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SiC MOSFET

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ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET SCT3xxx xR系列

此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可減少約35%,有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。 另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」,其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各類電源IC及離散式產品,是一款容易進行元件評估的解決方案。 近年來隨著AI和IoT的發展,雲端服務的需求日益增加的同時,全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高性能方向發展,因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面,傳統伺服器的功率轉換電路中,主要是採用矽(Si)元件,但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其,與傳統封裝相比,採用TO-247-4L 封裝的SiC MOSFET,可降低開關損耗,因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。繼2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構 SiC MOSFET 後,此次開發出 650V/1200V 耐壓的低損耗 SiC MOSFET,未來也會在開發各種革新性元件的同時,推出適合 SiC 驅動的閘極驅動器IC解決方案,降低各類設備的功耗。 採用4引腳封裝(TO-247-4L),開關損耗減少約35%在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感成分易引起閘極電壓下降,並延遲開關速度。 本次SCT3xxx xR 系列所採用的4引腳封裝(TO-247-4L),可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳,因此可減低電感成分的影響,充分發揮SiC MOSFET高速開關的性能,還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比,導通損耗和關斷損耗合計約可減少35%的損耗。
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ROHM推出SCT3xxxxxHR 系列支援可靠性標準AEC-Q101

半導體製造商羅姆(ROHM)針對車電充電器和DC/DC轉換器新推出SiC MOSFET「SCT3xxxxxHR 系列」共10個機型,該系列產品支援汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,且產品系列豐富,擁有業界最多共13個機型。 ROHM於2010年領先全球成功量產了SiC MOSFET,在SiC功率元件領域,ROHM始終不斷推動先端產品研發和構建量產體制。在需求不斷擴大的車電市場,ROHM在早期就已經確立高品質車電產品基準,並於2012年開始供應用於車用充電器的SiC蕭特基二極體(SBD),2017年也開始供應車用充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。 近年來,隨著環保意識的提高和燃油價格的飆升,電動車的市場需求不斷增加。另一方面,雖然電動車(EV)日漸普及,然而續航距離短始終是急需解決的課題之一。為了延長續航距離,電池的容量呈現日益增加的趨勢,同時還要求縮短充電時間。然而,要實現這些目標,就需要更高輸出且更高效率的車用充電器(11kW、22kW等),因此業界採用SiC MOSFET的應用也越來越多。另外,以歐洲為中心,電池電壓也呈現日漸增高趨勢(800V),這時就需要更高耐壓且更低損耗的功率元件。 為了滿足這些市場需求,ROHM 一直在加強滿足汽車電子產品可靠性標準 AEC-Q101 的產品系列,加上此次新增的產品,ROHM實施量產的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個機型,擁有領先業界的傲人產品陣容。在SiC MOSFET 領域,擁有650V、1200V耐壓的產品系列,可為客戶提供先進的解決方案。
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