Super Junction
Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細
Si/SiC/GaN材料特性比較
目前,市場上絕大部分的功率元件從20V到數kV都是以矽的技術為基礎,當矽的技術到達其極限,材料性質就會限制住功率半導體元件的效率提升空間,金氧半場效電晶體(MOSFET)是最常見的功率半導體元件,其導通電阻受限於崩潰電壓,也就是磊晶層的特性,導通電阻的公式如公式1:
公式1
簡化之後,就是「矽的極限」關係式
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