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ROHM推出車電系統200V耐壓蕭特基二極體

ROHM針對包括xEV在內的動力傳動系統等車電系統,研發出可耐受200V的超低蕭特基二極體「RBxx8BM200」和「RBxx8NS200」。RBxx8BM/NS200 是RBxx8 系列的新產品,是可在高溫環境下工作的超低IR SBD,已經在日本汽車市場取得非常優異的銷售成績。此次利用其超低IR特性,將耐壓程度提升至200V,可取代過去在汽車中普遍使用的整流二極體和快速恢復二極體(以下簡稱FRD),因此可大幅改善VF※5特性(比傳統FRD 降低約11%),不僅能有效降低應用的功耗,還可因發熱量降低而有助於小型封裝之設計,進一步節省安裝空間。 ROHM已開始量產可在車電高溫環境下使用的150V耐壓超低IR SBD RBxx8系列,並在市場上獲得高度評價。近年來,在48V 輕度混合動力驅動系統中,將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢,而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率SBD 之需求也日益增加。另一方面,在傳統使用150V 產品的系統中,對於高性能化和高可靠性的要求越來越嚴格,為此SBD 需具備更高的耐壓性能。 在這樣的背景之下,ROHM 在RBxx8 產品系列中新增了200V耐壓的產品。今後也將持續擴充產品線,在車電和工控裝置等應用領域進一步降低功耗並節省安裝空間。  由於是要在高溫環境下使用的車電和電源裝置電路,業界期望將傳統的整流二極體和FRD替換為效率更高的SBD。但另一方面,SBD現存問題是隨著工作環境的溫度上升,IR特性會逐漸惡化,導致容易引起熱失控,因此對於高效率且在高溫環境下也可安全使用的產品需求越來越高。 RBxx8 系列採用了適用於高溫環境下的阻障金屬層(Barrier Metal),大幅改善了在車電和電源裝置電路中SBD 的最大課題:IR特性,成功打造出在車電和工控裝置等高溫環境下也可安全使用、無需擔心熱失控的SBD系列產品。 擁有超低IR特性,可耐受高達200V的電壓,能將以往需要200V耐壓的車電系統中所使用的FRD替換為SBD。RBxx8BM/NS200與FRD產品相比,VF特性可降低約11%,有助於應用的低功耗化。 發熱量減少,有助於小型封裝設計,進一步節省應用裝置空間藉由低VF有效抑制發熱量,與傳統產品相比,可做到單一尺寸小型封裝設計。 目前,中功率封裝產品也正在研發當中,今後5.9×6.9mm 尺寸的FRD 產品可替換成2.5×4.7mm 的小型封裝產品,安裝面積可減少約71%。
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2018~2024年碳化矽CAGR達29%

根據產業研究機構Yole Développement(Yole)碳化矽(SiC)功率半導體市場產值到2024年將達到19.3億美元,該市場在2018年到2024年之間的年複合成長率達到29%。而汽車市場無疑是最重要的驅動因素,在2024年汽車應用約占總市場比重的50%。 主要市場驅動因素是汽車市場,Yole在其SiC報告中宣布。預計2024年汽車市場總量將達到約10億美元,市占率為49%。SiC已經在OBC中使用,並且這種應用將在未來幾年中得到廣泛開發。隨著特斯拉導入SiC技術,市場已經達到了不可逆轉的地步,關於其他汽車廠商是否也會採用的討論是今年的熱門話題。繼特斯拉之後,比亞迪也將發表SiC逆變器。 最近,汽車產業已投入超過3000億美元用於電動車(xEV)的開發,這與傳統內燃機汽車市場形成鮮明對比,xEV市場是Si功率元件的主要市場驅動因素。在採用SiC的背後,Yole的分析師也指出了封裝問題。根據Yole的報告,只有意法半導體和丹佛斯有能力提出他們的專業知識,在SiC供應鏈中仍然存在許多挑戰。  
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憑藉高切換/低損耗特性 SiC有效降低EV供電成本

在 xEV傳動系統中,碳化矽(SiC)電路有助於實現更小的晶片尺寸,同時具備相同效能資料,提供降低切換損耗及提升切換頻率等各種優點。與先前的系統相比,對應封裝技術可實現更有效率且更為輕巧的電源模組,以及獨立解決方案。受益於SiC晶片和最佳化電源模組的一般應用,包括主變頻器、車載充電電子裝置、升壓器和DC-DC轉換器(圖1)。 圖1 xEV應用中半導體平均比例(取決於電氣化程度) SiC元件已上市約二十年,但因為成本及部分品質緣故,在車輛中的使用受到限制。到目前為止,SiC晶圓尺寸通常比矽小很多。高品質6英寸SiC晶圓上市供應後,提升了製造SiC晶片的產能(圖2)。 SiC元件最初是由小規模的專業公司主導,不過目前頂尖半導體公司於標準設備加工SiC元件,具備高輸出及高可靠性,因此SiC的成本發展大有可為。最新一代的SiC溝槽MOSFET,在閘極氧化物可靠性方面也有所進展,使其成為汽車應用的理想選擇。 圖2 更大的晶圓和強化製程可降低成本,並提升SiC晶片可靠性。 碳化矽具備高切換/低損耗特性 相較於傳統的矽基高電壓IGBT或MOSFET(> 600V),SiC MOSFET具有多種優勢。例如英飛凌1200V SiC MOSFET(CoolSiC)的閘極電荷及電容值比IGBT更低,並具備最低的本體二極體逆復原損耗。這讓切換損耗遠低於矽,並且不受溫度影響(圖3)。此外,MOSFET具有類似電阻的輸出特性,IGBT則類似於二極體。無臨界值導通特性可降低局部負載範圍的洩漏損耗。 圖3 比較CoolSiC MOSFET與矽IGBT之間的切換損耗 以上基本優勢不僅使SiC MOSFET成為高頻運作的理想選擇(例如車載充電電路和DC-DC轉換器),也適用切換頻率一般低於20kHz的變頻器應用。其中效率主要是由低負載作業決定。例如使用SiC MOSFET可在低或中負載情況下,降低最高2/3的變頻器損耗。 SiC MOSFET可實現體積極為精巧的高效變頻器。在相同條件下,SiC MOSFET的晶片面積遠小於IGBT型變頻器。由於減少晶片損耗,因此提升了各種駕駛情境的效率,特別是具有許多加速階段的城市交通。 就變頻器效率而言,必須考慮能量基本上以兩個方向流動,產生扭矩期間從電池到車輪,能量復原(回收)期間則從車輪返回電池。因此變頻器效率對電池供電電動車(BEV)非常重要,因為這會直接影響行駛範圍,或可使用較小電池提供相同行駛範圍。由於電池是重要的成本因素,電池電芯減少5%至10%,可讓電池電力超過40kWh的系統大幅降低800美元以上成本。 矽支援的崩潰場強度低於SiC。因此標準1200V IGBT損耗明顯高於600V類別的同類產品。另一方面,1200V SiC MOSFET可在850V範圍內,以更高的電池電壓提供非常高效的運作。因此SiC也非常適合用於快速充電應用的架構。就目前正在開發的基礎設施而言,80kWh電池可在15分鐘內充電至80%。這是實作電動車和確保客戶滿意度的重要層面。 選擇適應封裝提升電源模組效能 為充分利用SiC晶片效能,還需要對應的最佳化封裝技術用於電源模組。SiC有助於提高能源效率,不過這不僅需要更出色的封裝材料,也須要考慮較小晶片熱阻更高的問題。較小晶片也會導致提升電流密度,熱機械變形風險也較高。 為了充分利用SiC MOSFET效能,須要採用最低洩漏電感的封裝,因此需要創新的封裝概念用於電源模組,像是HybridPACK Drive系列模組,以及雙面冷卻的封裝概念(例如HybridPACK DSC模組)。這樣就可以開發電源密度非常高的變頻器設計。 開發電動車及油電混合車使用的HybridPACK Drive(HPDrive)電源模組時,必須結合各項技術和應用相關要求。其中包括各種不同要素,例如最佳化成本、高效率、功率密度,啟動扭矩的載流能力,以及受熱循環影響的使用壽命。 目前已經顯示完全整合的開發方法,如何讓電源模組的所有個別元件以這種方式設計,以滿足應用要求達到最佳效果。晶片的額定電壓提升,模組電感降低,因此可在更高的工作電壓和切換邊緣運作。更高的溫度負載能力、更出色的晶片接合技術,以及損耗更低的材料,可提升載流能力,進而提高驅動馬達的啟動扭矩。總而言之,較小的模組尺寸、縮減晶片面積、降低損耗,以及使用最新量產技術,有助於降低系統成本。 採用壓接端子及最新汽車用IGBT技術(EDT2)的HybridPACK Drive模組,比HybridPACK2系列同類產品小約20%,並具有相同效能。HybridPACK Drive產品系列屬於可擴充平台,具有各種電源連接、IGBT和MOSFET技術及熱堆疊選項。本系列產品從一開始就採用模組化設計,從端子接頭就開始秉持模組化概念,有助於以快速焊接程序或螺栓接頭用於纜線連接。此外也提供「長接頭」版本,用於實作相位電流感測器。 此一模組的設計原則,是盡可能減少變頻器製造商的開發工作量(視應用而定)。因此更換基板或熱堆疊可減少或增加輸出功率,毋須變更矽零件。目前有各種基板(扁平,直接冷卻和針狀鰭片)及陶瓷基材可供選擇。 不過若採取保留電子裝置(驅動器板和直流連結電容器)及變頻器設計,但調整冷卻結構的作法,也可以擴充效能。例如以FS820R08A6P2模組(採用750V IGBT、針狀鰭片結構和標準陶瓷)作為100%參考,就可以產生可調整頻寬,提供70%至120%的效能(圖4)。 圖4 HybridPACK Drive電源模組採用模組化設計,可輕鬆擴充。 對更高功率而言,HybridPACK Drive也可以使用1200V技術。首先是1200V...
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