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功率密度優勢顯著 GaN HEMT挺進大功率市場

相較於矽材料,以GaN材料實作功率元件,可以明顯拉高切換速度,從而讓電源設計者在電源設備中採用更小的電容、磁性元件,獲得提高功率密度,降低損耗的效益。然而,天底下很少有毫無缺點的選擇,作為功率應用領域的新興材料,GaN的可靠度與安全性,終究還是未經時間考驗,對於許多產品生命週期很長的大功率設備供應商,如生產伺服器電源、馬達驅動單元、電動車充電器的業者而言,要在產品中導入GaN元件,必須從長計議。 相較之下,消費性產品的生命週期短,市場對產品的可靠度要求不會像工業、汽車產業那麼嚴謹。只要成本結構對了,終端產品上市跟普及的速度很快。舉例來說,目前消費者已經可以在3C通路跟電商平台上購買到各種基於GaN HEMT的USB快速充電器,雖然價格仍比基於矽元件的同類產品略高,但其外觀小巧易於攜帶,輸出功率又有過之而無不及,對消費者來說仍是有吸引力的選擇。 這個現象也顯示,GaN功率元件的成本結構是相當有競爭力的。只要讓客戶建立信心,GaN功率元件在汽車、工業、資料中心等大功率應用領域,也有不小的發展空間。 熬過醞釀期 大功率應用逐漸浮現 GaN Systems台灣區業務總經理林志彥指出,雖然目前GaN HEMT元件最廣為人知,出貨量也最大的應用,是各種針對零售市場推出的快速充電器配件,或是筆記型電腦的電源供應器,但該公司過去幾年除了耕耘消費性電源應用市場外,其實也花了很多心力在非消費性產品上。舉例來說,資料中心所使用的各種高功率電源設備、電動車上的車載充電單元、工業類的馬達驅動設備、機器手臂等,也都有許多客戶正在設計導入,或是已經有產品量產上市。 事實上,非消費性產品導入GaN HEMT元件的時間點,並不晚於消費性產品。例如西門子(Siemens)的馬達驅控設備,就已經採用GaN Systems提供的方案,還有許多其他不方便透漏的設備客戶,也已經推出基於GaN HEMT元件的伺服器電源、逆變器(Inverter)等產品。還有些車廠客戶,也看上GaN在功率密度上的優勢,而決定與GaN Systems合作,共同發展22kW的車載充電器。 但工業或汽車領域的客戶,對元件的可靠度、安全性,要求都比消費性產品的製造商來得更嚴謹,因此其評估、測試與研發的週期,往往得花上兩到三年。以西門子的馬達驅控設備(圖1)為例,從元件性能/可靠性評估到產品設計、測試與量產,就花了近四年時間。但也因為前期作業紮實,因此從產品量產至今,業界對GaN元件最有疑慮的可靠度問題,至今完全沒有出現過。對GaN功率元件來說,這是一個相當重要的成功案例,有助於建立客戶對GaN元件的信心。 圖1 西門子已經在馬達驅動設備中導入GaN HEMT元件 另一方面,由於前期評估跟設計導入要花極大的心力,因此工業或汽車客戶只要導入某款元件,在終端產品漫長的生命週期中,都必須確保該款元件供應無虞,這使得客戶額外重視元件是否有第二供應來源。也因為這個緣故,GaN Systems與羅姆(ROHM)在2018年中結盟合作,讓兩家業者可以共同滿足客戶需求。 工業、汽車等非消費性產品需要較長的醞釀期。成本、供應鏈是否健全,乃至元件本身的技術特性,都是客戶在設計導入時需要考量的面向。但經過過去幾年的努力,已經有越來越多工業與資通訊電源設備開始採用GaN HEMT元件,電動車應用也已經有了初步成果。GaN功率元件應用開枝散葉,將是指日可待。 成本將是GaN最大優勢 包爾英特(Power Integrations, PI)行銷副總裁Doug Bailey(圖2)則表示,對於同時需要高效率跟小尺寸的電源設備來說,GaN元件所能創造的效益最為明顯。除了消費性的NB電源跟USB快充之外,伺服器跟電動車的電源系統,也是PI非常看好的應用市場。 圖2  包爾英特行銷副總裁Doug Bailey 事實上,GaN作為電源開關,其特性幾乎是全面性地勝過基於矽的傳統元件,只是目前跟矽開關相比,GaN開關的成本還略為高出一截。如果GaN跟矽的價差能持續縮小,可能絕大多數的電源應用都會考慮採用GaN開關。 那麼,GaN開關的成本,有沒有可能直逼矽開關呢?林志彥認為,這個可能性是存在的。事實上,目前GaN HEMT的市場行情,已經很貼近基於矽的MOSFET。如果是小量採購,GaN HEMT的報價約比MOSFET高出一成多,但若是百萬顆等級的大規模採購,跟MOSFET的報價應該是相去無幾。 至於跟另一種寬能隙材料--碳化矽(SiC)相比,GaN的成本優勢會更為明顯。SiC在散熱跟耐高壓方面,表現確實是優於GaN,但SiC的材料成本相當高昂,而且因為結構的關係,不容易微縮,這使得SiC元件不僅起始價格就比GaN高出一大截,降價的速度也不如GaN。 Bailey認為,由於GaN與SiC的成本落差相當明顯,許多高功率應用的開發者都對GaN展現出濃厚興趣。只要針對高功率應用研發的GaN HEMT開發成功,相信許多高功率應用的設計者,都會很快轉向GaN。事實上,高功率GaN HEMT的進展相當快,絕大多數電動車廠都已經拿到高功率GaN HEMT的工程樣本並展開評估,因此,GaN元件在電動車市場上,應該會有十分可觀的成長。 大功率應用更需高整合方案 在GaN元件積極搶攻高功率應用市場的同時,元件的設計將跟著出現哪些變化?林志彥認為,驅動器(Driver)與HEMT的整合,將是必然發生的趨勢。事實上,對消費性電源而言,GaN HEMT與驅動器是否一定要整合,還有討論空間,因為消費性電源的功率低,GaN HEMT的開關速度不須推到極限,以便在開關損失跟開關雜訊之間取得最好的平衡。此外,由於消費性電源的GaN HEMT開關頻率不必拉得很高,因此驅動器到開關之間的距離較長,仍是可以接受的。 舉例來說,對消費性電源來說,GaN...
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Power Integrations GaN技術提高PSU輸出功率

Power Integrations日前宣布其InnoSwitch3-MX隔離式切換開關IC系列增加了三款新型PowiGaN裝置。作為搭載Power Integrations InnoMux控制器IC晶片組的一部分,新的切換開關IC現在支援顯示器和電器電源應用,其連續輸出功率高達75W(無散熱片)。 Power Integrations產品行銷經理Edward Ong評論指出,透過使用該公司的PowiGaN技術,該公司可以解決採用LED顯示器的電視、監視器和電器中更高輸出的應用。這款晶片組提升了效率,超出了所有強制性法規的要求,同時提高了製造商在歐盟能效標章計畫中的分數。 InnoMux晶片組採用獨特的單級電源架構,與傳統設計相比,可將顯示器應用中的損失降低50%,進而將定電壓和定電流LED背光驅動器設計的整體效率提高到91%。此外,透過消除後期調節(亦即降壓和升壓)階段的需求,電視和監視器設計人員可以將元件數量減少一半,進而提高可靠性並降低製造成本。由於具有750V的高崩潰電壓,PowiGaN InnoSwitch3-MX零件還非常堅固,並且對線電壓突波和上升具有很高的抵抗力,這種情況通常發生在主電源電壓不穩定的地區。 InnoSwitch3-MX返馳式切換開關IC整合了一次側切換開關、一次側控制器、二次側同步整流控制器和PI創新的FluxLink高速通訊鏈路。InnoSwitch3-MX從其晶片組夥伴InnoMux IC接收控制指令,InnoMuxIC會獨立測量每個輸出的負載要求,並指示切換開關IC向每個輸出提供正確的功率,進而保持電流或電壓的精確調節。 現已提供INN3478C、INN3479C、INN3470C InnoSwitch3-MXIC的樣品,每次訂購數量為10,000件,價格分別為2.52美元、3.14美元和3.71美元。PowerIntegrations網站上提供晶片組的技術支援資訊,網址為:https://ac-dc.power.com/products/innomux-family/
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EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast

宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。 宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow表示,這個影片系列幫助設計工程師瞭解氮化鎵技術的獨有優勢,以及如何發揮其特性,進而設計出高效的功率轉換系統。最重要的是,該公司希望縮短設計工程師的學習曲線,讓他們發揮氮化鎵功率半導體的高頻開關及高性能等優勢。 首先上載到宜普公司的網站的7個影片是關於氮化鎵電晶體及積體電路的理論和設計基礎知識的概述,包括材料比較、構建氮化鎵電晶體、性能特性、閘極驅動器、布局、散熱管理,以及模型及測量。 該公司即將發布影片系列第二部份的其他7個教程,為工程師提供基於氮化鎵電晶體的廣泛應用的實用範例,包括面向通訊及數據通訊系統的DC/DC轉換系統。此外,該教程系列涵蓋具備卓越性能的氮化鎵元件如何推動各種新興應用的發展,包括針對全自動駕駛汽車及機械人的雷射雷達/ToF技術、不用電源線的無線功率傳輸應用,以及面向通訊系統的射頻波峰追蹤應用。
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大量導入消費性應用 GaN喜迎高度成長契機

半導體完全依靠電來驅動,隨著應用的不斷擴展,元件複雜度與功能持續提升,電力電子要求強化系統能源效率、縮小體積等。然而,目前矽(Si)材料已逐漸接近性能極限,難以滿足新興應用、產品越來越高效的電力需求。氮化鎵(GaN)具有高開關速度、低損耗、小體積等優點,可以有效提升系統效率,並解決元件散熱問題。 近年來,GaN已開始加速導入至各應用市場當中,市場普及率亦逐漸提升。包括伺服器電源、電動車(EV)以及消費性電子產品的快速充電將是驅動GaN高度成長的關鍵市場。因此更多廠商看好GaN的產業潛力,也將加速技術的改善,包括更高效率、低成本的架構可以在整體競爭的態勢底下,吸引更多應用導入,帶給消費者更多、更好的產品。 GaN正進入消費性應用市場 雲端資料中心近年業務不斷成長,伺服器用電負擔高,希望能有效提升電源轉換效率,像是Google、亞馬遜(Amazon)、微軟(Microsoft)等系統業者,過往都是採用12V的電源架構,如今為了要提升電源使用效率,皆紛紛轉往48V電源設計架構,此時具備高開關速度、低損耗特性的GaN,便成為首要選擇。Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim指出,汽車業也計畫導入48V電源供應系統,GaN元件要導入汽車產業,必須先通過AEC-Q101的汽車電子零組件可靠度驗證。 產業研究機構Yole Développementt(Yole)表示,與矽元件相較GaN是新興的材料,商用化的十多年來,是由高階高性能的應用推動,可提供高頻開關、低導通電阻和較小封裝尺寸,但在2019年,GaN已順利打入消費性應用領域,中國手機廠Oppo宣布在其新Reno Ace旗艦手機搭配的65W快充充電器中採用GaN HEMT元件。這是GaN功率元件首次進入智慧手機市場,而且有可能真正改變GaN產業發展。 而在車用市場,不僅是Transphorm,EPC也獲得AEC認證,而GaN Systems已獲得BMW i Ventures投資,預期在2020年獲得認證。Yole認為,GaN也可望打入工業和電信供電應用領域,包括資料通訊、基地台、UPS和工業雷射雷達應用。Yole預測,受消費型快充應用的驅動,GaN功率元件從2018~2024年,年複合成長率(CAGR)將高達85%,2024年產業規模將達到3.5億美元。 創新架構實現大電流直接驅動 GaN逐步顯現產業應用商機,吸引更多廠商投入,從製程生產的角度來看,Transphorm台灣區總經理王珈雯提到,目前GaN晶圓製造分為三個陣營,台積電、Panasonic與Transphorm,許多沒有晶圓廠的廠商都是委託台積電代工,再找封裝或模組夥伴合作。而Panasonic是與英飛凌(Infineon)合作生產GaN晶圓;Tranphorm則是唯一一家從晶圓製造、封裝、模組都自行完成的廠商,可以充分掌握元件電路設計特性,目前使用6吋晶圓,8吋晶圓預計2020年底完成驗證,2021年正式投片。 從技術架構來看,Transphorm 採用的是創新的Cascade架構(圖1),Yim解釋,該公司的架構是在氮化鋁鎵(AlGaN)層上又加了一個介電質(Dielectric);另一種e-mode架構則是在氮化鋁鎵層上加上了P-Gate,最主要的差異(圖2)在於e-Mode GaN需要配合驅動晶片,而該公司的Cascade架構則不需要驅動晶片,可以直接驅動,驅動電流也更大。 圖1 GaN元件Cascade與e-mode架構差異        圖2 GaN元件Cascade與e-mode架構各項技術優劣     目前,杭州中恆電氣(HZZH)已開發出一種基於GaN的高效功率模組,3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN元件,效率達到98%。該模組的輸入電壓範圍為85伏至264伏,而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN元件用於交錯無橋圖騰柱(Totem Pole)PFC,降低了功率模組的開關損耗和驅動損耗,因此ZHR483KS的性能優於以前使用Super Junction MOSFET的模組。 Yim說明,Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素:可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。在連續導通模式(CCM)升壓PFC拓撲中,在200KHz和120Vac輸入的條件下,該公司Cascade GaN較超接面Si提升近1%的效率,隨著頻率的升高,GaN的優勢更為明顯。
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MOSFET/封裝設計/切換頻率最佳化 服務型機器人驅動再進步

服務型機器人是高度複雜的系統,其中強調設計日趨精巧的極限,以及高效率和可靠性。這類機器人不但尺寸小,技術參數和要求也同樣嚴格。能源效率、續航力長的電池、小巧外型和出色的硬體熱管理,是機器人設計滿足及超越使用者期望的關鍵。如果考量軟體元件,連線服務型機器人資料保護、驗證及授權也是消費者最重視的項目。機器人專案成功與否,往往取決於所需半導體解決方案的可用性和擴充性。本文將探討不同機器人驅動器技術的使用案例和優點,其中特別關注MOSFET、封裝和高切換頻率解決方案,如氮化鎵(GaN)。 圖1 服務型機器人近年廣為工業使用 服務型機器人常見系統架構 在大多數情況下,最常見的機器人架構包括中央處理器(CPU)、電源/電池管理單元、電池充電器、無線通訊(COM)模組、人機介面(HMI)、感測器和驅動模組(有刷和無刷馬達)。部分機器人並沒有本文探討的所有元件,但以上架構仍可作為良好的系統概述。 主CPU是中樞大腦,執行大部分的系統智慧功能。此處理器負責系統協調,以排程獨立的方式命令不同模組執行工作。其餘模組則執行指令,並將狀態回報主CPU(圖2)。 圖2 常見機器人系統架構方塊圖 大多數服務型機器人都是以電池驅動,以便靈活運動。這類機器人採用內建充電器,可直接連接交流電網。在這類情況下,機器人內部包含充電器,以產生高電壓DC位準,並由電源管理單元進一步繼續處理。無線充電功能是這項應用的新興趨勢,特別是需要連續工作的機器人,因為無線充電可讓機器人一邊充電一邊運作。 如前所述,現今大多數機器人系統為電池驅動,因此電源/電池管理單元在架構中相當普遍。電池管理單元負責處理電池的整體狀況(包括健康狀態和安全),同時也提供保護,避免受系統過壓或過電流影響。在電池模組中,安全性(包括身分驗證)是需要考慮的關鍵因素。電池也仰賴通用微控制器實作輔助功能,例如電池系統的計量或監控。除電池管理單元外,電源管理單元以穩定方式為其餘模組控制所需的電壓軌(12V、5V或3.3V),向機器人內部的不同元件供電。其中可以採用固定或可調整的降壓轉換器控制器,或使用線性穩壓器。 機器人配備無線通訊模組,能夠與其他機器人或控制單元等系統互連,即時指揮完整的機器人隊。通訊通常採用Wi-Fi或藍牙技術。在許多情況下,本機控制器負責通訊程序,作為機器人主控制器和外部世界之間的閘道。 越來越多機器人與人類有一定程度的互動。簡單的顯示器或甚至高解析度顯示器可實現人機介面,但LED燈也可用於向使用者提供資訊或反饋。一旦機器人具備足夠智慧,能夠透過語言與使用者互動,因此需要語音輸入及輸出裝置。 此外,服務型機器人設計可以考慮採用不同類型的感測器。驅動器通常會採用位置感測器(霍爾感測器、編碼器)、速度、角度或電流感測器。如果機器人需要精確瞭解其環境,就需要更多類型的感測器,例如用於運動感測的雷達感測器(距離和方向)、氣壓感測器,或用於物體識別的3D影像感測器。對周圍環境的感應能力,提升了機器人的自主能力,特別是部署在擁擠倉庫等複雜環境時。 最後,驅動器模組也是常見系統架構的一部分。若需要精確定位、高速或安靜運作,設計人員將決定結合無刷DC(BLDC)馬達和一組位置感測器;或如果低效能馬達控制(慢速、低精度)足以因應需求,設計人員將選擇有刷馬達,受益於該類解決方案較低的成本。此外,也有機器人應用同時採用有刷和無刷馬達,以同時滿足效能和成本效益等目標。 簡單敘述服務型機器人背後的主要技術結構之後,接下來將揭露傳導損耗如何影響機器人整體效能,以及可用於減輕這類損耗的半導體解決方案和技術。 加強MOSFET品質因素 減少切換/傳導損耗 最佳化機器人電池壽命方法之一,就是提升機器人馬達的效率,以減少功率損耗。在馬達應用中,傳導和切換損耗都是重點。像是半導體商英飛凌(Infineon)便加強MOSFET的品質因數,其中特別重視降低MOSFET的RDS(ON)(汲極至源極導通電阻)及閘極電荷(電容),在每代產品中盡可能降低這兩種損耗。 若視控制方法而定,便可發現不同損耗。使用同步整流時,如果電流飛輪通過其本體二極體,低側MOSFET就會導通。這大幅降低本體二極體的傳導損耗(PLoss=IF×VF),因為新一代產品的MOSFET RDS(ON)值越來越低;不過低側二極體仍是主要的損耗來源之一。為了解決這項問題,採用整合式肖特基二極體的MOSFET,可降低正向電壓,進而將二極體功率損耗降到最低。這類產品稱為OptiMOS FD(快速二極體),可透過字尾LSI識別,例如BSC010N04LSI。 圖3顯示功率損耗分析,於使用區塊整流PWM(6階)搭配同步整流的三相變頻器之中測量。供應電壓為18V,選擇用於比較的MOSFET為LS和LSI版本的BSC010N04。 圖3 功率損耗分析,顯示高側(HS)及低側(LS)MOSFET及本體二極體(D)損耗的傳導(Cond-)及切換(SW-)損耗。低側本體二極體損耗主要為傳導損耗,可使用LSI零件降低。 燭光圖清楚顯示傳導(Cond-)及切換(SW-)損耗,在高側(HS)及低側(LS)MOSFET都扮演重要角色。其中有三項與此有關的主要發現: 1.低側MOSFET允許軟切換,因此切換損耗可忽略不計。 2.低側二極體的傳導損耗,是迄今為止最主要的損耗來源。 3.LSI(快速二極體)版MOSFET採用整合式肖特基二極體,大約可降低25%的傳導損耗,降低幅度取決於電流位準等系統條件。 切換損耗與切換頻率密切相關。機器人變頻器的常見頻率範圍為10kHz至40kHz。切換頻率越高,損耗越大。像是英飛凌的OptiMOS解決方案提供低RDS(ON)及低電荷MOSFET,可大幅降低這兩種損耗;不過損耗不可避免,電源切換時也一定會產生熱。因此熱管理是驅動器設計的主要挑戰之一,特別是在考量小型機器人手臂等高功率密度裝置時。 DirectFET封裝(圖4)為雙側冷卻封裝,直接連接金屬封裝及內部的矽晶片,而矽晶片則直接連接底部PCB,盡可能減少外部熱阻。這類封裝有效將熱從接面傳播到PCB底部,並從頂部通過金屬封裝傳播到空氣中,或可選擇使用散熱器,因應更嚴苛的情況。此封裝除了採用較薄外型,也是空間受限設計的良好選擇。圖3顯示DirectFET和D2Pak封裝之間的熱阻比較。DirectFET熱阻(8.1℃/W)不到D2Pak(16.8℃/W)的一半。 圖4 比較DirectFET和D2PAK封裝的熱阻,DirectFET封裝可在高密度驅動器最佳化熱設計 高切換頻率驅動使馬達控制更精確 工程師在應用中使用氮化鎵(GaN)裝置具有多項優點。GaN特性包括以較低的導通電阻,提供比矽替代品更低的導通損耗,以更低電容減少切換損耗,或改善本體二極體逆復原,使其成為高切換頻率功率應用的理想選擇。提升切換頻率有助於加強驅動器效能,例如減少轉矩波動。在電源供應器等其他應用中,這項技術也用於有效縮小磁性元件尺寸。 隨著切換頻率增加,必須調整控制器。其中應考量PWM解析度,以確保完整迴路能保持所需精度。例如英飛凌便提供XMC4100系列等微控制器產品,配備高解析度PWM模組,用於此類高解析度迴路用途,特別是在切換頻率增加時。此外,切換頻率升高時,必須考量微控制器的處理能力。假設採用逐週期控制方式,就要在更短時間內完成新工作週期計算。而該公司提供的控制器產品組合,其中包含32MHz的XMC1000系列ARM-Cortex-M0,乃至於144MHz的XMC4000系列ARM-Cortex-M4F和AURIX,因應更高的功能安全及效能需求。提升控制迴路執行頻率,可以加強馬達動態,進而實現更精確的控制。 而英飛凌產品方案還包括專門用於驅動器控制計算的特殊MATH輔助處理器(包括用於三角計算的CORDIC單元和一個除法單元)。相較於標準實作,此輔助處理器可縮短XMC1000系列控制迴路的執行時間(比較硬體與軟體計算)。 圖5顯示餘弦和除法函數的執行時間比較—通常用於驅動器控制演算法,如磁場導向控制(FOC)。 圖5 使用標準ARM Cortex-M0和XMC1300進行餘弦和除法函數的標準化執行時間 傳導/切換損耗最小化 機器人開發技術再提升 工程師重視驅動器的設計參數,以便能夠開發下一代機器人解決方案和裝置。他們可以選擇不同的半導體解決方案以微調其設計。最終產品的切換頻率和熱阻等技術參數,訂定了驅動器的要求。為了建構充分最佳化的系統,設計人員必須盡可能減少傳導和切換損耗,並最佳化熱管理。 採用整合式肖特基二極體的MOSFET可降低正向電壓,進而將二極體功率損耗降到最低。工程師還可以利用DirectFET等新型封裝設計,提供最佳化熱管理。新型寬帶隙解決方案(如GaN裝置)可建立基礎,打造切換頻率更高的驅動器,在精度及占用面積等層面提供協助。 (本文作者為英飛凌科技應用工程師)
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Power Integrations擴大採用750V GaN電晶體IC產品範圍

Power Integrations日前宣布推出更多InnoSwitch3系列離線CV/CC返馳式切換開關IC品項。全新INN3x78C裝置整合體積更小的「8號」750V PowiGaN電晶體,能夠讓輕薄且高效的電源供應器輸出27W至55W功率而毋需散熱片。此IC所用的封裝技術,與採用GaN的InnoSwitch3系列中體積較大品項(最高目標功率為120W)同為高沿面距離、符合安全要求的InSOP-24D封裝。 Power Integrations產品行銷總監Chris Lee表示,該公司感受到全球對於採用750V GaN電晶體的高效AC-DC轉換器IC的需求與日俱增。然而,由於矽MOSFET崩潰電壓與COSS相關的切換損失之間的關係,難以同時實現電氣強度和效率。該公司的PowiGaN電晶體具有較低的COSS,因此可以達到94%以上的效率,進而在熱帶市場實現低損壞率。 PowiGaN技術以良好效率著稱,不僅在線電壓和整個負載範圍內的效率高達94%,而且非常堅固耐用,使其能夠在主電源電壓經常不穩定的區域,強力抵抗線電壓突波和線電壓上升。這項特點讓OEM可以應用在全球使用的單一電源供應器設計。新零件的應用範圍包括USB PD和用於行動裝置的高電流充電器/轉換器,以及機上盒、顯示器、網路和遊戲產品與家電,尤其是針對那些符合研議中歐洲能效標章法規的產品。
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意法收購Exagan 擴展GaN應用布局

意法半導體(ST)日前宣布已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協定。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規畫,意法半導體則將為其部署產品提供支援。 意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,意法半導體的碳化矽發展布局具備強大動能,現在該公司正擴大對另一種前景看好之複合材料—氮化鎵的投入,以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權可強化該公司在全球功率半導體市場的地位,同時也是對於GaN長遠規畫、生態系統和業務向前邁出的另一步。這是目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發專案,還有近期宣布與台積電合作專案的另一個成果。 氮化鎵(GaN)屬於寬帶隙(Wide Bandgap, WBG)材料家族,其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步,其效能和功率密度優於矽基電晶體,GaN基板元件節能省電、縮減系統大小,適合各種應用,例如伺服器、電信/工業用功率因數校正和DC/DC轉換器;同時包含電動汽車車載充電器/車規DC-DC轉換器及電源適配器等個人電子應用。
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EPC氮化鎵GaN推動產業功率傳輸轉型

宜普電源轉換(EPC)將於3月15至19日在美國紐奧良(New Orleans)舉行的APEC 2020展覽會上,進行11個關於氮化鎵(GaN)技術及應用的演講。此外,EPC展位也會有多個終端客戶採用的最新氮化鎵場效應電晶體及IC產品亮相。 在展會上,EPC將發布ePower Stage系列IC,在單一矽基GaN晶片上整合所有功能,為產業重新定義功率轉換。並將展示ePower Stage及離散式GaN元件如何能夠提升48V功率轉換器的效率、縮小其尺寸及降低系統成本。該48V轉換器針對輕薄並且具有高功率(可高達250W)的筆記型電腦、具高功率密度的伺服器及人工智慧系統,以及汽車系統等應用。 宜普EPC 48V電源轉換模組 另外,EPC將展出多個光達應用,展示氮化鎵技術如何支援短距及長距雷射雷達感測器。展示包括用於長距離檢測的直接飛時測距(DToF)系統,可在低於2.5奈秒提供超過100A的電流。 用於短距離檢測的間接飛時測距(IToF)系統則可在低於1.2奈秒的脈寬提供8A脈衝電流。終端應用包括自駕車、自動化倉庫、無人機及吸塵機等應用。 EPC並將介紹如何以GaN晶片支援電動滑板車的馬達供電。ePower Stage元件應用於三相正弦激勵,馬達驅動器的每相具10ARMS,可實現高效、寧靜、高性能及低成本的電動汽車解決方案。 在無線電源充電方面,隨著物聯網產業的迅速發展,全新的連結及感測元件若需要符合5G的要求,可靠及安全的無線供電不可或缺。EPC將展示支援5G的高效無線電源充電解決方案,可穿透e-glass及牆壁,傳輸高達65W的電源。
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看好功率應用需求 台積電/意法合推氮化鎵製程

日前台積電宣布與意法半導體(ST)合作,共同推動氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)製程技術發展。氮化鎵在汽車、工業、電信以及特定消費性電子產品的應用上,具有比傳統矽基半導體更優異的節能效益,同時元件切換速度比矽基元件快10倍,也能讓系統使用的元件更精簡,進而縮小終端產品的外觀尺寸。透過此合作,意法半導體將採用台積電領先的氮化鎵製程技術,來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。 台積電宣布與意法半導體合作。 氮化鎵是一種寬能隙半導體材料,相較於傳統的矽基半導體,氮化鎵擁有高度效能優勢,包括在高功率的同時達到更大的節能效益,大幅降低寄生功耗。除了功耗方面的提升,相較矽基元件,氮化鎵元件的切換速度加快10倍,並且能在更高溫的環境下運作,具備更廣泛的應用場景,主要使用在100伏與650伏特電壓之間的產品,包含工業、汽車、電信及部分消費性電子產品。 為了加速氮化鎵技術的落地應用,台積電借助意法半導體的產品設計與汽車產業經驗,並貢獻氮化鎵的製造技術,協助意法半導體提供中功率與高功率應用所需的解決方案,包括油電混合車的轉換器與充電器的產品設計。若氮化鎵功率電子成功進入工業即汽車供率轉換使用,是必成為汽車電氣化發展的一大進程。
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iBeam技術大躍進 Micro LED顯示器有望2022量產

三星投資的新創Micro LED顯示器技術商iBeam Materials(iBeam)日前宣布,已成功展示一項可直接在纖薄、柔性且可彎曲的金屬基板上製造高效氮化鎵(GaN)場效電晶體(FET)的技術。將這項技術與該公司先前發表的MicroLED搭配使用,製造商可以在省去巨量轉移製程,直接將MicroLED與場效電晶體以並排的方式整合在一起。該公司預估,這項直接在金屬基板上製造GaNFET的技術,可望在2022年進入大規模量產。 iBeam透過GaN元件為產品帶來新面貌。 MicroLED顯示器技術可突破傳統顯示器的外觀尺寸限制,為手機、可穿戴式裝置、照明及儀器等產品外觀帶來轉變的可能。新技術製造的大面積MicroLED顯示器具有韌性但外形纖薄,且其可彎曲、凹折及適應各種形狀的特性,能與傳統的顯示器產生明顯的市場區隔。此外,相較傳統LCD和OLED顯示器,該Micro LED顯示器具較高亮度及效率。 Micro LED顯示器能否普及的關鍵取決於量產技術的成熟度,及應用設計是否有足夠的實用性,本次iBeam技術的突破,克服了量產技術方面的瓶頸。而該公司早期技術發展亦著重於柔性基板,如其專利製程可使製造商直接在薄、柔性大面積金屬基板上生產產品。透過直接於金屬基板上生產Micro LED顯示器面板,可以捲對捲(Roll-to-Roll)製程大量生產,而該公司精進製程的同時,亦能使生產資金與營運成本較傳統顯示器來得低。
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