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RF-SOI

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5G基礎建設RF前端2025年規模達25.2億美元

產業研究機構Yole Développement(Yole)發表最新研究指出,電信基礎設施的射頻前端(RF FE)市場規模在2018年達到14.7億美元,預計到2025年將達到25.2億美元。在全球扁平化的電信產業中,RF FE市場在2018年至2025年期間呈穩定成長,在此期間的年複合成長率為8%。 2020年將進入市場的5G無線通訊將成為下一個行動技術標準。隨著許多創新技術的發展,新系統的建置對射頻產業產生強烈影響,因此部署了支援特定協議和操作模式的新基礎架構,例如大規模MIMO、波束成形、波束控制、載波聚合等。 目前仍有超過75%的5G天線、射頻技術相關專利正在申請中,因此Yole認為,未來幾年還會有很多變化。三星、Intel、愛立信和華為已開始將其產品組合擴展到全球。三星和英特爾似乎是目前在限制其主要競爭對手的專利活動和經營自由方面處於最佳地位的兩個領導者。而GaN、GaAs、SiGe或RF-SOI等其他平台在不久的將來會顯著成長。 在此問題上,最有趣的動態之一是GaAs的發展。隨著主動式天線系統(Active Antenna System, AAS)可能成為主流,將需要更多數量的低功率寬頻功率放大器以及諸如波束形成器之類的新元件。起初這些元件主要採用GaAs製程,尤其是出於性能方面的考量。當市場成長到足以被視為一個利基市場,其他技術如RF-SOI或SiGe有望取代GaAs,就像在手機產業取代GaAs一樣。砷化鎵將成為主動天線模組的過渡平台。  
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專訪CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere SOI將成邊緣AI重要推手

CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere表示,SOI技術有多種衍生型,從適合邏輯電路與類比電路使用的FD-SOI,到適合射頻元件使用的RF-SOI、以及專為功率半導體應用需求開發的Power-SOI, SOI材料的應用涵蓋範圍極大,並獲得意法半導體(ST)、恩智浦(NXP)、格芯和三星(Samsung)等半導體業者採用。 雖然格芯近期已宣布停止發展先進製程技術,但CEA-Leti跟SOI生態圈裡的眾多合作夥伴,還是會持續推動SOI製程微縮,並搭配其他新的技術,如嵌入式非揮發記憶體、3D整合跟新的設計工具,讓SOI繼續往前邁進。 事實上,邊緣AI晶片很適合使用SOI製程來生產,因為邊緣AI晶片對功耗/性能比的要求很高,而且常常涉及到運算跟感測器的整合,這些需求都與SOI的特性跟優勢正好一致。此外,相較於FinFET,FD-SOI有一個很重要的特色,就是可以動態調整邏輯電路的工作點,不像FinFET,在設計階段就必須在高效能跟低功耗之間做出取捨。這對於簡化類比電路設計,也能帶來很大的優勢。 不過,半導體產業終究是一個需要規模經濟來支撐的產業,如果沒有健全的生態系統,即便技術特性再優異,還是很難在商業上取得進一步成功。因此,CEA-Leti未來會跟合作夥伴推出更多配套技術,讓SOI製程的應用得以更加普及。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere指出,SOI製程有許多特性,正好迎合邊緣AI應用的需求。  
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格羅方德策略聚焦 未來布局三大重點出列

近日格羅方德(GlobalFoundries)在台舉辦年度技術論壇,主題聚焦在12奈米FinFET與絕緣層上覆矽(SOI)製程的特殊應用。自從該公司宣布暫停發展7奈米製程,聚焦12奈米以上及SOI製程之後,該公司除了既有的邏輯晶圓代工業務之外,在射頻(RF)、設計服務跟先進封裝上,也有更多投入,並且將組織調整為車用/工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,顯然退出先進製程的競爭行列,反而讓格羅方德有資源專注在生態系統的培養跟建構上。 格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos(圖)表示,格羅方德雖然宣布退出先進製程的競逐行列,但這不代表公司不再繼續投資未來。事實上,12奈米以上的成熟製程節點,還是有龐大的市場需求跟多樣化的客戶存在,把這個領域耕耘好,還是有很多發展機會。所以,關鍵在於格羅方德是否備妥能滿足這些客戶需求的技術。 格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos表示,SOI等成熟製程,在未來仍將有很龐大的應用潛力。 不管是高效能運算(HPC)或嵌入式物聯網應用,未來市場的需求趨勢其實很明顯--追求更高的能源效率。但現在光靠電路微縮,已不一定能帶來這個效益。從能源效率的角度來看,SOI的表現往往比標準CMOS來得更優異,這也是格羅方德22奈米FDX製程廣獲客戶採用的主要原因。 在這個基礎上,格羅方德將持續投資在12奈米FDX製程上,以滿足客戶對邊緣運算的強勁需求。Lemos認為,由於12奈米FDX的功耗表現可以比其他同業的10奈米FinFET還優異,因此在能源效率更受重視的未來,12奈米FDX會有很長的產品生命週期。 不過,在SOI領域,一些重要的研究機構如CEA-Leti,已經開始研究如何將SOI推向10奈米以下,這是否會影響格羅方德在SOI製程上的領先地位?Lemos認為還不至於。CEA-Leti等SOI技術研發領域的要角,都是格羅方德的長期夥伴,但研究機構的使命是不斷推進科技的極限,商業成功與否則是次要考量,而格羅方德作為一家公司,則必須在商業成功跟帶動科技進步之間取得更好的平衡點。 除了邊緣運算跟高效能運算外,射頻也是SOI一個很重要的應用市場。針對這個應用,格羅方德全球業務資深副總Juan Cordovez補充說,目前RF-SOI已廣泛應用在6GHz以下及毫米波頻段的射頻元件上,有很高的市占率。但格羅方德也在關注寬能隙材料的應用進展,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等,並計畫在時機成熟時切入市場。不過,目前寬能隙材料除了技術上的挑戰外,也有經濟規模不足的問題。 此外,目前半導體業內受到廣泛討論的Chiplet議題,其實格羅方德也有所準備。不過,不像其他同業或IDM業者推出一條龍的作法,格羅方德只有在必要的情況下才會自行開發跟量產,例如基於矽中介層(Si-Interposer)的先進封裝,就會由公司內部來處理。除此之外,對於大多數的先進封裝技術,格羅方德還是傾向於採取前後段合作的模式,由專業封測廠(OSAT)負責。 整體來說,格羅方德退出先進製程的競爭行列,並不意味著公司將就此停下發展腳步。相反的,由於退出先進製程的軍備競賽,公司可以騰出更多資源來發展配套,例如擴大IC設計服務團隊、開發戰略性的先進封裝技術等。同時,在公司組織上,格羅方德也因應市場變化做了調整,劃分出車用//工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,以強化團隊戰力。
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邊緣AI追求極致功耗/性能比 SOI製程將成重要推手

由於製程微縮導致絕緣層的厚度越來越薄,閘極漏電流成為IC設計團隊所面臨的最棘手問題之一。針對這個問題,改用絕緣層上覆矽(SOI)材料是一種有效的解決方案,但由於支持這條發展路徑的主力晶圓代工廠之一--格芯(GlobalFoundries)已經宣布停止發展先進製程,使得SOI陣營必須更努力推動生態系統的發展。作為SOI材料的發明者,法國研究機構CEA-Leti深知推動SOI生態系統健全發展的重要性,而邊緣AI的發展趨勢,將為SOI技術創造出更大的發揮空間。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere(圖)表示,SOI技術有多種衍生型,從適合邏輯電路與類比電路使用的FD-SOI,到適合射頻元件使用的RF-SOI、以及專為功率半導體應用需求開發的Power-SOI, SOI材料的應用涵蓋範圍極大,並獲得意法半導體(ST)、恩智浦(NXP)、格芯和三星(Samsung)等半導體業者採用。 CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere指出,SOI製程有許多特性,正好迎合邊緣AI應用的需求。 雖然格芯近期已宣布停止發展先進製程技術,但CEA-Leti跟SOI生態圈裡的眾多合作夥伴,還是會持續推動SOI製程微縮,並搭配其他新的技術,如嵌入式非揮發記憶體、3D整合跟新的設計工具,讓SOI繼續往前邁進。 事實上,邊緣AI晶片很適合使用SOI製程來生產,因為邊緣AI晶片對功耗/性能比的要求很高,而且常常涉及到運算跟感測器的整合,這些需求都與SOI的特性跟優勢正好一致。例如意法半導體就曾經展示過一款採用28奈米FD-SOI製程生產的神經網路加速器,其功耗/性能比達到2.9TOPS/W,比很多採用更先進製程節點的同類型晶片要來得更優異。 此外,相較於FinFET,FD-SOI有一個很重要的特色,就是可以動態調整邏輯電路的工作點,不像FinFET,在設計階段就必須在高效能跟低功耗之間做出取捨。這對於簡化類比電路設計,也能帶來很大的優勢。 不過,半導體產業終究是一個需要規模經濟來支撐的產業,如果沒有健全的生態系統,即便技術特性再優異,還是很難在商業上取得進一步成功。因此,CEA-Leti未來會跟合作夥伴推出更多配套技術,讓SOI製程的應用得以更加普及。
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