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DDR 4

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美光推高速限量版電競記憶體模組

美光(Micron) 旗下的電腦記憶體和儲存方案品牌Crucial,日前宣布推出其限量版Crucial Ballistix MAX 5100電競記憶體。此最新產品為Crucial Ballistix系列產品的獲獎傳統拓展而來,為消費者提供了一個最佳的選項,速度媲美迄今市面上最快的電競記憶體。 Crucial Ballistix 是電競記憶體中結合晶粒級 (die level) 自訂調校的唯一品牌,締造破世界紀錄的效能。近期有位超頻愛好者用相同的電競記憶體模組達到極快速度 6,666MT/s,是DDR4模組有史以來最快的速度,而這項創紀錄的頻率和 CPU-Z 驗證的螢幕截圖已經公布在 HWBOT。如同美光於企業及個人運算良好的產品和解決方案,Crucial 電競記憶體是根據需求量身打造、唯一垂直整合的電競記憶體:從設計、編程和製造,皆在美光內部完成。此特色讓競爭對手望塵莫及,使新的5100MT/s 模組能為重度遊戲玩家提供超越想像的速度,並帶給超頻愛好者較佳的體驗。 美光消費產品事業群副總裁暨總經理Teresa Kelley表示,該公司推出DDR4,亦首創搭載LED的電競記憶體,現在我們透過最新Crucial Ballistix 記憶體實現更高的訊框率和更好的系統效能,給予遊戲玩家更流暢的遊戲體驗。此最新的記憶體速度再次證明團隊的專業,帶來世界一流、創新高效能的電競產品。 限量的Crucial BallistixMAX 5100 模組將在發布時生產並提供 16GB...
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愛德萬發表IC記憶體測試機 降低5G產品開發成本

愛德萬測試(Advantest)發表多功能H5620ES工程測試系統,針對現今實驗室環境DDR4、次世代DDR5和低功率LPDDR裝置進行高速預燒及測試,為H5600記憶體測試機家族再添生力軍。由於精簡配件數量、縮短預燒及測試之間所需的時間,最新H5620ES大幅降低5G應用先進記憶體裝置的測量成本。 新款測試機具備優異的生產力,能針對DDR4和DDR5進行平行測試,並容納頻率100-MHz、資料傳輸率200Mbps的記憶體IC,系統已針對產品開發工作進行使用優化,其精巧的設計能節省空間讓實驗室環境更機動,再加上頂部開放的機體設計很容易執行取放作業,不用先移開裝置界面板(DIB)。 H5620ES跟H5620生產單元都採用FutureSuite作業系統,因此測試波形相同。它也支援預先測試(pre-testing routines),譬如在轉移到H5620測試機以前,先在H5620ES系統進行檢查 ,藉以縮短生產週期時間。 愛德萬測試記憶體ATE事業群副總Takeo Miura表示,快速成長的5G市場對最新資料儲存IC的需求量大增,我們新發表的H5620ES系統能協助業者,大幅精簡產品開發與品質提升所需要的成本。
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AI邊緣催出記憶體市場需求 宜鼎2933/3200 DRAM點燃成長動能

AI技術所衍生的邊緣應用,持續在汽車電子、人工智慧、影音串流、智慧物聯等領域發酵,也逐漸成為備受矚目的趨勢。市場預估,2018年至2022年全球邊緣運算相關市場規模的年複合成長率(CAGR)將超過30%,強大的運算與儲存需求也將同步推升全球記憶體市場,而隨著新興應用產能的排擠效應,加上供給面的持續短缺,都將成全球DRAM繼續上漲的重要推手。 需求持續看漲,宜鼎(Innodisk)3200 DDR4成功導入AI邊際語音應用。宜鼎全球記憶體事業部副總張偉民表示,宜鼎長期專注於工業用DRAM產品,並在全球DRAM市場排名前十大的重要地位。隨著2020年AI邊際應用持續看漲,市場需求預估也將一路延續,而看好AI邊際應用所帶來的商機,宜鼎自去年即率先推出的工業等級記憶體3200 DDR4全系列產品,近期也已經應用於AI邊際語音產品中,對於相關AI應用的崛起早已做好萬全準備。 宜鼎預測,面對網通與5G興起的龐大市場需求,市場仍引頸期盼Intel 3200 CPU加速推出,因此現階段市場更看好2933需求崛起。宜鼎2933/3200 DRAM 全系列產品規格齊全,工業級記憶體包含UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM與ECC SODIMM等,除8G,16G常見規格,連近期需求量大增的4G特殊小容量也即將推出。 此外,宜鼎2933/3200 DRAM全系列採用高等級原廠DRAM IC,產品皆經過嚴謹測試,並配合寬溫、抗硫化技術。採用宜鼎工業級記憶體,將可為戶外嚴苛環境運作的AI邊緣裝置,提供較佳效能與防護。
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添加DDR5功能 SDRAM效能/部署能力大增

隨著記憶體密度上升,記憶庫(Bank)的數量也須增加,以容納更高的記憶體密度。新一代的DDR5標準將記憶庫組(Bank Group)的數量擴充一倍,並且同時維持各組的記憶庫數量不變。另外,由於能夠在任一時間點打開更多的頁面(Page),以及提升高分頁命中率(High Page-hit)的統計概率,整體的系統效率應可加強。 記憶庫組到記憶庫組的交錯時序存取(Interleaved Timing)短於特定記憶庫組內記憶庫間的存取。這些時序參數同時有「長」的時序定義(tCCD_L、tWTR_L、 tRRD_L)和「短」的時序定義(tCCD_S、tWTR_S、tRRD_S)。長的時序係指記憶庫組內記憶庫到記憶庫(Bank-to-bank)的存取,而短的時序則是指存取不同的記憶庫組(圖1)。為便於理解,在此補充說明:tCCD_L可接近tCCD_S的兩倍。增加的記憶庫組可提高短時序的使用概率,進而減輕內部時序限制。 圖1 DDR5記憶庫/記憶庫組的時序 資料突發長度增加 DDR5 SDRAM將預設的突發長度從BL8加到BL16,並提高了指令/位址和資料匯流排的效率。以同樣的讀取或寫入CA 匯流排的作業而言,資料匯流排現可提供兩倍的資料,同時還能將對IO/陣列時序限制的暴露侷限於相同的記憶庫內。透過減少存取給定資料量所需的指令數,DDR5 SDRAM還能降低讀寫作業所需功率。 此外,突發長度增加後,存取相同之64B快取行(Cache Line)資料負載所需的IO數也減少。由於預設的突發長度增加,DDR5 DIMM架構得以具備雙子通道(圖2),進而提高通道的整體並行性、靈活性和數量。針對使用128B快取行負載的系統,DDR5亦特別為×4配置的裝備提供突發長度為32位元的選項,而能進一步改善指令/位址、資料匯流排效率及總體功率表現。 圖2 DDR5 40-Pin子通道DIMM範例 刷新指令 除了適用於DDR5和早期DDR SDRAM產品的標準ALL-BANK REFRESH指令(REFab)外,DDR5還導入了SAME-BANK REFRESH(REFsb)指令。當REFsb指令發出時,它會依照記憶庫位元(Bank Bits)透過指令/位址位元所指定的目標,在所有記憶庫組中鎖定同樣的記憶庫。 SDRAM設備的REFRESH指令會要求在指令發出前,被鎖定刷新的記憶庫須處於閒置狀態(預充電,無資料活動);而且,在REFRESH指令執行期間,那些記憶庫均不能重啟後續的寫入和讀取活動(時序參數tRFC)。REFRESH指令以平均週期間隔發送(時序參數tREFI)。對於REFab指令,系統必須於發出指令前確保所有記憶庫均為閒置狀態;針對16Gb DDR5 SDRAM裝置,在「正常」刷新模式下平均每3.9μs發送一次,每次持續295ns。 REFsb指令的效能優勢在於,在指令發出前,各記憶庫組內只需有一個記憶庫保持閒置狀態。當發出REFsb指令時,其餘的12個記憶庫(圖3)不必處於閒置;而且,對於非刷新記憶庫的唯一時序限制是相同記憶庫刷新到啟動的延遲 (Same-bank-refresh-to-activate Delay)(時序參數tREFSBRD)。REFsb指令只能以倍精度刷新(FGR)模式發送,意即各記憶庫平均須每1.95μs接收一次REFRESH指令。針對16Gb DDR5 SDRAM裝置,REFsb則僅持續130ns,這也將系統存取鎖定的對象(tRFCsb)減至主動刷新的記憶庫上(圖3)。使用REFsb時還有一個限制:每個「相同記憶庫」(Same Bank)都須在第二個REFsb指令發出前收到一個REFsb指令,但REFsb指令可以任一記憶庫的順序發送。 圖3 DDR5 REFsb與記憶庫的對應 模擬結果顯示,與REFsb相比,使用REFsb時系統效能吞吐量加大6%到9%(會因讀/寫指令比率不同而異),如圖4所示。另外,REFsb將刷新對平均閒置延遲時間的衝擊從11.2ns減為5.0ns。這些計算乃基於標準排隊理論所得,並適用於具隨機驅動資料流量的單個記憶庫。 圖4 DDR5系統吞吐效能改進 效能改進 以上述特點模擬64B隨機存取的工作負載後發現,與DDR4雙Rank的3200MT/s模組相比,效能顯著提高(圖5)。在此模擬情境中,假設各系統有8個通道與1DPC。 圖5 DDR5 不同速度/記憶庫模組的效能改進 透過從DDR5設備輸出資料前在READ指令期間進行校正,RAS的提升(如on-die...
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美光開始量產採用1z奈米技術節DRAM

美光科技宣布DRAM擴充的進展,成為首家開始使用1z nm製程技術量產16Gb DDR4產品的記憶體公司。 美光科技技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示,現今擴充DRAM條件變得更加複雜,開發和量產業界最小尺寸的DRAM節點展現了美光世界級的工程和製造能力。率先進入市場讓美光擁有競爭優勢,我們將繼續為廣泛的終端客戶應用提供高價值解決方案。 與上一代1y nm節點相比,美光的1z nm 16Gb DDR4產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時,它也促進美光持續改善其運算DRAM(DDR4)、行動DRAM(LPDDR4)和圖形DRAM(GDDR6)產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言,功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。 美光透過量產16Gb DDR4記憶體解決方案,開始將技術移轉至1z nm。使用更小的節點進行生產帶來多項優勢,包括功耗較上一代8Gb DDR4產品降低約 40%。美光全面的1z nm DDR4產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗,日益增長的需求。 此外,美光也宣佈公司已開始批量出貨基於UFS規範多晶片封裝(uMCP4)的業界最高容量單片16Gb低功率雙倍資料速率4X (LPDDR4X)DRAM。美光的1z nm LPDDR4X和uMCP4滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝,以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。
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記憶體規格大躍進 DDR 5訊號完整成測試挑戰

DDR3提供800~2133MT/s(每秒傳輸Mega)。DDR4提供1600~3200MT/s,傳輸速度是DDR3的兩倍。只需使用1.2V電壓,不僅效率比DDR3的1.5V更高,更可延長電池壽命並降低負載。循環冗餘檢查(CRC)和DDR4技術的晶片內建同位元偵測可增加額外指令與位址傳輸驗證,也能改善資料完整性。此外,DDR4記憶體容量也提升為四倍。DDR3最大記憶體容量是128GB,DDR4最多則可儲存512GB。 簡而言之,DDR4相較於DDR3的優勢包括:傳輸速度更快、效率更高、資料完整性更佳以及、更多記憶體空間。 至於DDR5標準,則可提供超過6GT/s傳輸速度及Tb等級記憶體容量時;整體傳輸速度和記憶體容量會再提高一倍;也就是傳輸速度更快、效率更高,以及記憶體空間更多。 訊號完整性為首要設計挑戰 DDR設計中最常見的訊號完整性挑戰就是記憶體控制器的時序問題。使用者可能會直接以購買方式取得設計所需記憶體控制器,而非採用訂製方式,若是如此,便需要在主機板和記憶體控制器間調整時序。 這樣的方式便足以執行設定和保持時間測試,以進行資料傳輸驗證。過去由於速度較慢,邊限也較寬,因此只要在通過設定與保持時間測試的情況下,在規格內便有足夠空間進行DDR2或DDR3設計。但速度提升也使邊限變得更加嚴格。若於進行DDR4或DDR5設計採用簡易的設定與保持時間測試,所提供之邊限已不足以通過規格驗證,而驗證DDR4需要眼圖(圖1)。 圖1 相符性應用測試內容中之DDR4遮罩測試,眼圖中央的矩形即為遮罩區域。 DDR4標準需在規格內符合隨機抖動和誤碼率的特定邊限與容差,因此可根據此標準為示波器建立遮罩,遮罩會定義示波器顯示器上的某個區域,此區域內的波形必須維持在滿足標準需求的狀態;如果眼圖閉合過多且進入遮罩,可能代表存在誤碼而無法通過規格標準。 我們預測DDR5眼圖會因DDR5速度提升而閉合。若確實如此,就必須利用等化技術讓眼圖張開至適當程度,以驗證設計。此外,DRAM錫球中會定義DDR5規格,但無法進入晶片探量。因此,必須改對通道進行探量,但無法透過此方式得知晶片中的眼圖為張開或閉合,需要決策回饋等化器來消除通道的脈衝響應效應。 善用邏輯分析儀避免資料毀損 驗證DDR4、LPDDR4、DDR5或LPDDR5設計時,常會遇到資料毀損的問題。造成資料毀損的原因有許多種,包含訊號完整性或功能性問題。示波器可對訊號完整性(包括眼圖大小、上升與下降時間及功率完整性)進行驗證與除錯,而邏輯分析儀則用來對記憶體系統功能或協定相符性進行除錯與驗證。若發生記憶體裝置無法以正確順序或在指定時序內接收正確指令等功能性問題,可能會造成資料毀損和系統癱瘓。測試是判斷實體或功能性錯誤和原因的重要方式,讓設計人員可為設計進行除錯並防止故障。 相符性測試軟體降低除錯難度 另外,設計人員還可利用相符性測試軟體,讓測試和除錯作業變得更輕鬆。相符性測試軟體可於示波器上執行,幫助驗證設計的訊號完整性及實體層。此軟體可自動執行相符性測試、驗證設計,並可產生通過/不通過報告,只需要將訊號連接到示波器,然後執行應用軟體即可。 若於進行設計功能或協定相符性測試時選擇合適的邏輯分析儀,便能以高達4200MT/s的資料速率及最高每個訊號400M樣本的追蹤深度,同步擷取所有DDR訊號(在DIMM/SODIMM設計超過100個訊號)。強大的分析軟體可進行記憶體協定傳輸解碼,並針對流經系統的訊務提供多種視圖與圖表,視圖和圖表可幫助驗證工程師快速瀏覽訊務流量,找出有問題的區域,協定相符性驗證軟體可於記憶體系統中精確找出問題。 總而言之,DDR記憶體晶片技術在過去十年歷經了兩個世代的演進,而新一代目前正在進行定義。每一代技術在速度、效率及記憶體容量方面都有所改進。 (本文由是德科技提供)
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