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氮化鎵

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意法推首款驅動/GaN整合式產品 快速充電器尺寸更小巧

意法半導體(ST)推出首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN產品平台。該整合化解決方案將有助於加速最高400W之下一代輕量節能消費性電子、工業充電器,以及電源轉接器的開發速度。 GaN技術使電力裝置能夠處理更大功率,同時裝置本身將變得更小、更輕,而且更節能。這些改良將會改變智慧型手機超快充電器和無線充電器、PC和遊戲機的USB-PD高功率配置轉接器,以及太陽能儲電系統、不斷電供應系統或高階OLED電視機,還有雲端伺服器等工業應用。 在目前的GaN市場上,功率電晶體和驅動IC通常是離散元件,這使設計人員必須學習兩者間的協同作業,以達到最佳性能。意法半導體的MasterGaN繞過了這一挑戰,縮短了產品上市時間,並獲得預期的性能,同時使封裝變得更小、更簡單、電路元件更少,而且系統變得可靠性更高。透過GaN技術和意法半導體整合式產品的優勢,採用新產品的充電器和轉接器將相較普通矽基解決方案尺寸縮減80%,重量亦降低了70%。 意法半導體執行副總裁、類比產品分部總經理Matteo Lo Presti表示,ST獨有的MasterGaN產品平台透過我們經過市場檢驗的專業知識和設計能力,再整合高壓智慧功率BCD製程與GaN技術而成,能夠加速開發兼具節省空間、高效能的產品。
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宜普新200V氮化鎵產品系列性能加倍

宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。 EPC2215(8mΩ、162Apulsed)和EPC2207(22mΩ、54Apulsed)的尺寸比前代200V eGaN元件大約縮小50%,而性能卻倍增。EPC2215的導通阻抗降低了33%,但尺寸卻縮小了15倍。其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。 EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內,實現更高的性能,而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。 EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400V、2.5kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器,適用於資料中心,它使用了全新的200V氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說,氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。
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EPC和Microchip在1/16磚式轉換器實現300W功率

EPC宣布推出1/16磚式、300W DC/DC穩壓器-EPC9143。其功率模組把Microchip dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET EPC2053集成在一起,實現25A、48V/12V和96%效率的功率轉換。500kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300W功率,其尺寸僅為33X22.9毫米(1.3x0.9英寸)。 可擴展的兩相設計可以增加相數,從而進一步提高功率。由於Microchip數位控制器具有高靈活性,因此允許在8V至72V範圍內調節輸入電壓,而輸出電壓在3.3V至25V範圍內。而eGaN FET和積體電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢,能够以少元件數量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。 磚式DC/DC轉換器廣泛用於資料中心、電信和汽車應用,可將48V標稱電壓轉換為12V配電匯流排輸出電壓。其中一個主要應用,是48V/12V負載點(POL)轉換器,例如用於通用PCIe卡和存儲。 EPC首席執行官Alex Lidow表示,先進的計算應用對功率轉換器的要求越來越高,我們很高興與Microchip公司合作,為客戶提供靈活的解決方案,從而為48V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本。 Microchip MCU16業務部副總裁Joe Thomsen表示,Microchip的dsPIC DSC可以進行程式設計以充分發揮氮化鎵場效應電晶體的性能。我們很榮幸與EPC公司合作, EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結合,使工程師能夠顯著提高功率密度,從而滿足各種先進運算和電信應用的苛刻要求。
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功率半導體現快充商機 GaN挾高效能進軍消費市場

氮化鎵(GaN)成為電子產業的熱門技術,圍繞氮化鎵的產品、可靠性和解決方案是目前業界關注焦點。其中2020年是消費類充電器,特別是快充市場快速發展的重要時間。隨著市場不斷成熟和趨勢日益明確,消費者對小尺寸和高功率快速充電器的需求越來越大,市場前景可期。GaN快充的其中兩個重要技術指標就是高功率密度和高效能。高功率密度呈現在同一額定功率下的小體積,而高效能則表現於節能環保和更低的工作溫度上。氮化鎵零組件由於具有極高的開關速度及同一晶圓下的小導通電阻,使得更高的效能和開關頻率快速充電成為可能。 2020年採用氮化鎵零組件的快充技術進入快速發展階段,根據產業調查顯示,作為消費類電子指標的手機產業中,目前已經有華為、小米、OPPO等多個知名品牌推出了使用氮化鎵的快充產品。電商方面,更有多達20個品牌先後推出氮化鎵快充產品。本文將探討充電器的技術發展趨勢和氮化鎵功率零組件在高功率、小型化需求下的巨大市場前景。 圖1總結了兩個常見的功率段下,充電器的主要電路和功率密度以及效能指標要求。針對75W以下(30W~65W)的充電器,目前主要電路為單端準諧振(Quasi-Resonant,QR)返馳或主動鉗位返馳(Active Clamp Flyback, ACF)兩種電路。最高效能指標要求接近94%,功率密度要求20W/in3。而高於75W(100W~300W)的充電器,目前基本採用兩級電路方案,前級是功率因數校正電路(PFC),後級為LLC諧振或其他隔離DC/DC電路。最高效能目標要求達到95%,功率密度要達到22W/in3以上。與傳統矽(Si)基功率零組件相比,新材料的氮化鎵零組件具有更高的性能,為充電器,特別是快充產品的小型化和高效能帶來新的可能。 圖1 充電器市場拓撲電路和技術指標 氮化鎵效能高於矽基零組件 氮化鎵零組件由於其寬能隙特點,它的主要優勢在於高開關速度和低開關損耗上。另外,相比同一晶圓大小的功率零組件,氮化鎵功率零組件具有低於矽基零組件的通態電阻,因此系統層面可以帶來更高效能、低工作溫度和小體積的特點,非常適用於小體積、高功率密度的充電器產品設計。總結已量產的氮化鎵功率零組件與目前市場上較優的矽基MOSFET進行比較,可以發現氮化鎵零組件在具有較低的通態電阻下,同時兼具更低的驅動電荷Qg、漏柵極電荷Qgd和輸出能量Eoss,使得高頻率高效能成為可能。 圖2是典型的準諧振(QR)返馳電路拓撲,由於它的低成本和較高可靠性,多用於充電器電路中。在電路中為了提高充電器的功率密度,一個直接的方法就是增加開關頻率來降低變壓器等元件的尺寸。然而提高開關頻率以後,必然將帶來額外的零組件開關損耗和升溫。QR返馳電路主要有兩個與開關頻率相關的損耗,頻率越高相應損耗越大: 1.在功率零組件關斷瞬間原邊電流達到峰值電流,功率零組件在硬關斷過程關閉,存在電壓電流交疊的關斷損耗。可以由零組件驅動電荷Qg和漏柵極電荷Qgd參數來評估。 2.在零組件開通時刻,由於此時電流基本為零,因此不存在開通電壓電流交疊開關損耗,但QR返馳電路在高壓交流電壓輸入(230Vac)條件下零組件開通瞬間漏源極電壓並不為零,所以存在由於內部寄生電容放電產生的放電損耗。它可以由寄生電容對應的輸出能量Eoss參數來評價。 圖2 典型的準諧振(QR)反激電路拓撲和開關過程中的損耗 評價一個功率零組件特性重要指標是品質因數(Figure Of Merit, FOM),它綜合評估零組件的通態和開關特性,越小的FOM代表越優的零組件性能。其中Input FOM表明了零組件在同等通態電阻下,零組件的開關過程中電壓電流交疊損耗,它是硬開關電路評估零組件最重要的指標,例如QR返馳電路的關斷損耗就可以用這個指標來比較。如圖3所示,在相近通態電阻(50~60毫歐)條件下,氮化鎵零組件的漏柵極電荷Qgd僅為矽基零組件的6%,導致開關過程中氮化鎵零組件電壓電流交疊損耗遠小於矽基零組件,約為矽基零組件的五分之一。 圖3 氮化鎵和矽基零組件總電荷比較,以及交疊開關損耗比較 QR Flyback FOM表明QR返馳電路中在同等通態電阻下零組件在200V下寄生電容產生的放電損耗,這裡電壓條件為200V是因為,當輸入交流電壓為高壓230Vac條件下,QR返馳電路功率零組件漏源極電壓約為200V條件下開通,將在此條件下產生寄生電容影響的開通損耗。圖4可以看到,在相近的通態電阻下,氮化鎵零組件的Eoss僅為矽基零組件的60%左右,導致開通電容放電損耗遠低於業界良好的矽基零組件。因此總結分析,氮化鎵零組件在各方面零組件性能上均優於矽基MOSFET零組件,適用於高頻化高效應用,實現優異性能。 圖4 氮化鎵和矽基零組件的輸出能量Eoss比較 產品應用及可靠性測試 從研發工程師的角度分析,在研發充電器產品時主要關注以下三個方面:第一是產品的可靠性,代表零組件在產品壽命中具有高的可靠性和低的失效率,滿足產品的設計壽命;第二是低成本,除了零組件自身成本以外,還需要考慮整體的BOM成本和生產成本;第三是產品能夠快速推向市場,縮短產品設計周期。 例如廠商GaN Systems一直致力於氮化鎵功率零組件的研發和生產,目前已經擁有完整的產品應用領域、高效工作電流和優良封裝的氮化鎵產品線。其中針對快充市場,GaN Systems推出650V 5×6毫米PDFN封裝的氮化鎵零組件,通態電阻從150毫歐(GS-065-011-1-L)到450毫歐(GS-065-004-1-L),可以用於30W到300W的充電器產品中。可靠性方面,GaN Systems按照JEDEC標準的產品認證流程,具有部分測試高於JEDEC標準的測試項目和延長測試時間的倍數。同時基於氮化鎵零組件自身特性,增加了多個額外可靠性測試項目,比如高溫開關動態壽命測試,以確保氮化鎵產品的可靠性和工作壽命。 EZDrive驅動方案 對於增強型氮化鎵零組件驅動,驅動電壓為6V左右,關斷電壓可以為0~10V,而傳統的帶驅動的充電器控制IC輸出驅動電壓一般為12V,因此為了和控制IC的驅動電壓配合,需要進行驅動電壓的電平轉換。其中GaN Systems提出了低成本的EZDrive電平轉換電路,透過簡單的四個小分離元件(RUD/CUD/ZDUD1/ZDUD2)實現驅動電壓的轉換,採用該電路後,氮化鎵零組件驅動實測波型VGS沒有任何過充和干擾振盪(圖5)。 圖5 EZDrive電平轉換電路和驅動波形 使用EZDrive電平轉換電路配合氮化鎵零組件驅動的另一個優勢在於,其驅動電阻Ron和Roff外置(圖6),可以透過驅動電阻來控制漏源極驅動電壓斜率dv/dt進而優化EMI設計。和其他單晶片整合驅動GaN方案相比,氮化鎵零組件加上EZDrive電平轉換電路具有更強的靈活性,並充分利用控制IC內部整合的驅動,實現低成本驅動氮化鎵零組件,同時由於驅動電阻外置,可以控制開關dv/dt斜率達到優化電磁干擾(EMI)設計的目的。 圖6 EZDrive電平轉換電路控制漏源極電壓上升和下降斜率dv/dt 氮化鎵充電器解決方案 採用氮化鎵功率零組件,能夠為充電器特別是快充產品的小型化、高效能、低溫度和低成本帶來可能,將會帶來新的市場機會。為了加速氮化鎵產品的設計與開發,GaN Systems推出針對快充等充電器市場的解決方案,方案覆蓋了30W到300W的功率等級,包含多個充電器常見功率和電路拓撲(準諧振QR返馳/主動鉗位返馳ACF/LLC諧振/功率因數校正PFC等),這些方案都採用了氮化鎵零組件實現高效能和功率密度。圖7是整合650V 5×6毫米PDFN封裝的氮化鎵零組件和EZDrive驅動電平轉換電路的子板(Daughter Card)。可以利用子板快速取代TO220等封裝矽基MOSFET零組件,以評估氮化鎵零組件在性能上的優勢。其中EZDrive電平轉換電路利用四個小分離元件(R1/C1/D2/D3)實現氮化鎵零組件與傳統驅動器或控制器IC的低成本相容。 圖7 氮化鎵5×6毫米PDFN零組件及EZDrive電平轉換電路小子板參考設計 65W高功率密度(18.5W/in3)PD方案是針對快充市場新推出的整體解決方案(圖8),其攜帶了150毫歐氮化鎵零組件(GS-065-011-1-L),採用準諧振電路達到低成本、高頻率解決方案。方案最高效能接近94%,滿足CoC V5 Tier2的效能和待機功耗要求,帶殼高殼溫低於65度以下。除了兩層PCB板低成本設計、高效能和高功率密度之外,方案通過安規標準及EN55032 B類EMI傳導和輻射的全面測試,支援USB-C多種協定輸出,協助使用者縮短產品設計周期,產品快速推向快充消費市場。 圖8  65W PD快充參考設計 如圖9所示,300W高功率密度AC/DC充電器方案使用GS66504B氮化鎵零組件,電路採用同步升壓PFC和LLC諧振電路中,實現了最高95%的效能,34W/in3的功率密度,滿足EN55032 B類EMI傳導要求。其中LLC諧振軟開關電路開關頻率達到500kHz,展現氮化鎵功率零組件在高頻軟開關電路下的獨特優勢。 圖9...
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滿足消費應用需求 GaN快充市場潛力不容小覷

手機/平板/筆電的螢幕尺寸、應用程式等功能快速成長,每人擁有的電子設備與穿戴裝置增加,導致電源需求同步提升,多接孔且充電快速的充電器順勢成為市場熱門的應用之一。同時面對矽材料在能量密度等方面的理論極限,為提升電源的轉換效率與功率密度,氮化鎵(GaN)逐漸成為受到製造商關注的功率半導體應用。投入GaN產品研發的廠商中,部分製造商專攻200V以下的消費電子市場,而GaN快充便是消費電子產品中商品化最為快速的應用。本文將整理GaN在消費性電子市場的應用分析與發展挑戰,探究GaN在消費電子市場的潛能,以及未來應用方向。 GaN快充應用看漲 今年GaN快充應用的熱潮,從1月CES 2020的參展狀況可略知一二。GaN System台灣區業務總經理林志彥(圖1)描述,CES 2020中,約有50-60家的台灣及中國的消費電子配件品牌參展,並推出超過100件採用GaN的產品。納微半導體(Navitas)銷售和市場副總裁Stephen Oliver(圖2)認為,2020年即是GaN在智慧型手機/平板/筆電快充產品的應用快速發展的一年。過去幾年間,從統計數據中可以發現,螢幕與電池的尺寸持續增加(圖3),同時Oppo、Vivo、聯想(Lenovo)、小米已推出手機搭載65W以上的充電器,代表使用者需要快充滿足逐漸增加的電源需求。除了先前主攻售後市場的AUKEY、Anker、RAVpower及Belkin,其他製造商如聯想、三星(Samsung)、Oppo與小米採用GaN快充作為售後的手機配件,甚至可能將其提升為原廠標配(圖4)。 圖1 GaN Systems台灣區業務總經理林志彥 圖2 納微半導體銷售和市場副總裁Stephen Oliver 圖3 2017-2020年智慧型手機及電池尺寸變化   資料來源:Navitas 圖4 2020年Q2 OEM廠商充電器分布   資料來源:Navitas 除了GaN快充產品在消費端需求顯著,製造商同時看好GaN高效率、低導通損耗、外型小巧且適用於高頻率的材料特性。Yole化合物半導體/新興材料技術與市場分析師Ezgi Dogmus解釋(圖5),技術上,GaN在系統整合方面有兩大主要趨勢:系統單晶片(SoC)、系統級封裝(SiP)。針對技術平台,有兩種為了GaN部署的半導體基板:採用藍寶石基板的GaN-on-sapphire、使用矽基板的GaN-on-Silicon。兩種技術都發展良好,可望在明年成為熱門應用。整體而言,GaN快充系統的成本、尺寸及效能,將會創造比其他充電產品更大的市占率。 圖5 Yole développement化合物半導體技術與市場分析師Ahmed Ben Slimane(左)、Yole  développement化合物半導體/新興材料技術與市場分析師Ezgi Dogmus(右) 廠商競爭刺激產量 面對新應用如GaN快充,產品成功最重要的關鍵在於開創市場,讓技術被市場接受並且獲利。Stephen Oliver提到,相較於使用矽,採用納微GaNFast功率晶片的充電器,在整合GaNFET/驅動器/邏輯與數位電路的前提下,可以達到充電速度加快三倍,同時體積減少一半,兼顧性能與價格的優勢。例如廠商AUKEY使用GaNFast晶片製造61W的快充,其體積比蘋果充電器小65%。 如果著重觀察消費市場對新技術/產品的接受度,價格便是驅動需求的主因。林志彥舉例,小米已推出的GaN快充電源售價約台幣700元,成為市場高度接受的產品之一。此外,長期而言,小體積的GaN所需材料少於矽充電器,因此若產量提高甚至進入自動化生產階段,價格將更有明顯的競爭優勢。 生產方面,消費電子產品通常由製造商設定價格、效能與外型規格標準,快充也是如此。Yole分析師說明,GaN作為一項新技術,主要的挑戰在於價格與採用率,而這些又都受限於OEM廠商的嚴格要求與市場布局。截至2020年第二季的GaN市場持續波動(圖6),GaN仍具突破與成長動能。Yole分析師預估,接下來的18個月內,市場會維持相似的浮動狀態,因此國際大廠如三星、華為在產品標配中採用GaN快充的規畫中激烈競爭,蘋果(Apple)可能也會加入戰局,廠商間的競爭將會大力刺激市場銷量,同時導致GaN快充產量上升且價格快速下降。 圖6 功率GaN裝置市場營收趨勢  資料來源:Yole 現階段的GaN快充功率以65W為主流,Stephen Oliver表示,接下來三至五年間,GaN快充的研發必然朝著功率密度更高、充電更快的方向前進,例如聯想預計在今年九至十月左右推出搭載90W電池的手機。新型態的消費者更依賴電子設備提供的工作與娛樂功能,但生活節奏加快、設備的電池容量增加,無法等待漫長時間的來完成充電,因此不斷增長的充電速度即是因應市場需求,Stephen Oliver認為未來功率GaN晶片的市場規模可達10億美元。此外,多接孔的USB-C充電器也會在產業中掀起風潮,滿足現在常見同時持有多個電子設備的消費者的充電需求。 2025年GaN市場上看七億 隨著三星、華為、小米等手機製造商規畫將GaN快充放入標配,Yole分析師觀察到GaN快充高度的市場潛力。GaN已經開始部署在超過45W的快充中,仰賴其小尺寸且高度整合的電源系統,形成高功率密度的應用。接下來三年內趨勢將指向系統單晶片及系統級封裝技術,驅動GaN在消費市場的進展,且GaN充電器的尺寸會持續縮小並伴隨成本下降。 整體而言,Yole分析師預測GaN市場在2025年會超過七億美元,2019~2025年的年均複合成長率(CAGR)則為76%,代表2025年在GaN的整體市場中,將有超過80%的占比來自消費市場(圖7)。林志彥進一步說明,GaN System在市場布局上關注的消費電子、儲能系統、資料中心、工業控制與電動車五大領域中,其中進展最快的即是消費電子市場,能在成本降低次激需求提升的前提下,快速達到量產。2021年下半年,各家廠商高階的手機/筆電型號,極有可能會將GaN充電器/變壓器納入標配規格。 圖7 功率GaN裝置市場規模分析(按應用區分)  資料來源:Yole 除了手機配件,GaN還有其他具有商機的應用場景。Yole分析師表示,GaN的性能表現與外型尺寸帶來優勢可應用在以下幾個領域: ‧ LED驅動器:GaN架構的成本才是受到採用的主因,其裝置GaN有機會用在大於50W的高階、高功率LED驅動器中。 ‧ D類音效功率放大器:國際廠商如EPC、英飛凌、GaN...
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EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast

宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。 宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow表示,這個影片系列幫助設計工程師瞭解氮化鎵技術的獨有優勢,以及如何發揮其特性,進而設計出高效的功率轉換系統。最重要的是,該公司希望縮短設計工程師的學習曲線,讓他們發揮氮化鎵功率半導體的高頻開關及高性能等優勢。 首先上載到宜普公司的網站的7個影片是關於氮化鎵電晶體及積體電路的理論和設計基礎知識的概述,包括材料比較、構建氮化鎵電晶體、性能特性、閘極驅動器、布局、散熱管理,以及模型及測量。 該公司即將發布影片系列第二部份的其他7個教程,為工程師提供基於氮化鎵電晶體的廣泛應用的實用範例,包括面向通訊及數據通訊系統的DC/DC轉換系統。此外,該教程系列涵蓋具備卓越性能的氮化鎵元件如何推動各種新興應用的發展,包括針對全自動駕駛汽車及機械人的雷射雷達/ToF技術、不用電源線的無線功率傳輸應用,以及面向通訊系統的射頻波峰追蹤應用。
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大量導入消費性應用 GaN喜迎高度成長契機

半導體完全依靠電來驅動,隨著應用的不斷擴展,元件複雜度與功能持續提升,電力電子要求強化系統能源效率、縮小體積等。然而,目前矽(Si)材料已逐漸接近性能極限,難以滿足新興應用、產品越來越高效的電力需求。氮化鎵(GaN)具有高開關速度、低損耗、小體積等優點,可以有效提升系統效率,並解決元件散熱問題。 近年來,GaN已開始加速導入至各應用市場當中,市場普及率亦逐漸提升。包括伺服器電源、電動車(EV)以及消費性電子產品的快速充電將是驅動GaN高度成長的關鍵市場。因此更多廠商看好GaN的產業潛力,也將加速技術的改善,包括更高效率、低成本的架構可以在整體競爭的態勢底下,吸引更多應用導入,帶給消費者更多、更好的產品。 GaN正進入消費性應用市場 雲端資料中心近年業務不斷成長,伺服器用電負擔高,希望能有效提升電源轉換效率,像是Google、亞馬遜(Amazon)、微軟(Microsoft)等系統業者,過往都是採用12V的電源架構,如今為了要提升電源使用效率,皆紛紛轉往48V電源設計架構,此時具備高開關速度、低損耗特性的GaN,便成為首要選擇。Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim指出,汽車業也計畫導入48V電源供應系統,GaN元件要導入汽車產業,必須先通過AEC-Q101的汽車電子零組件可靠度驗證。 產業研究機構Yole Développementt(Yole)表示,與矽元件相較GaN是新興的材料,商用化的十多年來,是由高階高性能的應用推動,可提供高頻開關、低導通電阻和較小封裝尺寸,但在2019年,GaN已順利打入消費性應用領域,中國手機廠Oppo宣布在其新Reno Ace旗艦手機搭配的65W快充充電器中採用GaN HEMT元件。這是GaN功率元件首次進入智慧手機市場,而且有可能真正改變GaN產業發展。 而在車用市場,不僅是Transphorm,EPC也獲得AEC認證,而GaN Systems已獲得BMW i Ventures投資,預期在2020年獲得認證。Yole認為,GaN也可望打入工業和電信供電應用領域,包括資料通訊、基地台、UPS和工業雷射雷達應用。Yole預測,受消費型快充應用的驅動,GaN功率元件從2018~2024年,年複合成長率(CAGR)將高達85%,2024年產業規模將達到3.5億美元。 創新架構實現大電流直接驅動 GaN逐步顯現產業應用商機,吸引更多廠商投入,從製程生產的角度來看,Transphorm台灣區總經理王珈雯提到,目前GaN晶圓製造分為三個陣營,台積電、Panasonic與Transphorm,許多沒有晶圓廠的廠商都是委託台積電代工,再找封裝或模組夥伴合作。而Panasonic是與英飛凌(Infineon)合作生產GaN晶圓;Tranphorm則是唯一一家從晶圓製造、封裝、模組都自行完成的廠商,可以充分掌握元件電路設計特性,目前使用6吋晶圓,8吋晶圓預計2020年底完成驗證,2021年正式投片。 從技術架構來看,Transphorm 採用的是創新的Cascade架構(圖1),Yim解釋,該公司的架構是在氮化鋁鎵(AlGaN)層上又加了一個介電質(Dielectric);另一種e-mode架構則是在氮化鋁鎵層上加上了P-Gate,最主要的差異(圖2)在於e-Mode GaN需要配合驅動晶片,而該公司的Cascade架構則不需要驅動晶片,可以直接驅動,驅動電流也更大。 圖1 GaN元件Cascade與e-mode架構差異        圖2 GaN元件Cascade與e-mode架構各項技術優劣     目前,杭州中恆電氣(HZZH)已開發出一種基於GaN的高效功率模組,3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN元件,效率達到98%。該模組的輸入電壓範圍為85伏至264伏,而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN元件用於交錯無橋圖騰柱(Totem Pole)PFC,降低了功率模組的開關損耗和驅動損耗,因此ZHR483KS的性能優於以前使用Super Junction MOSFET的模組。 Yim說明,Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素:可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。在連續導通模式(CCM)升壓PFC拓撲中,在200KHz和120Vac輸入的條件下,該公司Cascade GaN較超接面Si提升近1%的效率,隨著頻率的升高,GaN的優勢更為明顯。
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意法收購Exagan 擴展GaN應用布局

意法半導體(ST)日前宣布已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協定。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規畫,意法半導體則將為其部署產品提供支援。 意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,意法半導體的碳化矽發展布局具備強大動能,現在該公司正擴大對另一種前景看好之複合材料—氮化鎵的投入,以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權可強化該公司在全球功率半導體市場的地位,同時也是對於GaN長遠規畫、生態系統和業務向前邁出的另一步。這是目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發專案,還有近期宣布與台積電合作專案的另一個成果。 氮化鎵(GaN)屬於寬帶隙(Wide Bandgap, WBG)材料家族,其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步,其效能和功率密度優於矽基電晶體,GaN基板元件節能省電、縮減系統大小,適合各種應用,例如伺服器、電信/工業用功率因數校正和DC/DC轉換器;同時包含電動汽車車載充電器/車規DC-DC轉換器及電源適配器等個人電子應用。
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EPC氮化鎵GaN推動產業功率傳輸轉型

宜普電源轉換(EPC)將於3月15至19日在美國紐奧良(New Orleans)舉行的APEC 2020展覽會上,進行11個關於氮化鎵(GaN)技術及應用的演講。此外,EPC展位也會有多個終端客戶採用的最新氮化鎵場效應電晶體及IC產品亮相。 在展會上,EPC將發布ePower Stage系列IC,在單一矽基GaN晶片上整合所有功能,為產業重新定義功率轉換。並將展示ePower Stage及離散式GaN元件如何能夠提升48V功率轉換器的效率、縮小其尺寸及降低系統成本。該48V轉換器針對輕薄並且具有高功率(可高達250W)的筆記型電腦、具高功率密度的伺服器及人工智慧系統,以及汽車系統等應用。 宜普EPC 48V電源轉換模組 另外,EPC將展出多個光達應用,展示氮化鎵技術如何支援短距及長距雷射雷達感測器。展示包括用於長距離檢測的直接飛時測距(DToF)系統,可在低於2.5奈秒提供超過100A的電流。 用於短距離檢測的間接飛時測距(IToF)系統則可在低於1.2奈秒的脈寬提供8A脈衝電流。終端應用包括自駕車、自動化倉庫、無人機及吸塵機等應用。 EPC並將介紹如何以GaN晶片支援電動滑板車的馬達供電。ePower Stage元件應用於三相正弦激勵,馬達驅動器的每相具10ARMS,可實現高效、寧靜、高性能及低成本的電動汽車解決方案。 在無線電源充電方面,隨著物聯網產業的迅速發展,全新的連結及感測元件若需要符合5G的要求,可靠及安全的無線供電不可或缺。EPC將展示支援5G的高效無線電源充電解決方案,可穿透e-glass及牆壁,傳輸高達65W的電源。
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看好功率應用需求 台積電/意法合推氮化鎵製程

日前台積電宣布與意法半導體(ST)合作,共同推動氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)製程技術發展。氮化鎵在汽車、工業、電信以及特定消費性電子產品的應用上,具有比傳統矽基半導體更優異的節能效益,同時元件切換速度比矽基元件快10倍,也能讓系統使用的元件更精簡,進而縮小終端產品的外觀尺寸。透過此合作,意法半導體將採用台積電領先的氮化鎵製程技術,來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。 台積電宣布與意法半導體合作。 氮化鎵是一種寬能隙半導體材料,相較於傳統的矽基半導體,氮化鎵擁有高度效能優勢,包括在高功率的同時達到更大的節能效益,大幅降低寄生功耗。除了功耗方面的提升,相較矽基元件,氮化鎵元件的切換速度加快10倍,並且能在更高溫的環境下運作,具備更廣泛的應用場景,主要使用在100伏與650伏特電壓之間的產品,包含工業、汽車、電信及部分消費性電子產品。 為了加速氮化鎵技術的落地應用,台積電借助意法半導體的產品設計與汽車產業經驗,並貢獻氮化鎵的製造技術,協助意法半導體提供中功率與高功率應用所需的解決方案,包括油電混合車的轉換器與充電器的產品設計。若氮化鎵功率電子成功進入工業即汽車供率轉換使用,是必成為汽車電氣化發展的一大進程。
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