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GaN-on-silicon

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(更新)國防/電信驅動RF GaN需求 專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出,RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展,截至2017年底,RF GaN市場產值已經接近3.8億美元,2023年將達到13億美元以上。 目前國防仍是RF GaN的主要市場,因為其專業化的高性能需求和價格敏感度(Price Sensitivity)較低,因而為以GaN為基底的產品提供了許多機會。2017~2018年,國防領域占了RF GaN市場總量的35%以上,完全沒有減少的趨勢。Yole Développement資深技術與市場分析師Hong Lin表示,這個重要的GaN市場將持續與GaN的整體滲透力一起成長。 RF GaN已經被工業廠商認可,並明顯地成為主流。領先的參與者正快速地增加收入,這種趨勢在未來的幾年內將保持不變。從智慧財產的角度來看,美國和日本主導著整個RF GaN智慧財產生態系。 Knowmade執行長兼聯合創始人Nicolas Baron評論,科銳(Cree)毫無疑問地擁有最強的智慧財產地位,尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron-mobility transistor, HEMT) 。另一家RF GaN元件的市場領導者--住友電氣工業,專利地位也不錯,但仍落後於Cree,且專利布局動作有放緩趨勢。反觀,富士通、東芝(TOSHIBA)和三菱電機(Mitsubishi Electric)等其他日本公司則正在加快他們的專利申請,因此現在也擁有強大的專利組合。 Baron進一步說明,Cree也在RF GaN HEMT智慧財產的競賽中處於領先地位。針對Cree的 RF GaN專利組合分析顯示,它可以有效地限制該領域的專利活動,並控制大部分關鍵國家其他企業的自由營運(Freedom to Operate, FTO)。 另一方面,英特爾和MACOM目前也十分積極進行RF...
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無鎘QD/矽基氮化鎵聯盟 MicroLED像素縮小87%

Plessey Semiconductors和Nanoco Technologies近日宣布合作,利用Nanoco的無鎘量子點(CFQD量子點)半導體奈米粒子技術,能大幅縮小MicroLED顯示器的晶粒像素尺寸。再加上Plessey Semiconductors所掌握的矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon)製程技術,整體驅動架構更能進一步做到微型化。是RGB全彩MicroLED顯示技術進程的新里程碑。 由於真正的RGB全彩MicroLED要做到微型化同時維持轉移良率,其技術難度非常高。因此, Plessey Semiconductors利用其現有的單晶製程,將Nanoco的無鎘量子點導入至藍光LED的選定區域,以增加紅光和綠光。這使最小的像素尺寸(Pixel Size)從現在的30μm縮小到僅4微米(μm),縮小幅度達到87%。在縮小Pixel Size的同時,該製程進展也能使MicroLED顯示器的色彩表現更加寫實,也能增強能源效率。 Plessey Semiconductors業務發展總裁Mike Lee表示,量子點技術為當今新興的顯示器提供了最佳解決方案。Plessey的MicroLED顯示器產品計畫,便是在2019年利用無鎘量子點技術將MicroLED Pixel Size降至4μm。 聚積科技微發光二極體事業部經理黃炳凱說明,由於轉移RGB全彩MicroLED的技術難度過高,因此目前主流的解決方案是利用量子點做到色彩轉換(Color Conversion),就能使的單色藍光LED做到RGB全彩效果。另一方面,驅動電路的設計也是實現超小Pixel Size MicroLED顯示器的一項技術難點,GaN-on-Silicon技術則能做到驅動電路的極度微型化。 Plessey Semiconductors表示,與OLED顯示技術相比,MicroLED能達到更高亮度,體積也更輕巧,並且擁有較高的使用壽命。在AR/VR顯示器應用領域,MicroLED的解析度能夠達到OLED的十倍,對比度更能比OLED高出100倍。而且MicroLED的功耗只有OLED的一半,使注重攜帶的消費電子產品的續航力延長一倍,更沒有如OLED這樣的有機材質所帶來的短壽命與螢幕烙印疑慮。在CES 2019展會上,Plessey展示了其MicroLED技術產品,並獲得了CES 2019創新獎項。  
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