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挑戰SmartPhone龍頭 華為持續逼近三星

根據產業研究機構Gartner的數據,2019年第一季智慧手機的全球銷售量衰退了2.7%,總計3.73億支。儘管在美國缺席,華為仍然是全球第二大智慧手機供應商,並繼續縮小與三星的差距。旗艦智慧手機的不斷創新和價格創新高延長了手機更換週期。智慧手機最大的兩個市場,即美國和中國,2019年第一季的銷售額分別下降了15.8%和3.2%。 在2019年第一季,三星保持全球智慧手機龍頭的寶座,市占率達到19.2%。華為在全球前五大智慧手機品牌廠中同比成長幅度最高,成長44.5%,智慧手機銷量達到5840萬台。而華為智慧手機銷量在全球各地市場均有所斬獲,尤其在歐洲和大中華地區表現格外出色,其智慧手機銷售量分別成長69%和33%,華為繼續在大中華區占據主導地位,市占率達29.5%,協助其確保智慧手機榜眼的位置。 儘管2019年第一季三星智慧手機銷量下降了8.8%,但該公司仍然是全球第一的智慧手機供應商。另外,蘋果iPhone的銷量為4460萬台,同比衰退17.6%。Gartner認為,市場上iPhone的價格下降有助於推高需求,但還不足以協助iPhone恢復成長,蘋果正面臨更長的換機週期,因為用戶很難看到足夠的價值優勢來取代現有的iPhone。 Vivo在2019年第一季擊敗小米獲得第5名。該季Vivo銷售了2740萬部智慧手機,小米賣出了2720萬。最新功能,如顯示屏指紋掃描儀、滑蓋相機、快速充電和幾乎無邊框顯示,幫助Vivo在2019年第一季實現兩位數的智慧手機銷售成長。  
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VCSEL狂飆! 2024產業規模超越37億美元

根據產業研究機構Yole Développement研究顯示,全球垂直共振腔面射雷射(VCSEL)市場規模到2024年將超過37億美元,在2018年至2024年間以31%的年複合成長率(CAGR)成長。其中行動與消費性應用占最大比重,到2024年市場規模達到34億美元。智慧型手機應用之外,具有新興3D感應功能的汽車產業也出現高度成長CAGR為185%。 2017年,每部智慧型手機的VCSEL總成本估計為4~5美元,2018年,進一步降至2~3美元,Yole認為,出貨量大幅成長刺激成本下降;更多VCSEL製造商獲得智慧型手機製造商的認可,導致利潤率降低。未來,智慧型手機應該嵌入用於接近感應和前後3D感應的VCSEL,整體VCSEL成本約為2美元。 2017年11月,Apple推出FaceID新功能,帶動VCSEL的高度成長;行動和消費性應用在2018~2024年之間的CAGR為35%。其他應用也有望在不同的市場中導入VCSEL包括:汽車和運輸以及工業。在LiDAR中,預計VCSEL將與EEL競爭,特別是中短程光達。由於能夠輕鬆構建陣列,VCSEL是降低LiDAR成本並達到OEM設定目標的解決方案之一。到2032年,光達的VCSEL市場可以創造約8億美元的營收。  
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2019年第二季全球晶圓代工業全面衰退

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計,由於全球政經局勢動盪,致使第二季延續前一季需求疲弱,各廠營收與去年同期相比普遍呈現下滑,預估第二季全球晶圓代工總產值將較2018年同期下滑約8%,達154億美元。市占率排名前三名分別為台積電、三星與格羅方德。 拓墣產業研究院指出,2019年第二季晶圓代工業者排名前五與去年相同,第六名至第十名則略有變動,包括力晶(PSC)因記憶體和顯示驅動晶片代工需求下滑,排名與去年同期相比由第七名下降至第九名;而顯示驅動晶片轉移至12吋投產的趨勢愈加明顯,使得不具有12吋產能的世界先進營收受衝擊,排名被華虹半導體(H-Grace)超越,滑落至第八名。 觀察前十大晶圓代工業者第二季的表現,僅有華虹半導體受惠於Smart Card、IoT、Automotive的MCU 和功率器件等市場需求較為穩定,營收與去年同期持平,其餘業者皆因市場需求不濟、庫存尚待消化等原因,導致第二季營收表現較去年同期下滑約8%。 其中值得關注的是市占率近半的台積電,受惠於7nm為主的先進製程客戶需求拉升,其第二季的年衰退幅度相對於其他業者來的較小。然美國政府於2019年5月10日突將中國出口至美國價值約2000億美元商品關稅由10%調升至25%,將中美貿易衝突推升至緊張階段,導致華為在消費業務可能面臨史無前例的困境,進一步影響全球晶圓代工產業於2019下半年的表現。 此外,Google在配合川普政策要求下,宣布將不再提供華為相關應用軟體及服務,也將打亂華為的國際業務,對於目前有四成多手機銷量來自海外市場的華為來說無疑是一大重擊。相反的,華為於海外市場的最主要競爭對手三星電子(Samsung)在全球通路布局完整,在此局勢演變下,可說潛在最大的獲益者。若三星囊括華為於歐洲的市占版圖,台積電將難透過其他如高通、聯發科等客戶取回原本在旗艦處理器市場的占有率。 展望2019年,美國與中國、印度、墨西哥的關稅爭端,以及與中東伊朗的衝突等,都將為全球經濟帶來重大的衝擊,世界銀行近期已將全球GDP由1月預估的2.9%下修至2.6%,IMF則由原預估的3.6%下調至3.1%。拓墣產業研究院預估,2019年全球晶圓代工產業將出現十年來首次的負成長,總產值較2018年衰退近3%。  
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2019~2020年半導體產業資本支出將出現「雙殺」

在過去的六次半導體產業資本支出下滑中,有五次持續了兩年才恢復。根據產業研究機構IC Insights的研究指出,從1983年到2019年和2020年的年度資本支出變化預測,在過去34年中,有六個時期,半導體產業資本支出在一兩年內以兩位數的速度下降。 在1983年至2010年間,支出下降的兩年後支出激增至少45%。由於大多數半導體廠商在經濟放緩期間非常保守地採取行動並等到他們已經記錄了4~6季的良好經營業績,才會顯著增加其資本,因此削減後的第二年支出成長通常強於經濟衰退後的第一年。鑑於2019年半導體市場預期不佳,大多數半導體廠商2020年的支出預算可能會非常保守。 在2015年削減資本支出兩年後,資本支出成長超過45%,此外,2016年僅成長了4%。儘管2017年資本支出成長了41%,但IC Insights認為自2013年以來資本支出成長率相對較低的周期性行為,與過去的周期相比,是半導體產業日趨成熟的另一個跡象。  
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智慧城市2023年投資支出達1,890億美元

產業研究機構國際數據公司(IDC)研究顯示,2023年智慧城市計劃的全球支出將達到1,895億美元。主要花費在彈性能源和基礎建設項目,其次是數據驅動的公共安全和智慧運輸。總體而言,這些優先領域將占2019~2023年預測中所有智慧城市支出的一半以上。 IDC指出,雖然智慧電網和智慧電表投資仍占智慧城市支出的很大一部分,但其他領域的成長更為強勁,涉及智慧交通和公共安全,以及與平台相關的案例和數位雙胞胎在全球智慧城市的發展中越來越普遍。在預測期內將獲得最多支出的應用與主要戰略優先事項緊密結合:智慧電網、安全監控、先進公共交通、智慧戶外照明和智慧交通管理。這五個應用將占2019年所有智慧城市消費的一半以上,儘管到2023年它們的比重將有所下降。五年預測中支出成長最快的應用是車聯網(V2X)聯結、數位雙胞胎和穿戴式設備。 在虛擬新加坡專案的推動下,新加坡仍將是智慧城市計劃的最大投資者。紐約市將是第二大支出,其次是東京和倫敦。北京和上海基本上排在第5位。在區域發展上,美國、西歐和中國將占整個預測中所有智慧城市消費的70%以上。日本,中東和非洲(MEA)的智慧城市消費成長最快,年複合成長率約為21%。  
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2024年全球車聯網產業規模突破450億美元

車聯網產業發展迅速,除了車廠之外各國政府也積極推動法規的訂定,強化車輛主動安全系統的建置,加上5G服務的陸續商轉,根據產業研究機構Ameri Research研究指出,預計到2024年全球車聯網產業規模將突破450億美元,其中以北美與歐洲市場規模最大,也將帶領車聯網產業的發展。 2019年車聯網產業規模將超過260億美元,北美市場規模約100億美元,歐洲市場規模約120億美元,到2020年以後5G V2X服務陸續導入市場,為車聯網產業發展提供更大發展動能,到2024年整體產業規模突破450億美元,其中北美市場約170億美元,歐洲市場產業規模更將挑戰200億美元,同時亞太市場發展也將持續加速。  
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GaN射頻元件2024年產業規模突破200億美元

近年來,由於氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業大量採用。根據兩個主要應用:電信基礎設施和國防,推動整個氮化鎵射頻市場預計到2024年成長至20億美元,產業研究機構Yole Développement(Yole)的研究報告指出,過去十年,全球電信基礎設施投資保持穩定,在該市場中,更高頻率的趨勢為5G網路中頻率低於6GHz的PA中的RF GaN提供了一個最佳發展的動力。 自從20年前第一批商用產品出現以來,GaN已成為射頻功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手,並以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件幾乎同時出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署在5G 6GHz以下的RRH架構中。然而,與此同時,在經濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展,這可能會挑戰5G sub-6Ghz主動式天線和大規模MIMO部署中的GaN解決方案。 GaN射頻元件市場整體規模再2018年約6.45億美元,無線通訊應用約3.04億美元、軍事約2.7億美元,航太應用3700萬美元為三大主要應用,2024年整體市場將成長至200.13億美元,年複合成長率達21%,無線通訊應用規模達7.52億美元,軍事應用為9.77億美元,值得注意的是RF Energy將從200萬美元成長至1.04億美元。  
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TrendForce:電動車帶動IGBT產值2021年突破52億美元

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,電動車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預估在2021年將突破800萬輛,為2018年的兩倍。由於電動車除了電池與發動機外,關鍵零組件以IGBT功率元件最為重要,其使用量約為傳統內燃機引擎汽車的5至10倍之多,因此將帶動IGBT市場總值持續成長,預估2021年IGBT的市場總值將突破52億美元。 拓墣產業研究院指出,電動車使用到IGBT的裝置主要有五項,包含逆變器、直流/交流電變流器、車載充電器、電力監控系統以及其他附屬系統。其中,逆變器、直流/交流電變流器以及車載充電器對電動車性能表現影響最為關鍵,在配合高電壓高功率的工作條件下,功率元件的採用需替換成IGBT元件或IGBT模組,對IGBT元件的需求量最大;而電力監控系統與其他附屬裝置如水幫浦、空調壓縮機等在設計上雖然與過往差異不大,但由於輸入電源變更為高電壓的車用電池,因此承受電力的功率元件也需更改為適合高電壓工作範圍的IGBT功率元件,挹注IGBT市場需求。 就供應鏈來看,電動車IGBT元件的主要IDM供應商為Infineon、ON Semiconductor、Fuji Electronic、STMicroelectronics、DENSO、BYD等。其中Infineon在整體IGBT市場市占率達三成居於首位,提供IGBT元件與IGBT模組;DENSO與BYD雖為汽車製造商,但對於電動車使用的IGBT元件也有自行設計製造的能力,是少數從汽車製造跨足半導體領域的廠商。 另外,由IDM廠委外代工IGBT元件供應鏈包含晶圓代工廠世界先進、茂矽等台系廠商,中芯、華虹半導體等陸系大廠則供應其國內需求。在電動車IGBT模組部分,有Mitsubishi、SEMIKRON、Danfoss、CRRC等專門從事IGBT模組化供應給客戶。 根據拓墣產業研究院的統計,2016年至2018年,電動車數量年成長率分別為28%、29%、27%,對照2015年以前的年成長率僅個位數,推升IGBT總值大幅成長。2018年全球IGBT市場總市值規模約47億美元,年成長率達16%。  
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2023年半導體應用於通訊產品比重高達35.7%

產業研究機構IC Insights發表最新產業研究報告指出,在過去的20年中,晶片於通訊類產品的應用,市場比重幾乎翻了一倍,從1998年的18.5%增加到2018年的36.4%。2013年通訊IC首次超越運算IC,成為最大的晶片應用類型,但由於記憶體市場蓬勃發展,IC應用於2017與2018年在度短暫超越通訊應用(因為PC/NB使用的記憶體比通訊系統多)。然而,隨著2019年記憶體市場預測下跌30%,通訊IC市場有望在2019年超越運算IC市場,並在2023年將比重提升至35.7%。 車用IC市場比重自1998年以來穩步成長,從當年的4.7%成長到2018年的8.0%。此外,汽車IC市場2018~2023年平均年複合成長率高於其他應用約為9.2%。不幸的是,由於其規模相對較小,汽車IC市場的高成長不足以在未來五年內顯著提升整個半導體產業的成長率。與汽車和通訊領域不斷成長形成鮮明對比的是,過去20年來,運算和消費性IC市場的市場比重都有所下降,運算應用在整個半導體市場中的比重自1998年以來下降了19個百分點,到2018年的36.6%。然而,有望支持物聯網的強大伺服器需求預計將為運算型IC市場注入新的活力。 工業/其他部門占整個半導體市場的比重從1998年到2013年穩步下降。然而,隨著工業自動化在全球的成長,該應用預計將占總數的8.7%。關於IC終端使用市場比重數字的概況,其通常採用漸進式而非革命性的步伐。  
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離散功率元件封裝市場走勢平緩

產業研究機構Yole Développement(Yole)最新研究報告顯示,2018年離散功率元件市場規模接近135億美元,從2018年到2024年的年均複合成長率為2.9%。離散功率元件市場的發展也緊跟全球功率 電子產業的成長趨勢。離散功率元件產業的特性和需求包括單一元件成本低、產品和供應商 選擇範圍廣,以及使用經過驗證的高度標準化產品和技術。 2024年離散功率元件封裝市場規模為37億美元,同期年均複合成長率為1.1%。實際上,用於離散功率元件的封裝技術,包括引線框架、晶片粘接、電性互連和封裝,在這樣的形勢下,針對不同封裝解決方案的市場成長和市場規模組合就產生了具有許多不同變數的複雜結果,這些變數包括元件需求量變化、晶片尺寸、封裝類型和所用的互連方法、順應微縮趨勢的元件尺寸、每一封裝元件中的半導體內容等等。這些因素中有的有助於市場成長,有的則會促使市場縮水,使得市場態勢相當持平。因此離散功率元件封裝市場的走勢將十分平緩,但在2018年到2024年間仍將有所成長。 由於業界大幅採用銅製彈片來取代傳統導線和帶式接合,封裝領域的主要創新將在電性互連層面實現。離散元件製造商(如英飛淩、安森美半導體、羅姆半導體和富士電機)可以自主生產功率元件,也可以將封裝外包給OSAT廠商。 先進封裝解決方案的最高附加值不在於“相對簡單”的離散元件,而在於那些與驅動器、多元件等整合在一起的元件,但功率元件的先進封裝技術轉變趨勢依然值得關注,以免錯過離散功率元件封裝領域中不斷成長的商機。  
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