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Power Integrations

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PI推出LYTSwitch-6 LED驅動器使用PowiGaN技術

Power Integrations(PI)宣布推出全新的適用於智慧型照明應用的LYTSwitch-6安全絕緣LED驅動IC系列的高功率密度成員。使用PowiGaN技術的新型IC採用簡單靈活的返馳式架構,可提供高達110 W和94%的轉換效率。  新型LYTSwitch-6 IC的高效率消除了對散熱片的需求,大大降低了鎮流器尺寸、重量和冷卻氣流要求。750 V PowiGaN一次側切換開關提供極低的RDS(ON),並降低了切換損失。與傳統解決方案相比,這種改進功能與現有的LYTSwitch-6功能相結合,可將功率轉換效率提高3%,從而將浪費的熱量減少三分之一以上。 使用PowiGaN技術的LYTSwitch-6 IC採用無損失電流感測功能,有助於提高效率。新系列成員保留了現有的LYTSwitch-6優勢,例如快速暫態響應,有助於讓並聯LED燈串實現優異的交叉調節效能而無需其他穩壓器硬體,並實現無閃爍系統運作。可讓脈衝寬度調變(PWM)調光介面易於實作。 Power Integrations的LED照明產品行銷總監Hubie Notohamiprodjo表示,採用PowiGaN技術的新型LYTSwitch-6 IC可實現高達110 W的高效設計,適用於智慧型家用與商業照明裝置和薄型吊頂嵌入式天花板燈具。LYTSwitch-6設計的高功率密度可降低高度和減輕重量,這對於空間受限和密封的鎮流器應用至關重要。  
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瞄準消費性市場 高整合GaN方案蓄勢待發

基於寬能隙材料的功率半導體已經進入商業量產,而相較於主攻高電壓應用市場的碳化矽(SiC),氮化鎵(GaN)則是在消費類找到應用商機;而為滿足消費性產品對成本、體積、效能的要求,高整合解決方案成為電源元件供應商拓展GaN市場的主要利器,例如Power Integrations近期所推出的InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC,其特色便是將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 據悉,Power Integrations日前推出新一代InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC,而在最新發布的系列產品中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少電流流過時的導通損耗,並大幅降低了運作期間的切換損失,減少能源浪費;而值得一提的地方是,為實現更精準的同步整流(Synchronous Rectification, SR),該系列產品將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith表示,過往的同步整流設計,一次側和二次側通常是各自獨立,而非在同一封裝之中,二次側要「開」或「關」,往往是依據一次側導入的電流或電壓波形進行判斷。然而,電源供應並不是固定負載(也就是同一電流、電壓穩定輸送),消費者常常會突然插拔充電器、插頭等,在快速變動的情況下,一次側、二次側的溝通有時會出現「誤差」,也就是二次側跟不上一次側的指令,兩者無法同步,電源供應器便會產生故障。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith(右)表示,整合一次側和二次側有助實現更精準的同步整流。 Smith指出,為克服此一情況,降低故障率,同時提升使用效率,該公司便決定將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中,並透過磁耦合連接一次側與二次側,使兩者的「溝通」更加容易,以精準的實現同步整流,不僅降低電源供應器故障率,也可以透過整合方式減少產品尺寸、成本,並提升效能,滿足行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計。
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PI全新CAPZero-3 X電容器放電IC符合IEC60335

Power Integrations(PI)宣布推出CAPZero-3,這是公司最新一代精緻的節能X電容器放電IC。雙端CAPZero-3 IC讓設計人員能夠輕鬆符合主要電器的IEC60335安全認證,且涵蓋從100 Nf~6 µF的所有電容器值。 IEC60335是適用於所有電器的放電安全標準。為了保護使用者免受電器危害,要求在移除AC後整個輸入X電容器的電壓在不到1秒的時間內放電不超過34V。CAPZero-3 IC在接通AC電壓時,能阻斷電流經過X電容器放電電阻器,且可在中斷AC時,能自動使X電容器經由這些放電電阻器進行放電。CAPZero-3 IC簡化了EMI濾波器的設計,同時允許使用大型X電容器,進而允許使用較小的電感元件,且不會導致功耗發生變化。 CAPZero-3 IC可以放置在系統的輸入保險絲之前或之後。裝置可提供高度共模突波耐受性,因此沒必要進行外部接地,且由於採用了1000 V內部MOSFET而具有高度差模突波耐受性。封裝和PCB的安規距離維持在大於4 mm。 PI產品經理Edward Ong表示,由於推出了全新 CAPZero-3 IC,設計人員可在需要使用從100 nF~6 µF的X電容器值的小型電器和主要電器中,使用一個零件來解決其大量應用。 CapZero-3裝置已通過CB和Nemko要求的安全認證,因此開發人員不需要針對電源供應器的X電容器放電電路另外執行安全測試。裝置現已上市,單價為0.31美元,每次訂購數量為1,000件。
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電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨,許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機,甚至5G基地台,對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術,遂成為各界關注焦點,並吸引許多半導體業者爭相投入布局。 根據市場研究機構Yole Développement指出,與矽功率半導體328億美元的產值相比,GaN功率市場規模仍相當小,但該技術已開始滲透至各種應用領域,其中,又以電源供應為主要應用,如手機的快速充電器。 據了解,Anker可以說是目前市場上導入GaN功率技術最積極的行動週邊裝置製造商,其行動充電器PowerPort Atom PD第一代至第三代,以及PowerPort系列部分產品,和另一個PowerCore Fusion產品,都已開始導入GaN技術。另外,Aukey、RavPower、Mu One等廠商也有採用。 行動週邊裝置品牌廠Anker自2018下半年起,已開始導入GaN功率元件,打造兼具輕巧、高功率密度的充電器。(圖片來源:Anker) 除了行動充電器外,自駕車光達(LiDAR)、資料中心伺服器、電動車,以及無線充電,亦是GaN功率半導體極具成長性的應用。Yole認為,GaN功率半導體能帶來更高的節能效益,因此相關技術研發能量不斷增加,商用產品也開始問世,整體GaN功率元件市場規模自2016年起已逐步放量;若情況樂觀,預估2017~2023年的複合成長率(CAGR)可高達93%,達到4.23億美元規模。 Yole Développement預估,在最佳狀況下,2017~2023年GaN功率半導體市場將可達到93%的年複合成長率。(資料來源:Yole Développement) 大廠加入量產行列 GaN發展更入佳境 2018年6月,功率半導體大廠英飛凌(Infineon)正式宣布於年底開始量產CoolGaN 400 V及600 V e-mode高電子遷移率電晶體(HEMT),為GaN功率技術的發展打了一劑強心針。 Yole技術與市場分析師Ezgi Dogmus認為,這家電源解決方案的領導廠商開始量產GaN的宣布,對GaN功率元件市場來說是一個重要的象徵。目前英飛凌已經擁有許多客戶在使用他們的矽解決方案,而未來這些客戶都有機會能轉移到GaN技術。 英飛凌高電壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,GaN市場已經獲得強大動能,在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出,提升功率密度實現更精巧輕盈的設計,乃至於減少整體系統成本,產生的效益相當具有說服力。英飛凌深信,GaN是電源管理的下一個明日之星。該公司已經做好所有準備,以達成在GaN電源方面成為客戶首選的目標。 就在英飛凌發布GaN量產消息後沒多久,意法半導體(ST)也宣布要由原本碳化矽(SiC)的發展,擴大延伸到GaN技術領域,將和法國技術研究機構CEA-Leti合作研發GaN-on-si技術,利用Leti的8吋研發產線進行二極體和電晶體開發。雙方預期在2019年完成驗證工程樣品。同時,意法半導體也預計2020年將在該公司位於法國圖爾市的前段晶圓廠中,建造完全符合規範的生產線(包含GaN-on-Si異質磊晶製程),以做為初期生產之用。 除了整合元件製造商(IDM)發展力道愈來愈強,這些年來聚焦GaN功率元件開發的新創公司也不斷冒出,前面提及的EPC、Transphorm、GaN Systems是相對較早成立的,其他還有Tagore、Exagan、Navitas、VisIC、Dialog Semiconductor、GaNPower International、NEXGEN Power Systems等。 這些新創大都是無晶圓廠(Fabless)的公司,選擇以委外給晶圓廠生產的商業模式,多半使用台積電、漢磊(Episil)或X-Fab做為他們主要選擇。未來,一旦市場規模擴大,晶圓代工的商業模式將讓這些無晶圓廠新創公司有望快速成長茁壯。 顯而易見,現今的GaN功率元件市場可說是老將新秀同台較勁、競相逐鹿,使得整體市場戰火正快速升溫,為了端出更具競爭力的產品方案,許多廠商已積極投入整合型方案研發。 目前市場上的整合型GaN功率元件可概分為兩種,一種是封裝層級的整合,將GaN電晶體與驅動器整合成單一封裝,多半針對650V以上的應用;另一種是在裸晶層級上整合GaN電晶體與驅動器,也就是達到所謂的單體式整合(Monolithically Integrated),此類產品供應商以EPC和Navitas為代表,多半針對600V以下的消費性應用。 由於消費性應用如行動裝置充電器,需求規模龐大,對GaN業者而言,是滋養茁壯的重要養分,因此為了迎合市場輕巧外觀的設計要求,走向高整合設計方案將勢在必行。 imec製程技術助攻 GaN加速實現單體整合 有鑑於市場對更高整合度GaN功率元件的發展需求,奈米電子和數位科技研究與創新中心imec,利用其GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,發布一款與驅動器單體整合且功能完整的GaN半橋IC。 半橋是一種在電力系統中常見的次電路,是由離散元件所組成,特別是用在較高電壓範圍的應用。要利用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋電路,極具挑戰,特別是高電壓的設計,這是因為基於GaN-on-Si技術所設計的半橋電路,會產生「後閘效應(Back-gating Effect)」,進而對半橋電路的高側端開關(High-side Switch)造成負面影響,而切換雜訊也會對控制電路造成干擾,抑制整體效能表現。 imec解決方案是建立在imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,透過埋入式氧化物(Buried Oxide)和氧化物填充的深溝槽隔離設計,讓功率元件、驅動器和控制邏輯能夠達到電氣隔離。這種隔離機制能減少有害的後閘效應對半橋高側端開關的負面影響,更能減少切換雜訊對控制電路的干擾。 此外,imec的技術平台也藉由整合電位轉換器(Level Shifter)(用來驅動高側開關)、停滯時間控制器(Dead-time...
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PI發布基於氮化鎵InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC

Power Integrations(PI)宣布推出其InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC的新成員。新型IC在整個滿載範圍內的效率高達95%,在密封式轉換器實作中效率高達100 W,且無需散熱器。使用內部開發的高壓GaN切換開關技術實現了這種突破性的效能提升。 準諧振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發布的系列成員中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少了電流流過時的導通損耗,並大大降低了運作期間的切換損失。這樣可以大大減少能源浪費,從而提高節省空間的InSOP-24D封裝的效率和功率輸送。 新型IC面向行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計,提供不受外部元件影響的精準CV/CC/CP,並可輕鬆連接到快速充電的通訊協定IC。InnoSwitch3-CP和EP變異體是可設定硬體的產品,而InnoSwitch3-Pro則整合了複雜的數位介面,用於CV和CC設定點的軟體控制、例外情況處理和安全模式選項。 Power Integrations的總裁暨執行長Balu Balakrishnan表示,GaN是一項關鍵技術,與矽相比具有顯著的效率和尺寸優勢。我們預計在許多電源應用中,矽電晶體將快速轉換為GaN。自從我們在18個月前推出矽變異體以來,InnoSwitch3 一直是離線式切換開關IC市場的技術領導者,基於GaN的新型IC透過提高我們返馳式產品的效率和功率能力,進一步擴大了我們的領先優勢。 Power Integrations的新型InnoSwitch 3 IC現已上市,單價為每件4美元,每次訂購數量為10,000件。Power Integrations網站提供了五種新的參考設計,說明了60 W~100 W的USB-PD充電器,以及自動化設計工具PI Expert和其他技術支援文件。    
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PI宣布推出SCALE-iFlex閘極驅動器系統

Power Integrations(PI)宣布推出SCALE-iFlex閘極驅動器系統,該系統適用於 IGBT、混合與碳化矽(SiC)MOSFET功率模組(具有1.7 Kv~4.5 kV的阻隔電壓)。該系統由一個中央隔離主控制(IMC)和一到四個模組適配的閘極驅動器(MAG)所組成。IMC可提供4.5 kV阻隔電壓。一系列MAG可用於為各種功率模組、供應商以及1700 V、3300 V和4500 V電壓等級的半導體切換技術提供服務。 SCALE-iFlex 閘極驅動器系統可輕鬆並聯業界最新的雙功率模組,以最少的開發工作量提供可靠且高度靈活的系統可擴充性。MAG的位置緊鄰模組的控制端子,可提供出色的切換效能,而IMC在MAG和使用者的MCU處理功能(如PWM指令、短路和欠壓故障報告,以及NTC和直流鏈電壓測量)之間可執行所有必要的通訊。  根據EN 50124-1、IEC 61800-5-1和UL 61800-5-1,IMC可用於具有增強型絕緣的電氣或光纖介面(適用於1700 V和3300 V功率模組)。光纖IMC還滿足4500 V 半導體的基本絕緣要求。裝置採用雙面保形塗層;裝置經過全面的電路內測試 (ICT),並進行100% HIPOT和部分放電測試,以確保無與倫比的可靠性。這些裝置具有全套保護功能,例如欠壓鎖閉、採用進階緩關機(ASSD)的短路保護和具有增強型絕緣(高達3300 V)的NTC溫度感測。 Power Integrations的技術產品經理Thorsten Schmidt表示,SCALE-iFlex閘極驅動器系統已針對所有領先模組製造商的最新1700 V~3300 V額定功率模組進行了最佳化。該系統可為要求苛刻的應用提供極致的可靠性,例如風力渦輪機變頻器、工業驅動器以及鐵路應用的主要推進和輔助變頻器。
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PI宣佈推出面向顯示器電源供應器InnoMux晶片組

Power Integrations(PI)宣佈推出面向顯示器電源供應器的InnoMux晶片組。與傳統解決方案相比,該晶片組獨有的單級功率架構可將定電壓和定電流LED背光驅動器級的整體效率提高50%,實現高達91%的效率,從而降低顯示器應用中的損失。此外,電視和顯示器設計人員可以減少超過50%的元件數量,降低製造成本並提升相關的電路板可靠性。 全新的晶片組包含InnoMux控制器IC,其與 InnoSwitch3-MX隔離式切換開關IC配合使用。InnoSwitch3-MX是Power Integrations的返馳式切換開關IC系列的最新成員,它整合了一次側FET、一次側控制器、用於同步整流的二次側控制器和FluxLink高速通訊技術,從而避免使用光耦合器。InnoSwitch3-MX從InnoMux IC接收控制資訊,該IC獨立測量每個輸出的負載需求,並指示InnoSwitch3-MX切換開關為每個輸出提供適量的功率,以保持對電流或電壓的精確調節;這消除了傳統多輸出電源供應器所帶來的負載和交叉調節挑戰,從而免去了後置穩壓器。整體功率轉換效率提高了10%,無需使用散熱片並消除熱點,同時簡化了遵從即將推出的能源之星8.0顯示器規格和新的CEC功耗標準。 獨有的特色是,InnoMux技術同時支援精確調節的定電流和定電壓輸出,提供一到四個定電流通道和多達兩個定電壓輸出。這種靈活性支援電視和顯示器中常見的邏輯、音訊和LED需求。此IC為每個輸出提供過載保護。InnoMux技術還支援LED CC輸出的精密調光-類比、PWM、交錯和混合調光透過專用類比和PWM控制接腳進行控制,從而實現誤差率低至1.5%的精確調光。 Power Integrations產品行銷經理 Edward Ong 表示,開發人員可以透過兩種方式利用InnoMux的功率轉換效率:他們可以開發高效的顯示器和電視,以滿足製造商的目標和地區監管要求,或者可以透過使用更廉價的LED和更簡單、更便宜的擴散器降低顯示器面板的功效,從而降低成本,同時仍然符合即將出台的能源之星 8.0 規則。
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Power Integrations推出SCALE-iDriver SiC-MOSFET閘極驅動器

Power Integrations (PI),宣佈推出SIC1182K SCALE-iDriver,這是一款高效率、單通道碳化矽(SiC) MOSFET閘極驅動器,可提供最高的可用峰值輸出閘極電流,而無需外部升壓階段。裝置可設定為支援不同閘極驅動器電壓需求,符合當今 SiC-MOSFET 的需求範圍;主要應用包括 UPS、光電流系統、伺服驅動器、焊接變頻器和電源供應器。 SIC1182K可在125°C的接面溫度下提供高達8A輸出,允許這些裝置支援設計高達幾百千瓦的SiC-MOSFET變頻器,而無需升壓階段。這會產生高系統效率,且可讓客戶僅生產一種設計來涵蓋其不同額定值的整個電源變頻器組合。高達150 kHz的切換頻率支援多種應用。 SCALE-iDriver SIC1182K SiC閘極驅動器採用Power Integrations的高速FluxLink通訊技術,可顯著提升絕緣能力。FluxLink是訊號傳輸的革命性產品,取代了光耦合器和電容或基於矽的解決方案,大幅提高了可靠性並提供了高達1200 V的增強型絕緣。SCALE-iDriver裝置還包含系統關鍵保護功能,例如去飽和監控和電流感應讀數、一次側和二次側欠壓鎖定(UVLO)和進階主動箝位(AAC)。此外,保護電路還提供5微秒內安全關機,可滿足SiC裝置的快速保護需求。SIC1182K SiC閘極驅動器展示出高外部磁場耐受性,採用的封裝提供≥9.5公釐的安規距離和間隔距離,使用的材料具有最高CTI等級CTI600 (IEC60112)。 Power Integrations閘極驅動器產品資深行銷協理Michael Hornkamp表示,碳化矽 MOSFET技術為縮小大小和減輕重量,以及減少電源變頻器系統損失打開了大門。採用FluxLink技術的SCALE-iDriver系列允許利用非常少的外部元件進行安全、低成本變頻器設計,確保功能安全性以及小巧的封裝和最大化的效率。 SCALE-iDriver技術可減少所需的外部元件數並降低BOM;不需要鉭或電解電容器,僅需一個二次側繞組。可以使用雙層 PCB,其可增加設計簡易性、減少元件數並簡化供應鏈管理。Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC閘極驅動器符合低於1000 V的低壓設備IEC60664-1絕緣配合和IEC61800-5-1電動馬達驅動變頻器法規。UL 1577、5...
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