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Ansys電源雜訊簽核平台獲台積電先進製程技術認證

Ansys新一代系統單晶片(system-on-chip, SoC)電源雜訊簽核(signoff)平台獲得台積電(TSMC)所有先進製程技術的認證,將協助共同客戶驗證全球晶片的電源需求及可靠性,並應用於人工智慧(AI)、機器學習、5G行動網路和高效能運算(high-performance computing, HPC)等領域。 圖 Ansys電源雜訊簽核平台獲台積電先進製程技術認證。來源:台積電 Ansys副總裁暨總經理John Lee表示:「我們和TSMC合作所展現的深度和廣度,顯現多重物理場簽核技術在 AI、5G、HPC、機器學習、網路、汽車與更多其他應用領域的價值和需求。由於電晶體技術的進展,RedHawk-SC能滿足不斷成長的平行處理及強大運算容量的需求,支援更多 3D 積體電路(IC)封裝技術應用。」 若能讓採用先進製程的晶片在有熱點存在,且電晶體切換行為高度多樣化的情況下,仍能可靠地運作,晶片設計者就無須對配電網路(Power Distribution Network)進行過度設計(Overdesign)。但由於先進製程遇到的技術限制增加,配電網路的規模也隨之顯著成長,加上使用先進製程的晶片往往內含上百億個點子節點,使得與先進製程搭配的設計工具必須支援大規模平行化,並具備非常高的容量。 為促進TSMC領先業界的製程節點發展(包含 N16、N12、N7、N6 及 N5 製程技術),Ansys 與TSMC共同合作,完成Ansys RedHawk-SC的認證。認證項目包含擷取、電源完整性與可靠性、訊號電子遷移(electromigration, EM)、熱可靠性分析以及統計電子遷移預算(statistical EM budgeting)分析。RedHawk-SC能夠在基於大數據機器學習架構的高度平行化資料庫,以最佳化電子設計的Ansys RedHawk-SC中,執行簽核演算法來分析大量設計資訊,提供快效能並擴充容量。
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兩片全幅光罩拼接 台積/博通聯手寫下CoWoS里程碑

台積電近日宣布,與博通(Broadcom)攜手合作,推出業界首創且尺寸最大的兩倍光罩尺寸(2X reticle size) CoWoS中介層,面積約1,700平方毫米。此項新世代CoWoS中介層由兩張全幅光罩拼接構成,能夠大幅提升運算能力,藉由更多的系統單晶片來支援先進的高效能運算系統,並且也準備就緒以支援台積公司下一世代的5奈米製程技術。 此項新世代CoWoS技術能夠容納多個邏輯系統單晶片(SoC)、以及多達六個高頻寬記憶體(HBM)立方體,提供高達96GB的記憶體容量;此外,此技術提供每秒高達2.7兆位元的頻寬,相較於台積公司2016年推出的CoWoS解決方案,速度增快2.7倍。CoWoS解決方案具備支援更高記憶體容量與頻寬的優勢,非常適用於記憶體密集型之處理工作,例如深度學習、5G網路、具有節能效益的數據中心、以及其他更多應用。除了提供更多的空間來提升運算能力、輸入/輸出、以及HBM整合,強化版的CoWoS技術亦提供更大的設計靈活性及更好的良率,支援先進製程上的複雜特殊應用晶片設計。 在台積電與博通合作的CoWoS平台中,博通定義了複雜的上層晶片、中介層、以及HBM結構,台積公司則是開發堅實的生產製程來充分提升良率與效能,以滿足兩倍光罩尺寸中介層帶來的特有挑戰。透過數個世代以來開發CoWoS平台的經驗,台積公司創新開發出獨特的光罩接合製程,能夠將CoWoS平台擴充超過單一光罩尺寸的整合面積,並將此強化的成果導入量產。 博通ASIC產品工程副總裁Greg Dix表示,該公司很高興能與台積電合作,共同精進CoWoS平台,解決許多在7奈米及更先進製程上的設計挑戰。藉由雙方的合作,我們利用前所未有的運算能力、輸入/輸出、以及記憶體整合來驅動創新,同時為包括人工智慧、機器學習、以及5G網路在內的嶄新與新興應用產品鋪路。 台積電研究發展組織系統整合技術副總經理余振華博士則指出,自從CoWoS平台於2012年問世以來,台積電在研發上的持續付出與努力,讓我們能夠將CoWoS中介層的尺寸加倍,展現我們致力於持續創新的成果。我們與博通在CoWoS上的合作是一個絕佳的範例,呈現了我們是如何透過與客戶緊密合作來提供更優異的系統級高效能運算表現。 CoWoS是台積公司晶圓級系統整合組合(WLSI)的解決方案之一,能夠與電晶體微縮互補且在電晶體微縮之外進行系統級微縮。除了CoWoS之外,台積電創新的三維積體電路技術平台,例如整合型扇出(InFO)及系統整合晶片(SoIC),透過小晶片分割與系統整合來實現創新,達到更強大的功能與強化的系統效能。
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台積/格芯訴訟戰爭閃電落幕 雙方專利將交互授權

格芯(GlobalFoundries)和台積電(TSMC)宣布撤銷雙方之間及其客戶的訴訟。兩家公司已經達成全球專利交互授權協議,隨著雙方不斷在半導體研發上有龐大的投資,故範圍涵蓋雙方全球現有及未來十年內申請的半導體專利。 格芯在2019年8月時在美國和德國提起了多個法律訴訟,指控台積電所使用的半導體製造技術侵犯16項格芯專利。這些訴訟分別向美國國際貿易委員會(ITC)、美國聯邦法院德拉瓦分院和德州西區分院以及德國杜塞爾多夫地區法院和曼海姆地區法院提交。 在提起法律訴訟的同時,格芯還申請了法院禁制令,以阻止總部位於台灣、在半導體生產領域處於壟斷地位的台積電使用侵權技術生產的產品進口至美國與德國。這些法律訴訟要求格芯指名台積電的主要客戶以及下游電子公司,後者在大多數情況下才會包含了台積電侵權技術產品的實際進口。格芯還基於台積電使用格芯專有技術而產生的數百億美元的銷售額而向台積電提出了巨額的損害賠償請求。 而在格芯提出訴訟不久後,台積電也隨即做出反擊,於2019年9月在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項法律訴訟,控告格芯侵犯台積公司40奈米、28奈米、22奈米、14奈米以及12奈米等製程之25項專利。台積公司在此訴訟之中要求法院核發禁制令,禁止格羅方德生產及銷售侵權之半導體產品,亦對非法使用台積公司半導體專利技術與銷售侵權產品之格羅方德尋求實質性的損害賠償。 訴訟中的25項台積公司專利涉及多種技術,包括FinFET設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環及閘極結構、以及創新的接觸蝕刻停止層設計,這些特定技術涵蓋了成熟及先進半導體製程技術的核心功能。 然而,就在雙方交鋒不久後,這場專利戰爭就在近日閃電落幕。雙方宣布撤銷雙方之間及其客戶的訴訟,且已達成全球專利交互授權協議,範圍涵蓋雙方全球現有及未來十年內申請的半導體專利;同時,該協議也保證格芯和台積電有營運自由,而雙方的客戶也確保可繼續獲得完整技術和服務支援。 台積電與格芯訴訟戰閃電和解。 台積電副總經理暨法務長方淑華表示,半導體產業的競爭一直以來都相當激烈,驅使業者追求技術創新,此次決議是相當正面的發展,使我們持續致力於滿足客戶的技術需求,維持創新活力,並使整個半導體產業更加蓬勃昌盛。 格羅方德執行長Thomas Caulfield則指出,此項協議認可了雙方智慧財產的實力,使兩家公司能夠聚焦於創新,並為雙方各自的全球客戶提供更好的服務。同時,該協議也確保了格羅方德持續成長的能力。
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台積電和格芯透過全球專利交互授權全面解決雙方爭訟

台灣積體電路製造股份有限公司(TSMC)與格芯(GlobalFoundries)今(29)日宣布撤銷雙方之間及與其客戶相關的所有法律訴訟。隨著台積公司和格芯持續大幅投資半導體研究與開發,兩家公司已就其現有及未來十年將申請之半導體技術專利達成全球專利交互授權協議。 此項協議將確保台積公司及格芯的營運不受限制,雙方客戶並可持續獲得兩家公司各自完整的技術及服務。 格芯執行長Thomas Caulfield表示,很高興能夠很快地和台積電達成協議,此項協議認可了雙方智慧財產的實力,使兩家公司能夠聚焦於創新,並為雙方各自的全球客戶提供更好的服務。同時,該協議也確保了格芯持續成長的能力,對於身為全球經濟核心的半導體業而言,也有利整個產業的成功發展。 台積公司副總經理暨法務長方淑華表示,半導體產業的競爭一直以來都相當激烈,驅使業者追求技術創新,以豐富全球數百萬人的生活。台積公司已投入數百億美元資金進行技術創新,以達今日的領導地位。此項協議是相當樂見的正面發展,使我們持續致力於滿足客戶的技術需求,維持創新活力,並使整個半導體產業更加蓬勃昌盛。
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2019上半年半導體營收 台灣表現相對亮眼

產業研究機構IC Insights發表2019年上半年前15大半導體廠營收表現與整體產業成長趨勢,英特爾取代三星成為2019年第一季半導體供應商。三星在2017年和2018年藉著記憶體的大幅成長取得龍頭寶座,但隨著DRAM和NAND的需求緊縮,2019年三星將讓出第一名的位置。與上半年相比,排名前15位的半導體公司銷售額在上半年衰退18%,三大記憶體供應商,三星、SK海力士和美光,在每家公司年度衰退都超過33%的情況下,再次印證記憶體產業的景氣循環特性。 IC Insights表示,上半年全球前15大半導體廠除了日商索尼(Sony)之外,都較去年同期下滑,上半年半導體業營收排名,以英特爾的320億美元居冠,三星以267億美元居次,台積電148億美元排名第三,海力士116億美元為第四,美光102億美元居第五。 上半年排名前15的廠商包括一家純晶圓代工廠台積電(TSMC)和四家無晶圓廠公司。如果台積電被排除在排名之外,中國的IC設計公司海思(HiSilicon)(35億美元)將排在第15位。與上半年相比,海思的上半年銷售額成長了25%。然而,由於海思集團超過90%的IC銷售是對華為的內部轉移,華為在美國政府的“黑名單”可能會在今年下半年壓抑海思半導體的銷售成長率。 台廠當中,以台積電排名第三最佳。台積電上半年合併營收新台幣4,597.03億元,比去年同期下滑4.5%,主要受到晶圓14廠光阻劑汙染及客戶庫存調整影響,若排除相關干擾,台積電表現可望更好。近日台積電提出本季營收展望,以美元計價達91億至92億美元,季增18%,看好第4季仍持續成長,全年合併營收有機會仍維持上升走勢,續創歷史新高。 聯發科第2季單季合併營收新台幣615.67億元,季增16.7%,順利達標,且毛利率達41.9%,獲利較首季大增約九成,每股純益(EPS)4.11元;上半年合併營收1,142.89億元,首度躋身前15大半導體廠商。  
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台積電CoWoS技術助攻 賽靈思刷新FPGA容量紀錄

現場可編程閘陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)近日發表一款針對晶片仿真(Emulation)、原型(Prototype)與測試儀器等應用而開發的超高容量FPGA晶片Virtex UltraScale+ VU19P。這款堪稱巨無霸的FPGA雖僅使用台積電16nm製程生產,卻擁有350億顆電晶體、2,072個使用者I/O及900萬個邏輯單元(Logic Element)。用相對成熟製程打破FPGA密度紀錄的關鍵,在於賽靈思使用Chiplet設計理念,藉由CoWoS技術將4枚Chiplet拼接成一顆元件。 賽靈思Virtex UltraScale+系列資深產品線經理Mike Thompson指出,現在市面上所有最尖端的晶片,在投片量產前,都需要用FPGA晶片進行仿真與原型。雖然這個市場看似不大,但卻保持穩定成長,且相關客戶對FPGA的邏輯單元容量、I/O數量要求持續增加,因此該公司決定針對這類客戶需求,打造出VU19P。它是一款為晶片開發商打造的晶片。 賽靈思測試、量測與仿真市場資深總監Hanneke Krekels(左)與資深產品線總監Mike Thompson(右)共同展示VU19P FPGA。 除了硬體技術之外,賽靈思還提供第三代開發平台VIVADO,為使用者提供對應的工具鏈和IP支援,讓晶片製造商在取得晶片樣本前就能展開軟體開發,加速產品上市時程。 賽靈思表示,該公司是全球三代最大容量FPGA記錄的保持者--第一代是2011年的Virtex-7 2000T,第二代是2015年的Virtex UltraScale VU440,第三代是這次發表的Virtex UltraScale+ VU19P。相較於UltraScale VU440,新一代VU19P的容量增加了1.6倍,同時也讓系統功耗降低60%。VU19P的I/O介面數量和頻寬也是前代產品的1.4倍,方便用戶進行晶片設計驗證。VU19P還擁有80個28G收發器,能應用在高埠數的測設設備,並支援最新的介面標準驗證,如PCIe Gen4等。 Thompson表示,這類專為晶片設計仿真跟原型開發所設計的FPGA,主要的目標客群有四,除了前面提到的測試儀器外,還有新思(Synopsys)、益華(Cadence)、明導(Mentor)等提供仿真系統(Emulator)的EDA工具商;眾多自行開發ASIC的系統廠也是潛在客群,且這類客戶之中,有很多同時也是雲端服務供應商,隨著EDA工具上雲端的趨勢不斷發酵,來自雲端平台業者的訂單,相當值得期待。 VU19P巨大的外觀尺寸,讓人很難不多看幾眼,並對這款FPGA的價格產生好奇心。因為裸晶的尺寸越大,生產良率越低,成本也越高。但仔細觀察該元件,卻可以發現這款尺寸驚人的FPGA,實際上是由4枚裸晶拼接組成,顯然使用了台積電獨家的CoWoS技術。 Thompson表示,該晶片從設計到試產的過程其實非常順利,關鍵原因有二,一是使用相對成熟的16nm製程,二是利用堆疊式矽晶互連(Stacked Silicon Interconnect, SSI),也就是台積電所稱的CoWoS封裝技術,把4枚裸晶整合成一顆元件。這兩個因素對於提升良率跟元件的可量產性,發揮了極大助益。 VU19P預計在2020年秋季正式量產,工程樣品則可望在2019年下半提供給客戶評估。
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電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨,許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機,甚至5G基地台,對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術,遂成為各界關注焦點,並吸引許多半導體業者爭相投入布局。 根據市場研究機構Yole Développement指出,與矽功率半導體328億美元的產值相比,GaN功率市場規模仍相當小,但該技術已開始滲透至各種應用領域,其中,又以電源供應為主要應用,如手機的快速充電器。 據了解,Anker可以說是目前市場上導入GaN功率技術最積極的行動週邊裝置製造商,其行動充電器PowerPort Atom PD第一代至第三代,以及PowerPort系列部分產品,和另一個PowerCore Fusion產品,都已開始導入GaN技術。另外,Aukey、RavPower、Mu One等廠商也有採用。 行動週邊裝置品牌廠Anker自2018下半年起,已開始導入GaN功率元件,打造兼具輕巧、高功率密度的充電器。(圖片來源:Anker) 除了行動充電器外,自駕車光達(LiDAR)、資料中心伺服器、電動車,以及無線充電,亦是GaN功率半導體極具成長性的應用。Yole認為,GaN功率半導體能帶來更高的節能效益,因此相關技術研發能量不斷增加,商用產品也開始問世,整體GaN功率元件市場規模自2016年起已逐步放量;若情況樂觀,預估2017~2023年的複合成長率(CAGR)可高達93%,達到4.23億美元規模。 Yole Développement預估,在最佳狀況下,2017~2023年GaN功率半導體市場將可達到93%的年複合成長率。(資料來源:Yole Développement) 大廠加入量產行列 GaN發展更入佳境 2018年6月,功率半導體大廠英飛凌(Infineon)正式宣布於年底開始量產CoolGaN 400 V及600 V e-mode高電子遷移率電晶體(HEMT),為GaN功率技術的發展打了一劑強心針。 Yole技術與市場分析師Ezgi Dogmus認為,這家電源解決方案的領導廠商開始量產GaN的宣布,對GaN功率元件市場來說是一個重要的象徵。目前英飛凌已經擁有許多客戶在使用他們的矽解決方案,而未來這些客戶都有機會能轉移到GaN技術。 英飛凌高電壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,GaN市場已經獲得強大動能,在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出,提升功率密度實現更精巧輕盈的設計,乃至於減少整體系統成本,產生的效益相當具有說服力。英飛凌深信,GaN是電源管理的下一個明日之星。該公司已經做好所有準備,以達成在GaN電源方面成為客戶首選的目標。 就在英飛凌發布GaN量產消息後沒多久,意法半導體(ST)也宣布要由原本碳化矽(SiC)的發展,擴大延伸到GaN技術領域,將和法國技術研究機構CEA-Leti合作研發GaN-on-si技術,利用Leti的8吋研發產線進行二極體和電晶體開發。雙方預期在2019年完成驗證工程樣品。同時,意法半導體也預計2020年將在該公司位於法國圖爾市的前段晶圓廠中,建造完全符合規範的生產線(包含GaN-on-Si異質磊晶製程),以做為初期生產之用。 除了整合元件製造商(IDM)發展力道愈來愈強,這些年來聚焦GaN功率元件開發的新創公司也不斷冒出,前面提及的EPC、Transphorm、GaN Systems是相對較早成立的,其他還有Tagore、Exagan、Navitas、VisIC、Dialog Semiconductor、GaNPower International、NEXGEN Power Systems等。 這些新創大都是無晶圓廠(Fabless)的公司,選擇以委外給晶圓廠生產的商業模式,多半使用台積電、漢磊(Episil)或X-Fab做為他們主要選擇。未來,一旦市場規模擴大,晶圓代工的商業模式將讓這些無晶圓廠新創公司有望快速成長茁壯。 顯而易見,現今的GaN功率元件市場可說是老將新秀同台較勁、競相逐鹿,使得整體市場戰火正快速升溫,為了端出更具競爭力的產品方案,許多廠商已積極投入整合型方案研發。 目前市場上的整合型GaN功率元件可概分為兩種,一種是封裝層級的整合,將GaN電晶體與驅動器整合成單一封裝,多半針對650V以上的應用;另一種是在裸晶層級上整合GaN電晶體與驅動器,也就是達到所謂的單體式整合(Monolithically Integrated),此類產品供應商以EPC和Navitas為代表,多半針對600V以下的消費性應用。 由於消費性應用如行動裝置充電器,需求規模龐大,對GaN業者而言,是滋養茁壯的重要養分,因此為了迎合市場輕巧外觀的設計要求,走向高整合設計方案將勢在必行。 imec製程技術助攻 GaN加速實現單體整合 有鑑於市場對更高整合度GaN功率元件的發展需求,奈米電子和數位科技研究與創新中心imec,利用其GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,發布一款與驅動器單體整合且功能完整的GaN半橋IC。 半橋是一種在電力系統中常見的次電路,是由離散元件所組成,特別是用在較高電壓範圍的應用。要利用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋電路,極具挑戰,特別是高電壓的設計,這是因為基於GaN-on-Si技術所設計的半橋電路,會產生「後閘效應(Back-gating Effect)」,進而對半橋電路的高側端開關(High-side Switch)造成負面影響,而切換雜訊也會對控制電路造成干擾,抑制整體效能表現。 imec解決方案是建立在imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,透過埋入式氧化物(Buried Oxide)和氧化物填充的深溝槽隔離設計,讓功率元件、驅動器和控制邏輯能夠達到電氣隔離。這種隔離機制能減少有害的後閘效應對半橋高側端開關的負面影響,更能減少切換雜訊對控制電路的干擾。 此外,imec的技術平台也藉由整合電位轉換器(Level Shifter)(用來驅動高側開關)、停滯時間控制器(Dead-time...
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台積電/ANSY攜手催生車用可靠度解決方案

台積電(TSMC)與ANSYS的客戶能透過Automotive Reliability Solution Guide 2.0 Automotive Reliability Solution Guide 2.0概述通過市場驗證的工作流程,支援客戶開發使用台積電7奈米(nm)FinFET(N7)製程技術的智慧財產(IP)、晶片和封包。此擴充版指導方針以台積電和ANSYS運用ANSYS RedHawk、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS Totem以及ANSYS Pathfinder-Static的可靠度解決方案合作成果為基礎,幫助客戶針對新世代智慧汽車需求,開發更高效率與更可靠耐用的晶片。   對於先進駕駛輔助系統、資訊娛樂控制與自動駕駛所使用的尖端車用平台而言,可靠度極為重要。Automotive Reliability Solution Guide 2.0擴充版指導方針整合各種可靠度功能,支援彼此客戶運用台積電N7製程技術的IP、晶片和與封包,開發車載應用。此指導方針的工作流程包含電子飄移(EM)、自加熱(Self-Heat)與晶片封包熱共同分析(Thermal Co-Analysis)的熱可靠度以及靜電放電(Electrostatic discharge)。它亦包含統計電子飄移預算(Statistical Electromigration Budgeting, SEB)的新工作流程。   SEB透過排定最重要的EM signoff修補順序,同時避免過度設計以降低成本、提高效能和提升產品可靠度,幫助晶片設計師滿足嚴格的安全和可靠度要求。RedHawk和...
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