GaN
矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線
以下將介紹以GaN材料的功率晶體,包括GaN材料的物理特性以及GaN高速電子遷移率場效電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)的元件特性,以便對此新材料及新元件有進一步的認識。
認識氮化鎵材料特性
寬能隙的材料相較於矽材料,有較高的電子能階,矽施予1.1電子伏特(eV)的能量可以使電子從價電帶移動到傳導帶,而寬能隙材料的GaN需要3.5eV及SiC需要3.3eV,GaN與SiC相較於矽材料有七倍以上的崩潰電壓強度,而電子飽和速度也比矽材料快兩倍以上,寬能隙的材料特性具有高耐電壓及高速切換的特性,應用在電源轉換器上,可以有效提高其功率密度。
早期矽功率開關元件是採橫向的結構設計,但在給定的導通電阻RDS(on)下,晶體尺寸過大,最終無法有效降低導通電阻。為解決這個問題,目前矽的功率開關採用垂直結構設計,其閘極(Gate)與源極(Source)在頂部,汲極(Drain)在底部。
圖1為GaN HEMT功率開關的剖面結構圖,使用橫向結構的水平型設計,GaN可以外延生長到矽的基底上,GaN HEMT有別於其他傳統半導體,具有非常強的極化(Polarization)效應,除了因III-V離子鍵和晶格結構所形成的自發性(Spontaneous Polarization)極化外,在GaN和氮化鎵鋁(AlGaN)層之間產生異質結構,成長異質結構因晶格不匹配而形成的晶格擠壓,額外造成壓電電極化(Piezoelectric Polarization),這兩個極化效應使得異質介面結構促使GaN的能帶(Band)朝氮化鎵鋁(AIGaN)方向自然彎曲。因此,彎曲的部分就會產生一層薄但密度高的高遷移率自由電子層,稱為二維電子氣(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG),此二維(2D)電子氣的電子遷移率極高,因此能達到非常快的切換速度,所以將其稱為氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體(GaN HEMT),也因為二維電子氣的特性使得元件結構中的導通電阻可以大幅降低,尤其是用來承受反向偏壓電壓的漂移區(Drift Region)所貢獻的導通電阻部分。
圖1 橫向增強型GaN HEMT的截面圖
半導體必須外接偏壓,提供足夠的電子伏特才能跨越費米能階(Fermi Level),使半導體從絕緣體變成導體,但在GaN和AlGaN接面處形成的二維電子氣讓GaN HEMT不需要外置偏壓即可導電。製程上,GaN HEMT將源極和汲極的金屬連接二維電子氣,所以GaN HEMT本身是常開型(Normal On)的半導體元件,閘極位於汲極和源極之間用來控制GaN HEMT的導通與截止。但常開型的GaN HEMT,在電源轉換器使用上會造成驅動電路的設計複雜化。
如何將常開型的GaN HEMT改變為常閉型(Normal Off)的GaN...
氮化鎵電晶體添柴加薪 無線充電功率密度更進一步
氮化鎵崛起 無線充電設計添新力
目前最常用的無線充電標準是感應式(Qi),其操作頻率範圍介於100到300KHz,系統允許對單一裝置在非常靠近的距離且特定的方向充電,隨著無線充電在消費性與工業市場的需求提高而被許多設計者採用,無線充電使用的class D與class E諧振逆變拓撲不是新的技術,但因為其諧振耦合的優點早已被使用在射頻的應用,這些拓撲被應用在無線充電的發射端,其可達到高效率在1到10MHz的操作頻率範圍。
AirFuel聯盟提出操作頻率6.78MHz在工業、科學與醫學領域的方法,利用高Q因子諧振器之諧振感應耦合來達到較弱的磁場與較長距離的功率傳輸,這可以同時對幾個不同方向的裝置充電。法拉第定律說明線圈的磁場變化造成電位的產生,無線功率傳輸中之RF功率放大器驅動功率傳輸單元(PTU),是由一個調諧電路的線圈去產生一個變化的磁場所組成。
相對地,功率接收單元(PRU)也是由一個電路的線圈調諧在相同的頻率所組成,兩者間交錯的磁場而感應電壓,這個電壓取決於磁場通量的變化率與線圈圈數,接收單元的線圈輸出電壓經過整流然後轉換成手持式裝置所需的電壓範圍,耦合的好壞則取決於兩個線圈間的距離,這裡定義為耦合因子k,k值小於0.5代表著鬆散的磁性諧振耦合。
氮化鎵相對於矽是新的技術,其優點早已驗證於RF系統之應用,目前也因為優異之品質因數(Figure of Merit)而被許多電源應用所採用,圖1顯示氮化鎵技術與幾家不同廠商矽技術之比較,以對數的表示方法來幫助了解氮化鎵技術所帶來跳躍式的進步。
圖1 氮化鎵與矽技術在FOM之比較
採用氮化鎵放大器 電路調諧更容易
為了方便瞭解class D的功能,將圖2分成兩個方塊來做說明:
圖2 class D功率放大器簡化圖
.切換開關:將輸入Vin直流訊號建立成方波。
.濾波器:LC濾波器會將雜訊濾除,並以相同的頻率在輸入的方波建立正弦波,此外LC諧振器還能夠阻隔直流,因此跨在負載上將會只有交流訊號。
經由濾波器一次諧波之正弦波電流可以容易地計算得到跨於負載的電壓,LC阻抗考慮一次諧波在諧振頻率為零,負載的輸出電壓如公式1所示
公式1
輸出功率則為
公式2
整理式1與式2可以得到輸入電壓:
公式3
Class D拓撲操作在零電壓導通的切換頻率為6.78MHz,高切換損失將會造成低效率,傳輸天線的電流通常都不大(1~2A),為了能夠傳送足夠大的功率,輸入電壓(50~100V)就得提高,高輸入電壓與高切換頻率需要操作在零電壓切換以降低功率損耗,為了達成零電壓切換,常用的方法之一是額外加一組LC網路以建立三角波電流。三角波電流確保半橋的中點電壓在死域時間(Dead Time)消失之前完成轉態,class D拓撲的設計準則如公式4:
公式4
其中的QOSS為切換開關的輸出電荷,∆I 為零電壓網路所產生的漣波電流,公式4表示較低的切換開關輸出電荷,將會導致較低的漣波電流,換句話說,當漣波電流固定,較低的切換開關輸出電荷,將會更容易達到零電壓切換。零電壓切換主要的功率損失,如公式5所示:
公式5
其中IZVSRMS是零電壓切換網路的均方根電流,ESRZVS則為零電壓切換網路的雜散等效電阻。零電壓切換操作取決於阻抗性負載,且需要適當地阻抗匹配,建議使用低QGD來確保萬一操作在非零電壓切換操作的時候,切換開關有較低的損失。
另外,切換開關的QG越低,相對地元件的驅動損失也可以降低,如圖3所示,氮化鎵電晶體相較於矽MOSFET的功率損耗可以降低30%,進而提高功率密度。
圖3 氮化鎵與矽於損失之比較
Class E功率放大器拓撲由提供直流的電感L1、切換開關Q1、諧振電路以及負載所組成。如圖4所示,Q1以固定50%責任週期的6.78MHz頻率做切換,當電路調諧至與汲極之半波弦波電壓相同頻率且峰值為輸入電壓的3.56倍,在下一個切換週期開始之前折返到零,如此以達到零電壓切換的操作,為了實現零電壓切換,負載阻抗必須為純電阻性,阻抗匹配網路放置於功率放大器與傳送諧振器之間,以取消所有無功的部分(Reactive Element)。
圖4 Class E放大器主要電路成分
L2、C1與C2的值是取決於諧振頻率,當開關關斷,C1與Q1的汲源r極等效電容並聯,而導致較高的諧振頻率,當開關導通,較低的諧振頻率則由L2與C2決定,對於零電壓切換操作,切換頻率必須在較高與較低之諧振頻率之間,當電路諧振在高於切換頻率,汲極電壓達到較高的峰值,可能為輸入電壓的7倍之多,汲極電壓會在下一個切換週期開始降到零,本體二極體在這一段時間內導通。
另一方面,當電路諧振低於切換頻率,汲極電壓在下一個切換週期開始之前不會降到零,這將會導致硬切換而造成高切換損失,尤其是在切換頻率6.78MHz時。為了達到較高的功率放大效率,電路必須被正確地調諧而且輸出電流不能太高,以避免L2的導通損失與在6.78MHz之集膚效應的渦流損失。
這裡以一個16W class E功率放大器,使用200V/125m歐姆 OptiMOS 3切換開關BSC12DN20NS3,為了評估功率放大器之效能與效率,其電阻性負載在5歐姆、15歐姆及25歐姆做測量,所量測而得之效率介於91~92%之間,25歐姆操作波形如圖5所示。
圖5 使用矽MOSFET之Class E放大器操作波形
圖5最下面的波形為汲極電壓,可以看到其形狀不是純半正弦波,在較低電壓時有擴散特性,這會形成在下一切換周期之前,汲極電壓還不會掉到零而導致硬切換,這個效應主要是由電路中MOSFET COSS所造成,矽MOSFET在低壓時其COSS會增加很大而造成失真,雖然這電路還是操作在可以接受效率與硬切換損失範圍內,但是這造成電路需要重調,因而導致高峰值電壓且降低最大輸出功率能力,且輸出阻抗範圍也會降低。
如圖6為兩個功率切換開關之COSS特性比較,在低壓時氮化鎵電晶體之COSS增加較矽MOSFET為少。
圖6 矽MOSFET與氮化鎵電晶體之COSS比較
同樣地,同等級BVDSS與RDS(ON)的氮化鎵電晶體以相同電路量測,氮化鎵電晶體的汲極波形如圖7所示,較接近正弦波形,並沒有硬切換出現,峰值電壓為輸入電壓的3.56倍,亦即電路操作在理論之最佳化,允許操作在較寬的負載阻抗範圍,並且實際上的電路更容易調諧。
圖7 使用氮化鎵電晶體之Class E放大器操作波形
氮化鎵實現更高功率密度
本文介紹了無線充電之基本原理,並且列舉兩個常用在無線充電應用的功率放大器拓撲,比較矽MOSFET與氮化鎵電晶體之效能,氮化鎵電晶體具有較低閘極電荷、等效汲源極輸出電容COSS與零反向回復等優點,高效率與節省電路板面積,可以幫助電源設計者能夠達到高功率密度的需求 。
(本文作者皆任職於英飛凌)
英飛凌展望2019擴大電源領先優勢 搶占車用鰲頭
德國半導體大廠英飛淩(Infineon)科技在功率半導體領域市占全球第一、車用半導體領域全球第二。2018年全球營收達76億歐元,而本於讓人們的生活更加便利、安全和環保的目標之下;2019年,也將在汽車電子、工業電源控制、電源管理與多元電子、數位安全解決方案等四大事業持續推動與發展。
德國本來就是全球汽車產業最發達的國家之一,因此英飛淩投入汽車電子領域甚早,該公司大中華區總裁蘇華表示,英飛凌是為數不多的能全面涵蓋汽車領域重要應用的汽車半導體製造商之一,產品組合包括微控制器、智慧感測器、射頻收發IC、雷達以及分立式和整合式功率半導體,適用于動力總成、底盤、舒適性電子設備以及駕駛安全應用。
根據市調機構Strategy Analytics報告指出,英飛凌2017年汽車半導體市場市占率為10.8%,居業界第二,僅落後於恩智浦(NXP)的12.5%。蘇華指出,在汽車潔淨、安全、智慧的大趨勢下,電動車、ADAS、車聯網等技術與應用為來幾年將持續發展,2018會計年度,英飛凌汽車電子事業處營收為32.84億歐元,營收占比達43%,該公司有信心汽車電子業務將持續發展並更上一層樓。
而在工業電源控制部分,該領域對於高效發電和輸電而言至關重要,相關應用包括風力發電機、高壓直流輸電系統、儲能系統、電動車充電基礎設施以及家用電器等。為了進一步強化此領域業務,英飛凌致力發展碳化矽(SiC)技術,並應用於整合控制器、驅動器與功率開關的智慧功率模組(IPM)。根據IHS Markit的報告,英飛凌在分立式功率半導體與模組市場中,以18.6%的市占率,連續15年居業界第一,蘇華說明,2018年,英飛凌工業電源控制部門營收13.23億歐元,占公司營收17%。
而在電源管理與多元電子方面,專注於打造用於能源管理的功率半導體以及用於無線基礎設施與行動裝置的元件,尤其是MOSFET產品。採用氮化鎵(GaN)製程的驅動器與控制器,近年產業潛力十足;在高頻與感測器領域,矽製程的MEMS麥克風、飛時測距(Time of Flight, ToF)解決方案都是熱門的產品,根據IHS Markit研究,英飛凌於2017年MOSFET功率半導體市場,市占率達26.3%,2018年度,該部門營收達23.18億歐元,占該公司整體營收31%。
而面對5G、物聯網、自駕車、AI等趨勢,蘇華強調英飛凌會採用靈活開放的策略,包括發展5G前端晶片解決方案、mmWave雷達應用、導入AI人工智慧與深度學習於其軟硬體產品中;製造部分該公司除了在德國擁有全球唯一量產的12吋功率半導體廠之外,也要在奧地利興建第二個12吋功率半導體廠,並且擴大委外代工,包括持續與台灣或中國的後段封裝廠的合作關係。
(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動
電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。
目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。
RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。
Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。
Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。
另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...
貿澤供貨TI LMG3410R070 GaN功率級產品
貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應Texas Instruments(TI)的LMG3410R070 600V 70 mΩ氮化鎵(GaN)功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入與輸出電容,支援高功率密度之電動馬達應用的新型態需求,適合的應用包括工業型與消費型的電源供應器。高效能GaN功率級支援的電流、溫度、電壓和切換頻率皆比矽電晶體更高,同時還可減少多達80%的切換耗損。
貿澤電子所供應的TI LMG3410R070 GaN功率級內建整合式閘極驅動器,具備穩定可靠的保護功能,可提供比矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)更為出色的效能。裝置具有零共源電感、25~100V/ns可由使用者調整的旋轉率,以及適合mHZ作業的20ns傳播延遲。這款穩定的IC具備過電流保護,支援超過150V/ns旋轉率的抗擾性、過熱保護及瞬態過電壓抗擾性,且所有供電軌皆具備過電壓鎖定保護。LMG3410R070功率級採用尺寸小巧的8mm×8mm QFN封裝,無需外部保護元件,對於簡化設計和布局流程很有幫助。
高效能的LMG3410R070很適合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面黏著電容器運作。KC-LINK電容器經過特別設計,具有極低的有效串聯電阻和熱阻,有助裝置承受高頻、高電壓DC連結應用的應力,符合TI LMG3410R070 IC等快速切換半導體的需求。
TI LMG3410R070功率級提供了優異的功率密度,有助於實作Totem Pole PFC之類的高效拓撲,幫助電源供應器縮小多達50%的尺寸。LMG3410R070 IC適合的應用包括多級轉換器、太陽能逆變器、高電壓電池充電器和不斷電系統。
專訪英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍CoolGaN大幅提升電源工作效率
根據市場調查機構Yole Développemen研究顯示,2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元,而到了2022年,該市場將成長到4.6億美元,年複合成長率高達79%。
對此,英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示,GaN市場成長十分強勢,其市場產值從千萬美元不停攀升,甚至十年後可能達到10億美元的產值;而主要驅動力來自於電源和汽車產業。
因應電源產業對GaN需求明顯增加,英飛凌也於近期宣布推出CoolGaN 600V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC。新款增強型HEMT採用可靠的常閉概念,實現快速開通和關斷,並可在開關式電源(SMPS)中達到高能源效率和高功率密度;且具更低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能,大幅提高工作頻率。
鄧巍說明,GaN元件其中一項設計挑戰在於,如何將其從Normally ON設計成Normally OFF,以滿足安全考量。對此,英飛凌運用了獨特的常閉(normOFF)概念,採用P-GaN技術,把源極和漏極的電子層變薄,使其容易箝斷,因而能讓GaN元件實現Normally OFF的特性。
另一方面,為使電源產品設計業者更能發揮GaN特性,英飛凌也推出EiceDRIVER驅動IC,該系列產品可提供負輸出電壓,以快速關斷GaN開關。在開關應處於關閉狀態的整個持續時間內,EiceDRIVER IC可以使閘極電壓穩定保持為零,以保護GaN開關不受雜訊影響導致誤導通;且可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作迴圈或開關速度影響,確保運作穩健性和高效能,大幅縮短研發週期。
英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍表示,GaN市場成長快速,為此,該公司推出新一代GaN解決方案。
3D感測/機器視覺強強聯手 AI升級智慧製造商機無限
AI人工智慧讓智慧製造能力再上一層樓,而應用已久的機器視覺,亦從成熟的光學檢測AOI,蛻變為內含深度學習(Deep Learning)技術的電腦視覺,搖身一變成為智慧製造的核心技術,影像與視訊內容的自動擷取、處理、分析與應用更加迅速、普遍與成熟。這樣的轉變不僅展現在生產效率的提升上,更可以進一步精簡人力成本,未來AI系統甚至可以針對機台的問題進行自我檢測,分析問題與成因,然而這僅僅是十八般武藝的開端。
近來,許多新興技術發展並與機器視覺結合,進一步擴大了其功能與應用範疇,3D感測技術包括飛時測距(Time of Flight, ToF)、立體雙目視覺(Stereo Vision)、結構光(Structured Light)等技術可以建立三維感測資訊,尤其測距應用的延伸,將使電腦視覺的功力不斷提升,本活動介紹機器視覺技術架構與應用最新動態,加上多個感測技術的加持,並剖析其與AI結合的發展與應用趨勢。
機器視覺助智慧製造一臂之力
而製造業從工業4.0口號被打響以來,製造系統從自動化進入智慧化的另一個全新的發展境界,機器視覺(Machine Vision)/電腦視覺(Computer Vision)就是達成此目標非常關鍵的技術。倢恩科技研發部經理邱威堯(圖1)提到,導入機器視覺可以使傳統製造業產線的生產方法更具彈性與可變性,並改善作業人員工作環境,遠離危險惡劣的工作流程。使用機器視覺的生產線,讓產品從人工檢測進步到自動品質管理,可增進品管重現性/一致性,以達成高度品質管制,降低人員因疲勞或情緒不佳誤判所造成的損失,同時讓檢測數據數值化,自動產生統計報表以便於管理與決策分析。
圖1 倢恩科技研發部經理邱威堯提到,導入機器視覺可以使傳統製造業產線的生產方法更具彈性與可變性,並改善作業人員工作環境。
機器視覺的基本要點包括:檢測(Inspection)、物件識別(Object Recognition)、量測(Gauging)、機器導引與定位(Machine Guiding and Positioning)。
檢測Inspection
利用機器視覺技術自動檢驗製程中工業產品之瑕疵,例如印刷電路板上的線路是否短路、斷路,半導體晶圓之表面缺陷及LCD面板之缺陷等。
物件識別Object Recognition
用於確認物件的身分,例如車牌辨識、條碼辨識、IC元件之光學字元辨識(OCR)及鍵盤檢視、人臉辨識、指紋辨識、瑕疵分類等。
量測Gauging
以機器視覺技術進行非接觸式的量測,例如工件之尺寸、夾角、真圓度及印刷電路板之線寬等。
機器導引與定位Machine Guiding and Positioning
利用機器視覺引導自動化機器之路徑,例如引導銲接機器人之銲道,無人搬運車之行進軌跡;亦可用於決定目標物位置,如SMT、PCB自動裝配作業的定位與機器人的行走路徑等。
機器視覺影像處理要點
進入作業程序後,機器視覺系統針對擷取到的影像進行處理則是另外一個重點,邱威堯進一步說明,影像強化、影像分割、影像編碼、影像還原等為主要的技術。影像強化是使處理過的影像比原始影像更適合於某一特殊應用,方式包括空間域(Spatial Domain)與頻率域(Frequency Domain)。影像分割則是凸顯出影像中感興趣的部分。
影像編碼就是使用較少的位元來顯示一幅影像,壓縮是最常見的方法。影像還原則是改善或重建一幅遭到破壞的影像,邱威堯說,影像還原技術通常需要大量運算時間,且還原後的效果不見得可以接受,建議由取像環境、設備與技術來改善影像的品質。
機器視覺硬體選擇無唯一解
在機器視覺硬體部分,主要由打光、鏡頭與相機組成。邱威堯指出,打光是機器視覺中非常困難的一部分,需要許多直覺與實驗,而打光技術也無通則,但對於特定應用場合已有經驗可循,而打光的方法是根據待測物的光學特性來決定,打光的目的則包括,取得與強化待測物中有興趣之特徵,使前景與背景明顯不同,強化訊噪比,以得到更高品質的影像,凍結移動中物體的運動並去除鏡反射(Specular Refection)等。
而打光的方式則分為正向打光、背向打光與結構打光。並可再進一步細分為擴散式正向打光、直向式正向打光、低角度斜向打光、同軸打光、擴散式背向打光、遮背式背向打光等多種,端視需要的效果而定。光源部分則以人工光源最常用,種類包括白熾燈的鎢絲燈泡、鹵素燈;放電燈的螢光燈、水銀燈、高壓鈉氣燈、複金屬燈、氙氣燈;固態光源的LED與固體雷射。其中,近年在實務應用上LED燈儼然已是主流。
另一個重點就是鏡頭,邱威堯強調,這部分的選擇同樣沒有最佳解,端視需求與使用者掌握的資源而定,選擇的要素包括視野、焦距、工作距離、相機底座、相機格式(感光元件尺寸)、景深、光圈值、相機型式等。以景深為例,其代表聚焦清晰的範圍,長景深表示聚焦清楚範圍大,短景深表示聚焦清楚範圍小,一般景深可以透過縮小鏡頭光圈來增加,但是照明的亮度也要相對提升,原則上要避免出現短景深的情況,以追求長景深為目標。
3D感測加值機器視覺
3D感測技術並不是全新的技術,由於iPhone X的人臉辨識解鎖應用,讓市場大為驚艷,帶動的發展熱潮逐漸滲透到不同領域。目前主要技術為立體雙目視覺、結構光與飛時測距,艾邁斯半導體(ams)資深應用工程師湯治邦(圖2)表示,這三個技術都需要搭配光源,現階段主流光源是垂直腔體表面雷射(VCSEL),並使用不可見的紅外光,波長850nm與940nm為主,因有極少部分人可看見850nm的紅外光,所以近年940nm使用比例逐漸提升。
圖2 艾邁斯半導體資深應用工程師湯治邦表示,飛時測距、立體雙目視覺、結構光技術特性有些差異,造成不同應用與需求各有優勢。
發光源的部分,除了熱門的VCSEL之外,LED與邊射型雷射(Edge Emitters Laser, EEL)都是常見的光源,以技術特性來深入比較,湯治邦指出,VCSEL雷射光的光線集中,LED則呈現散射方式,因此VCSEL波長範圍穩定,可產生波長最精準的光線,操作溫度最高可達200℃,溫度特性比LED與EEL優異,製造成本與半導體製程的簡易度也有相對優勢,是該技術受到高度注目的原因。
此外,主流的三個3D感測技術,技術特性有些許差異,造成不同應用與需求下各有優勢,立體雙目是由兩個攝影機分別擷取影像,理論與人眼相似,透過三角函數可以測知物體的深度,與其他兩個技術相較由於感測元件技術成熟成本較低,但模組體積較大、耗電量較高,也易受環境變化影響,如天候昏暗就會影響感測品質與準確性。
因為iPhone...
AI假評論風暴來襲
不僅是旅遊評論訊息的可靠度遭受衝擊,在2016年的美國總統大選以及2018年台灣選舉,皆有許多造假網路聲量影響選民行為的討論。先前我曾著文提到,生成式對抗網路(Generative Adversarial Networks, GAN)的神經網路訓練技巧,將能夠生成難以分辨真偽的假圖片與假影片,甚至在網路上出現以深度學習製造出來的假成人片。
人工智慧的發展會為人類生活帶來許多便利,但是也將出現越來越多真假難辨的假資訊;我想這就是人工智慧在未來會帶來的樣貌。
AI假評論再進化
最近我更注意到一篇論文,是由北京大學孫栩老師和微軟亞洲研究院於AAAI 2019上發表。標題名為「LiveBot:Generating Live Video Comments Based on Visual and Textual Contexts」。
相信大家在觀賞網路影片時,常可以看到一種「彈幕」功能(圖1)。即為影片在播放時,允許觀眾的即時評論像子彈一樣或是用滾動的方式飛過螢幕。這些由觀眾所發表即時評論,內容可能包含了觀眾對於影片內容的意見,或是與其他評論的對話互動。而這篇論文的內容即為利用人工智慧,做到「自動即時評論」。
圖1 愛奇藝近期推出AI加持過後的彈幕功能,能避開影片中人物的臉龐。
在圖2中可以看到,上方的三個圖片是由餵貓咪影片中選定的三個定格畫面;下方則是表列出幾個選定的即時評論以及相對應的時間點。該篇論文以此方式建構了一個大型的數據集(Dataset),其中包含了2,361部影片與895,929個即時評論。接著,論文發表者基於這些影片以及評論的上下文,並使用了兩個神經模型來生成更好的效果,最後生成一個可以針對影片內容自動發表即時評論的「LiveBot」。
圖2 近期北京大學老師發表了一篇論文,生成可以針對影片內容自動發表即時評論的「LiveBot」。
假評論再升級
回到最初提到的,無論是虛擬的真人影片,或是即時性極高的線上彈幕,在人工智慧科技的加持之下,要做出假的評論都是非常快速且容易的事情;而且我們都將很難分辨這些訊息的真偽。
如今,「真假難辨」恐怕已經是世界的真實樣貌,更不幸的是此一趨勢在未來只會越來越嚴重。除了必須要加審慎的看待各種資訊,並且培養獨立思考的能力,恐怕還沒有其他能夠避免假評論的辦法。
千瓦應用需求有增無減 眾廠齊推GaN功率元件
隨著科技演進,如何提升能源使用效率是業界共同的挑戰。其中,無論是在消費電子、工業自動化或是雲端運算帶來的伺服器,各個領域都在追求更高的功率密度,以達到逐漸提升的電力要求。
氮化鎵(GaN)功率元件能夠使電子傳導更有效率,也能縮小元件體積,因此未來全球GaN功率元件市場將持續成長(圖1)。儘管目前功率元件依然以矽MOSFET為主流,但已有許多廠商陸續推出氮化鎵材料元件,以做到更高的切換頻率與更小晶片尺寸。
圖1 全球GaN元件市場價值
資料來源:Coherent Market Insights
電動車/伺服器率先導入GaN元件
日前於2018年慕尼黑電子展(Electronica Trade Show)上,氮化鎵半導體技術廠商Exagan發布了GaN高功率轉換解決方案。該公司也指出,伺服器與電動車將成為率先導入的兩大應用領域。
Exagan致力於氮化鎵半導體技術創新,在2018年慕尼黑電子展會上,該公司更展示了其針對千瓦級應用的G-FET和G-DRIVE兩大產品線,提供高效能、極低耗損的電能轉換,且具有增強功率的快速開關元件,適用於汽車與伺服器應用。此二最新發布的新型GaN產品解決方案,展示了Exagan的200-mm CMOS製程技術,同時也顯示出Exagan對GaN技術的充分掌握。
根據研究單位IDC的數據顯示,2018年第一季全球伺服器出貨量,相較於2017年同期成長了20.7%至270萬台。快速成長的伺服器市場電源,也將成為首批導入Exagan GaN解決方案的電源應用。
汽車電子也是另一項GaN電源轉換解決方案的重要應用。在2018年慕尼黑電子展會上,Exagan總裁兼首席執行官Frédéric Dupont表示,GaN小巧輕便與具成本效益的特性,使得該解決方案相當適合應用於電動車之中。
該公司的G-FET和G-DRIVE產品線將提供市場更為全面的GaN解決方案組合,Dupont進一步指出,該公司亦於近期在法國與台灣設立了應用中心,致力於與客戶能有更緊密的合作,進而滿足新興的電源轉換需求。
英飛凌GaN HEMT/驅動器進入量產
在2018年慕尼黑電子展會上,英飛凌科技(Infineon Technologies)也發布了氮化鎵解決方案--CoolGaN 600V增強型HEMT和氮化鎵驅動IC EiceDRIVER。
新款CoolGaN 600V增強型HEMT採用可靠的常閉概念,已優化實現快速開通和關斷。它們可在開關式電源(SMPS)中實現高能源效率和高功率密度,其優值係數(FOM)在目前市面上所有600V元件中首屈一指。
CoolGaN擁有高可靠性,品管過程不僅對元件本身,還針對其在應用環境中的性能進行全面測試,以確保CoolGaN開關滿足品質標準。
另一方面,EiceDRIVER驅動IC則是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔,專為確保CoolGaN開關實現強固且高效的運作所設計,同時大幅減少工程師研發工作量,加快產品上市時程。
功率密度要求持續提升 GaN新品實現千瓦應用
為滿足千瓦以上應用需求,德州儀器(TI)亦於日前推出GaN FET產品系列。德州儀器類比IC應用經理蕭進皇(圖2)表示,GaN元件能操作的切換頻率相對於MOSFET更高,在提升切換頻率後,包含電容等整體晶片體積都將縮小;相比之下,GaN元件設計重量只有MOSFET元件的六分之一。如此一來,不但能達成節省能源、降低成本,在晶片體積縮小之後,亦能擴大放置其他元件的空間。
圖2 德州儀器類比IC應用經理蕭進皇表示,GaN元件能操作的切換頻率相對於MOSFET更高,在提升切換頻率後,包含電容等整體晶片體積都將縮小。
為因應此趨勢,德州儀器日前推出新型600V GaN、50mΩ和70mΩ功率級產品組合,能支援高達10kW應用。與應用於AC-DC電源供應器、機器人、可再生能源、電網基礎設施、通訊和個人電子的場效應電晶體(FETs)相比,該產品系列能協助工程師打造更小、更高效且更高性能的設計。
蕭進皇進一步說明,目前MOSFET元件皆需要再外掛驅動控制,然而該產品將驅動控制納入同一個封裝之中,如此一來便能降低電子電路設計難度,縮短設計者的開發時間。
在未來,持續提升功率密度將是電源設計的主流趨勢。另一方面,將主動和被動零組件整合於電力系統之中,也能更可靠地實現縮小尺寸的目標。GaN元件能夠應用在個人消費電子、工業馬達驅動、電網基礎設施等不同功率等級的應用之中,功率應用範圍從瓦橫跨到千瓦等級。
德州儀器的GaN FET產品系列擁有整合獨特的功能與保護特性,不僅簡化設計,同時實現更高的系統可靠度與最佳化高壓電源供應的性能,進一步為傳統串接(Cascade)和獨立(Stand-Alone)的GaN FET提供了智慧替代解決方案。透過整合的<100ns電流限制和過熱偵測(Overtemperature Detection)功能,此裝置可防止意外的直通事件(Shoot-Through)與熱失控 (Thermal Runaway)發生,且系統介面訊號提供了自我監測的能力。
然而,由於GaN元件相對成本依然較高,因此蕭進皇進一步指出,在短時間內該公司的GaN相關產品會以滿足高效能的需求為主要目標市場;低成本的設計便不是最適合GaN元件的應用範疇。
GaN助力 磁共振充電功率/距離再提升
GaN元件不僅是在高功率應用領域能有所發揮,更能在無線充電領域大顯身手。由於GaN功率元件具備高開關速度、切換損失等性能優勢,持續為電力電子應用打開更多可能性。其中,基於氮化鎵技術的磁共振(Magnetic Resonance, MR)無線充電,將能使得50W以上無線充電功能更快實現。
交通大學電機工程學系系主任陳科宏(圖3)表示,由於氮化鎵功率元件能夠達到非常快的開關速度,因此也能近一步縮小零組件尺寸與整體體積。氮化鎵材料在中功率至高功率的電源相關應用上皆有很好的效果,在未來10年,氮化鎵功率元件的興起將改變消費者的電子產品使用行為,也將影響相關供應鏈的廠商生態。
圖3 交通大學電機工程學系系主任陳科宏表示,在未來10年氮化鎵功率元件將改變消費者的電子產品使用行為。
陳科宏表示,若無線充電功率要提升至50W以上,基於GaN的磁共振便是目前最佳的解決方案。由AirFuel主導的磁共振無線充電技術,相對於磁感應技術能夠提供更高功率電力,並且能夠同時為多台設備供電。儘管目前依然少見導入磁共振無線充電技術的商用產品,然而該技術依然持續有所進展。
基於GaN的共振式無線充電傳輸系統發射端能夠一次發出70W電力,已能夠滿足筆記型電腦的充電需求;而手機大約能夠接收10W~15W電力,因此,最遠傳輸距離可達30公分,若在5公分距離之內則可以達到快速充電標準。
陳科宏進一步說明,未來基於GaN的共振式無線充電傳輸系統也將會持續提升充電效率、拉長充電距離,並且擴充應用範圍;更將持續以提升方便性以及縮小元件體積為主要的未來演進方向。
另一方面,GaN功率元件不只能使用在共振式無線充電設備,隨著氮化鎵的應用研究增加,成本也正在逐漸壓低,預計在2020年就能看到大量產品開始使用氮化鎵材料。
貿澤供應TI LMG1020低側GaN驅動器
貿澤電子(Mouser Electronics)近日開始供應Texas Instruments的LMG1020氮化鎵(GaN)驅動器。這款單通道低側驅動器能為要求速度的應用提供高效率、高效能的設計,適用於LiDAR、飛行時間雷射驅動器、臉部辨識、擴增實境和Class E無線充電器等應用。
貿澤電子所供應的Texas Instruments LMG1020低側GAN驅動器可用於驅動GaN FET和邏輯位準MOFSET,傳播延遲僅2.5奈秒,最小脈寬1奈秒。本裝置可用外部電阻器分別連接閘極與OUTH和OUTL,對上拉和下拉緣的驅動強度進行獨立調整。耐用可靠的LMG1020驅動器具備過熱保護和欠壓鎖定功能,可避免過載和故障狀況,共模瞬態抗擾性超過300V/ns,系統雜訊抗擾性領先業界。
LMG1020採用0.8 mm×1.2 mm WCSP封裝,可在高頻應用中將閘極驅動迴路電感降到最低,達到最高的功率密度。其微型化的尺寸可協助設計人員減少元件數量,使電源供應器的尺寸縮小多達80%。LMG1020驅動器具備可調整的死時控制功能,能提升DC-DC轉換器、Class D音訊放大器和馬達驅動器等應用的效率。