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MACOM攜手意法提升矽基氮化鎵產能支援5G建設

MACOM和意法半導體(ST)宣佈在2019年擴大ST工廠在150mm 矽基氮化鎵的產能,而200mm的矽基氮化鎵依需求擴產。該擴產計畫旨在支援全球5G電信網建設,其基於2018年初 MACOM和ST所宣佈達成的矽基氮化鎵協議。 隨著全球推出5G網路並轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置,射頻RF功率產品需求預計將會大幅提升。具體來說,MACOM預估功率放大器需求量將會有32倍至64倍的成長,相對地,5G基礎建設的投資在5年內將預計成長超過3倍,因此,放大器成本的單價估計會降至十分之一至二十分之一。 MACOM總裁暨執行長John Croteau表示,主要的基地台OEM廠了解,為滿足5G天線部署時目標的成本、頻譜和效能,他們需要寬能隙氮化鎵元件的性能,以及能夠促進升級轉型的成本結構和製造規模。透過與意法半導體合作, MACOM能夠滿足基地台廠商的全部要求,產品性能、成本優勢和高產量供應鏈。 意法半導體汽車與離散產品部總裁Marco Monti表示,作為全球半導體技術的領導者,ST已經在碳化矽技術領域打下了堅實的基礎,現在意法正在推進RF矽基氮化鎵的技術,以支援OEM廠建立新一代高性能之5G網路。碳化矽是汽車功率轉換等電源應用的理想選擇,而矽基氮化鎵能夠提供滿足5G所需的RF性能、產能和商用成本結構。ST和MACOM透過這一舉措來突破產業瓶頸和滿足5G網路建設的需求。
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(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。 目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。 RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。 Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。 Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。 另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...
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瞄準GaN商機 ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術

布局氮化鎵(GaN)市場,意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術,以滿足高效能、高功率的應用需求,例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃,製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線,預計2020年前投入運營。 如何提高能源使用效率,已是產業界共通的發展課題,而氮化鎵具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性,能有效提升高功率電源系統能源效率。因此,許多電源相關晶片業者紛紛將未來產品重心放在GaN的應用導入之上;有鑒於矽基氮化鎵技術對電源產品應用的吸引力,Leti和ST正在評估高密度電源模組所需的先進封裝技術。 意法半導體汽車與離散元件產品部總裁Marco Monti表示,在認識寬能隙功率半導體價值後,該公司與CEA-Leti開始攜手研發矽基氮化鎵功率元件的製造和封裝技術,希望透過雙方合作,打造更完整的GaN和SiC產品組合。 Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere則指出,該公司團隊利用其200mm通用平台全力支援ST矽基氮化鎵功率產品的策略規劃,並完成準備將該技術移轉到ST圖爾工廠的專用生產線。 本合作計畫之重點是在200mm晶圓上開發和驗證製造先進矽基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。ST和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃,在Leti的200mm研發線上開發製程技術,預計在2019年完成可供驗證的工程樣品。同時,ST還將建立一條高品質生產線,包括GaN/Si異質磊晶製程,並計劃2020年前在法國圖爾前段製程晶圓廠進行首次生產。 為搶攻GaN市場,ST近期可說是動作頻頻。除了和Leti合作研發先進矽基氮化鎵功率二極體和電晶體架構外,不久前也宣布與MACOM合作開發射頻矽基氮化鎵技術。射頻矽基氮化鎵採用與矽基功率氮化鎵不同的技術,其應用優勢也不同。例如,功率矽基氮化鎵技術適合在200mm晶圓上製造,而射頻矽基氮化鎵目前更適合在150mm晶圓上製造;但無論哪種方式,由於低切換損失特性,GaN皆適用於更高工作頻率的產品應用。
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