I3C
DDR5導入潮即將到來 瑞薩搶推新一代資料緩衝器
標準組織JEDEC正式發表DDR5記憶體標準後,記憶體廠、處理器廠與眾多伺服器OEM廠商,都已經展開DDR5記憶體的升級/導入計畫,預計最快在2020年底到2021年初,就會有搭載DDR5記憶體的伺服器產品問世。由於導入DDR5已經成為大勢所趨,瑞薩(Renesas)近日發表了一款專為DDR5設計的資料緩衝器,可進一步提高CPU與記憶體模組之間的通訊頻寬。與DDR4 3200相比,採用DDR5資料緩衝器的DDR5頻寬,可再提高35%。
近年來即時分析、機器學習、HPC、AI,還有其他渴求記憶體和頻寬的應用產品持續發展,推動伺服器記憶體頻寬需求的爆炸性成長。瑞薩推出符合JEDEC標準的全新DDR5資料緩衝器5DB0148,為雙直插低負載DIMM(LRDIMM)提供顯著的高速和低延遲,LRDIMM已成為這類新型應用產品的記憶體技術基礎。以瑞薩元件為基礎的第一代DDR5 LRDIMM,比起以3200 MT/s運行的DDR4 LRDIMM,頻寬可再增加35%以上。
DDR5導入潮即將到來,瑞薩發表專為DDR5記憶體模組設計的資料緩衝器晶片
瑞薩資料中心事業部副總裁Rami Sethi表示,身為業界的完整DDR5解決方案供應商,瑞薩正在與客戶和生態系統合作夥伴緊密合作,將大幅擴展的記憶體解決方案產品陣容投入量產。DDR5資料緩衝器對實現高性能DRAM解決方案極為關鍵,諸如LRDIMM、其他類型的高密度模組,以及多樣化記憶體解決方案,這些方案可使新世代高性能運算應用產品更加多樣化。
瑞薩DDR5資料緩衝器藉著減少電容性負載、資料對齊和訊號恢復技術的結合,可以讓重載通道的系統眼圖最大化。這就讓具有大量記憶體通道和插槽,以及複雜路由拓樸的伺服器主機板,也可以用最高速度運行,即使在裝滿高密度記憶體的情況下也是一樣。此外,DDR5模組定義的改進,允許用更低的電源電壓(1.1V,相對於DDR4的1.2V)、DIMM內建穩壓,以及先進控制平面架構的實現(其運用SPD集線器和現代控制匯流排通訊,例如I3C)。
瑞薩是業界自雙直插式記憶體模組問世以來,最資深的記憶體介面產品供應商,有開發完整晶片組解決方案的經驗。全新的瑞薩DDR5資料緩衝器5DB0148為最佳化完整解決方案家族的一分子,可與LRDIMM記憶體模組上的其他瑞薩DDR5元件無縫搭配,這些元件包括電源管理IC P8900、暫存器式時脈驅動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118,以及溫度感測器TS5111。可確保採用瑞薩晶片組解決方案的記憶體供應商,擁有完整的互通性和穩定的品質。
瑞薩新I3C匯流排延伸產品減少占位面積
瑞薩電子(Renesas)日前發表四顆全新I3C Basic匯流排延伸產品,可用於各種應用產品中的控制平面設計,包括資料中心和伺服器應用產品,以及企業自動化、工廠自動化和通訊設備。新產品包括IMX3102 2:1匯流排多工器、IMX3112 1:2匯流排擴充器,以及IXP3114和IXP3104 1:4泛用IO擴充器,支援最高達12.5MHz頻率,並內建熱感測器功能。
這些新產品提供工程師在設計上較大彈性,工程師得以靈活應用I3C Basic做為應用產品的系統管理匯流排,這類應用產品大多內含多顆主控端,大量端點晶片和長走線,影響匯流排的複雜度和訊號完整性。內建熱感測器,則可將熱管理更完善的整合到匯流排設計本身,並且減少專用熱感測器端點的數量。繼JEDEC標準採用I3C Basic,作為DDR5記憶體邊帶(Memory Sideband)之後,下一代計算機結構,也正在導向以I3C作為系統管理匯流排的首選。由於次通道階層(sub-channel Level)的分散式電源管理、遙測技術和熱管理,會提高記憶體次系統的複雜度,因此會需要更高的邊帶匯流排頻寬。
此外,針對先進熱控制迴路、安全與元件認證,還有更強固的容錯和恢復等功能的全新需求,也推動著跨越整個伺服器控制層高頻寬介面的類似需求。I3C Basic就是滿足所有需求的理想解決方案,讓系統管理結構能夠在啟動和執行時,提供有關伺服器資源狀態的詳細資訊。這可使系統管理員可以實施有效的工作負載搬移和伺服器負載平衡,進而讓伺服器利用率得以顯著的最佳化。
瑞薩資料中心業務部副總裁Rami Sethi表示,I2C和SMBus等介面已應用數十年,其性能早已無法滿足現代資料中心設備中智慧型平台管理的複雜度。很高興能為大型高速控制平面設計提供完整的I3C匯流排延伸晶片產品線,實現環境控制、先進遙測、安全性和故障恢復等複雜功能。