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多物理模擬成EDA戰略高地 大廠平台策略各有千秋

在傳統的IC設計流程裡,當晶片設計者完成線路布局(Place & Route)後,下一個步驟就是要藉由模擬來確認晶片設計是否能如預期運作,此一步驟又稱為設計簽核(Design Signoff)。由於先進製程的一次性工程成本(NRE)十分驚人,為了避免產品在投片後才發現問題,白白浪費時間與金錢,因此許多IC設計者都會在設計簽核階段非常小心地審視自己的晶片設計,以求萬無一失。 然而,隨著半導體製程線寬越來越細微,很多原本不被認為會引發問題的物理現象,都開始干擾晶片的正常運作。前幾年某晶片設計大廠的應用處理器,就發生過出貨後晶片無法穩定運作,需增加供電電壓才能恢復正常的事件。 業界一般認為,此問題的出現,跟電晶體密度過高引發的壓降(IR Drop)脫不了關係。IR Drop是一個典型的物理現象,跟電晶體的內阻有關。當電晶體數量太多,就像一個串聯電路上串連了太多燈泡,超過供電的負荷能力後,燈泡的亮度會因為電壓不足而變暗。也因為如此,在此事件之後,每年EDA工具商所舉辦的論文評選活動,討論IR Drop議題的論文總是能拿到前三名大獎。 先進封裝技術的普及,更使得晶片業者在開發產品時,必須考慮到更多更複雜的物理問題。例如多晶片封裝引發的機械結構問題,以及整合了天線的毫米波元件,必須審慎檢視電磁場的場型分布等。這些趨勢都使得多物理模擬開始在EDA工具流程中,扮演更舉足輕重的角色。 多物理模擬成為EDA必備工具 安矽思(Ansys)資深技術經理魏培森(圖1)表示,真實世界本身就是一個由多重物理現象所構成的世界,就像高品質的汽車頭燈設計,考量的不只有亮度、聚焦與發光效率,更多的輔助設計是在處理濕度與高溫造成的問題。 圖1 安矽思資深技術經理魏培森認為,為了解決IC設計所面臨的物理挑戰,模擬工具所扮演的角色將越來越重要。 晶片設計的情況也是一樣,隨著晶片的微型化與複雜度與日俱增,不單只是電源一致性(Power Integrity, PI)、訊號一致性(Signal Integrity, SI)與時序(Timing)等傳統設計簽核所包含的項目,在先進封裝興起的當下,異質結構的整合、散熱問題、熱形變、撞擊甚至是電磁干擾(EMI)的設計,也是目前晶片設計者在開發晶片時,必須要考慮的重點項目。 更複雜的是,這些物理問題往往彼此耦合,牽一髮動全身。例如電的損耗會轉變成熱能,熱則會造成晶片或模組的溫度上升,倘若溫度上升不均勻,還會造成型變,變成機械結構的問題,進而影響晶片的可靠度與使用壽命。這些都是目前晶片設計者目前所遭遇的多重物理挑戰。 益華電腦(Cadence)資深技術經理白育彰(圖2)則表示,由於晶片設計日益複雜,EDA工具的使用者對多物理模擬工具的需求,確實在近幾年逐步走強。在拜訪IC設計相關客戶時,很多用戶均提出與多物理模擬相關的需求。 圖2 益華電腦資深技術經理白育彰指出,用戶對多物理模擬方案的需求殷切,故該公司已將相關產品劃歸為一個事業部門,以強化業務發展。 事實上,Cadence在很多年前就已預見多物理模擬對EDA工具的重要性,並在2012年購併Sigrity,從SI領域切入多物理模擬後,持續擴張自身在多物理模擬領域的產品線。目前Cadence內部已將多物理模擬工具,包含Sigrity、Celsius、Clarity等劃歸為多物理系統分析(MSA)部門,以整合研發資源,強化業務推動。 多物理問題彼此耦合 工具必然平台化 由於真實世界裡的各種物理現象彼此間往往存在複雜的連動關係,因此多物理模擬工具必然要走向整合,才能幫使用者解決問題。 魏培森指出,現有的IC設計流程大多只有考慮到電氣行為的分析,也就是傳統的PI、SI跟Timing,對於物理特性的模擬並沒有完整的設計流程。這些都是全新的設計流程,也都正是Ansys現在正在著墨的。 首先,原來2D的思維要變成3D,傳統IC電氣分析都是2D的、都是平面的,但是眼前的物理現象都是3D的,熱的擴散、應力的變化都是3D的,所以模型必須改變。其次,材料資料庫要增加,包含熱阻係數、熱傳導率、比熱、密度、彈塑性、楊氏係數等材料特性的參數,都要納入資料庫。 此外,跟電氣行為的模擬相比,多物理模擬的維度也大不相同。像是穩態、暫態、線性、非線性等型態的模擬,以及如何建立熱源模型、模擬電-熱轉換,都是多物理模擬必須思考的問題。 有鑑於各種不同的物理現象之間,存在著千絲萬縷的連動關係,ANSYS首先提出Workbench設計平台,整合大部分的現有技術,提供熱、電、應力多物理的整合模擬平台,客戶可以Workbench上呼叫Ansys各種電、熱、應力旗艦產品,先進行單一物理現象的模擬,亦可以在平台上互相串連,如電損耗的輸出當成熱分析的輸入、熱分布的結果變成應力計算的能量不均勻分布,一環接一環得到最接近真實物理世界的模擬結果。 在晶片等級的分析上,除了aedt(ANSYS Electrical DeskTop)可以當作共模擬平台外,考量CPS(Chip、Package、System系統)各有各的設計know-how,彼此間不容易分享與取得最完整的3D模型進行資料串聯,ANSYS也提供CTM(Chip Thermal Model)、CPM(Chip Power Model)、CSM(Chip Signal Model)等標準模型格式,讓各個領域能有非常方便的共模擬模型。 白育彰則表示,Cadence的多物理模擬工具產品組合,也正在以平台化的模式不斷擴張中。除了處理SI、PI問題的Sigrity、負責熱模擬的Celsius,以及跟電磁(EM)有關的Clarity等獨立工具還會持續增添更多新功能外,跨工具的整合跟串聯,也是Cadence正在努力的方向。舉例來說,針對大尺度電磁模擬,主要是射頻(RF)相關設計,Clarity很快就會有新的功能發布。未來Cadence還會進一步推出光學跟應力有關的模擬工具,以滿足用戶需求。 但由於Cadence本身還有很強大的前段設計工具,因此除了水平方向的平台化之外,Cadence的多物理模擬工具其實更注重與前後段設計工具的整合。例如將模擬的結果跟前段設計工具串聯,讓客戶能更快完成產品設計。畢竟客戶不是為了模擬而模擬,而是為了晶片的製造才進行模擬。把模擬的結果跟設計工具無縫銜接起來,提高設計工程師的生產力,是Cadence獨特的競爭優勢。 由Cadence與Ansys的產品發展策略,可看出不同公司由於所處產業地位的不同,採取的策略也會大異其趣。Cadence顯然是將多物理模擬作為EDA流程中越來越重要的一環來經營,因此強調的是與前後段工具的整合,Ansys則是老牌的多物理模擬工具大廠,因此著眼點在不斷強化多物理模擬解決方案的涵蓋率,並且對於跟其他EDA公司的合作,抱持著開放態度。兩種策略取向有不同的優勢,但也有其弱點。IC設計者如何評估跟選擇,將是需要仔細思量的課題。
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PI推出汽車級200V Qspeed二極體

Power Integrations(PI)宣布推出符合AEC-Q101汽車要求的200V Qspeed二極體LQ10N200CQ和LQ20N200CQ。Qspeed矽二極體採用混合PIN技術,以獨特方式在緩切換與低反向恢復充電(Qrr)之間實現平衡,由此降低了EMI並減少了輸出雜訊,這對於車載音訊系統而言尤為重要。 符合要求的全新200 V二極體具有業界最低的反向恢復充電(TJ為125°C時通常為32.4 nC),且二極體緩恢復比率為0.39。這將通常用於D級功率放大器輸出級的蕭特基整流器中固有的高頻率EMI降至最低。兩個10A和20A共陰極二極體放置在業界標準的堅固耐用型DPAK TO-252封裝中。 Power Integrations產品行銷經理Edward Ong表示,汽車音訊業一直在尋求替代蕭特基二極體的方法,這些二極體的「瞬間」反向恢復會導致振盪,從而在敏感型 D 級放大器中產生 EMI 和雜訊。我們的汽車級200V QSpeed二極體是適合車載音訊放大應用的完美解決方案。 LQ10N200CQ和LQ20N200CQ二極體在經過IATF 16949認證的工廠中生產。裝置現已上市;LQ10N200CQ和LQ20N200CQ的單價分別為0.60和0.74美元,每次訂購數量為10,000件。
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PI推出LYTSwitch-6 LED驅動器使用PowiGaN技術

Power Integrations(PI)宣布推出全新的適用於智慧型照明應用的LYTSwitch-6安全絕緣LED驅動IC系列的高功率密度成員。使用PowiGaN技術的新型IC採用簡單靈活的返馳式架構,可提供高達110 W和94%的轉換效率。  新型LYTSwitch-6 IC的高效率消除了對散熱片的需求,大大降低了鎮流器尺寸、重量和冷卻氣流要求。750 V PowiGaN一次側切換開關提供極低的RDS(ON),並降低了切換損失。與傳統解決方案相比,這種改進功能與現有的LYTSwitch-6功能相結合,可將功率轉換效率提高3%,從而將浪費的熱量減少三分之一以上。 使用PowiGaN技術的LYTSwitch-6 IC採用無損失電流感測功能,有助於提高效率。新系列成員保留了現有的LYTSwitch-6優勢,例如快速暫態響應,有助於讓並聯LED燈串實現優異的交叉調節效能而無需其他穩壓器硬體,並實現無閃爍系統運作。可讓脈衝寬度調變(PWM)調光介面易於實作。 Power Integrations的LED照明產品行銷總監Hubie Notohamiprodjo表示,採用PowiGaN技術的新型LYTSwitch-6 IC可實現高達110 W的高效設計,適用於智慧型家用與商業照明裝置和薄型吊頂嵌入式天花板燈具。LYTSwitch-6設計的高功率密度可降低高度和減輕重量,這對於空間受限和密封的鎮流器應用至關重要。  
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先進製程/異質整合帶來新挑戰 IC設計簽核走向多物理模擬

摩爾定律雖然已接近尾聲,但IC製程微縮的腳步仍持續往前緩步推進,5奈米、甚至3奈米製程的量產時程都已經排妥。另一方面,近年來廣受各方討論的異質整合技術,雖然讓IC設計者有機會藉由先進封裝技術,將更多功能整合到單一元件中,同時也將新的挑戰帶進IC設計流程。 安矽思(Ansys)全球半導體事業部總經理暨副總裁John Lee指出,傳統的IC設計流程是直線型的,從最初的RTL設計、合成(Synthesis)、繞線布局(Place & Route, P&R)、設計簽核(Sing-off)、布局驗證(Layout Validation)到投片(Tape out),IC設計團隊只要按這個流程一路往下走,就可以完成晶片設計。全球各大EDA工具供應商的產品線,大多也都按照這個邏輯進行布局。 但隨著製程線寬越來越細,加上以先進封裝技術將Chiplet兜成一顆元件的做法開始流行,現在的IC設計團隊在進行設計簽核的時候,要考慮的物理因素遠比以往更多。如何解決IR Drop、Timing Push Out,乃至異質整合所帶來的機械結構可靠度、熱管理等議題,都令IC設計者頭痛不已。 傳統上,IC設計人員在進行設計簽核(Sign-off)時,只須考慮電源一致性(PI)、訊號一致性(SI)的問題,但未來勢必要導入新的多物理模擬工具。這使得EDA工具鏈在設計簽核階段,出現了橫向擴展的趨勢。除了傳統的PI跟SI之外,諸如機械可靠度、熱、電磁、射頻、靜電放電等,也都成為IC設計團隊在進行設計簽核時,必須考慮到的面向。 基於多物理模擬的IC設計簽核工具,將改變IC設計流程,成為EDA工具的「機翼」。 Lee認為,在各種多物理模擬工作中,電磁模擬是特別重要的一環。由於異質整合常會使用矽中介層(Silicon Interposer),如果沒有矽中介層的電磁模型,並將其納入簽核範圍中,在進行異質整合的晶片設計時,失敗率是很高的。 此外,伴隨先進製程而來的IR Drop,不僅是電源的問題,同時也會對Timing造成影響,造成元件失效。這兩者間的關係相當複雜,因此Ansys正在發展相關的機器學習(ML)技術,盼藉由機器學習協助設計人員釐清IR Drop跟Timing Push Out的關聯性。 Ansys半導體事業部技術長張鴻嘉表示,目前該公司正在開發一項新的模擬技術,名為增強模擬(Augmented Simulation),其概念是用工具自動產生的資料來訓練模型,加快模型訓練的速度,使ML工具能更貼近IC設計工程師的使用需求。 其實,真實資料對IC設計團隊來說,往往不見得適合用來訓練模型,因為資料本身的結構、格式有時相當混亂,光是把資料清理到可用的程度,就要花很多時間。工具自動產生的資料則沒有這個問題,因為可控程度高,訓練模型的速度也快。 事實上,Ansys目前就已經有一款名為Path FX的時序跟時脈樹(Clock Tree)分析工具,搭配ML套件後便具備類似的功能。但明年將正式發表的新款工具,在功能方面會更全面。  
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PI全新CAPZero-3 X電容器放電IC符合IEC60335

Power Integrations(PI)宣布推出CAPZero-3,這是公司最新一代精緻的節能X電容器放電IC。雙端CAPZero-3 IC讓設計人員能夠輕鬆符合主要電器的IEC60335安全認證,且涵蓋從100 Nf~6 µF的所有電容器值。 IEC60335是適用於所有電器的放電安全標準。為了保護使用者免受電器危害,要求在移除AC後整個輸入X電容器的電壓在不到1秒的時間內放電不超過34V。CAPZero-3 IC在接通AC電壓時,能阻斷電流經過X電容器放電電阻器,且可在中斷AC時,能自動使X電容器經由這些放電電阻器進行放電。CAPZero-3 IC簡化了EMI濾波器的設計,同時允許使用大型X電容器,進而允許使用較小的電感元件,且不會導致功耗發生變化。 CAPZero-3 IC可以放置在系統的輸入保險絲之前或之後。裝置可提供高度共模突波耐受性,因此沒必要進行外部接地,且由於採用了1000 V內部MOSFET而具有高度差模突波耐受性。封裝和PCB的安規距離維持在大於4 mm。 PI產品經理Edward Ong表示,由於推出了全新 CAPZero-3 IC,設計人員可在需要使用從100 nF~6 µF的X電容器值的小型電器和主要電器中,使用一個零件來解決其大量應用。 CapZero-3裝置已通過CB和Nemko要求的安全認證,因此開發人員不需要針對電源供應器的X電容器放電電路另外執行安全測試。裝置現已上市,單價為0.31美元,每次訂購數量為1,000件。
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PI發布基於氮化鎵InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC

Power Integrations(PI)宣布推出其InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC的新成員。新型IC在整個滿載範圍內的效率高達95%,在密封式轉換器實作中效率高達100 W,且無需散熱器。使用內部開發的高壓GaN切換開關技術實現了這種突破性的效能提升。 準諧振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發布的系列成員中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少了電流流過時的導通損耗,並大大降低了運作期間的切換損失。這樣可以大大減少能源浪費,從而提高節省空間的InSOP-24D封裝的效率和功率輸送。 新型IC面向行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計,提供不受外部元件影響的精準CV/CC/CP,並可輕鬆連接到快速充電的通訊協定IC。InnoSwitch3-CP和EP變異體是可設定硬體的產品,而InnoSwitch3-Pro則整合了複雜的數位介面,用於CV和CC設定點的軟體控制、例外情況處理和安全模式選項。 Power Integrations的總裁暨執行長Balu Balakrishnan表示,GaN是一項關鍵技術,與矽相比具有顯著的效率和尺寸優勢。我們預計在許多電源應用中,矽電晶體將快速轉換為GaN。自從我們在18個月前推出矽變異體以來,InnoSwitch3 一直是離線式切換開關IC市場的技術領導者,基於GaN的新型IC透過提高我們返馳式產品的效率和功率能力,進一步擴大了我們的領先優勢。 Power Integrations的新型InnoSwitch 3 IC現已上市,單價為每件4美元,每次訂購數量為10,000件。Power Integrations網站提供了五種新的參考設計,說明了60 W~100 W的USB-PD充電器,以及自動化設計工具PI Expert和其他技術支援文件。    
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PI宣布推出SCALE-iFlex閘極驅動器系統

Power Integrations(PI)宣布推出SCALE-iFlex閘極驅動器系統,該系統適用於 IGBT、混合與碳化矽(SiC)MOSFET功率模組(具有1.7 Kv~4.5 kV的阻隔電壓)。該系統由一個中央隔離主控制(IMC)和一到四個模組適配的閘極驅動器(MAG)所組成。IMC可提供4.5 kV阻隔電壓。一系列MAG可用於為各種功率模組、供應商以及1700 V、3300 V和4500 V電壓等級的半導體切換技術提供服務。 SCALE-iFlex 閘極驅動器系統可輕鬆並聯業界最新的雙功率模組,以最少的開發工作量提供可靠且高度靈活的系統可擴充性。MAG的位置緊鄰模組的控制端子,可提供出色的切換效能,而IMC在MAG和使用者的MCU處理功能(如PWM指令、短路和欠壓故障報告,以及NTC和直流鏈電壓測量)之間可執行所有必要的通訊。  根據EN 50124-1、IEC 61800-5-1和UL 61800-5-1,IMC可用於具有增強型絕緣的電氣或光纖介面(適用於1700 V和3300 V功率模組)。光纖IMC還滿足4500 V 半導體的基本絕緣要求。裝置採用雙面保形塗層;裝置經過全面的電路內測試 (ICT),並進行100% HIPOT和部分放電測試,以確保無與倫比的可靠性。這些裝置具有全套保護功能,例如欠壓鎖閉、採用進階緩關機(ASSD)的短路保護和具有增強型絕緣(高達3300 V)的NTC溫度感測。 Power Integrations的技術產品經理Thorsten Schmidt表示,SCALE-iFlex閘極驅動器系統已針對所有領先模組製造商的最新1700 V~3300 V額定功率模組進行了最佳化。該系統可為要求苛刻的應用提供極致的可靠性,例如風力渦輪機變頻器、工業驅動器以及鐵路應用的主要推進和輔助變頻器。
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PI公布整合有900 V MOSFET的全系列切換開關IC

Power Integrations(PI)宣佈推出整合了900 V一次側MOSFET的離線式切換開關IC系列。最新推出的裝置包括適用於高效率、隔離返馳式電源供應器和簡易非隔離降壓式轉換器的IC。應用包括高達480 VAC的三相工業電源供應器和高品質消費性產品,這些要在主電源電網不穩定的區域、頻繁發生雷擊的熱帶區域或高能量振盪波和突波非常普遍的任何區域使用。 新產品包括適用於簡易非隔離降壓式轉換器的LinkSwitch-TN2 IC 900 V版本和旗艦InnoSwitch3-EP IC系列的三個新成員,這些支援高達35 W的極高效率隔離返馳式。900 V產品系列的所有成員均配備最佳化的內部控制引擎,在整個負載範圍內都具有高效率,使設計輕鬆符合能源相關產品(ErP)限制和各種線電壓和負載保護機制,以進一步提高系統穩定性和可靠性。 900 V LinkSwitch-TN2 IC為降壓式轉換器提供所需元件最少的切換開關解決方案。裝置具備可選限電流和完全整合式自動重新啟動功能,可提供短路和開迴路保護。使用頻率抖動功能可將電磁干擾(EMI)降至最低,並且裝置可輕鬆滿足PCB和封裝上的汲極與所有其他接腳之間的高壓安規距離和間隔要求。 900 V InnoSwitch3-EP返馳式切換開關IC提供無功損線電壓OVP感應,當線電壓超過所選的臨界值時自動中斷切換,可在發生嚴重線電壓過壓的情況下,防止對電源供應器造成損壞。在線電壓和負載條件內,裝置能夠提供高達90%的行業領先的效率,可減少電源供應器損失,實現擁有最高35 W功率但無需散熱器的小尺寸電源供應器。900 V InnoSwitch3-EP IC採用Power Integrations創新的隔離式數位通訊技術FluxLink,加上同步整流(SR)、QR切換和精確的二次側回授感測及控制電路。如此可在不需要不可靠光耦合器的情況下打造出高效率、精準、可靠的電源供應器電路。 資深產品行銷經理Silvestro Fimiani表示,這些切換式功率IC讓三相電表、馬達、工業備用電源供應器、家電,甚至手機充電器的設計人員能夠實現真正的一體式電源供應器,從而滿足任何地方的使用者的可靠性預期。例如,為解決印度高品質消費性產品迅速發展的市場而產生的OEM面臨著源源不斷的電子損坏和退貨產品,必須予以維修或更換。900 V切換開關IC提供有效且低成本的防護,並且運作和產品支援成本大幅減少。
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PI宣佈推出面向顯示器電源供應器InnoMux晶片組

Power Integrations(PI)宣佈推出面向顯示器電源供應器的InnoMux晶片組。與傳統解決方案相比,該晶片組獨有的單級功率架構可將定電壓和定電流LED背光驅動器級的整體效率提高50%,實現高達91%的效率,從而降低顯示器應用中的損失。此外,電視和顯示器設計人員可以減少超過50%的元件數量,降低製造成本並提升相關的電路板可靠性。 全新的晶片組包含InnoMux控制器IC,其與 InnoSwitch3-MX隔離式切換開關IC配合使用。InnoSwitch3-MX是Power Integrations的返馳式切換開關IC系列的最新成員,它整合了一次側FET、一次側控制器、用於同步整流的二次側控制器和FluxLink高速通訊技術,從而避免使用光耦合器。InnoSwitch3-MX從InnoMux IC接收控制資訊,該IC獨立測量每個輸出的負載需求,並指示InnoSwitch3-MX切換開關為每個輸出提供適量的功率,以保持對電流或電壓的精確調節;這消除了傳統多輸出電源供應器所帶來的負載和交叉調節挑戰,從而免去了後置穩壓器。整體功率轉換效率提高了10%,無需使用散熱片並消除熱點,同時簡化了遵從即將推出的能源之星8.0顯示器規格和新的CEC功耗標準。 獨有的特色是,InnoMux技術同時支援精確調節的定電流和定電壓輸出,提供一到四個定電流通道和多達兩個定電壓輸出。這種靈活性支援電視和顯示器中常見的邏輯、音訊和LED需求。此IC為每個輸出提供過載保護。InnoMux技術還支援LED CC輸出的精密調光-類比、PWM、交錯和混合調光透過專用類比和PWM控制接腳進行控制,從而實現誤差率低至1.5%的精確調光。 Power Integrations產品行銷經理 Edward Ong 表示,開發人員可以透過兩種方式利用InnoMux的功率轉換效率:他們可以開發高效的顯示器和電視,以滿足製造商的目標和地區監管要求,或者可以透過使用更廉價的LED和更簡單、更便宜的擴散器降低顯示器面板的功效,從而降低成本,同時仍然符合即將出台的能源之星 8.0 規則。
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PI宣佈推出一系列電氣隔離變壓器

Power Integrations (PI)宣佈推出一系列電氣隔離變壓器,該產品為公司的 SCALE-iDriver系列閘級驅動器提供正確的電壓和功率。這一產品組合帶來了簡單、穩健且經濟高效的DC-DC轉換器解決方案,該方案無須額外的電壓調節,從而降低系統成本和減少開發時間。SIT12xxI變壓器和SCALE-iDriver IC已全系列通過UL和VDE認證。 全新的SIT12xxI變壓器採用創新的絕緣構造,可有效提升產品可靠性,同時提供出色的絕緣能力和低耦合電容。這些裝置適用於600 V和1200 V雙通道 SCALE-iDriver閘級驅動器,後者具備5 V(SIT1253I)或15 V(SIT1217I)輸入電壓和25 V輸出電壓。帶籠罩的變壓器重量僅為9克,無須環氧灌注,但仍可通過測試,證明其具備延長的現場壽命和高防撞防震效能。這些變壓器均符合 UL1446、UL61800-5-1、IEC61800-5-1、IEC61558-1和IEC61558-2-16規範。 Power Integrations閘級驅動器產品營銷經理Thorsten Schmidt對該產品評論,IGBT和SiC-MOSFET驅動器IC的SCALE-iDriver系列運用Power Integrations的 FluxLink磁電感雙向通訊技術,可確保在一次側與二次側之間提供增強型固態絕緣,並設定新的絕緣完整性與穩定性標準。透過提供完美匹配的變壓器,我們減少了系統開發、驗證和認證時間,同時簡化了採購流程。全新的變壓器構造設計面向工業應用,可提供堅固而輕便的隔離式 DC-DC 解決方案,同時最大限度地減少共模雜訊耦合。
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