- Advertisement -
首頁 標籤 InnoSwitch 3

InnoSwitch 3

- Advertisment -

Power Integrations交付第一百萬顆基於GaN的InnoSwitch3 IC

Power Integrations宣布推出其第壹百萬顆 InnoSwitch 3切換開關IC,該產品採用了公司的PowiGaN氮化鎵技術。在Anker Innovations深圳總部的一次活動中,Power Integrations 執行長 Balu Balakrishnan 向Anker執行長Steven Yang 展示了第一百萬顆基於GaN的切換開關IC。 採用PowiGaN技術的InnoSwitch3離線CV/CC返馳式切換開關IC在整個負載範圍內的效率高達95%。PowiGaN一次側切換開關的切換損耗和導通損耗非常低,可以在密封式轉換器應用中透過節省空間的InSOP 24D表面接合封裝提供高達100W的功率,且無需散熱器。準諧振InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和 InnoSwitch3-Pro IC將一次側功率切換開關、一次側和二次側控制(兩者之間有安全隔離高速連結(FluxLink))以及二次側SR驅動器與回授電路整合在單一表面接合封裝中。PowiGaN技術的出色切換效能可顯著提高效率,從而實現極小巧的轉換器設計。 Mr. Balakrishnan表示,Anker是小型充電器設計的全球領導廠商,並且曾經是使用搭載PowiGaN技術的InnoSwitch3產品的第一批大批量客戶。我很高興認識到Anker的遠見卓識和卓越的技術,並感謝Mr. Yang為首次成功在大眾市場部署高壓GaN技術做出了重要貢獻。 Mr. Yang補充,透過使用基於PowiGaN的InnoSwitch3 IC,我們能夠提供小型、輕便且實現高功率輸出的USB PD充電器。我們很高興能夠使用這項創新技術來幫助我們實現更快充電的目標。我們相信,這一進步將幫助我們不斷獲得積極的市場反饋和客戶響應。 
0

瞄準消費性市場 高整合GaN方案蓄勢待發

基於寬能隙材料的功率半導體已經進入商業量產,而相較於主攻高電壓應用市場的碳化矽(SiC),氮化鎵(GaN)則是在消費類找到應用商機;而為滿足消費性產品對成本、體積、效能的要求,高整合解決方案成為電源元件供應商拓展GaN市場的主要利器,例如Power Integrations近期所推出的InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC,其特色便是將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 據悉,Power Integrations日前推出新一代InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC,而在最新發布的系列產品中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少電流流過時的導通損耗,並大幅降低了運作期間的切換損失,減少能源浪費;而值得一提的地方是,為實現更精準的同步整流(Synchronous Rectification, SR),該系列產品將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith表示,過往的同步整流設計,一次側和二次側通常是各自獨立,而非在同一封裝之中,二次側要「開」或「關」,往往是依據一次側導入的電流或電壓波形進行判斷。然而,電源供應並不是固定負載(也就是同一電流、電壓穩定輸送),消費者常常會突然插拔充電器、插頭等,在快速變動的情況下,一次側、二次側的溝通有時會出現「誤差」,也就是二次側跟不上一次側的指令,兩者無法同步,電源供應器便會產生故障。 Power Integrations培訓總監Andrew Smith(右)表示,整合一次側和二次側有助實現更精準的同步整流。 Smith指出,為克服此一情況,降低故障率,同時提升使用效率,該公司便決定將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中,並透過磁耦合連接一次側與二次側,使兩者的「溝通」更加容易,以精準的實現同步整流,不僅降低電源供應器故障率,也可以透過整合方式減少產品尺寸、成本,並提升效能,滿足行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計。
0

PI發布基於氮化鎵InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC

Power Integrations(PI)宣布推出其InnoSwitch 3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC的新成員。新型IC在整個滿載範圍內的效率高達95%,在密封式轉換器實作中效率高達100 W,且無需散熱器。使用內部開發的高壓GaN切換開關技術實現了這種突破性的效能提升。 準諧振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發布的系列成員中,GaN切換開關取代了IC一次側的傳統矽高壓電晶體,減少了電流流過時的導通損耗,並大大降低了運作期間的切換損失。這樣可以大大減少能源浪費,從而提高節省空間的InSOP-24D封裝的效率和功率輸送。 新型IC面向行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的USB-PD和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計,提供不受外部元件影響的精準CV/CC/CP,並可輕鬆連接到快速充電的通訊協定IC。InnoSwitch3-CP和EP變異體是可設定硬體的產品,而InnoSwitch3-Pro則整合了複雜的數位介面,用於CV和CC設定點的軟體控制、例外情況處理和安全模式選項。 Power Integrations的總裁暨執行長Balu Balakrishnan表示,GaN是一項關鍵技術,與矽相比具有顯著的效率和尺寸優勢。我們預計在許多電源應用中,矽電晶體將快速轉換為GaN。自從我們在18個月前推出矽變異體以來,InnoSwitch3 一直是離線式切換開關IC市場的技術領導者,基於GaN的新型IC透過提高我們返馳式產品的效率和功率能力,進一步擴大了我們的領先優勢。 Power Integrations的新型InnoSwitch 3 IC現已上市,單價為每件4美元,每次訂購數量為10,000件。Power Integrations網站提供了五種新的參考設計,說明了60 W~100 W的USB-PD充電器,以及自動化設計工具PI Expert和其他技術支援文件。    
0
- Advertisement -
- Advertisement -

最新文章

- Advertisement -

熱門文章

- Advertisement -

編輯推薦

- Advertisement -