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新思/台積電聯手加速3奈米SoC製程創新

新思科技日前宣布旗下數位(digital)與客製化(custom)設計平台已通過台積電3奈米製程技術的認證。該認證是以台積電最新的設計規則手冊 (design rule manual,DRM)和製程設計套件(process design kit,PDK)為基礎,為雙方廣泛合作和嚴格驗證的成果,能帶來可實現優化的功耗、效能和面積(PPA)的設計解決方案,進而加速新一代設計的開發。 台積電設計建構管理處資深處長Suk Lee表示,與新思科技多年來的合作成果為客戶提供了基於台積電先進製程技術的平台解決方案,令客戶受惠於台積電3奈米製程技術所帶來的功耗表現與效能的大幅提升,進而實現矽晶開發的創新,同時能快速將產品創新推向市場。通過認證的新思科技設計解決方案讓客戶可以更自信地基於台積電N3製程進行設計,並獲得優化的PPA。 藉由與台積電密切合作,新思科技開發出關鍵的特色功能和新技術,以確保台積電N3製程從合成到布局繞線,再到時序(timing)及物理簽核(physical signoff)的完整流程之間的關聯性。新思科技的Fusion Compiler RTL-to-GDSII 解決方案和 IC Compiler II布局繞線解決方案已加以擴展可支援台積電 N3 製程。經強化的新思科技Design Compiler NXT合成解決方案能讓設計人員充分利用台積電3奈米技術,透過採用高度精確的全新電阻和電容估計方法提升結果品質(QoR),並與新思科技的IC Compiler II布局繞線解決方案具備更緊密的關聯性。PrimeTime 簽核解決方案(signoff solution)支援先進的多輸入切換 (multi-input switching,MIS),用於精確的時序分析(timing...
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