熱門新聞
- Advertisement -
中國自主DRAM之夢發芽 長鑫存儲量產在即
成立於2016年的中國長鑫存儲(Changxin Memory Technologies),先前稱合肥長鑫與福建晉華、長江存儲為「中國製造2025」的三大記憶體國家隊。該公司日前正式宣布,首款自主設計DRAM(動態隨機存取記憶體)晶片2019年底預計開始逐步量產,透過重新設計DRAM架構,盡量減少美國技術使用,同時首度公開談論其技術內涵,希望有效降低技術侵權疑慮。
中國長鑫存儲在合肥投資新台幣近2500億元,準備量產自主DRAM記憶體
據了解,長鑫在合肥DRAM廠已投資約80億美元,計畫在年底量產,最初每月預計生產約1萬片晶圓,相較目前全球每月生產130萬片晶圓,上述數字僅如滄海之一粟,但對還沒有本土自製DRAM晶片的中國來說,卻不啻是項重大突破。2018年全球DRAM市場規模達996.5億美元,三星電子、SK Hynix、美光等三大廠掌控了95%市場。
長鑫表示其DRAM設計來自德國晶片商英飛凌旗下2009年破產的DRAM廠奇夢達(Qimonda),長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱表示,該公司已經把原本奇夢達的46奈米製程 DRAM提升到10奈米,也開始在極紫外光(EUV)、高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)和環繞閘極(Gate All Around, GAA)等新技術的研發。奇夢達曾提出埋入式電柵三極體技術,利用空間將三極體的性能提升,這種提升隨著線寬的減少越來越被需要。從堆疊式架構的發展歷史以及展望將來的發展趨勢就可以發現,現在DRAM沿用密集排布電容及埋入式電柵三極體,甚至未來3~5代DRAM應該都會延續類似架構。
DRAM是基於電容儲存電荷為原理的緊密鋪排的陣列,這個陣列透過一系列外圍電路管理以讀寫裡面儲存的資料。平爾萱說,與過往相比,今天一個面積小於指甲的DRAM晶片可容納80億儲存單元,而8個儲存單元可以代表一個字母,因此一個晶片可能儲存10億個字母。而這些數據可以6Gb/sec 的速度,在幾秒內完成讀寫。DRAM技術在發明之後的幾十年里,經歷了從早期簡單的平面結構,變化成為立體溝槽式電容及堆疊式電容的架構,為了爭取更多的電路表面積,演變出向上和向下兩種技術發展路線,而最終以堆疊式架構勝出。
原因是溝槽式架構面臨幾個技術瓶頸:其一是溝槽式只限於單面表面積,堆疊式可用雙面表面積,溝槽式架構很快就達到了刻蝕深寬比極限;其二是高介電質材料的應用受到溝槽式中高溫製程的限制。展望未來,平爾萱認為,DRAM是有極限的,透過技術改進,可以延後物理性能的限制,如導入 EUV微影技術及HKMG三極體以縮小線寬及加強外圍電路性能。EUV是繼193奈米 Immersion Scanner後又一個曝光技術革命,EUV主要是針對陣列,但外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術發展的另一個機會。另外,由於DRAM製程中有電容這一段,因此HGMG製程的選擇需與電容製程匹配,透過導入HKMG,不但可以推動儲存密度進一步提高,連接埠速度也同步獲得了提升。
降低先進製程設計成本 默克提DSA方案
人工智慧、自駕車、大數據、物聯網等科技趨勢正急速推動著電子產業的發展,未來對功能更強大的IC晶片的需求將非常可觀,為此,半導體持續朝先進製程發展;而為有效降低多重曝光的成本,默克(Merck)提出定向自組裝(DSA)解決方案,以加速半晶片微型化技術發展。
默克全球半導體事業體負責人暨執行副總裁Anand Nambiar表示,摩爾定律逐漸走向極限,為打造更高性能的晶片,半導體製程持續走向微型化發展,然而,這些製程技術的出現,雖說可以再進一步提高晶片性能,但也代表半導體製程與結構更趨複雜,成本也會隨之上升。像是5奈米的曝光步驟就會比7奈米多,也因此所花費的時間和成本也會更高;若再搭配EUV,其成本更是可觀。也因此,為有效降低多重曝光的成本及時間,默克便提出DSA創新解決方案。
默克全球半導體事業體負責人暨執行副總裁Anand Nambiar指出,半導體製程持續走向微型化發展,卻也使晶片結構更加複雜及成本提高。
據悉,DSA 牽涉了一些不同的材料,其中最重要的是所謂的塊狀共聚合物(BCP),這是由兩股不同聚合物以端對端交聯而成。這些BCP能夠在特定條件下,沿著導電結構自行排列為一致的形狀,形成了未來電腦晶片的極精細電晶體和印刷導電體的基礎。
Nambiar指出,簡而言之,DSA材料提供合乎成本效益的圖案化解決方案,可用於製作更先進的晶片尺寸。根據比利時微電子研究中心(Imec)研究顯示,採用DSA解決方案,可有效降低約20%的成本。
Nambiar進一步說明,DSA應用非常廣泛,不僅是可用於傳統邏輯晶片的先進製程,其餘像是記憶體、感測器等也可應用此一技術。舉例來說,目前記憶體堆疊層數不斷增加,從以往的32層增加到128,甚至未來還要達到256層,這樣的製程都需要多重曝光的步驟;而DSA便可在其中扮演關鍵角色,在有效降低整體成本同時,也可助力高性能晶片的設計。
以預測性維護為先鋒 ST積極布局智慧製造市場
意法半導體(ST)積極布局智慧製造市場。意法半導體MEMS和感測器事業群類比元件產品部工業與功率轉換部門總經理Domenico Arrigo表示,製造與流程自動化需求持續增加,而要使生產價值更進一步提升,預測性維護扮演關鍵角色,因此,該公司致力推動預測性維護,並將其作為發展智慧製造的一大策略。
Arrigo指出,從客戶的開案數來看,製造與流程自動化的需求可說不斷成長,然而,除了協助客戶實現自動化的目標之外,更重要的是為他們創造更大的生產價值,特別是中小型企業,而預測性維護便是關鍵。預測性維護可以提升整體設備效率,透過持續感測監控設備狀態,再以先進技術分析感測資料,進一步找出設備缺損並優化效能,可將生產影響減至最低優化成本。
Arrigo說明,預測性維護可顯著提升公司利潤,導入預測性維護,可省下12%的預定維修成本、減少30%維護成本、將機器故障時間減少50%,並使故障機率降低70%。這對中小企業而言,是十分有利的,中小企業不用再特地雇用大量的人力,或花費大量時間在設備的維護、保養上;有了預測性維護,中小企業便可透過設備監測數據,即時進行故障排除,如此一來可更有效的提升生產價值,實現智慧製造。
然而,要實現預測性維護,需要資料收集+處理+分析,換言之,資料收集為首要任務,也因此,感測器可說是至關重要。為此,ST也備有各式感測元件,像是動作感測器(加速儀、陀螺儀、6軸慣性測量單元等)、溫度感測器(類比及數位接觸式溫度感測器)、濕度感測器、壓力感測器,以及MEMS麥克風等,以滿足環境、溫度、聲學或動作監測等需求;而這些感測元件都符合工業等級並保證10年供貨。
Arrigo指出,除了預測性維護之外,該公司未來也會聚焦三大產品線,分別為電源與電力管理、馬達控制及自動化設備,進而實現提高系統自主性,並兼具智慧與感知能力、強化能源效率與利用物聯網安全連網等目標。
意法半導體MEMS和感測器事業群類比元件產品部工業與功率轉換部門總經理Domenico Arrigo表示,預測性維護可將生產影響減至最低,優化成本。
PCBECI標準正式底定 PCB製造智慧化邁開大步
台灣電路板協會(TPCA)在2019年進行組織調整,正式將智動化委員會設為常設組織之一,同時也啟動台灣PCB智慧製造發展藍圖重新檢視的研究。基於近年來PCB產業智慧製造導入歷程及考量未來挑戰,TPCA、資策會與台經院再次攜手更新「台灣電路板產業智慧製造藍圖」,供PCB產業鏈智慧化投資與升級之參考。
台灣電路板產業智慧製造發展藍圖框架,是以應用層次和發展里程為基底,建構各智慧製造應用發展進程。在應用層次架構上,依序可分為智慧設備、智慧生產與智慧營運三大面向。每個應用層架構中,依應用的發展進程,分為聯結化(數據擷取與整合)、可視化(數據呈現)、透明化(數據建模與分析)、預測化(數據預測)與適性化(決策支援輔助)。透過矩陣架構出專屬於PCB製造各階段性進程所需建置的能力,以實現短期的產線可視化(M1)、中期的生產智慧化(M2),以及長期的營運智慧化(M3)之效益。
PCB生產設備互連通訊協定PCBECI正式底定,機台聯網技術瓶頸獲得克服。
在此同時,TPCA另與國際半導體協會(SEMI)努力多年的PCB設備通訊協定標準(簡稱SEMIA3-PCBECI),也在9月初正式發布。設備聯網標準的統一為PCB產業智慧製造基礎,標準的發布將有效解決眾多PCB設備與製造端通訊不統一的問題,加速PCB產業智慧製造的進展。
回顧PCBECI標準化的歷程,TPCA於2014年發布產業白皮書,基於PCB產品樣態與設備品牌眾多,設備通訊格式不一致是智慧化首要瓶頸,故設備通訊協定統一便於當年設為重要目標。更於2015年達成以遵循於半導體產業成熟的SECS/GEM做為通訊標準的共識,經過六次的專家會議簡化為符合PCB所需的PCBECI(Printed Circuit Board Equipment Communication Interfaces)做為板廠收集生產資料通訊統一格式,也希望能降低設備廠商客製機台協定的成本。
在TPCA與SEMI的合作努力下,2016年在國際半導體協會(SEMI)下於台灣成立自動化委員會,經過嚴謹的國際化標準程序與技術答辯,終於在2018年通過全球技術投票,並在9月成為SEMI的正式標準之一。
過去在爭取標準國際化的同時,為擴大產業認同,承蒙經濟部工業局支持,TPCA促成PCB產業陸續成立的三大智慧製造聯盟,皆以PCBECI貫穿三大聯盟計劃目標(PCB A Team、先進軟板智造聯盟、PCBECI設備聯網示範團隊)做為統一的通訊協定,預計今明兩年可望導入24家板廠部分製程設備具有PCBECI功能。此外,全球百大領導廠商臻鼎、欣興、日月光等載板廠商已在積極評估新廠導入PCBECI。
展望未來,透過領導廠商的導入實績擴散,必能帶動更多追隨者,進而擴大PCBECI的市場需求,吸引更多設備系統廠商投入開發,降低應用成本,TPCA也將持續扮演技術推廣與人才培訓的角色,期待標準應用成熟後,如半導體產業一般成為PCB產業設備標準配備。
搶攻毫米波OTA測試商機 中華精測先喊先贏
雖然美國已經開始布建5G毫米波基礎建設,但毫米波通訊其實還是一個相對不成熟的技術,且由於訊號損失極大,相關通訊元件普遍將天線整合到封裝中,使得晶片模組的最終測試必須由接觸式測試改成OTA(Over the Air)測試。OTA測試帶來新的挑戰,挑戰之所在,就是商機之所在。中華精測日前於2019 SEMICON TAIWAN展會上發表最新5G OTA半導體測試方案,正式跨入5G高頻段毫米波(mmWave)半導體測試市場,成為全球首家同時可提供5G低頻段sub 6GHz及高頻段毫米波的半導體測試介面及服務廠商。
中華精測黃水可總經理表示,目前正是5G低頻段sub 6GHz相關半導體產品進入旺季量產的關鍵時刻,中華精測身為半導體產業鏈裡製造關鍵的一環,在這期間的營運成績上亦反映出5G低頻段sub 6GHz半導體測試的暢旺需求。與此同時,中華精測在毫米波OTA測試上也同步進行研發布局,並已有成果可向業界發表,實現中華精測永遠為客戶作好準備的承諾。
中華精測總經理黃水可說明該公司在5G毫米波OTA量測上的技術研發成果。
中華精測資深研發經理黃振權博士指出,5G NR較4G LTE的傳輸速度快上3至10倍,高速的無線通訊技術將為人類的生活帶來更高品質的便利科技生活,然而,5G NR和所有的科技技術一樣皆有其技術缺口,如何在缺口上提供客戶最佳的半導體測試解決方案,正是中華精測技術的價值。
中華精測最新5G高頻段毫米波OTA半導體測試方案,運用符合國際行動通訊標準組織3GPP允許的OTA天線架構,以高頻寬的CATR技術為客戶的5G訊號進行多項有效量測。針對5G高頻段毫米波(24.25GHz~52.6GHz)的訊號具短波長易受干擾、快衰減等傳輸特性,中華精測5G高頻段毫米波OTA半導體測試方案憑藉著自有專利技術,包括高頻測試裝置及其信號傳輸模組、天線封裝積體電路測試裝置等,可提供高效能的5G訊號測試介面及服務,並維持All In House的商業模式,以符合半導體後摩爾時代快速多樣的量產需求。
中華精測展示的毫米波OTA測試解決方案。
黃水可進一步指出,在中華精測贏得5G低頻段測試商機之際,該公司同時加快腳步跨入5G高頻段測試市場。這新的里程碑,事實上是中華精測累積多年投入技術研發的成果。許多知名晶片廠、系統廠與封測廠都已經對這項方案展現高度興趣。
目前有許多測試機台業者都已經推出毫米波通訊測試機台,但因為OTA測試還有很多不確定性,因此在從測試頭(Radio Head)到待測物(DUT)這個環節,目前市場上能提供解決方案的業者還很少。具體來說,這個環節需要的測試硬體包含微波暗室(Chamber)、訊號反射裝置、自動化測試治具與訊號傳輸模組,以及測試待測物所需的軟體演算法。中華精測的OTA測試方案,則補上了這個缺口。
莫讓電力靜靜流失 電源晶片靜態電流消耗是關鍵
隨著物聯網概念興起,不僅消費性電子產品,連很多工業設備都開始改用電池供電。為了盡可能延長系統的運作時間,甚至做到產品生命週期內完全不用換電池或為電池充電。為達此目標,電源設計者除了考慮工作時的轉換效率外,電源晶片本身的功耗也得斤斤計較,並促使晶片業者持續推出靜態電流更低的新產品。
德州儀器電池管理系統產品線經理王世斌指出,以往電源工程師在進行系統電源設計時,最關注的往往是電源轉換的效率,而忽略了電源晶片本身的耗電,也就是所謂的靜態電流。但隨著物聯網興起,與感測跟資料採集相關的應用越來越多,工程師如果只注重效率,沒有把靜態電流納入考量,會形成很大的盲點。
德州儀器電池管理系統產品線經理王世斌表示,對經常處於休眠或待機狀態下的系統來說,靜態電流反而是系統功耗最主要的來源。
事實上,感測或資料採集這類電子系統,大多數時間都處在休眠或待機狀態,開機工作的時間很短。因此,電源工程師在設計這類應用產品時,必須特別注意電源系統的靜態電流,以及在輕載狀態下的轉換效率。否則,即便系統大多數時間都處在休眠或待機模式下,還是會從電池中不斷汲取電力,造成無謂的電力浪費。
有鑑於靜態電流這項規格的重要性,德州儀器近期推出一系列超低靜態電流的解決方案,其中有一款開關穩壓器的靜態電流已壓低到60奈安培(nA),並且在1微安培的輕載狀態下,還能保持80%以上的轉換效率。這項特性使應用產品的電池續航力大為增加,也讓系統設計人員有更多應用設計上的彈性,例如改用容量更小的電池,甚至一次性電池,並且把裝置設計得更精巧,以降低生產成本。
在業界開始注重靜態電流之前,很多應用產品開發者為了追求更長的電池續航力,只能採用容量更大的電池,造成應用產品的外觀尺寸難以縮小。但在精密估算系統的運作模式後,開發者不一定要使用那麼大的電池。
王世斌總結說,對應用場景進行深入分析,選擇最有利的解決方案,是類比晶片產業最有趣的地方。類比設計是沒有標準答案的,一切都要看應用場景。就像有些應用經常處於休眠模式,也有些應用系統一直處在工作狀態,這時候轉換效率就會比靜態電流來得更重要。而針對這些Always on的系統,德州儀器也有對應的高轉換效率解決方案。
亞馬遜組語音助理聯盟 獨缺蘋果與Google
亞馬遜(Amazon)宣布將建立一個語音助理聯盟,邀請30多家企業加入語音互通計畫(Voice Interoperability Initiative),為加速語音助理的泛用性共同努力。然而盟友名單獨缺蘋果(Apple)與Google。
亞馬遜的盟友包括了微軟(Microsoft)、百度、騰訊、索尼(Sony)、英特爾(Intel)、聯發科、恩智浦(NXP)、高通(Qualcomm)、Salesforce、Verizon、BMW、Spotify與羅技等,總共36家產業巨擘,將共同研究語音助理功能,他們的宗旨是要讓使用者能夠自由選擇喜歡的方式來與機器溝通。
亞馬遜創始人兼執行長Jeff Bezos表示,多重喚醒語為客戶提供了多樣的選擇,使用者可以選擇哪種語音服務最適合自己。看到眾公司齊心協力追求這個願景,十分振奮人心。
這項語音互通計畫有四個重點項目,其一是開發可以支援其他服務的語音功能,同時保護客戶的隱私和安全;其二則是構建語音功能的設備,藉由多重喚醒語的模式促進選擇多樣性和靈活性;其三是發布相關技術和解決方案,實現能在單一產品上整合多項語音服務的願景;最後則是加速機器學習(ML)和對話式AI研究以提高語音服務的普及程度、品質和互動性。
Ovum Smart Living高級分析師Mariana Zamoszczyk指出,使用者除了希望獲得更高的價值和更強大的功能之外,也希望具有高度靈活性。使用者不會希望被限定使用特定的語音,這種趨勢驅使設備製造商和AI開發人員應優先考慮與功能與其他服務的互動性,並提供更加個性化、客製化的體驗。
然而亞馬遜的語音助理聯盟眾星雲集獨缺Apple與Google,少了幾乎稱霸智慧型手機世界的Siri和Google助理,是否會讓亞馬遜的Alexa打入智慧型手機的廣大市場面臨挑戰仍是未定之天。但可以肯定的是,亞馬遜希望透過更高的裝置泛用性,以及多重喚醒語的模式,擴大Alexa的普及範圍。
亞馬遜邀請30多家企業加入語音互通計畫,為加速語音助理的泛用性共同努力。
斥資40億合資公司 現代攜手Aptiv搶攻自駕市場
隨著自駕車相關技術不斷演進,各廠牌為搶占自駕市場,紛紛合作結盟,加速技術研發與產品上市。近日現代汽車(Hyundai)宣布與零件大廠Aptiv合作,投入16億美元資金創建合資企業,搶攻自駕車市場版圖。
現代汽車集團執行副主席鐘義善表示,這項新的合作關係代表Aptiv朝著實現自駕商業化的共同目標邁出了第一步。Aptiv和現代汽車的能力加值將可以創造寶貴的協同效應,加速在自動駕駛領域的發展。
現代聯合Aptiv發布共同聲明,表示旗下子公司起亞(Kia)汽車、零件公司現代摩比斯(Mobis)將共同投入16億美元資金,以及投入4億美元於研發及資源發展,合資企業初步估值為40億美元。上述聲明指出,Aptiv將擁有合資企業50%股權,並將投入自動駕駛技術與相關知識產權,幫助合資企業擴展自動駕駛解決方案。
此合資公司將推動SAE 4級和5級自動駕駛技術的設計、開發和商業化。該合資企業將於2020年開始測試完全無人駕駛系統(SAE 5級),並於2022年開始為機器人自動化廠商、車隊營運商和汽車製造商提供自動駕駛平台。
Aptiv總裁兼執行長Kevin Clark表示,此次合作夥伴關係進一步增強了Aptiv在先進駕駛輔助系統(ADAS)、車輛連接解決方案和智慧汽車架構開發方面的技術能力。現代汽車集團的技術和研發能力使他們成為Aptiv促進自動駕駛平台開發的最佳合作夥伴。
合資公司將以韓國作為關鍵技術中心、汽車改裝基地和自動駕駛行動服務平台的試驗場域。現代汽車集團在韓國汽車市場的影響力以及5G基礎設施有望加速自駕技術的發展。
現代汽車與Aptiv結盟合資公司,共同耕耘自駕車相關技術。
滿足寬能隙半導體量測 儀器/探棒雙雙升級
寬能隙功率半導體(SiC,GaN)具備更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗。採用寬能隙功率元件,能夠使得導通時及切換時的耗損能量降低,讓整體運作功率大幅降低,同時大幅降低設備的體積、重量及價格。為此,寬能隙解決方案備受電源供應業者青睞,且已逐步進入量產階段,終端產品亦已開始銷售。
然而,寬能隙材料的功率元件,最引人矚目的優勢是建立在高頻與高電壓操作上,在終端產品相繼於市場亮相的同時,也意味著寬能隙元件的測試需求隨之增加,為此,量測儀器業者紛紛推出高效、便利的解決方案,不僅滿足高電壓、高電流測試需求,並進一步縮短產品開發時程。
太克科技(Tektronix)應用工程師陳思豪表示,在相關的技術瓶頸逐漸被克服後,寬能隙解決方案相繼出現,像是採用GaN的變壓器、充電器等;相關產品陸續問世,也代表著寬能隙方案的量測需求也跟著增加。
太克科技應用工程師陳思豪。
陳思豪指出,寬能隙元件的測量,首先碰到的挑戰便是高電壓和高電流。因為寬能隙材料耐崩潰程度高,而採用寬能隙材料打造而成的產品能承受高電壓、高電流,而為量測這項特性,測試儀器的耐受電壓/電流也須跟著提升,例如以往最高承受度是1,000V,現在可能要到2,000~3,000V。
為此,太克備有Keithley 2657A,專門針對高壓電子、功率半導體元件的特徵分析與測試而設計,例如二極體、FET/IGBT、直流-直流轉換器、電池、太陽能電池、高功率材料、元件、模組等,以及其它一些需要高電壓、快速響應和精確測量電壓和電流的元件和材料等。至於Keithley 2651A,則是專門因應高電流測試,該產品最高可達2,000W的脈衝功率(±40V、±50A),或最高可達200W的直流功率(±10V@±20A、±20V@±10A、±40V@±5A);可輕鬆地連接兩個單元(串列或並列方式)來建立最高可達±100A或±80V的解決方案。
另一方面,要量測寬能隙解決方案,除了儀器須符合高電壓、高電流的規格外,週邊設備如治具、探棒等性能也須跟著提升。以探棒為例,太克科技業務經理吳道屏說明,寬能隙方案於量測時有許多和以往功率元件不同的地方,例如寬能隙方案的Miller Charge Qg更低,可實現快速切換速度,且所需的寄生電容、電阻和電感大大減少;因此,在量測時需要能夠測量極快的dv/dt、di/dt和高頻,並減少負載、電感和電容。或是需要嚴格調節Vgs和Vth電壓,因此需要能夠準確測量高端和低端電路中所有柵極節點上的Vgs等。
太克科技業務經理吳道屏。
吳道屏指出,這些特性以及量測需求除了使量測儀器的規格、性能改變之外,連帶推動探棒性能也跟著增加,傳統探棒由於不是為了量測寬能隙方案而設計,因此會有共模抑制(CMRR)不高、電容、電感不符,或是以及頻寬不足等問題(過往探棒頻寬多為100~200M,而要滿足寬能隙方案測試探棒頻寬最好達800m~1G)。
基於此一原因,太克也研發因應寬能係元件量測的碳棒「IsoVu」。該產品的特點在於為使用包括GaN和SiC技術的電源裝置設計人員提供更強的共模抑制比,讓使用者首次可查看先前隱藏在共模雜訊中的訊號;可在高達100MHz的環境中提供100萬:1(120dB)的共模抑制,而在1GHz的環境中提供10000:1 (80dB)的CMRR。若使用IsoVu,工程師可以在存在大型共模電壓(範圍為直流至1 GHz)的情況下,準確地量測微小的差動訊號(5mV~50V)。
吳道屏表示,簡單來說,IsoVu和其他商用探棒不同,其採用電光感應器將輸入訊號轉換至光學調變,從而將待測裝置與示波器進行電器隔離;且整合了四個獨立的雷射、一個光學感應器、五條光纖和複雜的回饋和控制技術,具有電隔離的IsoVu架構在其頻率範圍可提供>2,000V峰值的共模耐壓。
卯足全力搶5G商機 高通再購併RF360控股公司
高通(Qualcomm)布局5G市場可說不遺餘力,繼前陣子在IFA展會上宣布將5G平台擴充至Snapdragon 8/7/6系列之後,近期為了壯大技術競爭優勢,宣布收購RF360控股公司,以鞏固、強化未來在5G行動商機中的市場領先地位。RF360控股公司為高通與TDK株式會社成立的合資企業,該合資公司此前與高通技術公司合作製造射頻前端(RFFE)濾波器,支援高通技術公司提供完整的4G/5G射頻前端解決方案。
高通總裁Cristiano Amon表示,之前成立合資公司主要目的在於提升高通技術公司的射頻前端解決方案,使其能為行動裝置生態系統提供真正完整的解決方案,如今這一目標已經逐漸實現,目前全球採用高通 5G解決方案的產品設計已經超過150款。而在RF360控股公司的成員加入後,將成為高通技術公司射頻前端團隊的重要成員,未來也將持續發明突破性的基礎科技。
高通總裁Cristiano Amon指出,收購RF360控股公司後,高通將繼續研發突破性射頻前端產品。
據悉,本次收購使得高通技術公司獲得RF360控股公司於射頻前端濾波技術領域累積二十多年的專長,使其在未來能夠提供從數據機到天線的完整的端到端解決方案,也就是高通Snapdragon 5G數據機及射頻系統。該系統包括全球首個商用的5G新空中介面6GHz以下(sub-6 GHz)及毫米波(mmWave)解決方案,整合了功率放大器、濾波器、多工器、天線調節、低雜訊放大器(LNA)、開關元件以及封包追蹤 。
同時,透過此一收購,高通技術公司現今擁有更為廣泛的射頻前端產品組合,包括採用體聲波(BAW)、表面聲波(SAW)、溫度補償表面聲波(TC-SAW)以及薄膜式表面聲波(Thin Film SAW)等射頻前端濾波器技術的整合式和分立式微聲波元件(Micro-acoustic Components)。未來高通將應用這些微聲波元件所開發和製造的濾波器、雙工器和多工器;和被用於射頻前端的分離方案、功率放大器模組、分集模組以及多工器和分離濾波器,滿足當今手機和行動設備異常複雜的前端設計需求。