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GLOBALFOUNDRIES

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積極轉型 格芯再售旗下ASIC業務予Marvell

為更專注於發展差異化晶圓代工服務,格芯(GLOBALFOUNDRIES)持續轉型步伐,繼不久前出售12吋晶圓廠予安森美半導體(ON Semiconductor)後,近期再宣布售出AISC業務,通訊晶片供應商Marvell將以7.4億美元購併GLOBALFOUNDRIES旗下ASIC子公司「Avera Semiconductor」,此協議包括轉移Avera的收入基礎、具領先基礎設施OEM的戰略設計策略,以及與Marvell間的長期晶圓供應協議。 GLOBALFOUNDRIES認為此一交易可創造雙贏的局面,指出Avera團隊一直在本業務上穩定成長,並將ASIC之7奈米設計轉至新的代工平台;而與Marvell的商品組合,包括儲存、處理、網路、安全和連接的解決方案而言,Avera Semi的能力可作為互補,將共同帶來系統級差異化,擁有更佳定位,攻下不斷成長的5G基礎設施市場。同時,透過這項交易,GLOBALFOUNDRIES能更專注於代工業務,成為致力於以差異化技術幫助客戶取得成功的製造服務公司。 GLOBALFOUNDRIES執行長Tom Caulfield表示,此次協議再次印證我們致力於核心業務的決心,致力於提供差異化的晶圓代工產品。透過Avera交易協議與 Marvell建立起策略合作夥伴關係,將為兩間公司的團隊打造嶄新機會。而一旦交易完成後,該公司也將繼續透過與Marvell的製造合作夥伴關係,以14/12奈米為本公司ASIC客戶提供產品,以及其他更成熟技術的代工服務。 至於Marvell在收購Avera之後,也可說為其搶占5G基礎設施市場的布局增添一劑強心針。具體來說,Avera先進的ASIC設計能力能補足Marvell的標準和半客製產品組合。 由於Avera在模擬、混合訊號與系統級晶片項目具有高度創新的設計能力、並在包含高速SerDes高性能嵌入式儲存和先進封裝技術方面擁有豐富的IP組合,且更與有線和無線網路OEM在內的績優股客群建立了強大的合作關係,為多代轉換器、路由器和基地台提供客製化解決方案,因而有利於Marvell拓展更多商機管道。 Marvell指出,該公司正運用旗下IP和技術平台不斷擴展客製化的商機管道,例如在5G基礎設施中提供基頻、處理器、乙太網路交換器和PHY等解決方案;而Avera既有的解決方案將持續擴大Marvell的潛在市場,也凸顯了有線和無線基礎設施領域客製化ASIC的廣泛商機。 而在售出Avera之後,針對外界詢問是否還會持續出售旗下業務或工廠的疑問,GLOBALFOUNDRIES則強調,目前該公司已完成戰略轉型任務,該是時候專注在執行和交付成果。因此,未來將不會再出售或合併旗下工廠。從2018年8月開始,我們採取大膽的措施加快業務轉型,這些都符合預定的戰略藍圖,並將使我們能夠繼續提高產線的能力,並對未来的業務進行投資。
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收購格羅方德12吋晶圓廠 安森美產能/開發技術再升級

安森美半導體(ON Semiconductor)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布,安森美將以4.3億美元收購格羅方德位於紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的12吋晶圓廠,其中1億美元已在簽署最終協議時完成支付,其餘3.3億美元將在2022年年底支付;之後,安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面營運控制權。藉由此次收購,安森美能獲得豐富的12吋晶圓製造和開發經驗,進而使自身的開發技術與產品產能更上層樓。 安森美半導體總裁暨執行長Keith Jackson表示,收購12吋東菲什基爾晶圓廠是使該公司強化電源和類比半導體市場競爭優勢一大關鍵。本次收購將使公司未來幾年增加更多的產能,以支援電源和類比產品的成長,遞增生產效率,並加快實現我們目標財務模型的進程。 據悉,該協議將使安森美半導體未來幾年增加在東菲斯基爾晶圓廠的產量(如大量金氧半場效電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)等產品),而格羅方德會將其眾多技術轉移至另外三座同規模的12吋晶圓工廠。根據協議條款,格羅方德將在2022年年底前為安森美半導體生產12吋晶圓,預計將於2020年開始為安森美半導體製造首批12吋晶圓。 另外,該協議還包括一項技術轉移和開發協議,以及一項技術授權協議,安森美能藉此獲得更豐富的12吋晶圓製造和開發經驗,使公司晶圓製程從8吋晶圓轉至12吋晶圓;同時,安森美半導體將立即獲得先進的CMOS能力,包括45nm和65nm技術節點,這些製程將為安森美半導體未來的技術開發奠定基礎。 格羅方德執行長Tom Caulfield指出,本次合作使格羅方德能夠進一步最佳化在全球的資產,並加強投資於促進增長的差異化技術,同時確保Fab 10製造工廠和員工的長期發展。
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IC Insights:「中國製造2025」半導體自給率難達標

中國自2005年以來一直是半導體最大的消費國,根據產業研究機構IC Insights的最新研究指出,中國的IC產量並沒有立即出現大幅提升。中國的IC產量占其2018年1550億美元IC市場的15.3%,高於2013年前的12.6%。此外,IC Insights預測2023年中國IC產能將提升至其市場規模的20.5%。預計中國的IC產量在2018~2023年間將呈現15%的年複合成長率(CAGR)。SK海力士、三星、英特爾和台積電是在中國擁有重要IC產品的主要外國IC製造商。 英特爾在中國大連的12吋晶圓廠(Fab 68於2010年10月下旬開始生產MCU)於2015年第三季閒置,因為該公司將晶圓廠轉為3D NAND Flash製造。截至2018年12月,英特爾中國工廠的產能為滿載每月7萬片12吋晶圓。另外,2012年初,三星獲得韓國政府的批准,在中國西安建立一個12吋IC製造廠,生產NAND Flash。三星于2012年9月開始建設該工廠,並於2014年第二季開始生產。該公司在第一階段投資了23億美元,預算總額為70億美元。該工廠是2017年三星3D NAND生產的主要工廠,截至2018年12月,該工廠每月產能10萬片晶圓,三星計劃將該工廠擴建至每月20萬片晶圓。 預計未來五年IC銷售量將大幅增加,包括中芯國際(SMIC)和華虹集團以及長江儲存(YMTC)和長鑫儲存(CXMT)。DRAM廠福建晉華(JHICC)目前處於擱置狀態,等待美國對該公司實施的製​​裁。此外,有可能有新公司希望在中國建立IC產線,如台灣的富士康,該公司於2018年12月宣布擬在中國投資90億美元建立半導體產線,提供代工服務以及生產電視晶片和影像感測器。 IC Insights預測,如果中國的IC產能在2023年擴張至470億美元,那麼它仍然只占2023年全球IC市場總額的5714億美元的8.2%。即使由YMTC和CXMT等中國新創半導體廠建立新的IC生產,IC Insights也認為外國公司將繼續成為中國IC生產基地的重要組成。因此,IC Insights預測,2023年中國至少50%的IC生產將來自在中國擁有晶圓廠的外國公司,如SK海力士、三星、英特爾、台積電、聯電、Globalfoundries和富士康等。IC Insights認為中國目前的本土IC產業發展將遠遠落後於中國政府「中國製造2025」計劃的目標,即2020年實現40%的自給率,2025年70%自給率。  
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新興非揮發性記憶體2017~2019 CAGR高達230%

產業研究機構Yole Développement(Yole)表示,新興非揮發性記憶體NVM,包括MRAM、RRAM和PCM等,隨著物聯網、5G、人工智慧(AI)、雲端運算等發展越受注目。認為,DRAM的發展將在未來五年繼續,但速度將放緩。由於3D半導體技術不斷進步,NAND密度不斷增加。新興的NVM不會取代NAND和DRAM,但會以各種記憶體加速的方式出現。此外,SCM(Storage Class Memory)將成為主要的新興NVM市場,並將在未來5年內由3D XPoint主導。 新興記憶體技術未來兩年將進入起飛期,從應用角度來觀察,Yole認為,包括MCU嵌入式NVM、工業/交通/消費性電子、企業SCM、客戶SCM等應用,2017年市場規模約9900萬美元,2018年市場規模約為2.8億美元,2019年將成長至10.8億美元,2017~2019年複合成長率(CAGR)高達230%。 從技術角度來看,MRAM將發展嵌入式MCU應用,因為所有大型代工廠都參與了此領域。獨立的RRAM將嘗試在SCM應用上獲得PCM的市場占有率。由於SCM應用,未來三年新興的NVM銷售量將成長一個數量級以上。 另外,MRAM和RRAM市場領域的晶圓代工廠參與度增加,GlobalFoundries、台積電、聯華電子、中芯國際和三星代工服務等皆積極投入,以提供有吸引力的服務。這一趨勢表明了代工廠對儲存業務的興趣日益成長。例如,也有產業消息傳出台積電宣布可能收購一家記憶體公司。 在獨立業務中,新興的NVM不會取代DRAM和NAND,而是將在記憶體模組中與它們結合使用,例如,SSD、DIMM和NVDIMM。在2023年,由於3D XPoint作為企業和客戶端SCM的日益普及,PCM將在獨立內存市場保持領先地位。值得注意的是,三星和東芝通過開發基於3D NAND的SCM解決方案採取了不同的戰略路線,如Z-NAND(三星)和XL-Flash(東芝,2018年8月展示)。但是,這些技術將用於企業級SSD,並且不會與相容DDR4的Optane DIMM競爭,預計這將占整體3D XPoint銷售額的50%以上。  
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先進製程才是半導體製造金雞母

根據產業研究機構IC Insights研究顯示,全球前四大晶圓代工廠(台積電、GlobalFoundries、聯華電子和中芯國際)加工晶圓產生的平均收入預計在2018年為1,138美元,用八吋等效晶圓表示,與2017年的1,136美元持平,四大代工廠的平均單位收入在2014年達到1,149美元,然後在去年緩慢下降。 台積電2018年平均每晶圓收入預計為1,382美元,較GlobalFoundries的1,014美元高出36%,聯電2018年每片晶圓的平均收入預計僅為715美元。此外,台積電是四家廠商中唯一一家預計2018年將比2013年產生更高的每晶圓收入的晶圓代工廠。相較之下,GlobalFoundries、UMC和中芯國際2018年每晶圓平均收入預計與2013年相較分別下降1%、10%和16%。 就2018年第二季的統計,晶圓代工廠生產的不同製程和晶圓尺寸創造的營收可見。採用0.5微米的8吋晶圓創造營收370美元,而20奈米(nm)以下製程的12吋晶圓可創造6,050美元營收,兩者之間的差距超過16倍。即使以每平方英寸的方式計算,差異也非常大(0.5微米技術為7.41美元,≤20nm技術為53.86美元)。由於台積電45奈米以下的先進製程比重高,預計該公司每片晶圓的收入將從2013年到2018年以2%的年複合成長率(CAGR)成長。 隨著GlobalFoundries暫緩7奈米先進製程的研發,IC Insights認為,在未來五年內,可能只有三家廠商能提供先進製程技術/產品,即台積電、三星和英特爾。  
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重組技術組合 格羅方德退出7奈米先進製程競賽

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布重要的轉型計畫,未來將依據執行長Tom Caulfield所訂定的發展方向,以高度成長市場客戶為目標,聚焦在供應真正的差異化方案,因此,將無限期暫緩7nm FinFET計畫,重新調整先進FinFET發展藍圖,並依此打造研發團隊。 格羅方德執行長Tom Caulfield表示,半導體的需求日益高漲,而現今主要的無晶圓廠客戶都期望充分利用設計至各個技術節點上的重大投資,以創造每一代更高的技術價值。為此,該公司正轉移資源的分配及焦點,於整體技術組合之中,加強投資客戶使用多年的現有技術,並打造差異化。 格羅方德將重新調整先進FinFET發展藍圖,轉移開發資源,提升14/12nm FinFET製程研發,並提供一系列的創新IP與功能,包括射頻、內嵌記憶體、低功耗及其他功能。為了投入此項轉型,該公司須精簡相關工作人力、重新打造研發團隊;大量頂尖技術人員須轉而投入14/12nm FinFET,研發產品及其他差異化方案,因此將無限期暫緩7nm FinFET計畫。 格羅方德指出,該公司會加強投資在具有明確差異與增添客戶實質價值的領域上,並著重於跨技術組合,以實現各種功能豐富的方案。其中包括FDXTM平台、頂尖射頻方案(RF SOI及高效能SiGe)、類比/混合訊號及其他技術,專門設計用於越來越多需要低功耗、即時連線能力及內建智慧的各種應用。 此外,該公司將成立獨立於晶圓代工業務之外的獨資子公司專責ASIC業務,以延續利用其在ASIC設計與IP領域的研發成果及重大投資。ASIC業務需要持續取得頂尖技術,此一獨立的ASIC子公司可提供客戶7nm及之後的替代晶圓代工選項,同時讓ASIC業務與更廣泛的客戶互動。 針對格羅方德宣布退出先進製程競賽,Gartner研發部副總裁Samuel Wang認為,格羅方德可藉此減輕在先進技術領域的投資負擔,進而在射頻、物聯網、工業、5G及汽車等快速成長的市場中鎖定目標加強投資,針對其中大部份的晶片設計人員打造真正重要的技術。雖然先進技術領域能夠獲得各界矚目,但可以承擔向7nm及精細尺寸的過渡的客戶正日漸減少,而14nm以上的技術在未來數年仍會繼續引領晶圓代工需求,具有充分的創新空間,推動下一波技術的革新。
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