氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道，商機也因而快速成長。而為穩固電源晶片市占龍頭寶座，並搶攻GaN市場版圖，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)也趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC」，期能為伺服器、電信、無線充電或適配器(Adapters)等電源產品提供更高的電源效率與功率密度，並減少體積與設計成本。
根據市調機構Yole Développemen研究顯示，2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元，而到了2022年，該市場將成長到4.6億美元，年複合成長率高達79%。
對此，英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示，GaN市場成長十分強勢，其市場產值從千萬美元不停攀升，甚至十年後可能達到10億美元的產值；而主要驅動力來自於電源和汽車產業。
因應電源產業對GaN需求明顯增加，英飛凌也於近期宣布推出CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC。新款增強型HEMT採用可靠的常閉概念，實現快速開通和關斷，並可在開關式電源(SMPS)中達到高能源效率和高功率密度；且具更低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，進而大幅提高工作頻率。
鄧巍說明，GaN元件其中一項設計挑戰在於，如何將其從Normally ON設計成Normally OFF，以滿足安全考量。對此，英飛凌運用了獨特的常閉(normOFF)概念，採用P-GaN技術，把源極和漏極的電子層變薄，使其容易箝斷，因而能讓GaN元件實現Normally OFF的特性。
另一方面，為了使電源產品設計業者更能發揮GaN的特性，英飛凌也推出EiceDRIVER驅動IC，該系列產品專為CoolGaN量身定制，可提供負輸出電壓，以快速關斷GaN開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內，EiceDRIVER IC可以使閘極電壓穩定保持為零，以保護GaN開關不受雜訊影響導致誤導通；且可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率，幾乎不受工作迴圈或開關速度影響，確保運作穩健性和高效能，大幅縮短研發週期。
鄧巍指出，即便有了高效能的GaN元件，但沒有具備好的驅動IC的話，同樣無法體現GaN的優勢。也因此，EiceDRIVER驅動IC可說是專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計，協助電源產品設計商進行電路、死區和損耗控制等，以減少工程師研發工作量，加快產品上市時程。
