英飛凌
英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝
相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達48 kHz的切換頻率,特別適合新一代1500 V太陽能光電和儲能應用的需求。
全新ANPC拓撲支援99%以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置,在像是1500 V太陽能串列型變頻器的DC/AC級中實作混合式Easy 2B功率模組,可實現更小的線圈。因此,其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器。除此之外,使用碳化矽的損耗也小於矽的損耗,如此一來,須排放的熱減少了,也可縮小散熱器的尺寸。整體來說,可打造更精巧外型的變頻器,並節省系統成本。相較於五階拓撲,3階的設計可降低變頻器設計的複雜度。
採用Easy 2B 標準封裝的功率模組具有領先業界的低雜散電感特性。此外,CoolSiC MOSFET晶片的整合式本體二極體可確保低損耗續流功能,無須額外的SiC二極體晶片。NTC溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT壓接技術則可縮短生產時的組裝時間。
英飛凌推出80 V DC-DC降壓LED驅動IC
英飛凌科技推出新款LED驅動IC ILD8150/E,具備創新的混合式調光技術,可達到目標最大電流的0.5%。該產品的輸入電壓範圍從8 VDC~80 VDC,可為運作電壓接近安全電壓(SELV) 限制的應用產品提供高安全電壓餘量。新款驅動IC非常適用於具有比較高調光需求的通用與專業LED照明應用產品。
ILD8150/E具備無頻閃的調光效能,並可避免產生聲頻噪聲。PWM輸入訊號介於250 Hz~20 kHz,可在類比調光輸出模式中控制LED電流,範圍從100%~12.5%,在混合調光模式中則為12.5%~0.5%,無閃爍調變頻率為3.4 kHz。支援高解析度的數位PWM調光偵測與低功耗關閉機制,使ILD8150/E與微控制器完美匹配。此裝置還具備調光至全暗的功能以及下拉式電晶體,可避免LED在調光至全暗模式中微微發光。
英飛凌新款ILD8150/E驅動器可驅動高達1.5 A電流,採用高側整合式開關。後者具備290 mΩ低RDS(on)(ILD8150),可提供高功率設計及95%以上的效率。該產品結合軟啟動功能,可以保護前級避免受到突發電流的要求,並結合分流電阻器以提供可調整的最大輸出電流。在所有負載和輸入電壓條件下,從一個裝置到另一個裝置的精確輸出電流精度通常為3%,使得此款IC非常適用於電流必須一致的設計應用,例如可調色溫與平板化設計。另外,用於高側驅動電壓與過溫保護功能的欠壓鎖定(UVLO)是專業LED照明解決方案的理想選擇。
儒卓力提供英飛凌OptiMOS功率MOSFET
英飛凌的OptiMOS 3和5是同類最佳(BiC)的功率MOSFET,採用節省空間的SuperSO8封裝,與先前型號相比,具有更高的功率密度和穩健性,讓系統成本得以降低,而整體性能也得以提升。客戶可以到儒卓力電子商務平台www.rutronik24.com瞭解有關OptiMOS BiC功率MOSFET的產品資訊。
由於具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外,接面至外殼(Junction to Case (RthJC))之間的低熱阻抗提供了出色的散熱行為,從而降低了滿載運作時的溫度。它提供顯著降低的電壓過衝,讓低反向恢復電荷(Qrr)可以提高系統可靠性,最大限度地減少了對緩衝電路的需求,因此工程成本得以降低,工作量也得以減少。
這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°,有助於在更高工作接面溫度下實現更高的功率,或者在相同的工作接面溫度下具有更長使用壽命的設計。此外,隨著額定溫度的增加,安全操作區域(SAO)亦改善了20%。
這些BiC MOSFET具有出色的性能數據,非常適合電信、伺服器、三相逆變器、低壓驅動器以及D類音訊等應用。英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產品系列包括60V~250V等版本。
貿澤電子6月新品精選
貿澤電子(Mouser)致力於快速推出新產品與新技術。貿澤是領先業界的新產品引進(NPI)代理商,首要任務是庫存來自750多家製造商合作夥伴的各種最新產品與技術,為客戶提供優勢,協助加快產品上市速度。
貿澤在上個月發表超過329項新產品,且這些產品均可在訂單確認後當天出貨。貿澤上個月發表的部分產品包括:英飛凌CIPOS™ Tiny三相逆變器模組
英飛凌CIPOS Tiny三相逆變器模組採用最新的英飛凌TRENCHSTOP™ IGBT 6,尺寸比CIPOS Mini系列減少33%,卻能實現最高效率。
以及Murata uSD-M.2轉接器套件,透過Murata uSD-M.2轉接器套件,為NXP i.MX平台實現自訂Wi-Fi及Bluetooth連線,并且與Embedded Artists的Wi-Fi及藍牙M.2評估板相容。
ams TMD3702VC色彩與近接感測器模組,ams TMD3702VC將近接偵測、色彩感測 (RGBC+IR) 和數位環境光感測功能整合到超窄的1.44 mm模組內。
另外還有Molex MultiCat中功率連接器,Molex MultiCat中功率連接器系統的每個精準加工接點皆可提供6.5A的電流,為中電流應用的設計提供更多彈性。
英飛凌推出超高精度數位Turbo MAP感測器
英飛凌科技在Sensor+Test展會上展示新款XENSIV絕對壓力感測器KP276,適用於包括自然進氣或渦輪增壓(Turbo MAP)柴油和汽油引擎中的進氣歧管氣壓(MAP)測量以及廢氣再循環等應用。此數位感測器的壓力範圍涵蓋10 kPa~400 kPa,可實現極高的精度以及快速的測量與通訊。
MAP是計算提供給引擎的油氣比率的重要參數,精準的測量有助於提高燃燒效率,進而減少有害氣體的排放。此外,進氣歧管的壓力資料還可用於計算廢氣再循環閥的滲漏及故障診斷。
XENSIV KP276產品在整個生命週期內的精確度誤差僅0.77%(全量程範圍),是英飛凌產品組合中最精確的數位Turbo MAP感測器,日後也將推出更高精確度(0.5% FSS)的產品版本。此版本亦將符合 ISO26262 標準,提供安全關鍵應用所需的分析與文檔。
XENSIV KP276 感測器整合了外部NTC溫度感測器的訊號處理功能,只需一個數位介面便能提供壓力和溫度訊號。該裝置具備SENT介面,擁有846 µs的短訊框長度,和10 ms(典型值)的短NTC啟動時間。與先前的英飛凌產品相比,可以更快地測量和資料傳輸數據。
感測器採用可靠耐用的SMD-8封裝,適合引擎管理應用的嚴峻條件。感測器適用的溫度範圍為-40°C~150°C,並可耐受碘和廢氣堆積物等侵蝕性介質。
專訪英飛凌大中華區射頻及感測元件事業處總監麥正奇 英飛凌ToF強攻智慧型手機應用
英飛凌科技(Infineon)日前發表新款3D飛時測距單晶片,並以消費性行動裝置市場為發展重心,特別是以小型鏡頭提供高解析度影像的需求所設計,應用範圍包括:臉部或手勢辨識等用以解鎖裝置及確認支付的安全驗證。此外,3D ToF晶片也可實現擴增實境(AR)、影像變形與拍照(例如散景)等效果或用於掃描室內環境。
新款影像晶片第四代REAL3影像感測晶片IRS2771C面積為4.6×5mm,提供150k(448×336)像素輸出,解析度達HVGA的水準。英飛凌大中華區射頻及感測器部門行銷總監麥正奇表示,其像素陣列對940nm紅外線具高靈敏度,在戶外的使用透過該公司的專利背光抑制(Suppression of Background Illumination, SBI)技術,延長曝光時間,減少過飽和(Saturated)的現象,提升強光環境的感測解析度。
由於具備高整合度,每個影像感測器都是一個微型且單一晶片方案的ToF相機,麥正奇強調,該解決方案可實現全球最小,可整合至智慧手機的相機模組,面積僅約12mm×8mm因此可降低整體材料成本(BoM),同時仍維持效能與低功耗表現。樣品於2019年3月推出,並預計於2019年第四季開始量產,包括前代的解決方案,英飛凌2019年ToF感測晶片出貨能力超過1億片。
ToF可以廣泛地應用在像是臉部辨識等各種生物驗證方法上。此外,麥正奇說明,能以3D掃描物體,不受外部光源所影響,因此無論室內外的辨識率都更為出色,適合實作於擴增實境和虛擬實境(VR)等應用,以Android平台為例,2019年預計出貨1.5億套、2020年成長至2.5億套,2021年再成長至3.6億套,市場前景看好。
英飛凌大中華區射頻及感測元件事業處總監麥正奇表示,其影像感測晶片透過背光抑制技術,提升強光環境的感測解析度。
讓資料傳輸更Safe 獨立安全元件趁勢起
IoT安全需求增,除了帶動IP、MCU等朝更強防護效能發展外,獨立安全元件(Secure Element)的興起也是一大趨勢。英飛凌(Infineon)大中華區數位安全解決方案事業處經理江國揚表示,從2019年上半年的觀察來看,公眾對安全概念的認知正變得日益廣泛,但仍需協調產業鏈上下游做出更積極的部署以防患於未然。公眾對安全概念的認知一方面來自各大安全方案廠商更加積極的推動,另一方面也來自於對重大安全事件或漏洞對社會、家庭及個人影響層面的擔憂。
江國揚進一步說明,依據不同的攻擊目標駭客會選擇不同的攻擊方式,軟體攻擊、通訊攻擊、硬體攻擊都會是駭客可選的攻擊介面。就目前已知的攻擊案例來看,針對硬體的攻擊呈現出日益上升的態勢,且通常針對硬體的攻擊對用戶帶來的影響更為隱蔽也更為直接。因此,要強化物聯網安全,須圍繞三個主要概念,其分別為機密性、認證性和完整性,而這些概念可以表示為:
1.敏感性資料在傳輸與存儲的過程中是否受到保護?
2.物聯網系統(設備、伺服器等)的各組成部分如何鑒別它們的身份?還是通過數位技術偽裝的?
3.物聯網系統中的這些元件是否受到損害或感染?
而要滿足上述條件,採用安全晶片做為系統各組成部分的安全可信任根,是個適合的方式已有越來越多的廠商正加強導入分離式安全硬體晶片。而因應物聯網應用對晶片安全的各種需求,英飛凌開發出OPTIGA系列產品,包括OPTIGA TPM(可信平台模組)作為一個標準化的、功能豐富的安全解決方案,以及OPTIGA Trust系列(Turnkey解決方案)。
江國揚指出,物聯網包含諸如智慧家庭、智慧工廠或更多其它應用領域,不同的應用領域因其場景化的差異會引發不同的技術趨勢和安全需求。這裡面存有共性的地方,就是隨著網路互聯互通能力的深入普及,以及網路及設備智慧化程度的快速提高,都會不斷優化其業務模式及核心競爭能力,而對AI、大數據、雲端運算等技術的結合和依賴又會催生基於安全與隱私保護方面的挑戰,並演化為對更高等級安全部署的需求。
江國揚進一步透露,英飛凌之所以強調基於分離式硬體安全晶片加強安全防護,是基於深度預防的部署策略,並從安全需求演化、攻防演練、安全產品定義,安全產品開發與測試,協力廠商全球權威安全認證等一系列能夠形成閉環的流程輸出解決方案。這種解決方案可以有效地對設備身份認證、資訊的安全加密、資料的完整性保護等各個層面進行有效地加強,而這些加強是不作任何安全防護甚或僅基於主處理器的軟體機制不能比擬的。
英飛凌推出超小型氣壓感測器DPS368
英飛凌科技推出全新XENSIVTM DPS368產品。這是一款能夠同時測量溫度與氣壓的小型化數位氣壓感測器,具有±2 cm的超高精準度以及低功耗,可用於高度、氣流以及身體動作的精確測量,因此也成為支援活動追蹤及導航功能的手機及穿戴裝置之理想選擇。此外,亦適用於家電的氣流調節、無人機的飛行穩定性以及醫療裝置如智慧吸入器等應用。
由於採用了強固的封裝,DPS368可在50米深的水下維持一小時(IP×8),並保護感測元件免受灰塵和濕氣的影響,這也使得電路板在組裝線上的處理變得更加便利。採用8引腳LGA封裝的外型尺寸僅2.0 × 2.5 × 1.1 mm3,與其他防水感測器相比,節省了80%的空間。
英飛凌氣壓感測器採用電容式氣壓感測技術,即使溫度發生變化時,也能保證高精度測量。內部訊號處理器能夠將氣壓和溫度感測器元件的輸出轉為24位元訊號結果。借助感測器內儲存的校準係數,可將測量結果轉化為應用所需的高精度的氣壓和溫度值,憑藉高達200 Hz的測量速率和快速的讀出速度,DPS368可迅速給出回饋。不僅如此,內建FIFO儲存器可儲存高達32個測量結果,節省了整個系統的功耗。
在取樣速率為1 Hz的氣壓測量時,XENSIV DPS368感測器的平均功耗僅為1.7 μA,在待機模式下,甚至能降至0.5μA。該感測器可在300~1200 hPa的氣壓和-40°C~+85°C的溫度下工作,溫度精度達到±0.5°C。感測器測量資料和校準係數可通過串列I²C或SPI介面獲取。
英飛凌推出雙級架構零電壓切換開關電容轉換器
英飛凌推出零電壓切換(ZSC)開關電容轉換器,採用雙級架構,適用於48 V應用的CPU、GPU、SoC、ASIC及記憶體供電。英飛淩的48 V架構完整系統概念為達成99%的效率做好準備。結合ZSC電路板與CoolGaN 600 V的解決方案,可提供最佳化電流,並為未來的資料中心提供前所未有的效能。
ZSC轉換器可為48 V應用提供最高的效率與功率密度。透過功率MOSFET軟切換的電容能量傳遞,可產生中間匯流排電壓。如此可為傳統12 V系統提供簡易且低風險的方式轉移至48 V基礎架構,進而大幅降低整體擁有成本。結合英飛淩的多相降壓穩壓器,在48V輸入系統中可達到94%以上的整體效率以及高於業界平均值的功率密度。
此電路板配備英飛淩的微控制器、驅動器及開關。它包括匹配的25 V與40 V OptiMOS 5和OptiMOS 6 MOSFET,以及EiceDRIVER 2EDi閘極驅動IC。XMC系列微控制器使ZSC開關電容轉換器更臻完備。
它可依據系統需求及限制,容易實作穩壓器模組(VRM)或板上(VRD)設計。ZSC 4:1轉換器的雙向功率傳輸能力賦予電源架構設計人員極大的彈性導入高效率且精巧的匯流轉換器,提供48 V至12 V的電壓轉換。
此外,ZSC轉換器模組可以靈活配置,以供應不同的轉換率(2:1、4:1、6:1、8:1、10:1、12:1),提供系統效率的最佳化。在4:1的組態中,ZSC轉換器在 600 W可達到最高99%的峰值效率,功率密度為780 W/inch2。由於具有高功率轉換效率,並具有優異的散熱效能,相同的設計可提供高達1 kW應用。
英飛凌旗下Easy產品系列新增Easy 3B新封裝
英飛凌旗下Easy產品系列新增Easy 3B新封裝,加上既有的Easy 1B與2B封裝,在高12mm無基板的功率模組中成為最豐富的產品組合。Easy 3B是延伸現有逆變器設計的理想平台,可以輸出更高的功率且其在機構方面不需過多的改變。同時,新的封裝承襲了該系列的多項優點,例如,對於客製化至關重要的彈性針腳網格系統。採用新封裝設計的首款模組是400 A三階ANPC(先進中點箝位)裝置,適用於1500 V太陽能逆變器。Easy 3B封裝將於PCIM 2019中展出。
在公用電力的太陽能設備中,1500 V逆變器逐漸普及。2018年該電壓等級的全球出貨總量為32.7 GW(太陽能發電廠的輸出功率),未來五年的預期年複合成長率將達20.6%。為因應此持續成長的市場,新款產品採用最新IGBT技術,阻斷電壓為950 V。Easy 3B封裝的尺寸為110 mm x 62 mm,比Easy 2B封裝大2.5倍。此模組可提供高效率的逆變器設計,最高可達150 kW額定功率,以及500 W/公升以上的功率密度。
英飛凌計劃開發完整的TRENCHSTOP IGBT7 Easy 3B產品系列,滿足工業變頻器市場的需求。這將擴展基於Easy模組的驅動器產品組合,涵蓋更高的額定電流。由於這也是如電動車充電器與能源儲存系統等新興應用的理想平台,英飛凌也將為這些應用開發產品。另一方面,由於充電與儲存皆須仰賴高效率,英飛凌採用最新碳化矽晶片技術的CoolSiC MOSFET也將推出Easy 3B封裝。