MOSFET
特瑞仕推低導通電阻/高速開關通用P通道MOSFET產品陣容
特瑞仕半導體日前開發MOSFET的新產品—XP231P02013R(-30V耐壓)、XP232P05013R(-30V耐壓)。
此次發售的產品,是具有低導通電阻和高速開關特性的通用P通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用,如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。
封裝組件均採用小型SOT-323-3A(2.1×1.25×h0.95mm),推動機器小型化。此外,該產品對應EU RoHS指令、無鉛,是注重環保的產品。
特瑞仕日後也將根據市場需求迅速開發產品,為實現富足的社會繼續作出貢獻。
Power Integrations SiC MOSFET驅動器符合AEC-Q100汽車認證
Power Integrations日前宣布推出用於碳化矽(SiC)MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver,該產品現已通過AEC-Q100認證,可供汽車使用。這些裝置可設定為支援常用SiC MOSFET的閘極驅動電壓需求,並具有精密的安全和保護功能。
Power Integrations汽車閘極驅動器產品資深行銷協理Michael Hornkamp表示,碳化矽MOSFET技術為體積更小、更輕便的汽車變頻器系統打開了大門。切換速度和工作頻率在不斷增加;該公司的低閘極電阻器值維持了切換效率,同時,快速短路回應功能能夠在發生故障時快速保護系統。
SIC1182KQ(1200V)和SIC1181KQ(750V)SCALE-iDriver裝置經過最佳化,適用於在汽車應用中驅動 SiC MOSFET,具備軌對軌輸出、快速閘極切換速度、支援正負輸出電壓的單極供應電壓、整合式電源與電壓管理和增強型絕緣。重要的安全功能包括汲源極間電壓(VDS)監測、SENSE讀數、一次側和二次側欠壓鎖閉(UVLO)、限電流閘極驅動器和進階主動箝位(AAC),該功能有助於在故障狀況下執行安全操作和軟關閉。AAC與VDS監測相結合可確保在短路狀況下的安全關閉時間少於2µs。閘極驅動控制和AAC功能可以使閘極電阻最小化;這就減少了切換損失,進而大幅發揮變頻器效率。
將SCALE-iDriver控制和安全功能與其高速FluxLink通訊技術搭配使用後,相比使用光電隔離式、電容隔離式或矽隔離式磁耦合器,Power Integrations掀起了一場閘極驅動器IC技術的革命。這種組合大幅提高絕緣能力,並利用較少的300kW以下外部元件進行安全、低成本變頻器設計。
羅姆SiC功率元件獲UAES應用於OBC
羅姆(ROHM)的SiC功率元件(SiC MOSFET)獲得中國車界Tier1供應商聯合汽車電子有限公司(UAES)採用,將應用於電動車充電器(On Board Charger, OBC)。UAES公司預計將於2020年10月起向汽車製造商供應該款OBC。
與IGBT等Si(矽)功率元件相比,SiC功率元件是一種能大幅降低損耗的半導體, 因此在電動車以及基礎設施、環境能源、工控裝置領域的應用日益廣泛。
ROHM於2010年開始量產SiC MOSFET,積極推動相關產品的研發。而在汽車領域,ROHM於2012年開始供應車電產品,並在電動車快速充電器領域擁有較高的市占率,該產品也逐漸導入於電動車的馬達和逆變器中。
本次ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產品所採用,與傳統的OBC相比,全新OBC單元的效率提高1%(效率高達95.7%,功率損耗比傳統降低約20%)。該解決方案也獲得UAES頒發的2019年度最佳技術進步獎。
未來,ROHM將不斷擴大產品線,並結合可充分發揮元件性能的控制IC等周邊元件和模組化技術優勢,繼續提供有助下一代汽車技術革新的電源解決方案。
東芝推驅動中高電流IGBT/MOSFT光耦合器
東芝(Toshiba)日前推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦—TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能,其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品即日起開始出貨。
新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩衝器,來控制中高電流IGBT和MOSFET。
目前現有產品需要使用雙極型電晶體構成的緩衝電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩衝器,僅在緩衝器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助於降低功耗。透過改變外部互補MOSFET緩衝器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩衝器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台來滿足系統的功率需求,進而簡化設計。
其他功能包括在檢測到VCE(sat)過流後使用另一個外部N溝道MOSFET控制柵極軟關斷時間;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO檢測,將任意故障訊號輸出到一次側。以上這些現有產品不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕易設計柵極驅動電路。
該產品主要特性包含內建有源時序控制的雙輸出,適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。當檢測到過流時,透過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間;當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障訊號會輸出到一次側。
東芝推工廠自動化/應用小封裝大電流光繼電器
東芝(Toshiba)推出TLP3106A、TLP3107A和TLP3109A光繼電器,此系列可提升導通電流的6引腳SOP小封裝大電流光繼電器,適用於工廠自動化和工業應用。它們可提供30至100V的斷態輸出端子電壓,以及3.0至4.5A的穩定導通電流。即日起開始出貨。
該新型光繼電器內置採用最新U-MOS工藝溝槽結構的MOSFET,進而降低導通電阻。與市場上目前產品相比,導通電流額定值可提高大約13%至50%,有助於在眾多DC和AC應用中更輕鬆地替換1-Form-A機械式繼電器。新設備還將有助於提高系統可靠性,並減少繼電器和繼電器驅動器所需的空間。
該產品主要特性,像是導通電流為3A至4.5A(穩定),9A至13.5A(脈衝);工作溫度:110°C(最大值);隔離電壓:1500Vrms(最小值)
應用領域包含工廠自動化(FA)、I/O介面、暖氣、通風和空調(HVAC)、安防設備、測量設備,以及替換機械式繼電器
東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗
東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB,其適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。
這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品,採用該公司的最新一代製程。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝,提供低導通電阻,最大導通電阻為1.92mΩ,與目前的TK160F10N1L相比降低約20%,這有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化,還提供更低的開關雜訊,進而減少設備的EMI。此外,將閾值電壓寬縮小至1V,可以增強並聯時的開關同步性。
其主要特性包括採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET,同時具低導通電阻,於
VGS=10V時,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值);此外,亦符合AEC-Q101要求。
而該產品應用領域亦包含汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)。
意法針對智慧工業應用推同步整流DC/DC轉換器
意法半導體(ST)日前推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC轉換器,在任何負載時都能保持高效能,其最高效達到95%。晶片上整合同步整流MOSFET電晶體,可節省外部元件並簡化設計流程。
L6983轉換器的靜態電流較低,僅17µA,分為小電流(L6983C)和低雜訊(L6983N)兩種型號。當L6983C負載電流低於0.6A時進入跳脈衝模式,而L6983N則適用於雜訊敏感型應用,在所有負載下均保持脈寬調製(Pulse-Width Modulation, PWM)模式,以最大程度降低電磁干擾。
L6983轉換器的輸入電壓範圍是3.5V至38V,是一個高效而具彈性的工業電源解決方案。其適用於12V和24V工業匯流排供電系統、電池供電設備、智慧大樓控制器等分散式智慧節點,以及智慧感測器等不間斷的裝置。L6983有3.3V、5V和可調輸出電壓三種型號供客戶選擇。
L6983全系列產品皆具備電源良好輸出腳位,用於設定上電/掉電順序、使能邏輯電路或用作故障指示器。此外,整合的回饋環路補償、過壓保護和軟啟動電路可以簡化完整電源系統的設計。切換頻率可設定在200kHz至2.2MHz範圍內,擴頻操作和外頻同步有助於簡化EMC相容性之設計。
意法半導體還推出了L6983C評估板STEVAL-ISA208V1,為客戶縮短元件選擇和電源開發的時間。
英飛凌CoolSiC MOSFET650 V系列為應用帶來可靠度與效能
英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合,新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業 SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。
英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理 Steffen Metzger 表示,推出這項產品後,英飛凌在 600 V/650 V 電源領域完備矽、碳化矽和氮化鎵型功率半導體產品組合。該公司推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。
CoolSiC MOSFET 650 V導通電阻介於27mΩ至107mΩ,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650 V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(Trench)半導體技術,使SiC強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級(增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到低損耗,和高運作可靠度,同時兼顧全方位效能。
相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650 VCoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有低導通電阻(RDS(on))與溫度的相依性,散熱特性出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有低逆復原電荷(Qrr),較效能良好的接面CoolMOS...
儒卓力推威世高功率密度N-Channel MOSFET
儒卓力(Rutronik)日前宣布供應威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET,其設計初衷是提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率,它們採用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低於2mΩ級別中的低輸出電容(Coss)。
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外,該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗。
與採用6x5mm封裝的類似解決方案相比,TrenchFET Gen IV功率MOSFET佔用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%,進而實現更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試,符合RoHS要求且不含鹵素。
這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流;針對電訊、伺服器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關;用於伺服器和電訊設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器;電訊和伺服器電源中的OR-ing功能;用於開關電容器或開關箱轉換器的功率級;電動工具和工業設備中的電機驅動控制;以及電池管理模組中的電池保護和充電。
英飛凌推OptiMOS源極底置25V功率MOSFET
英飛凌(Infineon)持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰,透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念,英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET—採用PQFN3.3×3.3mm封裝的OptiMOS 25V。這款裝置在MOSFET性能方面樹立了新的產業標竿,不僅導通電阻(RDS(on))降低,還具有良好的散熱管理指標,其應用範圍非常廣泛,包括馬達驅動、SMPS(包括伺服器、電信和OR-ing)及電池管理等。
新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局,更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本,分別是源極底置標準閘極(Standard-Gate)和源極底置置中閘極(Center-Gate)的PQFN 3.3×3.3mm封裝。源極底置標準閘極的封裝是基於既有的PQFN 3.3×3.3mm引腳輸出組態。電子連接的位置保持不變,使得全新的源極底置封裝能直接取代現行標準的汲極底置(Drain-Down)封裝。另外針對置中閘極版本,其閘極引腳被移至中心位置,可輕鬆達成多個MOSFET並聯。由於汲極到源極的沿面距離增加,因此可將多個裝置的閘極連接到同一PCB層上。此外,將閘極連接移至中央位置還能使源極面積變大,亦有助於改善裝置的電子連接。
這項創新技術可大幅降低RDS(on),較現行技術減少多達30%。相較於目前的PQFN封裝,結殼熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。由於寄生效應降低,PCB耗損改善,加上出色的散熱效能,新封裝概念將為任何當代的工程設計帶來更多附加價值。