此,即便各家離散元件供應商的產品乍看之下都差不多,有些小廠甚至還有電路設計抄襲的疑慮,但領導廠牌的產品,就是會有一些特殊的功能或規格,是抄不來的。有些很特別的產品,甚至還有專為某些客戶族群的需求而設計,沒寫在規格書上的隱藏規格。 有核心技術的團隊,在紅海市場上還是能創造藍海。如果是連BCD製程特性都還沒完全掌握的業者,光靠抄襲電路設計,是沒辦法進入這類特殊市場的。 其實,這也是台灣電子工程教育的一個大問題,BCD製程是類比元件的核心,由Bipolar、CMOS與DMOS組成,台灣的IC工程師大多只熟悉CMOS,對Bipolar則是一知半解,有花心思去深入研究DMOS的,就更屈指可數了。但Bipolar是製造高性能類比元件不可或缺的製程,因為它的線性度非常優異,類比元件的輸入端跟輸出端都得靠Bipolar;至於DMOS,則是MOSFET這類離散元件的核心製程之一。 打造高C/P產品 敏銳商業嗅覺不可少 不過,除了技術實力之外,離散元件終究是個成熟市場,因此業者之間的競爭,除了技術力之外,商業經營的能力也很重要。唐逸鵬認為,有好的技術,搭配對市場跟客戶需求的預估,才能推出恰到好處的高性價比產品,進而讓客戶買單。如果只有好技術,固然能生產出規格優異的產品,但如果成本不符合客戶期待,客戶還是不會買單的。 換言之,在離散元件這個產業,好的團隊要做大,比小的團隊要做大來得容易。市場經營、研究客戶需求跟培養研發團隊,都有一定的規模門檻存在。達爾過去幾年就看到一些擁有潛力技術,但規模不夠的團隊。 達爾藉由購併、投資將這些團隊納入旗下,跨過規模門檻後,讓這些技術得以從實驗室走向量產,並不斷改進,以滿足未來的客戶需求。這對創業團隊跟達爾來說,是雙贏的局面,也是達爾近幾年能快速成長,躋身全球主要離散元件供應商的原因之一。 整體來說,功率離散元件是一個非常分散的市場,僅以二極體來說,達爾的市占率排名在全球前五,其他大廠分別為威世(Vishay)、羅姆(Rohm)、安森美半導體(On Semiconductor)、英飛凌(Infineon)。但排名第一的威世,也僅擁有一成左右的市占率。如果是以整個功率離散元件(包含二極體、MOSFET、IGBT等)來看,英飛凌是全球最大供應商,達爾排名約在十名上下。但就如同二極體市場,排名最高的英飛凌也僅有一成多市占率。這顯示功率離散元件是一個供應商林立,競爭相當激烈的市場。想在這個市場的競爭中脫穎而出,不僅要有紮實的技術,也要有正確的產品定位。 Credo執行長Bill Brennan表示,HiWire AEC讓系統供應商能更快速地邁入400G,並且維持支出與收益的平衡。  
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意法推出600V三相智慧關斷閘極驅動器

意法半導體(ST)新款STDRIVE601三相閘極驅動器用於驅動600V N通道功率MOSFET和IGBT電極體,穩定性位居目前業界最先進之水準,可耐受低至-100V的負尖峰電壓,邏輯輸入回應速度在85ns以內,處於同級產品一流水準。 STDRIVE601內建智慧關斷電路,可提升保護功能的啟動速度,在檢測到超載或短路後,立即關閉閘極驅動器輸出。用外部電容和電阻設定斷態持續時間,必要時,設計人員可以用較大的C-R值設定所需時間,而不影響關斷反應時間。STDRIVE601配備故障指示器腳位。 STDRIVE601可以替代三個半橋驅動器,簡化PCB電路板配置設計,優化三相馬達驅動器的性能,以驅動家電、工業縫紉機、工業驅動器和風扇等設備。 所有輸出均可灌入350mA電流,源出200mA電流,閘極驅動電壓範圍為9V~20V,可驅動N道功率MOSFET或IGBT電極體。低邊和高邊之間的延遲配對功能消除了週期失真現象,並允許高頻開關操作,而互鎖和死區特性可防止交叉導通。 STDRIVE601採用意法半導體的BCD6S離線功率開關製程,驅動電源是高達21V的邏輯電源電壓和高達600V的高邊自舉電壓。驅動器整合了自舉二極體,可節省物料清單成本,此外,低邊和高邊驅動電路皆具備欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout, UVLO)功能,可防止電源開關在低效能或危險狀況下執行。 EVALSTDRIVE601評估板現已上市,可以幫助使用者發現更多STDRIVE601驅動器的功能,快速研發並執行首個原型系統。STDRIVE601晶片現已量產,其採用SO28封裝。
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英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達48 kHz的切換頻率,特別適合新一代1500 V太陽能光電和儲能應用的需求。 全新ANPC拓撲支援99%以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置,在像是1500 V太陽能串列型變頻器的DC/AC級中實作混合式Easy 2B功率模組,可實現更小的線圈。因此,其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器。除此之外,使用碳化矽的損耗也小於矽的損耗,如此一來,須排放的熱減少了,也可縮小散熱器的尺寸。整體來說,可打造更精巧外型的變頻器,並節省系統成本。相較於五階拓撲,3階的設計可降低變頻器設計的複雜度。 採用Easy 2B 標準封裝的功率模組具有領先業界的低雜散電感特性。此外,CoolSiC MOSFET晶片的整合式本體二極體可確保低損耗續流功能,無須額外的SiC二極體晶片。NTC溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT壓接技術則可縮短生產時的組裝時間。
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