根據產業研究機構IC Insights的2019年光電-感測/致動器-離散元件(OSD)報告，功率電晶體的銷售額成長率達到兩位數，2018年成長14%，達到創紀錄的163億美元，繼2017年成長11%的紀錄後，再度創下歷史新高。光電、感測器/執行器和離散元件的市場分析和預測。功率電晶體的強勁成長進入2019年第一季，全球銷售額與2018年同期相較成長了近10%，但預計2019年下半年成長率將大幅放緩。2019年功率電晶體的銷售額將成長5%，達到創紀錄的171億美元，然後在2020年下降2%，達到168億美元。
在過去兩年中，功率電晶體收入受到強勁的單位出貨量和由於設備短缺導致的價格上漲以及沒有足夠的製造能力來滿足需求的推動而走高。IC Insights的2019年O-S-D報告顯示，2018年功率電晶體出貨量在2018年成長8%，達到創紀錄的628億顆，該公司預計今年的整體產能將增加6%，達到667億顆。功率電晶體的平均銷售價格在2018年成長了近6%，其中一些廣泛使用的元件(如Power MOSFET)的交貨週期在去年下半年超過40週，而正常市場條件下為8週。
功率電晶體製造商在過去一年中穩步增加了製造能力，但大多數供應商仍在努力趕上2019年第一季的需求。大多數功率電晶體產品的供貨吃緊狀況，將在下半年紓解，原因是全球經濟放緩以及2020年初設備出貨需求成長放緩。如果不解決，中美之間日益激烈的貿易戰也可能對2019年的電晶體市場產生負面影響。
根據新的O-S-D報告，2018年除了一個功率電晶體產品類別外，所有類別的產品銷售都成長，但射頻/微波功率電晶體除外，其年度下降了近1%。2018年功率電晶體銷售成長最強勁的是40~100V應用的功率FET，成長了21%，絕緣柵雙極電晶體(IGBT)成長20.3%。其他主要的功率電晶體在2018年表現出強勁的銷售成長：功率FET用於高達40V的應用(+17%)；功率FET適用於100~200V應用(+16%)；和IGBT功率模組(+15%)。報告稱，場效應電晶體(包括模組系統中使用的電晶體)占2018年總功率電晶體銷售額的58%。IGBT產品總量(模組和離散電晶體)占2018年功率電晶體銷售額的32%。
在2017年和2018年連續兩年兩位數的成長泡沫之後，預計未來五年內功率電晶體市場將恢復到中低個位數百分比範圍內更正常的成長，除外OSD報告預測2020年將下降2%。預計2018年至2023年期間，功率電晶體的銷售額將以3.3%的年複合成長率(CAGR)成長，預計全球產業規模將達到192億美元。
