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英飛凌聯手各界強化聯網及ICT安全防護機制

聯網機器與ICT系統尤其需要強大安全防護機制,並且在其長期使用週期中維持高度安全性。面對長期的承受攻擊意味著必須透過更新機制維持最先進的防護狀態。歐洲ALESSIO聯合專案的目標旨在研究和評估此種可更新的安全機制,專案成員於自動化產業的主要貿易展SPS的VDMA論壇中展示其研究結果。 在英飛凌(Infineon)領導下,佛朗霍夫應用及整合安全研究院(AISEC)、Giesecke+Devrient Mobile Security、西門子(Siemens)、慕尼黑工業大學(TUM)及WIBU-SYSTEMS等公司,自2016年以來持續針對聯網運算應用及嵌入式系統,開發晶片式解決方案與原型。ALESSIO獲得德國聯邦教育與研究部(BMBF)約390萬歐元的資助,並計畫於2019年12月31日結束。 每個新聯網裝置都是潛在的網路攻擊閘道。敏感的公司資料與資訊可能會被擷取並遭到惡意使用,以進一步攻擊。因此裝置上任何攸關安全的重要資訊,都必須倚賴軟硬體的雙重防護,才能獲得可靠的保障。雖然軟體仍可透過後續修改,硬體或安全晶片一旦整合,就能受到防止被遠端操控的保護。安全晶片可比擬為保護嚴密的區域,在其中,資料及安全相關資訊會與軟體分開存放。儘管如此,安全區域本身仍必須有更新的方法,因為攻擊手段會隨著時間日新月異。 ALESSIO專案成員展示兩種不同技術方法實現可更新的安全解決方案,包括使用具有可更新軟體的晶片式安全元件,以及實作於稱為FPGA可程式邏輯裝置的可更新安全元件,其中的硬體元件可在運作期間安全更新。上述兩種方法皆可長期有效地管理並確保ICT網路與安全相關資料的安全。
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電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨,許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機,甚至5G基地台,對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術,遂成為各界關注焦點,並吸引許多半導體業者爭相投入布局。 根據市場研究機構Yole Développement指出,與矽功率半導體328億美元的產值相比,GaN功率市場規模仍相當小,但該技術已開始滲透至各種應用領域,其中,又以電源供應為主要應用,如手機的快速充電器。 據了解,Anker可以說是目前市場上導入GaN功率技術最積極的行動週邊裝置製造商,其行動充電器PowerPort Atom PD第一代至第三代,以及PowerPort系列部分產品,和另一個PowerCore Fusion產品,都已開始導入GaN技術。另外,Aukey、RavPower、Mu One等廠商也有採用。 行動週邊裝置品牌廠Anker自2018下半年起,已開始導入GaN功率元件,打造兼具輕巧、高功率密度的充電器。(圖片來源:Anker) 除了行動充電器外,自駕車光達(LiDAR)、資料中心伺服器、電動車,以及無線充電,亦是GaN功率半導體極具成長性的應用。Yole認為,GaN功率半導體能帶來更高的節能效益,因此相關技術研發能量不斷增加,商用產品也開始問世,整體GaN功率元件市場規模自2016年起已逐步放量;若情況樂觀,預估2017~2023年的複合成長率(CAGR)可高達93%,達到4.23億美元規模。 Yole Développement預估,在最佳狀況下,2017~2023年GaN功率半導體市場將可達到93%的年複合成長率。(資料來源:Yole Développement) 大廠加入量產行列 GaN發展更入佳境 2018年6月,功率半導體大廠英飛凌(Infineon)正式宣布於年底開始量產CoolGaN 400 V及600 V e-mode高電子遷移率電晶體(HEMT),為GaN功率技術的發展打了一劑強心針。 Yole技術與市場分析師Ezgi Dogmus認為,這家電源解決方案的領導廠商開始量產GaN的宣布,對GaN功率元件市場來說是一個重要的象徵。目前英飛凌已經擁有許多客戶在使用他們的矽解決方案,而未來這些客戶都有機會能轉移到GaN技術。 英飛凌高電壓轉換部門資深協理Steffen Metzger表示,GaN市場已經獲得強大動能,在特定應用中採用此項技術帶來大幅優勢。從降低營運支出及資本支出,提升功率密度實現更精巧輕盈的設計,乃至於減少整體系統成本,產生的效益相當具有說服力。英飛凌深信,GaN是電源管理的下一個明日之星。該公司已經做好所有準備,以達成在GaN電源方面成為客戶首選的目標。 就在英飛凌發布GaN量產消息後沒多久,意法半導體(ST)也宣布要由原本碳化矽(SiC)的發展,擴大延伸到GaN技術領域,將和法國技術研究機構CEA-Leti合作研發GaN-on-si技術,利用Leti的8吋研發產線進行二極體和電晶體開發。雙方預期在2019年完成驗證工程樣品。同時,意法半導體也預計2020年將在該公司位於法國圖爾市的前段晶圓廠中,建造完全符合規範的生產線(包含GaN-on-Si異質磊晶製程),以做為初期生產之用。 除了整合元件製造商(IDM)發展力道愈來愈強,這些年來聚焦GaN功率元件開發的新創公司也不斷冒出,前面提及的EPC、Transphorm、GaN Systems是相對較早成立的,其他還有Tagore、Exagan、Navitas、VisIC、Dialog Semiconductor、GaNPower International、NEXGEN Power Systems等。 這些新創大都是無晶圓廠(Fabless)的公司,選擇以委外給晶圓廠生產的商業模式,多半使用台積電、漢磊(Episil)或X-Fab做為他們主要選擇。未來,一旦市場規模擴大,晶圓代工的商業模式將讓這些無晶圓廠新創公司有望快速成長茁壯。 顯而易見,現今的GaN功率元件市場可說是老將新秀同台較勁、競相逐鹿,使得整體市場戰火正快速升溫,為了端出更具競爭力的產品方案,許多廠商已積極投入整合型方案研發。 目前市場上的整合型GaN功率元件可概分為兩種,一種是封裝層級的整合,將GaN電晶體與驅動器整合成單一封裝,多半針對650V以上的應用;另一種是在裸晶層級上整合GaN電晶體與驅動器,也就是達到所謂的單體式整合(Monolithically Integrated),此類產品供應商以EPC和Navitas為代表,多半針對600V以下的消費性應用。 由於消費性應用如行動裝置充電器,需求規模龐大,對GaN業者而言,是滋養茁壯的重要養分,因此為了迎合市場輕巧外觀的設計要求,走向高整合設計方案將勢在必行。 imec製程技術助攻 GaN加速實現單體整合 有鑑於市場對更高整合度GaN功率元件的發展需求,奈米電子和數位科技研究與創新中心imec,利用其GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,發布一款與驅動器單體整合且功能完整的GaN半橋IC。 半橋是一種在電力系統中常見的次電路,是由離散元件所組成,特別是用在較高電壓範圍的應用。要利用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋電路,極具挑戰,特別是高電壓的設計,這是因為基於GaN-on-Si技術所設計的半橋電路,會產生「後閘效應(Back-gating Effect)」,進而對半橋電路的高側端開關(High-side Switch)造成負面影響,而切換雜訊也會對控制電路造成干擾,抑制整體效能表現。 imec解決方案是建立在imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技術平台,透過埋入式氧化物(Buried Oxide)和氧化物填充的深溝槽隔離設計,讓功率元件、驅動器和控制邏輯能夠達到電氣隔離。這種隔離機制能減少有害的後閘效應對半橋高側端開關的負面影響,更能減少切換雜訊對控制電路的干擾。 此外,imec的技術平台也藉由整合電位轉換器(Level Shifter)(用來驅動高側開關)、停滯時間控制器(Dead-time...
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TrendForce:電動車帶動IGBT產值2021年突破52億美元

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,電動車已成為汽車產業未來的主要成長動能,預估在2021年將突破800萬輛,為2018年的兩倍。由於電動車除了電池與發動機外,關鍵零組件以IGBT功率元件最為重要,其使用量約為傳統內燃機引擎汽車的5至10倍之多,因此將帶動IGBT市場總值持續成長,預估2021年IGBT的市場總值將突破52億美元。 拓墣產業研究院指出,電動車使用到IGBT的裝置主要有五項,包含逆變器、直流/交流電變流器、車載充電器、電力監控系統以及其他附屬系統。其中,逆變器、直流/交流電變流器以及車載充電器對電動車性能表現影響最為關鍵,在配合高電壓高功率的工作條件下,功率元件的採用需替換成IGBT元件或IGBT模組,對IGBT元件的需求量最大;而電力監控系統與其他附屬裝置如水幫浦、空調壓縮機等在設計上雖然與過往差異不大,但由於輸入電源變更為高電壓的車用電池,因此承受電力的功率元件也需更改為適合高電壓工作範圍的IGBT功率元件,挹注IGBT市場需求。 就供應鏈來看,電動車IGBT元件的主要IDM供應商為Infineon、ON Semiconductor、Fuji Electronic、STMicroelectronics、DENSO、BYD等。其中Infineon在整體IGBT市場市占率達三成居於首位,提供IGBT元件與IGBT模組;DENSO與BYD雖為汽車製造商,但對於電動車使用的IGBT元件也有自行設計製造的能力,是少數從汽車製造跨足半導體領域的廠商。 另外,由IDM廠委外代工IGBT元件供應鏈包含晶圓代工廠世界先進、茂矽等台系廠商,中芯、華虹半導體等陸系大廠則供應其國內需求。在電動車IGBT模組部分,有Mitsubishi、SEMIKRON、Danfoss、CRRC等專門從事IGBT模組化供應給客戶。 根據拓墣產業研究院的統計,2016年至2018年,電動車數量年成長率分別為28%、29%、27%,對照2015年以前的年成長率僅個位數,推升IGBT總值大幅成長。2018年全球IGBT市場總市值規模約47億美元,年成長率達16%。  
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半導體業購併不停歇 英飛凌將砸90億歐元買Cypress

半導體產業再掀購併風,繼恩智浦(NXP)日前以17.6億美元收購Marvell藍牙/WiFi業務後,英飛凌(Infineon)近日也宣布將以90億歐元買下賽普拉斯半導體(Cypress),藉此拓展在汽車、工業和物聯網等高速成長市場的市場潛力,進而強化並加速其盈利性成長。據英飛凌透露,雙方整合後的營運目標為:營收成長9%以上,營業利潤率19%,投資銷售比13%。 英飛凌執行長Reinhard Ploss表示,計畫收購賽普拉斯是英飛凌戰略發展具里程碑意義的一步,將會強化並提升該公司盈利成長的速度,將業務擴展至更廣泛的層面。透過此交易,英飛凌將能為客戶提供更全面的產品組合,連接現實與數位世界,在汽車、工業和物聯網領域開拓新的成長潛力。 據悉,購併賽普拉斯之後,英飛凌將會強化推動結構性成長的核心,並將公司技術應用至更廣泛的領域。這將加速強化英飛凌近年盈利成長的基礎。賽普拉斯擁有包括微控制器、軟體和連接元件等具差異化的產品組合,可與該公司旗下功率半導體、感測器和安全解決方案互補,結合雙方的技術優勢將能為電動馬達、電池供電裝置和電源供應器等高成長應用領域提供更全面先進的解決方案。 同時,英飛凌也計畫將其安全專長結合賽普拉斯的連接技術,以便更快速的進入工業、消費市場等全新物聯網應用領域;而在汽車半導體方面,則可將微控制器和NOR快閃記憶體的擴大組合,滿足先進駕駛輔助系統、汽車電子架構上等應用。 英飛凌指出,透過賽普拉斯強大的研發能力和在美國市場的據點,英飛凌不僅能加強為北美當地重要客戶提供的服務和產品,同時也能提升在其他重要區域的實力,該公司將在矽谷取得研發部門,並在戰略重點市場日本擴大布局和市場份額。 賽普拉斯總裁兼執行長Hassane El-Khoury認為,雙方結合將能提供更安全、無縫的連接,以及更完整的硬體和軟體解決方案和產品,加強客戶的產品和技術,為終端市場提供更好的服務。
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英飛凌科技旗下高電壓產品系列推出全新封裝XHP 3

英飛凌科技(Infineon)旗下高電壓產品系列推出全新封裝XHP 3。新款彈性的 IGBT模組平台適用於電壓範圍介於3.3 kV~6.5 kV的高功率應用,提供最佳可靠性與最高功率密度的可擴充式設計。新款模組具備低雜散電感的對稱性設計,可顯著改善切換特性,因此,XHP 3平台可為嚴苛要求的應用提供解決方案,例如牽引,商用、營建及農用車輛,以及中壓馬達。此高功率平台將於PCIM 2019中展出。 英飛凌XHP 3封裝具備長140 mm、寬 100 mm、高 40 mm的精簡外型尺寸。此全新高功率平台的首款IGBT模組具有3.3 kV阻斷電壓及450 A額定電流的半橋拓撲。為符合客戶需求,同時推出兩種不同的隔離等級:分別為6 kV(FF450R33T3E3)與10.4 kV(FF450R33T3E3_B5)隔離。超音波焊接端子與氮化鋁基質及鋁碳化矽基板可確保最高的可靠性與耐用水準。 高功率IGBT模組專為並聯而設計,因此提供了全新的可擴充性。系統設計人員現在可藉由並聯所需的XHP 3模組數量,輕鬆調整出理想的功率等級。為了有助於擴充,英飛凌提供具有一組匹配的靜態與動態參數的預先群組裝置。使用上述群組模組,可在不降額的條件下,並聯最多八個XHP 3裝置。 英飛凌將在2019年PCIM展中展示創新的從產品到系統(Product-to-System)、多項驅動世界及未來應用的解決方案。英飛凌將於第9展覽廳313號攤位(德國紐倫堡,2019年5月7~9日)進行產品展示。有關PCIM展的重點產品,請瀏覽 www.infineon.com/pcim。
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英飛凌推出全新OptiMOS 6系列具備優異切換效能

英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列,為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術,提供顯著的效能優勢,並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化,適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路。 相較於前一代產品,新款OptiMOS 6 40 V的導通電阻降低了30%,具備更佳的優質係數(Qg x RDS(on)降低29%、Qgd x RDS(on)降低 46%)。因此新款裝置在SMPS應用中成為在寬廣輸出功率範圍內進行效率最佳化的理想選擇,避免在低負載和高負載狀況之間進行取捨。 其效率曲線明確顯示 OptiMOS 6在低輸出功率位準表現上優於前代產品,這歸功於其優異的切換效率。即使RDS(on)損耗較大時,但仍可在較高的輸出功率上維持上述優點。因此,可簡化散熱設計並減少並聯數量,進而降低系統成本。
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77GHz雷達需求增 英飛凌宣布擴建研究中心

自動駕駛推升毫米波雷達需求持續攀升,因應此市場需求,英飛凌(Infineon)宣布擴建其位於奧地利林茨(Linz)的研發中心。該中心目前主要業務為發展77GHz汽車雷達,以及高頻元件應用(如行動電話、導航);現今有180名員工於該中心任職,而預計2020年研發中心擴建完成後,將可容納400名員工,換言之將會新增220個工作機會。 英飛凌集團汽車部總裁Peter Schiefer表示,該公司正在塑造未來的行動通訊,而位於林茨的研發中心將持續研發未來市場所需的解決方案,像是智慧手機、先進駕駛輔助系統(ADAS)、平板電腦,以及導航設備等,都是未來推動英飛凌持續成長的強大動能,而這些產品的半導體解決方案,多是在林茨的研發中心(和其他地方)所開發出來。 英飛凌首席執行長Sabine Herlitschka也指出,該公司位於林茨的研發中心持續致力於未來的高頻技術研發及專業知識擴展,而當地的教育、研究機構也提供了強大的專業知識,可共同實現更多、更卓越的創新研發。 據悉,目前英飛凌已售出超過一億顆的77GHz汽車雷達晶片,並於2009年推出採用矽鍺(Silicon-germanium)技術的77GHz雷達晶片,而這些雷達多用於距離預警和自動緊急煞車系統(Automatic Emergency Braking Systems),進而提升駕駛安全。 英飛凌表示,基於售出一億顆77GHz的汽車雷達,該公司目前具備一定的市場競爭優勢,而未來英飛凌會進一步發展汽車雷達技術,驅使雷達感測器成為每一台新車的標準配備,推動自動駕駛發展。
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英飛凌旗下XDP LED系列新添驅動器XDPL8221

新興的智慧照明與物聯網發展趨勢皆需要新一代的LED驅動器。英飛凌科技 (Infineon)旗下XDP LED系列新添XDPL8221產品,一款以先進功能提供具有成本效益的兩級驅動器。此裝置整合準諧振PFC與具有一次側調節電流/電壓/功率的準諧振返馳式控制器以及通訊介面。全方位可設定的保護機制可確保在各種使用案例中提供安全、可靠且強固的LED驅動器。 XDPL8221結合先進功能,例如提供以恆定電壓、恆定電流及限定功率作為可設定操作參數的多重控制,打造多功能的高效LED驅動器。XDPL8221的效能有助於設計更有效率的裝置。此驅動IC在額定輸入電壓範圍100~277VAC或127~430VAC區間支援交流(AC)與直流(DC)輸入的完整功能。其內建數位核心可依據實際情況,選擇最佳的操作模式,並可在準諧振、不連續導通或間歇模式之間進行切換。 含指令集的XDPL8221 UART介面可控制裝置的功能,並提供狀態資訊,實現數值交換的即時資料。此資料可用於監控或其他本機控制功能。新款驅動IC可調暗至低於1%而不發生閃爍,同時仍可以獲得高精度電流輸出。此晶片亦提供調至全暗(dim-to-off)的功能,可在燈光關閉的狀態下,以低待機功率(低於100mW,依據驅動器設計而定),將裝置保持在待機模式。 XDPL8221可減少物料清單(BOM)與提供更高的設計彈性,大幅降低整體系統成本。其採用 DSO-16 封裝並有多種設計工具支援,可輕鬆進行設計,有助於加快設計週期及縮短產品上市時間。
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助力AI/ML應用發展 Sensor Hub開發平台報到

AIoT發展熱戰方酣,無論是晶片商、系統服務或OEM廠商都大舉投入相關技術。為了能加速人工智慧(AI)與機器學習(ML)應用更加蓬勃,英飛凌推出可編程感測器中樞(Sensor Hub)開發平台方案,不僅提供各種感測元件,同時更協助OEM廠商設計樹莓派(Raspberry Pi)開發板,以混搭核心設計風格,滿足更為彈性的開發模式,因應AI和ML的應用發展。 英飛凌大中華區電源管理及多元化市場高級經理廖明頌表示,感測器技術能提供終端裝置具備五官能力,使人們能生活在更直覺與智慧化的環境下。為了有效發揮感測元件極致性能,該公司以從硬體為基礎的角色轉變成為應用服務為目標的廠商,提供完整方案給終端客戶。透過Sensor Hub開發平台概念,幫助OEM廠商AIoT產品得以快速面世,並導入於智慧樓宇、老人照護中心、玻璃防爆系統與自駕車等應用。 事實上,Sensor Hub開發平台概念早已發酵於垂直應用領域,而在消費型產品應用領域嶄露頭角,也不過僅有2~3年的光景,相較之下是一個比較新的概念。廖明頌談到,雖然大多數的廠商具備Sensor Hub開發平台的概念,但若非無完整的感測器產品系列,以及演算法運算的能力,是非常難以打造出此開發平台。 舉例來說,若某家公司僅有1~2類的感測器,僅能將相關應用鎖定於與這兩種相關的功能,在開發設計時就不會有太多的彈性與空間;再者,大多數廠商主要提供既有的MCU結合感測器開發方案,故即便有多樣化的感測器元件,但若要改變應用領域,則須套用另一種類型的開發工具。 相較之下,英飛凌不僅能滿足五官(除了嗅覺還在研發階段,但離實際面世時間不遠)的感測功能,並提供Raspberry Pi開發板設計,協助OEM廠商做初期部分開發,並有選用不同類型MCU的彈性,讓開發商可專注於API開發,使其得以在關鍵技術轉捩點奪得先機。 廖明頌指出,Sensor Hub開發平台已包辦部分Design House所需處理的工作,目的是為了強化AIoT的開發生態鏈,啟發更多元的創新並將其商品化,落實於各種不同應用場景。 整體而言,Sensor Hub開發平台的概念就是一層層疊加不同的感測技術,最大的挑戰在於後端演算法開發技術,而這部分需要透過感測數據的蒐集、機器學習分析,兩者雙管齊下方能滿足其效能。 廖明頌表示,從目前廠商接受度來看,大致可分為兩大類型。一種為實際生產產品的ODM、OEM廠商,以縮短產品上市時間為目標,期能有開發完成的演算法直接導入商品;而另一類型為Trend Leader,偏向於長期合作的關係,透過彼此軟硬體技術能力整合,打造出更具價值的AIoT應用服務。
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劍指GaN市場 英飛凌CoolGaN新品來勢洶洶

氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道,商機也因而快速成長。而為穩固電源晶片市占龍頭寶座,並搶攻GaN市場版圖,電源晶片供應商英飛凌(Infineon)也趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC」,期能為伺服器、電信、無線充電或適配器(Adapters)等電源產品提供更高的電源效率與功率密度,並減少體積與設計成本。 根據市調機構Yole Développemen研究顯示,2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元,而到了2022年,該市場將成長到4.6億美元,年複合成長率高達79%。 對此,英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示,GaN市場成長十分強勢,其市場產值從千萬美元不停攀升,甚至十年後可能達到10億美元的產值;而主要驅動力來自於電源和汽車產業。 因應電源產業對GaN需求明顯增加,英飛凌也於近期宣布推出CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC。新款增強型HEMT採用可靠的常閉概念,實現快速開通和關斷,並可在開關式電源(SMPS)中達到高能源效率和高功率密度;且具更低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,進而大幅提高工作頻率。 鄧巍說明,GaN元件其中一項設計挑戰在於,如何將其從Normally ON設計成Normally OFF,以滿足安全考量。對此,英飛凌運用了獨特的常閉(normOFF)概念,採用P-GaN技術,把源極和漏極的電子層變薄,使其容易箝斷,因而能讓GaN元件實現Normally OFF的特性。 另一方面,為了使電源產品設計業者更能發揮GaN的特性,英飛凌也推出EiceDRIVER驅動IC,該系列產品專為CoolGaN量身定制,可提供負輸出電壓,以快速關斷GaN開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內,EiceDRIVER IC可以使閘極電壓穩定保持為零,以保護GaN開關不受雜訊影響導致誤導通;且可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作迴圈或開關速度影響,確保運作穩健性和高效能,大幅縮短研發週期。 鄧巍指出,即便有了高效能的GaN元件,但沒有具備好的驅動IC的話,同樣無法體現GaN的優勢。也因此,EiceDRIVER驅動IC可說是專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計,協助電源產品設計商進行電路、死區和損耗控制等,以減少工程師研發工作量,加快產品上市時程。
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