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意法推出新數位電源IC 為600至6kW應用帶來新選擇

意法半導體(STMicroelectronic, ST)的數位電源控制器系列新增一款用於雙通道交錯式升壓PFC拓撲的STNRGPF02電源IC。客戶可以用eDesignSuite軟體輕鬆配置這款IC。該軟體還有助於快速完成電路設計和外部元件的選擇。 STNRGPF02讓600W至6kW的應用可以享受數位電源帶來的優勢,ST的系統整合度高,無需另外配備DSP處理器或微控制器(Microcontroller, MCU),其典型應用包括工業馬達、空調、家用和商用電器、行動通訊基地台、電信基礎建設、資料中心設備和不斷電供應系統(UPS)。 此新品是一款連續導通模式(CCM)固定頻率電源IC,並具有平均電流模式控制功能,這是一個類比元件與數位控制的優化組合,在內部電流迴路中整合一個硬體類比比例積分PI補償器,在外部電壓迴路中則整合一個數位PI控制器,確保控制快速回應。電壓和電流兩個迴路的級聯控制電路是透過改變總平均電感電流的方式調節輸出電壓。 新控制器專為使用外部繼電器或三端雙向可控矽開關的機械浪湧電流控制而設計,與專為數位浪湧控制設計的STNRGPF12一樣,兩種控制器均支援可設置相切、負載前饋和高載模式,以最大程度地提升效能。內建的保護功能包括可設置的快速動作過熱保護和過電流保護(OCP)、過壓保護(OVP)和軟啟動管理,還提供PFC故障和PFC OK狀態指示腳位。 使用eDesignSuite配置STNRGPF02十分簡單,只要輸入電源變換器規格並啟動配置器即可。該工具產生一個完整的主電路物料清單(BOM)和二進位目標程式碼,韌體程式碼透過序列通訊連接埠下載到晶片,因而,可以大幅縮短典型電源設計週期。開發人員還可以透過晶片序列通訊連接埠監控PFC參數。
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電氣化/電動化加足馬力 車用電源設計效能零妥協

汽車電氣化、電動化的革命正加速上演,引發新的電源供應與管理設計轉變。最近的一個新發展即是48V電源架構的導入,與傳統的12V系統相較,48V系統滿足了以更低的成本和體積,提供更多的電力需求,並可顯著減少二氧化碳排放量,特別是在電動車的應用上,效益更為顯著。此外,自駕車的發展讓車用電子系統愈來愈多,也帶來電源設計上的新挑戰。 因應上述汽車發展的變化,半導體界已提出許多創新的電源技術與設計方案,其中,可實現更高功率密度的SiC和GaN等寬能隙功率半導體技術的引進,便是最明顯的例子;而針對車載處理器與ADAS系統對性能的要求,所研發出的新一代電源管理IC,也愈來愈受到車電系統開發商的青睞。本活動邀請相關領域代表廠商,深入解析這些新的汽車電源技術及其應用設計之道。 電動車近年快速發展,市場規模在2017年迅速突破100萬輛,貿澤電子(Mouser Electronics)亞太區行銷暨企業發展副總裁田吉平提到,原先預期2019年出貨量將持續大幅提升,無奈市場遭遇逆風,原因包括充電樁基礎建設未到位、整車價格過高、電池續航力不足等,都延緩了市場的發展腳步,不過人們對於電能的使用與依賴持續提升,也同時凸顯汽車電源技術創新與應用深具產業發展潛力。因此,貿澤電子邀集Vicor、Microchip、Toshiba Electronic、ADI、Maxim等國際重點電源技術廠商進行前瞻技術分享。 去中心化架構搭配48V傳輸系統 電動車電源設計過去是中心化(Centralized)的設計,電源由一個高壓核心透過傳輸架構提供相關元件使用,Vicor台灣區應用工程師張仁程表示,未來電動車將發展去中心化(Decentralized)的架構(圖1),以轉換效率94%為例,中心化的架構以3kW的供電源提供給各系統,將產生180W左右的傳輸與轉換損耗;而去中心化架構則透過多個分散且電壓降低到1kW的供電源,由於供電位置分散,且電壓轉換幅度相對較小,所以線損與轉換損耗幅度都降低,整體效率可以提升到97~98%,功率損耗僅約15W左右。 圖1 電動車電源供應去中心化(Decentralized)架構 分散式架構設計還具有電源模組封裝彈性(Packaging Flexibility)、電源轉換幅度小更接近傳輸電壓、散熱系統成本降低、供電系統備援、降低傳輸線路成本與重量等優勢。而在48V供電系統中,Vicor也致力於零電壓轉換(Zero Voltage Switching, ZVS)設計,張仁程認為,正弦振幅轉換器(Sine Amplitude Converter, SAC)拓撲結構就是其中的關鍵,該架構是一個處於BCM模組核心位置的動態、高效能引擎。透過SAC的高工作頻率,可使用較小的變壓器來提高功率密度和效率。 核心工作電壓提升SiC廣泛導入 寬能隙功率元件是近年來電源技術的熱門討論焦點,碳化矽(SiC)導通電阻RDS(ON)在工作溫度範圍內,變化不會超過30%,適合在高電壓、高溫與高功率環境下工作(圖2)。Microchip嵌入式解決方案工程師Sam Liu說明,未來幾年電動車有幾個明顯的發展趨勢,包括電壓將從400V提升到800V;馬達控制部分,也將導入SiC元件取代Si IGBT元件,以達成更高能量密度、效率、接面溫度與更小的模組尺寸;更高效率的供電到傳輸系統的電壓轉換;電動車內部的系統充電與外部的充電樁充電都需要更高效率,所以SiC將更廣泛導入這些系統的應用。 圖2 主流功率元件工作電壓與電源頻率範圍示意 Sam Liu強調,Microchip可以提供700V與1200V SiC模組、晶片與部分1700V元件,以達成上述幾個電動車的發展趨勢,未來更將1700V的完整解決方案納入。另外,Microchip的30kW三相Vienna功率因數校正(PFC)功能、SiC分離元件和SP3/SP6L模組驅動參考設計/驅動板,最高效率可達98.6%,總電流諧波失真小於5%,可有效協助系統開發人員縮短開發週期。 電源元件強化車輛電氣化效能 電氣化近年成為汽車產業發展的重點,而且變成不可逆的趨勢,台灣東芝電子零組件(Toshiba Electronics Components)將相關技術分成環境(Environment)、安全(Safety)與資訊娛樂(Infotainment)三個部分,並分別提供相關零組件解決方案。該公司系統元件與數位行銷部處長蔡佳言說,改善環境的解決方案特別強調高效能、小型輕量化與功能安全性,如馬達控制IC、光電耦合器、功率MOSFET、IGBT等元件。 另外,在安全性應用,蔡佳言提到,目前先進駕駛輔助系統分成感測、辨識、決策、控制幾個部分(圖3),而Toshiba Electronics Components則是專注於辨識功能的元件,可提供高辨識率、低功耗且適用於多個影像辨識系統的影像辨識處理器。而在資訊娛樂部分,則是提供車用遙控門鎖(Remote Keyless Entry, RKE)、ETC晶片、車用音響功率放大器(Car Audio Power Amp)與車用乙太網路AVB/TSN解決方案等。 圖3 先進駕駛輔助系統ADAS運作機制 DC/DC雙向控制系統轉換更順暢 車輛電氣化的過程中,48V電源傳輸系統越來越被重視,目前有許多車輛採用48V與12V的雙電池系統設計,ADI...
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電感器材料/設計/氣隙計算慎行 車載充電器耗損降效率增

OBC負責電池組充電的最後階段,它會從充電站汲取AC電源,將其轉換為DC,以用來為350V或650V電池充電。不過,有多種因素可能影響電動車電池的充電效率,而電動車電池在單位時間內從電網取得的電力越多,表示其效率越高。 若要提升OBC的效率,可以從減少充電或放電期間的功率耗損著手。OBC設計的其中一項關鍵要素,就是減少功率因數校正(PFC)等級的AC耗損。由於OBC的系統功率等級會連接至電網,導致全世界多數國家現在都要求在OBC中加入PFC等級。本文將著重於介紹一種方法,藉此分享如何減少因PFC專用升壓電感器的通量散射所導致的AC銅耗。 確保系統設計最佳化 OBC的PFC等級使用傳統的升壓拓撲,內含輸入二極體電橋、濾波器和升壓電感器(Lboost),如圖1中的方塊圖所示。其關鍵要求之一,就是升壓電感器必須在尖峰電流時保持電感,不可飽和。如此有助於確保形成負載電流波形,且能隨輸入電壓維持相位。電感器必須保持較低的核心耗損和銅耗,以維持其效率,且不得產生過多的熱能。 圖1 系統的AC網路輸入要求,16A電源輸入PFC系統需能升至11.5kW 針對接近單位功率因數(電阻負載)的PFC,輸入電流需與輸入電壓同相,且需為低失真。圖1中的S1開關連接至控制器,用於監控輸入電壓。此開關以200kHz執行「開啟」和「關閉」(或以工作週期調頻),瞬態輸入電壓在100Hz範圍內的變動相對較慢。 Lboost中的平均電流會在週期內追蹤相對形狀和相位的輸入電壓訊號,而電流波形失真則會因電容和電感負載而減少。從AC電源側來看,負載看起來為電阻型。Lboost中平均電流的振幅也會隨時間調整,以補償線路和負載的變動。 電感器材料攸關銅耗 這類的電感器通常使用鐵粉作為磁性材料,因製造過程中使用非磁性黏著劑,使鐵粉具有磁性材料固有的分散式氣隙,其導磁性(μ)通常介於20至200。由於電感器有嚴格的體積限制和電感要求(滿負載時大於150μH),使用鐵粉核心的功率耗損將非常大,而且會使應用中的電感器過熱。 因此,需要採取另一種解方。為了最佳化PFC的升壓電感器,如美商柏恩(Bourns)便使用傳統的分裂核心,它是由低耗損的錳鋅(MnZn)鐵氧體材料構成。可以從中發現,MnZn鐵氧體材料相比鐵粉的耗損大幅降低,導磁性也高出許多;另外,為防止鐵氧體核心飽和,應在磁路徑中加入氣隙。 但加入氣隙也會降低材料的導磁性。經測試與模擬後發現,使用分散式多重氣隙,能將通量散射降到最低,與單一氣隙的電感器相比之下,銅耗將大幅降低。 氣隙計算確保高效率 電感器設計中的氣隙部分,是使產品達到較高效率並降低AC耗損的關鍵。其設計的原理,是假設磁性電路中的所有磁阻都產生在氣隙中。 設計的第一個階段,應先確認升壓電感器該擁有的圈數,以確保其核心不會在尖峰電流的特定電感下達到飽和。首先為計算圈數,接著再計算磁動勢(MMF)。從過程中可判定,此應用的作業通量密度必須限制在0.3T;另外,還必須找出於尖峰電流下將通量限制在0.3T所需要的磁阻量(R)。而若將核心限制在0.3T,可確保磁性核心不會飽和。在找到將通量密度限制在0.3T所需要的磁阻後,接著便能計算氣隙尺寸。可從中進一步發現,這類單一氣隙的電感器可透過縮小氣隙尺寸,以及增加電感器中央腳的氣隙數量,藉此大幅降低銅耗。若採用單一氣隙時,AC電阻為5.5Ω;而當三氣隙散布在核心中央腳時,AC電阻最終可降至0.616Ω。 在找出鐵氧體材料總氣隙最適合的尺寸後,接著再根據核心中氣隙的散射通量(輻射磁場)可能使銅出現渦流等類現象,減少電感器中的耗損,進而找出最佳的設計。不過,這會使銅線圈內發生區域性的焦耳損失。至於升壓電感器中的平均電流,會在週期內追蹤相對形狀和相位的輸入電壓訊號(圖2)。 圖2 模擬圖顯示一個週期的電感和輸入電流 高密度設計大幅減少耗損 若使用帶氣隙的鐵氧體結構,可實現較高效率的高密度設計,進而使每個通道在每次的週期內,可達到最高3.6kW的處理量,於最高負載時可儲存125mJ。透過PFC模擬,證明了確實找到能儲存能量並避免飽和的最佳氣隙。此外,同時亦可確認,銅功率耗損的主要來源為AC電阻,所以結論是,針對設計的最高AC電阻規格目標應為750mΩ(在125kHz和100℃的條件下),同時使用FEA軟體來進行升壓電感器設計的驗證、分析和最佳化。 如Bourns的升壓電感器可減少多達90%的AC耗損,但仍須視應用而定。降低耗損的關鍵,在於縮小氣隙尺寸及增加電感器中央腳的氣隙數量。本文的測試結果顯示,單一氣隙電感器的AC電阻為5.5Ω,而測試應用中的三氣隙設計則使AC電阻降到僅0.616Ω。至於AC電阻耗損的降低,是由於AC銅耗從每通道的20W大幅降到只剩1.8W。此外,由於該升壓電感器產生的熱能較少,因此散熱需求較低,同時還具減少EMI的額外優點。若結合以上優點,便有助於實現較佳的PFC等級設計,使OBC整體效率提升,進而為電動車市場的成長提供助力。 (本文出自於貿澤電子與Bourns共同出版之《車輛電動化(Electrification of the Vehicle)》電子書)
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英飛凌為車用推新矽基高性能產品系列

為滿足電動車市場需求,英飛凌(infineon)推出全新CoolMOS CFD7A產品系列。這些矽基高性能產品適用於車載充電器系統的PFC和DC-DC級,以及專為電動汽車應用優化的高低壓DC-DC轉換器。 英飛凌結合優於AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識,推出CoolMOSCFD7A系列,相容於最高475 VDC的系統電壓。採用Kelvin源極概念,可達到更高的效率水準,最高效率達98.4%。CFD7A裝置憑藉固有的快速本體二極體,和採用多種TO和SMD封裝的豐富系列組合,適合用於PFC和DC-DC級。該產品系列支援以較低閘極損耗達到更高的切換頻率,進一步提升功率密度,進而縮小設計尺寸。此外,新款CoolMOS技術平台經過特別打造,可滿足嚴峻汽車環境的需求,特別是在宇宙輻射及設計耐用性等方面。宇宙輻射從開發程序一開始便得到抑制,並經過實驗結果證實。 其多樣化的封裝組合方便設計,並可帶來其他優勢。英飛凌650 V CoolMOS CFD7A技術結合D2PAK 7針腳封裝使用時,客戶不僅受益於效率提升,也能獲得出色的熱性能和更大的沿面距離;同時該系列在高度自動化的300mm生產線製造,這有助於在滿足不斷成長的市場需求的同時,實現批量生產的零缺陷目標。
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英飛凌CoolSiC MOSFET650 V系列為應用帶來可靠度與效能

英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合,新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業 SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。 英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理 Steffen Metzger 表示,推出這項產品後,英飛凌在 600 V/650 V 電源領域完備矽、碳化矽和氮化鎵型功率半導體產品組合。該公司推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。 CoolSiC MOSFET 650 V導通電阻介於27mΩ至107mΩ,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650 V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(Trench)半導體技術,使SiC強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級(增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到低損耗,和高運作可靠度,同時兼顧全方位效能。 相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650 VCoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有低導通電阻(RDS(on))與溫度的相依性,散熱特性出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有低逆復原電荷(Qrr),較效能良好的接面CoolMOS...
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Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

Si/SiC/GaN材料特性比較 目前,市場上絕大部分的功率元件從20V到數kV都是以矽的技術為基礎,當矽的技術到達其極限,材料性質就會限制住功率半導體元件的效率提升空間,金氧半場效電晶體(MOSFET)是最常見的功率半導體元件,其導通電阻受限於崩潰電壓,也就是磊晶層的特性,導通電阻的公式如公式1:                                  公式1 簡化之後,就是「矽的極限」關係式                  ...
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意法推出靈活數位功率因數控制器

意法半導體(ST)的雙通道交錯式升壓PFC控制器STNRGPF12,兼具優勢包括數位電源的設計靈活性和類比演算法的快速回應。控制器設定和優化過程非常簡單,只需使用意法半導體的eDesignSuite軟體就可以輕鬆完成。 STNRGPF12適用於600W以上的應用,可提升各種設備的效能和可靠性,包括工業馬達控制器、充電樁、不斷電供應系統、4G和5G基地台、電焊機、電信交換機、家用電器和資料中心電源。 STNRGPF12採用固定頻率連續導通模式(Continuous-Conduction Mode, CCM),具有平均電流模式控制功能。STNRGPF12內外控制環完美兼顧數位和類比性能。內部電流環使用硬體類比比例積分(PI)補償器,外部電壓環則採用動態回應快速的數位PI控制器,這使STNRGPF12能夠管理電壓環和電流環的串聯控制,透過控制總平均電感電流來調整輸出電壓。 新產品還整合了豐富的功能,其中,數位輸入湧流限制功能利用高邊開關電路中的可控矽整流器(Silicon Controlled Rectifier, SCR)簡化軟啟動管理,增強系統穩健性。STNRGPF12還支援負載前饋、電流均衡、切相和風扇控制。晶片上整合的UART控制器可讀取非易失性記憶體,以便使用者設定PFC參數,滿足特定的應用需求,並可讓使用者查看參數。 使用者另外還可以利用意法半導體廣泛的生態系統快速啟動設計專案,發揮STNRGPF12最大潛力。生態系統包括STEVAL-IPFC12V1雙通道2kW交錯式PFC參考設計和配置軟體。
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提升電源系統效能 修正功率因數刻不容緩

在功率電子領域,轉換效率一直是討論的關鍵話題,也是所有資料表中的重要參數之一。為了在最有利的條件下展示產品,電源製造商通常會引用「最佳」資料,這通常是在大約80%負載下的某個效能值。但是,應該注意的是,在實際應用中,系統所消耗的功率可能根本不是這個水準。 負載可能會上下明顯波動,取決於具體的運作方式,並且在冗餘配置中,所消耗功率將始終比峰值低很多(除非出現故障情形)。這意味著系統的實際效能可能遠低於所引用值。 認識到這種情形的嚴重性後,標準機構、行業團體和政府組織都制定了新的能源準則。這些準則中通常引用所有運作負載(從20%到滿負載)範圍內要求具備最低可接受效能水準的效能曲線,因此,設計工程師能夠評估電源系統中的基本構建模組,以確定發生損耗之位置,然後採取措施消除這些損耗,以確保滿足新的效能要求。功率因數修正(PFC)對於解決潛在損耗源問題至關重要,因此應予以實施。 傳導/切換耗損影響大 雖然當代切換式半導體元件已經能夠提供前所未有的性能表現,但在運作期間總會有一些損耗,導致效能水準降低。在電源系統中,需要注意兩種類型的損耗:切換和傳導。 傳導損耗包括由橋式二極體順向電壓引起的損耗,其與系統功率和MOSFET和IGBT等切換元件的導通電阻成比例。這些損耗與整個系統功率的平方成正比,伴隨輸出功率增加,損耗也會增大,損耗往往在更接近滿載的情形下具有更大影響。傳統上,過去的應用焦點也集中於此。 第二種損耗是切換損耗。隨著設計工程師努力提高功率密度水準並縮小系統尺寸,切換頻率不斷增高,而可以減小系統中大型磁性元件尺寸。切換損耗與寄生電容的不斷再充電有關(例如在切換元件閘極中出現的)。這些損耗與切換頻率成比例,並在整個運作功率範圍內保持一致。這些損耗往往在較低功率水準下最為普遍,可能對系統效能產生重大影響。 功率因數影響電源效能 公用事業公司提供的所有電網電力均為交流電,電壓波形始終為弦波。然而,電流波形和相位不一定是弦波,而是取決於供電系統負載。對於加熱元件等最簡單的純電阻負載,負載電流與電壓同相並保持為弦波,在這種情形下演算輸出功率僅僅是將電壓和電流相乘。 而對於馬達等其他類型負載,可以包括無功分量(電感或電容)。在這種情形下,當電流波形保持弦波時,它將相較於電壓波形有相移,其中負載中的電抗量確定相移量。功率演算需要考量相位,因此實際功率由公式1確定: 實際功率=V×I×cos(φ) 公式(1) 這裡φ表示電壓和電流波形之間的相位角,cos(φ)被稱為「位移因數」。在電阻性負載中,電流和電壓具有相同相位,cos(φ)的值為1,意味著實際功率與正常情形下一樣,仍然是電壓和電流乘積。 然而,實際負載往往不是如此簡單,特別是,在負載如果為切換模式電源(SMPS)情形下,這些系統通常具有二極體橋式整流器和湧浪電容器,將會導致電流波形失去原來弦波形狀,並成為一系列尖峰。 由於波形失真且不再是弦波,因此使用「失真因數」(cos(θ))演算實際功率,失真因數與波形的總諧波失真(THD)相關聯。因此,在系統中如果電流和電壓同相,但電流波形為非弦波,以下公式2適用: 實際功率=V×I×cos(θ) 公式(2) 在電流波形既相移又失真的情形下,事情會變得複雜一些,此時必須考量位移因數和失真因數,如公式3: 實際功率=V×I×cos(θ)×cos(φ) 公式(3) 任何系統功率因數都只是兩個因素的結果,如公式4: 功率因數=cos(θ)×cos(φ) 公式(4) 實際上,這意味著電壓和電流之間相位差越大,或者電流波形越失真,功率因數越低,因此實際功率越低。由於功率因數也會影響效能,這是當下電源設計人員應對的關鍵領域。 修正功率因數之必要性 相對複雜的數學演算表明,如果頻率相同,將兩個弦波相乘,只能得到一個大於零的值。因此,可以推斷出諧波電流對系統的有用輸出功率沒有貢獻,應該減少或消除。 這正是為大多數人公認的主要PFC標準EN 61000-3-2所採用的方法,與美國環境保護署(EPA)能源之星(Energy Star)在內的許多當代效能規格一樣,EN61000-3-2旨在透過定義嚴格的諧波電流限制來降低電流波形的THD,直至可以達到40次諧波。 實現PFC的最常用方法是使用市售PFC控制器中的幾種常見控制方案之一,在橋式整流器和大容量電容器之間插入一個主動級(Active Stage)。可能最廣泛使用的控制方案是連續導通模式(CCM),以固定頻率操作,並且經常用在更高功率(>300W)系統。一種流行的替代方案是臨界傳導模式(CrM)控制,這種方式透過僅在電感器電流降至零時進行切換,可省去快速恢復二極體,進而降低了系統成本,但導致可變的切換頻率。CrM在低功率系統中尤其普遍,例如可用於照明系統。PFC控制方案還可進一步改進,其目標是提供更高效能,例如可將操作頻率鉗制在規定範圍內。一些控制方案能夠依照負載變化而改變傳導模式,以確保實現最佳效能。 控制/管理功率因數為提升效能關鍵 雖然可以使用離散元件從頭開始設計PFC方案,但這種情形很少發生,大多數工程師會選擇使用內建PFC控制方案的現成控制IC。 例如ON Semiconductor的FL7921R CrM照明控制器是一款高整合度零組件(圖1),它將PFC控制器與准諧振(QR)PWM控制器相整合,透過採用受控的導通時間技術,提供穩定的直流輸出,執行自然的PFC。 圖1 FL7921R的功能方塊圖。 圖片來源:ON Semiconductor 此外,該IC包括一個THD優化電路,可減少過零點處的輸入電流失真,以提高功率因數。PFC功能始終處於開啟狀態,以確保功率因數完全優化,其中也包括在重要的輕負載條件下。 或以STMicroelectronics的STNRGPFx2為例,是一款雙通道交錯式CCM PFC數位控制器,適用於更高功率PFC升壓應用,如焊接、工業馬達、電池充電器和電源等。該固定頻率元件能夠驅動兩個交錯式PFC通道,並且包括湧浪電流限制,以及諸如相位切除(Phase-shedding)運作等更複雜功能。使用STMicroelectronics的eDesignSuite,客戶可以快速輕鬆配置零元件。 管理和控制當下電源系統的功率因數是提高所有運作條件下效能的關鍵,這其中包括傳統上效能非常低的輕負載條件。面對不斷提高的效能規格要求,消費者和業者也越來越意識到運營成本壓力和廢棄能源對環境之不利影響,具備足夠高的PFC已經成為當下關鍵的採購要求。幸運的是,許多高整合度控制器可幫助工程師輕鬆實現各種複雜的PFC方案,以滿足特定應用之需求。 (本文作者任職於貿澤電子)
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