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貿澤電子宣布開始供應德州儀器(TI)旗下LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI領先業界的氮化鎵(GaN)功率產品組合系列的其中一項產品，相較於傳統的矽基選擇，本系列效率更佳，功率密度更高，整體系統尺寸也更小，並特別針對重視速度的功率轉換應用最佳化。
貿澤電子所供應的TI LMG1210是一款50MHz的半橋驅動器，其經過特別設計，能與最高200V的強化模式GaN FET搭配使用。LMG1210的設計能發揮最高效能，實現高效率運作，並具備10ns的超短傳播延遲，優於傳統的矽半橋驅動器。本裝置擁有1 pF的極低切換節點電容，並提供使用者可調整的死區時間控制，可讓設計人員最佳化系統內的死區時間，進而改善效率。
LMG1210提供3.4ns的高側對低側延遲匹配、4ns最小脈衝寬度，同時內建LDO，確保在任何供應電壓下都能維持5V的閘極驅動器電壓。本驅動器亦具備300V/ns以上的共模瞬態抗擾度(CMTI)，為業界最高規格之一，實現更高的系統抗雜訊抗擾度。
TI的LMG1210驅動器適合各種應用，包括高速DC/DC轉換器、馬達控制、Class-D音訊放大器、Class-E無線充電、RF封包追蹤，以及其他的電源轉換應用。
