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台積電正式宣布 有意於美國設立先進晶圓廠

台積電今(15)日宣布在與美國聯邦政府及亞利桑那州的共同理解和其支持下,有意於美國興建且營運一座先進晶圓廠。 此座將設立於亞利桑那州的廠房,將採用台積電的5奈米製程技術生產半導體晶片,規劃月產能為20,000片晶圓,將直接創造超過1,600個高科技專業工作機會,並間接創造半導體產業生態系統中上千個工作機會。 該晶圓廠將於2021年動工,於2024年開始量產。台積電預估,2021年至2029年,該公司在此專案上的支出(包括資本支出)約120億美元。 台積電表示,這座先進晶圓廠不僅能使該公司為客戶和夥伴提供更好的服務,也為台積公司提供了更多吸引全球人才的機會。此專案對於充滿活力及具有競爭力的美國半導體生態系統來說具有重要的策略性意義,它使具業界領先地位的美國公司能於美國境內生產其最先進的半導體產品,同時又能受惠於世界級的半導體晶圓製造服務公司及其生態系統的地理鄰近性。 台積電期待與美國當局及亞利桑那州於此專案上繼續維持鞏固的夥伴關係,此專案需要台積公司大量的資本和技術投資,而美國強健的投資環境及其優秀的人才使得此專案及未來於美國的投資對台積公司來說極具吸引力。 美國採行具前瞻性的投資政策為其半導體技術營運創造出具全球競爭力的環境,此環境對於本專案的成功至關重要。這也使台積電對此項投資及未來與其供應鏈夥伴投資的成功皆充滿信心。 台積公司目前在美國華盛頓州卡馬斯市設有一座晶圓廠,並在德州奧斯汀市、加州聖何西市皆設有設計中心。此座位於亞利桑那州的廠房將成為台積公司在美國的第二個生產基地。
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瞄準未來資料中心需求 賽靈思高階FPGA再升級

5G不僅將為電信及資料中心內部網路帶來更高的頻寬需求,相關網路設備還必須支援許多前所未有的智慧功能,以提升網路安全跟增加網路的靈活性。有鑑於此,賽靈思(Xilinx)於11日發表新一代高階產品Versal Premium,不僅廣泛支援目前市場上最先進的網通協定與高速介面技術,並具備大量可編程邏輯資源,可讓電信與網通設備開發者設計出各種獨特的應用功能。Versal Premium系列特色為高度整合且功耗最佳化的網路硬核,是業界最大頻寬與最高運算密度的自行調適平台。其專為在散熱條件與空間有限環境中運作的最大頻寬網路,以及需要可擴充與靈活應變應用加速的雲端供應商而設計。 圖 賽靈思針對網路與雲端加速推出全球頻寬最大與運算密度最高的自行調適平台Versal Premium。 Versal為業界首款自行調適運算加速平台(Adaptive Compute Acceleration Platform;ACAP),是一個功能遠超常規晶片架構的革命性全新異質運算元件類別。全新Versal Premium以台積電7奈米製程技術而打造,結合軟體可編程能力、動態可配置硬體加速與預置連接與安全功能為一體,為加快產品上市進程提供了强大引擎。作爲Versal ACAP的最新產品系列,Versal Premium系列可提供比當前FPGA高達3倍的傳輸量,並內建乙太網路、Interlaken與加密引擎等元件,以實現快速且安全的網路。該系列提供了目前部署主流FPGA兩倍的運算密度,同時還針對持續擴展的多元且不斷發展的雲端與網路作業提供靈活應變的能力。 賽靈思產品與平台行銷副總裁Kirk Saban,Versal Premium是針對下一代網路設備與雲端資料中心所開發的解決方案,透過網路硬核IP突破性的整合,成就單晶片400G與800G的解決方案。Versal Premium在硬體與軟體開發人員都能輕鬆進行編程的可擴充平台上,提供了卓越的頻寬與運算密度,從而達到加速最佳化並大幅降低整體擁有成本(TCO)。」 Versal Premium是基於已經量產上市的Versal AI Core與Versal Prime ACAP系列產品所打造。Versal Premium創新且獨有的功能包含112Gbps PAM4收發器、頻寬可達數百Gb/s的乙太網(Ethernet)、Interlaken連接、高速加密以及內建DMA、同時支援CCIX與CXL的PCIe Gen5。在與Vitis統一軟體平台與Vivado設計套件整合後,Versal Premium能為硬體與軟體開發人員提供完整的解決方案堆疊,以協助發揮最高的生產力。 5G技術將使網路流量大幅增加,帶動功耗最佳化傳輸與現有資料佔用、功耗範圍內的最佳化傳輸量與運算密度的需求。為因應上述的挑戰,Versal Premium系列提供了高達9Tb/s的可擴充、自行調適的序列頻寬。具體方法為將112G PAM4與整合的網路功能模組用於收發器與核心網路、都會網路和資料中心互連(Data...
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半導體先進製程超限戰 5nm成下一個金雞母

半導體先進製程已經與晶片效能畫上等號,因此,除了品牌與功能之外,對於晶片商來說,採用先進製程也是技術行銷的一大重點,晶片的成功與擴散很大程度上取決於IC製造商能否繼續提供更多的性能和功能。隨著主流CMOS製程達到其理論、實用和經濟極限,降低IC成本不可避免地與不斷成長的技術和晶圓廠製造能力相提並論。台積電已經正式量產的5奈米(nm)製程將成為下一個製程爭奪重點,並為該公司創造更多營收。 2015~2021年主要晶圓廠製程發展進度 資料來源:IC Insights(2/2020) 根據產業研究機構IC Insights最新研究指出,許多IC公司現在正在設計10nm和7nm製程的高階微處理器、應用處理器和其他高級邏輯設備。在半導體製造領域,採用先進製程具有明顯的優勢。在2019年,台積電是唯一使用7奈米製程技術的晶圓代工廠,也成為各家晶片廠商的「名牌」,台積電的先進製程創造大量營收,7奈米製程也出現排隊狀況,一線大廠才能優先取得產能,搶先量產產品,並為廠商拿來作為產品行銷的重點技術。 也由於IC設計廠商排隊採用7奈米製程製造最新設計,推升台積電單片晶圓總收入。台積電2019年每片晶圓收入高於2014年13%,也是全球唯一一家達成此目標的晶圓廠。相較之下,GlobalFoundries、聨電UMC和中芯國際(SMIC)2019年每片晶圓收入,與2014年相較分別下降了2%、14%和19%,這三家廠商的最先進製程約在12/14奈米。 除了代工和邏輯IC製造外,三星、美光、SK Hynix和Kioxia/WD等記憶體供應商都在使用先進製程來製造其DRAM和快閃記憶體(Flash)元件。無論設備類型如何,IC產業都已經發展到只有極少數的公司可以開發前瞻製程技術並製造前瞻IC的地步。日益成長的設計和製造挑戰以及成本已經將積體電路領域門檻變的越來越高。
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看好功率應用需求 台積電/意法合推氮化鎵製程

日前台積電宣布與意法半導體(ST)合作,共同推動氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)製程技術發展。氮化鎵在汽車、工業、電信以及特定消費性電子產品的應用上,具有比傳統矽基半導體更優異的節能效益,同時元件切換速度比矽基元件快10倍,也能讓系統使用的元件更精簡,進而縮小終端產品的外觀尺寸。透過此合作,意法半導體將採用台積電領先的氮化鎵製程技術,來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。 台積電宣布與意法半導體合作。 氮化鎵是一種寬能隙半導體材料,相較於傳統的矽基半導體,氮化鎵擁有高度效能優勢,包括在高功率的同時達到更大的節能效益,大幅降低寄生功耗。除了功耗方面的提升,相較矽基元件,氮化鎵元件的切換速度加快10倍,並且能在更高溫的環境下運作,具備更廣泛的應用場景,主要使用在100伏與650伏特電壓之間的產品,包含工業、汽車、電信及部分消費性電子產品。 為了加速氮化鎵技術的落地應用,台積電借助意法半導體的產品設計與汽車產業經驗,並貢獻氮化鎵的製造技術,協助意法半導體提供中功率與高功率應用所需的解決方案,包括油電混合車的轉換器與充電器的產品設計。若氮化鎵功率電子成功進入工業即汽車供率轉換使用,是必成為汽車電氣化發展的一大進程。
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高通推5G數據機射頻系統 5奈米晶片再受矚目

去年三星及台積電陸續宣布使用極紫外光(EUV)微影技術的5奈米製程備受矚目,台積電也表示將在2020年投入量產。而日前高通推出的Snapdragon X60 5G數據機射頻系統即使用5奈米晶片,再次引發市場對5奈米製程高度的關注。 高通Snapdragon X60 5G數據機射頻系統。 半導體製程從7奈米進展到5奈米,其所使用的EUV技術不只提升晶片的性能、減少功耗及縮小面積,同時透過減少光罩層數協助設計者簡化設計流程,為產業提供更高的經濟效益。 5奈米製程在通訊的應用上,有助於5G技術的普及。高通推出的Snapdragon X60採用5奈米5G基頻晶片,能加快行動裝置平均的5G連線速度,並且加強電信產品的效能與容量,此項5G數據機至天線解決方案,可達到7.5 Gbps下載以及3 Gbps上傳的速度。 在技術層面,X60的主要優勢在於,作為業界第一個支援頻譜聚合的5G數據機射頻系統,涵蓋主要的5G頻段與組合,其中包括使用分頻雙工(FDD)與分時多工(TDD)的毫米波與sub-6頻段,能夠運用片段頻譜資產提升5G效能。此外,X60內建的5G FDD-TDD sub-6載波聚合解決方案,除了支援5G FDD-FDD和TDD-TDD並搭配動態頻譜分享(DSS),讓電信營運商擁有更多部署選擇,包括將LTE頻譜重新規劃供5G使用。 X60同時搭載高通第三代的QTM535毫米波天線模組,可望用於設計更輕薄的智慧型手機。高通預期,2020年第一季Snapdragon X60與QTM535將開始送樣,搭載這兩款方案的智慧型手機,則可望在2021年初上市。
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調研:三星穩坐晶圓製造龍頭 前五大占全球產能53%

市場調研機構IC Insights日前發布2020至2024年全球晶圓產能預估報告,根據當前排名,三星以15%獨占鰲頭,台積電則以12.8%緊追其後。至於前五名依序為三星、台積電、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)以及鎧俠(Kioxia,原為東芝)。 全球前五大晶圓製造商的總產能超過全球總量的半數。 該機構釋出的報告揭示截至2019年12月全球25大晶圓廠的排名,其中前五大晶圓廠總產能占全球晶圓產能53%,且每月皆生產超過100萬片晶圓,相較之下2009年前五大晶圓廠僅占全球總產能36%。至於其他大廠如英特爾、聯電、格羅方德(GlobalFoundries)、德州儀器(TI)和意法半導體(ST)等則紛紛跌至前五名外。 根據統計,三星於全球擁有最大晶圓產能,每月生產超過290萬片晶圓,占全球總產能15%,其中約三分之二用於製造DRAM及NAND快閃記憶體。該公司目前著手於韓國兩處以及中國等三地建造新工廠;居於其後的全球最大晶圓代工廠台積電(TSMC),以月生產250萬片晶圓的產能占全球12.8%,並計畫持續於台中及台南各新建一座晶圓廠。 歸功於在新加坡新設12吋晶圓廠,使2019年產能提升,美光以9.4%的產能占據全球第三名,每月生產約180萬餘片晶圓。該公司還收購了位於猶他州的IM Flash合資工廠中的英特爾股份,並計畫2020年於美國維吉尼亞州建第二家晶圓廠;排名第四的SK海力士將其超過80%的產能投入DRAM和NAND快閃記憶體晶片製造,月生產180萬片晶圓,占全球總產能8.9%。該公司於2019年分別於韓國及中國新建晶圓廠,之後將持續於韓國利川開設新晶圓廠 Flash記憶體供應商鎧俠則以140萬片晶圓的產能擠進第五名,占全球總量7.2%。同時該報告亦指出,晶圓製造前五大純晶圓代工廠台積電、格羅方德、聯電、中芯國際(SMIC)和力積電均躋身全球產能前12名,以月產480萬片的總量占全球總產能的24%。
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2024年先進封裝產業規模將達440億美元

先進封裝製程是當今所有半導體製造技術的核心。對所有半導體公司而言,先進封裝技術在由 5G、人工智慧和物聯網等大趨勢直接影響的產業發展方面具有戰略意義,並能確保其業務的發展。產業研究機構Yole Développement(Yole)表示,2024年先進封裝市場規模為440億美元,2018~2024年的年複合成長率為7.9%。 2018~2024年主要先進封裝製程成長趨勢 資料來源:Yole Développement(12/2020) 面對不斷變化的目標及大趨勢的影響,半導體廠商正在調整各自戰略。而半導體供應鏈及其背後的先進封裝產業也在經歷著不同層次的變革。部分廠商已經成功涉足新的商業領域,顯著影響IC產業鏈,而其他廠商則未成功。不同的廠商有不同的驅動因素轉型或拓展新業務—例如谷歌、微軟、Facebook和阿里巴巴這些軟體公司正在設計自己的處理器,以便在組裝層面獲得系統級整合/定制和供應鏈控制。 最大的變化是代工廠涉足先進封裝業務。儘管他們是該領域的新進者,但帶來的影響是顯著的:台積電在扇出型和3D先進封裝平台方面領先,提供各種產品,如InFO(及其變種)、CoWoS、WoW、3D SoIC 等。對於台積電來說,先進封裝已經成為一項成熟的業務,預計2019年其先進封裝業務的營收將達30億美元,在OSATs中排名第四。 聯電是2.5D封裝矽轉接板的主要供應商。聯電最近與Xperi合作,為各種半導體元件優化並商業化ZiBond和DBI技術。武漢新芯為影像感測器和高性能應用提供3D IC TSV封裝方案。整體而言,這些廠商有助於將封裝從基板轉移到矽平臺。其實,不止代工廠進入先進封裝領域,IC基板和PCB製造商,如SEMCO、Unimicron、AT&S和Shinko,透過板級扇出封裝和有機基板中的嵌入式晶片涉足先進封裝領域。這些公司正在瓜分OSAT的市場,特別是先進封裝業務。
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SEMI:2020年國際晶圓廠設備支出再創新高達580億美元

SEMI(國際半導體產業協會)公布2019年全球晶圓廠預測報告,經歷上半年衰退態勢後,在下半年因記憶體投資激增所挾帶的優勢,預估2019年全球晶圓廠設備支出將上修至566億美元。報告指出,2018年至2019年,晶圓廠設備投資僅下滑7%,相較於先前所預測降幅18%獲得顯著改善。 SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示,晶圓廠設備支出成長主要來自於先進的邏輯晶片製造與晶圓代工業者對於記憶體,尤其是3D NAND的投資挹注持續成長。SEMI同時修正2020年晶圓設備投資預測,總金額上修至580億美元,整體市場轉趨樂觀。 由圖黃色趨勢線可見,記憶體設備支出力道是扭轉全球晶圓廠設備支出放緩趨勢的關鍵。整體設備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10%及12%,其中下滑主因便來自全球記憶體設備支出萎縮。在2019上半年記憶體設備投資下滑幅度達38%,降至100億美元的水平之下;其中又以3D NAND的設備投資下滑幅度最為慘烈,衰退57%;DRAM的設備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。 在台積電與英特爾(Intel)的引領下,先進邏輯晶片製造與晶圓代工業者的投資預計在2019下半年攀升26%,而同一時期3D NAND支出則將大幅成長逾70%。儘管今年上半年對於DRAM的投資仍持續下降,但自7月份以來的下降幅度已較和緩。 報告進一步顯示,2020上半年,受到索尼(Sony)建廠計畫的帶動,影像感測器投資預期將成長20%,下半年增幅更將超過90%,達16億美元高峰;另外,由於英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST Microelectronics)和博世(Bosch)皆發表相關投資計畫,電源管理元件的投資預計大幅成長40%以上,下半年將維持成長態勢,再度上升29%,金額上看近17億美元。  
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受惠旺季備貨及5G需求帶動 晶圓代工業逐漸擺脫衰退

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院統計,在業者庫存逐漸去化及旺季效應優於預期的助益下,預估第四季全球晶圓代工總產值將較第三季成長6%。市占率前三名分別為台積電(TSMC)的52.7%、三星(Samsung)的17.8%與格羅方德(GlobalFoundries)的8%。 觀察主要業者第四季的表現,台積電的16/12奈米與7奈米節點產能持續滿載。其中,7奈米受惠蘋果iPhone 11系列銷售優於預期、AMD維持投片量,以及聯發科的首款5G SoC等需求挹注,營收比重持續提升;成熟製程則受惠IoT晶片出貨增加,估計台積電2019年第四季營收年增8.6%。 至於三星方面,由於市場對於2020年5G手機寄予厚望,使得自有品牌高階4G 手機AP需求成長趨緩,不過高通在三星投片的5G SoC於第四季底將陸續出貨,可望填補原本手機AP下滑的狀況。另外在5G網通裝置的晶片與高解析度CIS表現不俗,估計第四季營收相較第三季持平或微幅成長,年增幅則受惠2018年同期基期較低,因此有19.3%的高成長。 格羅方德的RF IC在5G發展帶動下需求增加,並擴大通訊與車用領域之FD SOI產品,填補了先進製程需求減少,第四季營收年增率可望轉正。聯電(UMC)在5G無線裝置與嵌入式記憶體市占提升,加上手機業者對RF IC、OLED驅動IC、運算晶片市場對PMIC需求,預估第四季營收年增15.1%。中芯國際(SMIC)則受惠CIS與光學指紋辨識晶片維持成長,中國的客戶開案持續增加,而在通訊應用方面的PMIC也有穩定需求,產能利用率近滿載,預估第四季營收年成長6.8%。拓墣產業研究院指出,受節慶促銷效應帶動,業者備貨提升,第四季晶圓代工市場營收表現優於預期。  
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2019英特爾重回半導體龍頭 索尼飛躍成長

市場調研機構IC Insights日前釋出研究報告,揭示英特爾(Intel)即便面對全球半導體市場的不樂觀,仍將超越三星(Samsung)重回全世界最大半導體供應商;而索尼(SONY)則以亮眼姿態躍升,於銷售成長率中稱冠。 英特爾在2019年全球半導體供應中排名第一,重回產業龍頭。 根據研究報告指出,2019年全球半導體產業整體銷售量不甚理想,與2018年相比估計減少13%,呈現下滑趨勢。報告中針對2019年全球半導體公司營業額進行排名,前15名排名依序為英特爾、三星、台積電、海力士(Hynix)、美光科技(Micron)、博通(Broadcom)、高通(Qualcomm)、德州儀器(TI)、鎧俠(Kioxia)、NVIDIA、索尼、意法半導體(ST)、英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)及聯發科技。若扣除純晶圓代工廠台積電不計,海思(華為)將排名第15名。 全球排名前15名的半導體公司銷售額預計皆達70億美元,但於銷售量上呈現萎縮,估計比2018年減少15%,比全球估計銷售數值低兩個百分點。 進一步探究前15名,其中僅有三間:索尼、台積電和聯發科,銷售額呈現增長,其餘均呈現衰退,尤其是三大記憶體供應商:三星、海力士以及美光,銷售數字均預計比2018年下降超越29%。其中海力士跌幅最劇,銷售額下降38%。此外,包括記憶體供應商三星、海力士、美光和鎧俠在內,更有六家公司預計2019年銷售將出現兩位數的衰退。 索尼在全球半導體產業不景氣的情勢下,銷售率仍逆勢成長為全球第一。 至於報告中比較的全球半導體公司銷售成長率,上升最顯著的是索尼。歸功於影像感測器的熱銷,在一片負成長中交出超越2018年的好成績,一舉上升4名。相形之下,恩智浦預計將下跌兩名至第14名。 隨著三星於DRAM和NAND快閃記憶體市場的顯著成長,英特爾自2017年第二季便被三星取代久居的首位,連兩年追於其後。但由於2019年記憶體市場的銷售額預估將大幅萎縮34%,英特爾2019年銷售額將以26%的差距超越三星,再次成為全世界最大半導體供應商。
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