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EVG攜手INKRON開發高折射率材料/奈米壓印微影製程技術

微機電系統(MEMS)、奈米科技與半導體市場的晶圓接合暨微影技術設備之廠商EV Group(EVG)日前宣布和致力於高低折射率塗層材料的製造商Inkron的合作夥伴關係。兩間公司將為開發和生產高品質繞射光學元件(DOE)結構提供優化的製程和相符的高折射材料。這些DOE結構包括用於擴增實境、混合實境、虛擬實境(AR/MR/VR)元件的波導管,以及在車用、消費性電子和商業應用中的先進光學感測元件,如光束分離器和光束擴散器。 EVG技術開發和IP總監Markus Wimplinger表示,商用和消費者市場對晶圓級光學元件和感測器的需求正以驚人的速度成長,催生所需的原物料及製程的優化,以達到市場所需的效能及產能。Inkron在光學材料方面擁有廣泛的專業知識,並且是高折射和低折射塗層材料的製造商之一,Inkron能成為該公司在NILPhotonics技術處理中心合作的理想夥伴。這樣的合作能使EVG進一步探索和擴展該公司NIL技術的應用和特性,而得以為下一世代光學元件和其終端產品提供可用於量產的解決方案。 此合作夥伴關係在位於EVG總部奧地利的NILPhotonics技術處理中心內展開。EVG的NILPhotonics技術處理中心為NIL供應鏈中的客戶和合作夥伴提供一個開放式的創新平台,其目的為縮短新創光學元件及其應用的開發週期和產品上市時間。因應該協議的一部分,Inkron為自己的研發機構購買EVG 7200 NIL系統,以加速新光學材料的開發和驗證。EVG 7200系統利用EVG的創新SmartNIL技術和材料經驗,能夠大規模量產小至30nm的微米和奈米級結構,其特色還包含只需用到較小的脫膜力道同時能維持結構不至變形,快速的高功率曝光和平順的脫模。
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2020美國西部光電展肖特/Inkron/EVG/WaveOptics聯手推新波導片

擴增實境(AR)領域的公司之間攜手加快消費級AR穿戴設備的開發進程。肖特集團、Inkron公司,EV集團(EVG)和光波導元件廠商波光(WaveOptics)在2020美國西部光電展上展示首個在玻璃基板上制成的折射率為1.9、結合奈米樹脂結構的波導片。該波導片的生產於一個300mm晶圓上完成,此晶圓現已可大量生產。 肖特擴增實境領導人Ruediger Sprengard博士表示,市場對與高折射樹脂結合的高折射玻璃一直都有很高的需求。肖特攜手合作夥伴Inkron再一次為先進波導的基礎設備提供先進的解決方案。最新一代的肖特RealView光學玻璃性能可以與高折射樹脂結合,並能滿足EVG的NIL工藝實現量產要求,已經可以開始下一代視場波導片的製造。 德國肖特現推出折射率為1.9,直徑為300 mm的肖特RealView高折射率玻璃晶圓。此晶圓的大量生產為下一代AR波導片的量產提供基礎,在保證AR所需的極高精度標準的同時,單位成本更低。奈米技術公司Inkron所生產的樹脂折射率為1.9,藉由全整合和體量驗證的EVG HERCULES NIL奈米壓印工藝平台,該樹脂可在單個300mm SCHOTT RealView1.9晶圓上壓印多達24個波導片。此產品融合高性能波導光學設計公司WaveOptics提供的波導結構、肖特的專業光學玻璃製造經驗、Inkron的樹脂配方與EVG的標準奈米壓印工藝(NIL)攜手塑造AR未來。 在2020美國西部光電展上,各公司將首次公開展示為大規模生產寬視場角設備所做出的努力。高折射率玻璃和樹脂的這種新組合在300mm晶圓上的應用並證明300mm玻璃與樹脂的相容性,為低成本的AR波導製造系統奠定基礎。 肖特AR創新經理Frederik Bachhuber博士表示,與合作夥伴Inkron和EVG聯手,這標誌著我們朝著滿足消費者市場方向邁出了重要一步。一方面用性能良好的產品對AR玻璃晶圓進行不斷創新;另一方面該公司與夥伴合作為零件賦予「光學生命」,而且馬上可實現大量生產。 在EVG的NIL光子學技術中心,使用其專門的晶圓加工設備製造演示器。其中包括EVG最近推出的HERCULESNIL 300mm全模組化和具有SmartNIL技術的整合式UV-NIL系統,可在直徑最大為300mm的基板上複製結構。 Inkron的高RI樹脂IOC-133具有高折射率(1.9)、出色的可加工性和光學性能。這些材料特徵與肖特 RealView基板以及EVG的專業工藝結合,為WaveOptics的波導設計奠定堅實的基礎。 具有高折射率的SCHOTT RealView玻璃晶圓是下一代AR/MR設備的關鍵組件。玻璃晶圓是客戶多層RGB波導的基礎,因此是AR/MR顯示單元的關鍵部分,可實現身臨其境的用戶體驗。肖特提供廣泛的產品組合,從直徑為100,150, 200,到300mm的晶圓,可分別實現從1.5到1.9不等的折射率。 肖特科學家和玻璃專家一直在不斷提高AR/MR光學玻璃的品質,並在其德國光學玻璃中心為下一代產品創新提供動力。同時,肖特具有成熟的大量生產經驗,可始終如一滿足產業的高品質要求,為快速發展的AR市場服務。作為沈浸式體驗的關鍵組成部分,肖特的RealView玻璃晶圓被國際訊息顯示協會(SID)評為2019年顯示產業年度最佳顯示組件獎。
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滿足分眾市場 IC異質整合技術百花齊放

人工智慧(AI)、車聯網、5G等應用相繼興起,且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片,在製程微縮技術只有少數幾家晶圓代工、IC製造業者可發展的情況下,異質整合(Heterogeneous Integration Design Architecture System, HIDAS)成為IC晶片的創新動能。同時,隨著應用市場更加的多元,每項產品的成本、性能和目標族群都不同,因此所需的異質整合技術也不全然相同,有的需要記憶體+邏輯晶片,而有的則需感測器+記憶體+邏輯晶片等,市場分眾化趨勢逐漸浮現。為此,IC代工、製造以及半導體設備業者也持續推出新的異質整合技術,以滿足市場需求。 成本/效能需求不同 異質整合走向分眾化 工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅(圖1)表示,所謂的異質整合,廣義而言,就是將兩種不同的晶片,例如記憶體+邏輯晶片、光電+電子元件等,透過封裝、3D堆疊等技術整合在一起。換句話說,將兩種不同製程、不同性質的晶片整合在一起,都可稱為是異質整合。 圖1 工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅表示,依產品性能、成本不同,異質整合將走向分眾化。 異質整合是目前半導體產業熱門議題,也有許多業者投入發展,進而市場上有著許多解決方案。對此,吳志毅說明,在異質整合發展上,各家廠商著重的市場和技術都不一樣,因而會衍生出許多種整合方式,例如有所謂的2.5D、3D或是採用封裝的方式。然而,不論是何種技術,其核心價值都是將兩種完全不同的晶片整合成一個,這便是異質整合的概念;換個例子來說,要將兩樣物品黏在一起,可以選擇膠水、膠帶或強力膠等,有很多種方式,異質整合便是同樣的道理,端看業者的市場和成本考量人選擇要用何種整合技術。 吳志毅補充,半導體技術著重的永遠都是成本和效能。部分業者之所以會發展3D整合方案,主要原因是3D IC具有更好的效能,但相對的3D IC的成本也較高,因此適用於高階產品市場,例如AI晶片。至於原有的2.5D整合技術,並非3D IC問世之後就沒有市場,2.5D IC的性能雖然不比3D IC,但相對的成本也較低,適用於有成本考量的企業或產品。 吳志毅說,換個方式譬喻,當7奈米製程出現後,不代表所有產品都會轉成7奈米,像是14、16、28奈米,甚至是90奈米,都還有其市場,業者會依應用市場、產品設計需求和成本,選擇所需的製程技術,而異質整合也是同樣,業者會根據所需的產品性價比、效能以及市場,選擇最適合的異質整合技術。也因此,未來異質整合勢必將會出現市場分眾化的趨勢。 吳志毅認為,這對於晶圓代工廠,或是晶片製造商等也是一個新的機會。現今半導體產業只剩三家業者(台積電、三星、英特爾)能繼續推進摩爾定律(製程微縮化),而其他業者如聯電、格芯是否就沒有其他發展空間?並非如此,異質整合便是一個新的機會。這些晶圓代工、IC設計或者是封裝業者不一定要發展更先進的製程,但是卻可以透過異質整合,將原本不同性質的晶片整合成體積小、高性能的晶片,實現更多創新應用。 IC代工/製造/設備商全體動員 上述提到,異質整合為半導體產業發展帶來新契機,同時因應多元的應用市場,異質整合日後將朝分眾化發展,為此,晶圓代工業者、晶片商或是半導體設備商皆積極投入發展,各式解決方案也紛紛亮相。 英特爾再推三大封裝新技術 英特爾(Intel)日前展出先進封裝技術並推出了一系列全新基礎工具,包括將EMIB和Foveros技術相互結合的創新應用,以及全新的全方位互連(Omni-Directional Interconnect, ODI)技術。 英特爾指出,晶片封裝在電子供應鏈中看似不起眼,卻一直發揮關鍵作用,而隨著電子產業正在邁向以資料為中心的時代,先進封裝將比過去發揮更重大的作用。封裝不僅僅是製造過程的最後一步,同時也正成為產品創新的催化劑。先進的封裝技術能夠整合多種製程的運算引擎,將大幅提高產品性能,同時又可縮小面積,並對系統架構進行全面改造。為此,英特爾分享三項全新技術,分別為Co-EMIB、ODI和MDIO。Co-EMIB能連接更高的運算性能和能力,並能夠讓兩個或多個Foveros元件互連,設計人員還能夠以非常高的頻寬和非常低的功耗連接模擬器、記憶體和其他模組。 ODI技術則為封裝中小晶片之間的全方位互連通訊提供了更大的靈活性。頂部晶片可以像EMIB技術一樣與其他小晶片進行通訊,同時還可以像Foveros技術一樣,通過矽通孔(TSV)與下面的底部裸片進行垂直通訊。同時,該技術還利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電,這種大通孔比傳統的矽通孔大得多,其電阻更低,因而可提供更穩定的電力傳輸;並透過堆疊實現更高頻寬和更低延遲。此一方法減少基底晶片中所需的矽通孔數量,為主動元件釋放了更多的面積,優化裸片尺寸。 至於MDIO技術為基於其高級介面匯流排(AIB)實體層互連技術,支援對小晶片IP模組庫的模組化系統設計,能提供更高能效,實現AIB技術兩倍以上的回應速度和頻寬密度。 格芯/台積紛推3D方案 為搶搭異質整合浪潮,晶圓代工業者格芯(GlobalFoundries)近期宣布旗下基於Arm架構的高密度3D測試晶片已成功投片生產,可滿足資料中心、邊緣運算和高階消費性電子產品應用的需求。 據悉,此款晶片可提升AI、機器學習(ML)和高階消費性電子及無線解決方案等的運算系統性能與效能,其採用該公司12nm Leading-Performance(12LP)FinFET製程製造,並運用Arm 3D網狀互連技術,讓資料數據更直接地傳輸至其他內核,達到延遲最小化,提高資料傳輸速率,滿足資料中心、邊緣運算和高階消費性電子產品應用的需求。 此外,兩公司還驗證一種3D可測試設計(Design-for-Test, DFT)方法,使用格芯的混合式晶圓對晶圓接合,每平方公厘多達100萬個3D連接,拓展12nm設計在未來的應用。 格芯發言人表示,3D可測試設計方法為屬於異質整合技術,該公司和Arm共同驗證了此一測試設計方法,使用混合式晶圓對晶圓接合,使得每平方公厘的3D連接數多達100萬個。用於3D IC的DFT架構實現了各種晶片的模組測試方法,其中具有嵌入式IP核心、基於穿透矽通孔的晶粒間互連和外部I/O可作為獨立的單元進行測試,進而可靈活優化的3D IC測試流程。DFT是一項能夠採用3D技術的重要測試設計方法,而3D DFT架構具備支持板級互連測試的特色;該公司的差異化F2F晶圓鍵合技術為工程設計人員提供了異構邏輯和邏輯/記憶體整合。 格芯發言人說明,3D晶圓架構具有減少線長的本質能力,是減輕下一代微型處理器設計中互連問題的最有潛力的解決方案之一;而3D技術和異質整合功能為新設計方法提供了低延遲、高頻寬的優勢。對於異質整合來說,雖然沒有其餘的技術層面挑戰,但針對規劃、執行和驗證2.5D和3D IC的設計工具、薄晶圓處理技術、熱管理和測試等,這些製程仍需要更好的解決方案。 由於目前異質整合生態系統成熟緩慢,主要的挑戰在於單位成本高昂、低產量和實行風險,業界正在努力降低製程成本並簡化整個產業合作。未來格芯會與所有主要EDA合作夥伴密切合作,將3D IC放置在庫中,然後使用晶圓對晶圓鍵合進行組裝,使複雜的晶圓設計和組裝成果更快且更低成本。 另一方面,繼整合型扇出(InFO)和CoWoS封裝技術後,台積電也於之前發表的「3D多晶片與系統整合晶片(SoIC)的整合」論文中,揭露了完整的3D整合技術。此項系統整合晶片解決方案將不同尺寸、製程技術,以及材料的已知良好裸晶直接堆疊在一起。 論文中提到,相較於傳統使用微凸塊(Micro-bumps)的3D積體電路解決方案,此一系統整合晶片的凸塊密度與速度高出數倍,同時大幅減少功耗。此外,系統整合晶片是前段製程整合解決方案,在封裝之前連結兩個或更多的裸晶;因此,系統整合晶片組能夠利用該公司的InFO或CoWoS的後端先進封裝技術來進一步整合其他晶片,打造一個強大的「3D×3D」系統級解決方案。 台積電全球營銷主管Godfrey Cheng於部落格上指出,該公司可透過先進的封裝技術,包括基於矽製程的中介層(Interposer)或扇出製程的小晶片(Chiplet)等方法,將記憶體及邏輯晶片核心緊密整合,未來還能夠將晶圓及晶圓堆疊,提供客戶更好的晶片密度及效能。 實現異質整合 EVG/Lam各有解方 除了晶圓代工、IC製造業者積極發展異質整合技術外,半導體設備商也不落人後。EVG亞太區業務總監Thorsten Matthias(圖2)表示,如今許多新元件因無法突破技術或成本上的關卡,想要從傳統元件微縮和從系統單晶片架構下手以提升效能,已不再是可行的選項。而隨著現今許多技術領先的製造廠藉由投入影像感測器製造及矽穿孔晶圓級封裝,在異質整合方面已累積數年與數百萬片晶圓製造的經驗,使得異質整合成為半導體製造的另一項利器。 圖2 EVG亞太區業務總監Thorsten Matthias表示,異質整合的各項優點與好處已廣受業界認可。 Matthias指出,異質整合的各項優點與好處多年來已廣受業界認可,包括降低設計與測試的複雜度、縮短上市時程及降低成本;異質整合也顛覆許多層面,包括設計、架構、製程技術及整個供應鏈和從晶圓委外到封裝測試(OSAT)產業生態系統。 然而,要實現異質整合也非是一蹴可幾,需要新技術、新電晶體架構和材料等,像是薄膜轉移(Layer...
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