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叫陣英特爾/三星 東芝XL-FLASH亮相強攻記憶體市場

為進一步擴展記憶體市場版圖與競爭優勢,東芝記憶體(Toshiba Memory)宣布推出全新儲存級記憶體(Storage Class Memory, SCM)解決方案「XL-FLASH」;該方案基於東芝創新的BiCS FLASH 3D flash技術,將為資料中心和企業級儲存提供更低延遲和更高性能,預計於2019年9月送樣,2020年開始量產。 東芝記憶體子公司(Toshiba Memory America)存儲業務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示,借助XL-Flash技術,可為企業伺服器/存儲業者提供更具成本效益、更低延遲的解決方案,彌補DRAM和NAND性能之間的差距,且還為新興技術和行業標準打開了新方向;而該方案無論在成本、性能都具備相當的市場競爭優勢。 據悉,XL-FLASH彌補了DRAM和NAND之間的性能差距。雖然DRAM等解決方案可滿足研科應用所需的傳輸速度,但需要很高的成本。隨著DRAM單位成本限制了其容量的擴展性,新的SCM持久性記憶體解決了密度、成本、性能等問題。 XL-Flash是介於DRAM和NAND快閃記憶體之間的產品,與傳統的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延遲和更高的儲存容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署,但未來也將擴展到DRAM產品線上,例如未來行業標準的非易失性雙列直插記憶體模組(NVDIMM)。 該解決方案特點還包括:128Gb Die(2Die、4Die、8Die封裝);4KB Page大小,高效的作業系統的讀寫;16-plane更高效的並行架構;以及快速的讀取頁面和程式設計時間,XL-Flash提供小於5微秒的低讀取延遲,比現有TLC快10倍。 新發布的XL-FLASH具備許多特點。  
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新興非揮發性記憶體2017~2019 CAGR高達230%

產業研究機構Yole Développement(Yole)表示,新興非揮發性記憶體NVM,包括MRAM、RRAM和PCM等,隨著物聯網、5G、人工智慧(AI)、雲端運算等發展越受注目。認為,DRAM的發展將在未來五年繼續,但速度將放緩。由於3D半導體技術不斷進步,NAND密度不斷增加。新興的NVM不會取代NAND和DRAM,但會以各種記憶體加速的方式出現。此外,SCM(Storage Class Memory)將成為主要的新興NVM市場,並將在未來5年內由3D XPoint主導。 新興記憶體技術未來兩年將進入起飛期,從應用角度來觀察,Yole認為,包括MCU嵌入式NVM、工業/交通/消費性電子、企業SCM、客戶SCM等應用,2017年市場規模約9900萬美元,2018年市場規模約為2.8億美元,2019年將成長至10.8億美元,2017~2019年複合成長率(CAGR)高達230%。 從技術角度來看,MRAM將發展嵌入式MCU應用,因為所有大型代工廠都參與了此領域。獨立的RRAM將嘗試在SCM應用上獲得PCM的市場占有率。由於SCM應用,未來三年新興的NVM銷售量將成長一個數量級以上。 另外,MRAM和RRAM市場領域的晶圓代工廠參與度增加,GlobalFoundries、台積電、聯華電子、中芯國際和三星代工服務等皆積極投入,以提供有吸引力的服務。這一趨勢表明了代工廠對儲存業務的興趣日益成長。例如,也有產業消息傳出台積電宣布可能收購一家記憶體公司。 在獨立業務中,新興的NVM不會取代DRAM和NAND,而是將在記憶體模組中與它們結合使用,例如,SSD、DIMM和NVDIMM。在2023年,由於3D XPoint作為企業和客戶端SCM的日益普及,PCM將在獨立內存市場保持領先地位。值得注意的是,三星和東芝通過開發基於3D NAND的SCM解決方案採取了不同的戰略路線,如Z-NAND(三星)和XL-Flash(東芝,2018年8月展示)。但是,這些技術將用於企業級SSD,並且不會與相容DDR4的Optane DIMM競爭,預計這將占整體3D XPoint銷售額的50%以上。  
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